CN103178084B - 有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机发光显示装置。该有机发光显示装置包括基板、形成在该基板上的薄膜晶体管、形成在该薄膜晶体管上的第一电极、有机发射层以及形成在该有机发射层上的第二电极。该有机发射层包括第一叠层、第二叠层和电荷产生层,该第一叠层包括形成在该第一电极上以发出第一色光的第一发射层,该第二叠层包括形成在该第一电极上以发出第二色光的第二发射层,该电荷产生层形成在该第一叠层与该第二叠层之间。

Description

有机发光显示装置
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置,更具体地,涉及用于改进色彩视角的有机发光显示装置。
背景技术
通常,发光装置分为具有由有机材料形成的发射层的有机发光显示装置以及具有由无机材料形成的发射层的无机发光显示装置。在这些发光装置中,有机发光显示装置为自发光装置,其中从阴极注入的电子与从阳极注入的空穴在有机发射层内相互结合以形成激子(exiton),激子释放能量以发光。有机发光显示装置驱动功率低,能够自发光,实现自然色,并具有宽视角、高分辨率和快速响应时间。
近来,随着发射白光的有机发光显示装置的发展,有机发光显示装置被广泛应用于各个领域(例如背光、照明等),因此被视为最重要的显示装置类型。
实现白色的有机发光显示装置的类型包括单光子发射类型、多光子发射类型、色彩转换类型和叠层(stack)类型。在这些类型中,广泛采用多光子发射类型,其中从多层发光并通过色彩的纵向组合而实现白光。
具体地,如图1所示,基于具有2叠层结构的多光子发射类型的有机发光显示装置向外发出具有两个峰的电致发光(EL)光谱光。
然而,现有技术的上述有机发光显示装置具有以下局限。
图1是示出在现有技术的有机发光显示装置中,根据视角改变的EL光谱与发射光谱以及根据视角几乎没有改变的光致发光(PL)光谱的示意图。图2是示出在图1的现有技术的有机发光显示装置中,根据视角减小蓝光B和黄绿色光YG的强度的示意图。
从图1可知,EL光谱30(其中已对从现有技术的有机发光显示装置发出的最终的光进行了光谱分析)表示为PL光谱10(从发射层发出的光的光谱)与发射光谱20(根据构造有机发射层的层的光学特性和厚度而改变)的乘积。
从PL光谱10可知,现有技术的有机发光显示装置包括发出(B PL)蓝色的峰值波长的发射层与发出(YG PL)黄绿色的峰值波长的发射层,由此发出白光。然而,由于蓝光与黄绿色光的强度减少量不同,所以白光的色彩视角特性减弱。
也即是说,从EL光谱30和图2可知,随着视角从0度增加到60度,蓝光的强度迅速减小,但黄绿色光的强度相对缓慢地减小。因此,在前方(视角为0度)实现的白光与在侧面实现的白光之间的差异中,色彩偏移随着靠近侧面(视角增大)而逐渐增加(色彩视角特性减弱)。
此外,从EL光谱30可知,红(R)光的强度小于蓝光和绿光的强度。因此,红色子像素的电流密度增大以实现充分的照明,从而使得Voled电压升高并且面板的发光效率降低。
发明内容
因此,本发明致力于一种有机发光显示装置,其基本上解决了由于现有技术的局限和缺点而造成的一个或更多个问题。
本发明的一个方面致力于一种用于改进色彩视角特性和面板的发光效率的有机发光显示装置。
本发明的另一个方面致力于一种具有经改进的色彩再现率的有机发光显示装置。
本发明的附加优点和特征将部分地在下文中进行描述,并且部分地由本领域普通技术人员通过阅读下文而显而易见或者可从本发明的实践中得知。通过本发明的说明书、权利要求和附图特别指出的结构,可实现和获得本发明的目的和其它优点。
为了实现这些和其它优点,并且根据本发明的目的,如本文具体实施和广义描述的,提供了一种有机发光显示装置,该有机发光显示装置包括:基板;薄膜晶体管,其形成在所述基板上;第一电极,其形成在所述薄膜晶体管上;有机发射层,其包括第一叠层、第二叠层和电荷产生层,所述第一叠层包括形成在所述第一电极上以发出第一色光的第一发射层,所述第二叠层包括形成在所述第一电极上以发出第二色光的第二发射层,所述电荷产生层形成在所述第一叠层与所述第二叠层之间;以及第二电极,其形成在所述有机发射层上,其中,相比根据有机发光装置的光学特性确定的发射光谱的第一色峰值波长(第二峰值波长),根据所述第一发射层和所述第二发射层的掺杂剂特性确定的光致发光(PL)光谱的第一色峰值波长(第一峰值波长)位于短波长区域内,并且相比所述发射光谱的第二色峰值波长(第四峰值波长),所述PL光谱的第二色峰值波长(第三峰值波长)位于短波长区域或长波长区域内。
在所述有机发光显示装置中,所述PL光谱的所述第一色峰值波长(所述第一峰值波长)与所述发射光谱的所述第一色峰值波长(所述第二峰值波长)之间的差异可以等于或小于10nm,并且,所述PL光谱的所述第二色峰值波长(所述第三峰值波长)与所述发射光谱的所述第二色峰值波长(所述第四峰值波长)之间的差异可以等于或小于±10nm。
第一色可以为蓝色,而第二色可以为黄绿色。
在所述有机发光显示装置中,所述第二发射层的掺杂剂浓度可以是主体(host)的10%至25%.
在所述有机发光显示装置中,所述第二发射层的掺杂剂材料可以选择为使得所述PL光谱的所述第二色峰值波长(所述第三峰值波长)具有540nm-575nm的波长。
在所述有机发光显示装置中,CIE1931标准色度系统中的色坐标变化量(Δu'v')在所述有机发光显示装置发出的光的0度至60度的视角方向上可以等于或小于0.02。
该有机发光显示装置还可以包括保护层(overcoat layer)以及所述薄膜晶体管与所述第一电极之间的光补偿层。
所述光补偿层可以具有1.8至2.3的折射率。
所述光补偿层可以具有的厚度。
在所述有机发光显示装置中,所述PL光谱的所述第二色峰值波长(所述第三峰值波长)的半峰全宽(full width at halfmaximum)可以等于或大于80nm。
在所述有机发光显示装置中,所述PL光谱的所述第二色峰值波长(所述第三峰值波长)的峰值波长可以为540nm至575nm。
应当理解,本发明的以上总体描述和以下具体描述都是示例性和解释性的,旨在对要求保护的本发明提供进一步的说明。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解,并被加入本申请且构成其一部分,附图示出了本发明的实施方式并与说明书一起用于解释本发明的原理。附图中:
图1是示出在现有技术的有机发光显示装置中,根据视角改变的EL光谱与发射光谱以及根据视角几乎没有改变的光致发光(PL)光谱的示意图;
图2是示出在图1的现有技术的有机发光显示装置中,根据视角减小了蓝光B和黄绿色光YG的强度的示意图;
图3是示出根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的截面图;
图4是示出根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的有机发射层的结构的示意图;
图5是示出根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的PL光谱和发射光谱的示意图;
图6是示出在包括厚度为的光补偿层的根据本发明的实施方式的有机发光显示装置中,在黄绿色掺杂剂的掺入量增加14%和20%后,已经进行分析的特性的示意图;
图7是示出在图6的实验例1中,针对视角的色坐标变化量的示意图;
图8是示出在图6的实验例1中,基于掺入量的EL光谱的示意图;
图9是示出在包括厚度为的光补偿层的根据本发明的实施方式的有机发光显示装置中,在黄绿色掺杂剂的掺入量增加14%和20%后,已经进行分析的特性的示意图;
图10是示出在图9的实验例2中,针对视角的色坐标变化量的示意图;
图11是示出在图9的实验例2中,基于掺入量的EL光谱的示意图;
图12是示出在无光补偿层的根据本发明的实施方式的有机发光显示装置中,在黄绿色掺杂剂的掺入量增加14%和20%后,已经进行分析的特性的示意图;
图13是示出在图12的实验例3中,针对视角的色坐标变化量的示意图;
图14是示出在图12的实验例3中,基于掺入量的EL光谱的示意图;
图15是示出基于PL光谱的半峰全宽的变化的强度变化量的示意图;
图16是示出实验结果的表格,其中按照R、G、B通道测量了图15的光谱的每单位面积电流密度和强度;
图17是示出基于YG峰值波长的变化的强度变化量的示意图;以及
图18是在图17的光谱经过滤色器CF后,对基于R、G、B通道各自的峰值强度的变化的效率和电流密度进行分析的表格。
具体实施方式
下面将对本发明的示例性实施方式进行详细说明,其示例如附图所示。在全部附图中,尽可能采用相同的附图标记来表示相同或相似的部件。
以下将参照附图来详细描述根据本发明的实施方式的有机发光显示装置。
在对本发明的实施方式的描述中,如果结构被描述为形成在另一结构的上部/下部或另一结构之上/之下,则该描述应当被理解成包括两个结构彼此接触的情况以及两个结构之间设置有第三结构的情况。
图3是示出根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的截面图。图4是示出根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的有机发射层的结构的示意图。
如图3所示,根据本发明的实施方式的有机发光显示装置100包括基板110、薄膜晶体管(TFT)、保护层150、光补偿层155、第一电极160、堤岸层(bank layer)170、有机发射层180以及第二电极190。此处,TFT包括栅极115、栅绝缘体120、半导体层131、源极133、漏极135、第一钝化层140、滤色器145、保护层150、光补偿层155、第一电极160、堤岸层170、有机发射层180以及第二电极190。
基板110可由玻璃或透明塑料形成。
栅极115形成在基板110上并与选通线(GL)连接。栅极115可以是由从以下材料构成的组中选择的一种材料形成的多层结构:Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu及其合金。
栅绝缘体120形成在栅极113上,可以是氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或其多层结构。然而,栅绝缘体120不限于此。
半导体层131形成在栅绝缘体120上,可包括非晶硅或非晶硅发生结晶的多晶硅。蚀刻阻挡(etch stopper)132可形成在半导体层131上并保护半导体层131。然而,也可根据情况而不设置蚀刻阻挡132。
源极133和漏极135可形成在半导体层131上。源极133和漏极135可形成为单层或多层。源极133和漏极135可由从以下材料构成的组中选择的一种材料形成:Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu及其合金。
第一钝化层140可形成在源极133和漏极135上,并且可以是SiOx、SiNx或其多层结构。然而,第一钝化层140不限于此。
滤色器145形成在第一钝化层140上的红色子像素区域、蓝色子像素区域和绿色子像素区域内。滤色器145将从OLED发出的白光转换为红(R)、蓝(B)、绿(G)光。
保护层150可形成在滤色器145上,并且可以是丙烯酸类树脂、聚酰亚胺树脂、SiOx、SiNx或其多层结构。然而,第二钝化层160不限于此。
光补偿层155可形成在保护层150上,并且由SiOx、SiNx或其多层结构形成。
特别地,光补偿层155由折射率为1.8至2.3的材料形成,并且厚度为从而增强了有机发光显示装置100的色彩视角特性和发光效率。
第一电极160可形成在光补偿层155上,并由透明的铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)构成。然而,阳极170不限于此。第一电极160与源极133电连接。因此,在第一钝化层140的特定区域内形成接触孔,并在保护层150的特定区域内形成接触孔。第一电极160可以是阳极。
堤岸层170可形成在第一电极160上,并包括有机材料,如苯并环丁烯(BCB)类树脂、丙烯酸类树脂或聚酰亚胺树脂。堤岸层170形成在第一电极160上,具有特定开口,使得有机发射层180发出的光可透过。
有机发射层180形成在堤岸层170上并发出白光。参照图4对此进行详细描述,有机发射层180包括形成在第一电极160上的第一叠层181、形成在第一电极160上的电荷产生层(CGL)183以及形成在第一电极160上的第二叠层185。
在图4中,第二叠层185被示出为形成在第一叠层181上,但不限于此。在另一示例中,第一叠层181可形成在第二叠层185上。
第一叠层181形成在第一电极160上,并包括发出蓝光的第一发射层。第一叠层181包括电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、第一发射层(EML)、空穴传输层(HTL)以及空穴注入层(HIL),它们可堆叠为多层结构。
第二叠层182形成在第一电极160上,并包括发出黄绿色光的第二发射层。第二叠层185包括EIL、ETL、第二EML、HTL以及HIL,它们可堆叠为多层结构。
在该情况下,光补偿层155、第一电极160以及有机发射层180的厚度是确定有机发光显示装置的发射光谱的因数,并可由以下公式(1)表达。
Σ i n i o d i o λ b + n a d a λ b + Σ j n j w d j w λ b = 1.85 ~ 2.15 . . . ( 1 )
其中,一阶项与光补偿层155有关,二阶项与第一电极160有关,三阶项与有机发射层180有关,n表示折射率、d表示从阴极到发射层的距离,λ表示蓝光的峰值波长。
从阴极到发射层的距离可由以下公式(2)确定。
( 2 m - 1 ) λ 4 = nd . . . ( 2 )
其中,m表示正数、n表示折射率、d表示从阴极到发射层的距离,λ表示蓝光或黄绿色光的峰值波长。
CGL形成在第一叠层181与第二叠层185之间。
向第一电极160、第二电极190施加驱动电压时,穿过HTL的空穴和穿过ETL的电子移动到各个EML(第一EML和第二EML)以产生激子,从而使EML(第一EML和第二EML)发出可见光。第一EML和第二EML各自发出的光在有机发射层180的外部均为白光。
在此情况下,发出的白光穿过滤色器145,并在外部传送到基板110。此时,穿过红色滤色器的光被转换为红光,穿过蓝色滤色器的光被转换为蓝光,穿过绿色滤波器的光被转换为绿光。
以下,将参照图5详细描述从有机发射层180发出的光的特性。
图5是示出根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的PL光谱和发射光谱的示意图。
如图5所示,根据本发明的有机发光显示装置的PL光谱S1包括第一峰值波长P1和第三峰值波长P3。此外,发射光谱S2包括第二峰值波长P2和第四峰值波长P4。
在PL光谱S1中,第一峰值波长P1表示从第一EML发出的第一红光的峰值波长,第二峰值波长P2表示从第二EML发出的第二红光的峰值波长。
在发射光谱S2中,第二峰值波长P2表示第一红光的峰值波长,第四峰值波长P4表示第二红光的峰值波长。
此处,PL光谱(发射光谱)是已分析了从EML发出的光的光谱,并且表示具有取决于掺入EML的掺杂剂的特性(即,掺杂剂的独有特征和掺入量)的独有特征的光谱。
发射光谱表示具有取决于(构成有机发射层的)层和光补偿层的光学特性(厚度和折射率)的独有特征的光谱。为了对此进行详细描述,可根据(构成有机发射层的)层和光补偿层的光学特性以及有机发光显示装置的光学特性来测量发射光谱。
此处,有机发光显示装置的光学特性表示例如从有机发射层发出的光通过的所有路径上设置的各个元件的厚度和折射率的特性。从有机发射层发出的光通过的所有路径上设置的元件可包括保护层、滤色器、钝化层、TFT层、基板、密封层以及有机发射层和光补偿层。
此外,EL光谱表示已分析了从有机发光显示装置最终输出的光的光谱的光谱,并受到PL光谱和发射光谱的特性的影响。
可通过调节有机发射层的层的厚度以及光补偿层的厚度来改变发射光谱,从而改变第二峰值波长P2和第四峰值波长P4。
可通过调节有机发射层的层和光补偿层的光学特性(厚度和折射率)来改变发射光谱,从而改变第二峰值波长P2和第四峰值波长P4。在该情况下,通过调节有机发射层的层和光补偿层的光学特性(厚度和折射率)来同时改变发射光谱中的第二峰值波长P2和第四峰值波长P4,因此,需要对光学特性进行适当调节。
可通过调节第一EML的掺杂剂的掺入量或改变掺杂剂的材料来移动PL光谱中的第一峰值波长P1,并且可通过调节第二EML的掺杂剂的掺入量或改变掺杂剂的材料来移动PL光谱中的第三峰值波长P3。
在有机发光显示装置中,为了增强色彩视角和面板效率,相比根据有机发射层的层和光补偿层的光学特性确定的发射光谱S2中的第一色峰值波长(第二峰值波长P2),根据第一EML和第二EML的掺杂剂特性确定的PL光谱S1的第一色峰值波长(第一峰值波长P1)位于短波长区域内,并且,相比发射光谱S2中的第二色峰值波长(第四峰值波长P4),PL光谱S1中的第二色峰值波长(第三峰值波长P3)位于短波长区域或长波长区域内。
这是因为,当第一峰值波长P1与第二峰值波长P2匹配,同时第三峰值波长P3与第四峰值波长P4匹配时,第一色光的强度的下降率大于第二色光的强度的下降率,因此,随着视角增大,色彩偏移增大,色彩视角特性减弱。
因此,本发明通过将第一峰值波长P1设计成比第二峰值波长P2短,并且将第三峰值波长P3设计成比第四峰值波长P4短或长,可以抑制由于视角增大造成的色彩偏移,从而改进色彩视角特性。
在该情况下,第一峰值波长P1与第二峰值波长P2之差可等于或小于10nm,第三峰值波长P3与第四峰值波长P4之差可小于±10nm。然而,本发明不限于此。
第二EML的掺杂剂浓度可以是主体的10%-25%。
在该情况下,当第二EML的掺杂剂相对于主体的浓度小于10%时,第三峰值波长P3比第四峰值波长P4短。在该情况下,对于EL光谱的分析表明,第二色光的强度(因视角增大而造成的)变化是略微增大然后降低。另一方面,由于第一色光的强度(因视角增大而造成的)变化是连续增大,所以第一色光与第二色光之间的强度变化之差较大,因此难以改进色彩视角。
此外,当第二EML的掺杂剂相对于主体的浓度超过25%时,第三峰值波长P3变得比第四峰值波长P4长。因此,色彩视角特性得到改进,但是第二色光的强度降低。在该情况下,虽然红光的强度略微增加,但是由于第二色光的强度降低,所以面板的发光效率总体上降低,并且功耗增加。
第二EML的掺杂剂材料可以选择为使得PL光谱的第三峰值波长P3具有540nm至575nm的波长。
也即是说,为了使第二EML发出移动到比有机发射层180的发射光谱中的第四峰值波长P4短或长的波长的第三峰值波长P3,第二EML的掺杂剂浓度可增加10%至25%,或者采用具有相对较长波长(波长为540nm至575nm)的掺杂剂。
第一色可为蓝色,第二色可为黄绿色,但不限于此。以下将第一色描述为蓝色,将第二色描述为黄绿色。
国际照明委员会(CIE)1931标准色度系统中的色坐标变化量(Δu'v')在有机发光显示装置发出的光的0度至60度视角方向上等于或小于0.02。在该情况下,根据CIE1931标准色度系统(u',v'),将色坐标变化量定义为初始色坐标(u'0,v'0)与经过特定时间“t”之后的色坐标(u't,v't)之间的色坐标差。
当色坐标变化量等于或小于0.02时,由于视角的原因,用户无法很好地察觉到色彩偏移。
如上所述,当第一峰值波长P1被设计成比第二峰值波长P2短,第三峰值波长P3被设计成比第四峰值波长P4短或长时,PL光谱与发射光谱之间的匹配得到改进,从而减少了由于视角增大引起的色彩偏移,因而改进了色彩视角特性。此外,EL光谱中的红光的发光效率增强,因此,Voled电压降低,从而提高面板的发光效率。
在该情况下,Voled电压是施加到第一电极(阳极)和第二电极(阴极)的电压,并且表示施加到RGBW子像素当中的示出最高电流密度的子像素的电压。
在有机发光显示装置中,PL光谱中的第二色峰值波长(第三峰值波长)的半峰全宽(FWHM)形成为大于80nm,以增强色彩再现率和发光效率。此处,FWHM表示对应于1/2光谱峰值的幅度处的波长范围。
在实施方式中,第二色可为黄绿色(YG)。黄绿色光谱用于实现RGB通道(包括红色和绿色通道),因此,当第二色峰值波长的FWHM增加时,红色和绿色通道的发光效率增大,从而增强色彩再现率。
在实施方式中,第二色峰值波长的FWHM可形成为大于80nm。此外,即使具有相同的FWHM,红色和绿色通道的发光效率也会根据峰值波长值而发生较大变化,此时的波长值可为540nm至575nm(在实验例4中将会描述关于此进行的实验)
如上所述,使用具有宽FWHM的掺杂剂的方法、调节掺杂比例的方法以及使用具有多层结构的EML的方法均可用于实现在第二色峰值波长中具有增大的FWHM的光谱。
再次参照图3,第二电极190可形成在有机发射层180上,并且可使用金属材料(例如Al、Ca或Mg)或透明材料(例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO))。此时,第二电极190可为阴极。
以下,将描述根据本发明的有机发光显示装置的实验例的结果。
<实验例1>
图6是示出在包括厚度为的光补偿层的根据本发明的实施方式的有机发光显示装置中,在黄绿色掺杂剂的掺入量增加14%和20%后,已经进行分析的特性的示意图。
从图6可知,光补偿层形成为具有的厚度,HTL1形成为具有的厚度,HL3形成为具有的厚度,ETL2形成为具有的厚度。此外,采用黄绿色掺杂剂进行掺杂,以使黄绿色掺杂剂相对于主体的掺杂量成为14%和20%。
与黄绿色掺杂剂相对于主体的掺杂量为14%的情况相比,当黄绿色掺杂剂相对于主体的掺杂量为20%时,可以看到面板效率增加,Voled值降低,并且色坐标变化量减小。
图7是示出在图6的实验例1中,针对视角的色坐标变化量的示意图。
从图7可知,已经采用黄绿色掺杂剂进行了掺杂,以使黄绿色掺杂剂相对于主体的掺入量成为20%,并且已对色坐标变化量进行了三次分析,分析结果示为L11、L12、L13。此外,已经采用黄绿色掺杂剂进行了掺杂,以使黄绿色掺杂剂相对于主体的掺入量成为14%,并且已对色坐标变化量进行了三次分析,分析结果示为L21、L22、L23。
与黄绿色掺杂剂相对于主体的掺杂量为14%的情况相比,当黄绿色掺杂剂相对于主体的掺杂量为20%时,可以看到色坐标变化量减小,并且色彩视角特性得到改进。
图8是示出在图6的实验例1中,基于掺入量的EL光谱的示意图。
当采用黄绿色掺杂剂进行掺杂以使黄绿色掺杂剂相对于主体的掺入量增加20%和14%时,EL光谱移动到长波长,因此,红光的发光效率增强,Voled电压降低,从而提高面板的发光效率。
<实验例2>
图9是示出在包括厚度为的光补偿层的根据本发明的实施方式的有机发光显示装置中,在黄绿色掺杂剂的掺入量增加14%和20%后,已经进行分析的特性的示意图。
从图9可知,光补偿层形成为具有的厚度,HTL1形成为具有的厚度,HL3形成为具有的厚度,ETL2形成为具有的厚度。此外,进行掺杂,以使黄绿色掺杂剂相对于主体的掺杂量成为20%(a)和14%(b)。
与黄绿色掺杂剂相对于主体的掺杂量为14%(b)的情况相比,当黄绿色掺杂剂相对于主体的掺杂量为20%(a)时,可以看到面板效率增加,Voled值降低,并且色坐标变化量减小。
图10是示出在图9的实验例2中,针对视角的色坐标变化量的示意图。
从图10可知,与黄绿色掺杂剂相对于主体的掺杂量为14%(b)的情况相比,当黄绿色掺杂剂相对于主体的掺杂量为20%(a)时,可以看到色坐标变化量减小,并且色彩视角特性得到改进。
图11是示出在图9的实验例2中,基于掺入量的EL光谱的示意图。
从图11可知,当黄绿色掺杂剂相对于主体的掺入量增加20%(a)和14%(b)时,黄绿色波长的峰值波长在EL光谱中移动到长波长,从而使EL光谱发生变化。因此,红光的发光效率增强,Voled电压降低,从而提高面板的发光效率。
<实验例3>
图12是示出在无光补偿层的根据本发明的实施方式的有机发光显示装置中,在黄绿色掺杂剂的掺入量增加14%和20%后,已经进行分析的特性的示意图。
从图12可知,光补偿层未形成,并且进行掺杂,以使黄绿色掺杂剂相对于主体的掺杂量为14%和20%。
与黄绿色掺杂剂相对于主体的掺杂量为14%的情况相比,当黄绿色掺杂剂相对于主体的掺入量为20%时,可以看到面板效率略微增加,Voled值降低,并且色坐标变化量减小。
图13是示出在图12的实验例3中,针对视角的色坐标变化量的示意图。
从图13可知,与黄绿色掺杂剂相对于主体的掺杂量为14%的情况相比,当黄绿色掺杂剂相对于主体的掺杂量为20%时,可以看到色坐标变化量减小,并且色彩视角特性得到改进。
图14是示出在图12的实验例3中,基于掺入量的EL光谱的示意图。
从图14可知,当黄绿色掺杂剂相对于主体的掺入量增加20%和14%时,黄绿色波长的峰值波长在EL光谱中移动到长波长,从而使EL光谱发生变化。因此,红光的发光效率增强,Voled电压降低,从而改进面板的发光效率。
<实验例4>
图15是示出基于PL光谱的FWHM的变化的强度变化量的示意图。在图15中,横轴表示波长(nm),纵轴表示强度(任意单位(a.u))。
从图15可知,与具有窄FWHM的PL光谱(窄YG)相比,具有增大的FWHM的PL光谱(宽YG)中的YG峰值所对应的区域示出红色区域和绿色区域内的较高强度。
图16是示出实验结果的表格,其中按照R、G、B通道测量了图15的光谱的每单位面积电流密度和强度。
从图16可知,在具有增大的FWHM的PL光谱(宽YG)中,红色(R)通道的发光效率(cd/A)未发生改变且电流密度(mA/cm2)增大,绿色(G)通道的发光效率(cd/A)增大且电流密度(mA/cm2)增大。此外,对于总体面板效率而言,发光效率(cd/A)总体上从28.97增大到31.10,并且色彩再现率从115增大到119.8。
图17是示出基于YG峰值波长的变化的强度变化量的示意图。在图17中,横轴表示波长(nm),纵轴表示强度(a.u)。
从图17可知,随着具有增大的FWHM的PL光谱(宽YG)中的YG峰值的波长变化,光谱的形式发生变化,从而总体上改变面板效率。
图18是图17的光谱经过滤色器CF后,对基于R、G、B通道各自的峰值强度的变化的效率和电流密度进行分析的表格。
从图18可看到,在具有增大的FWHM的PL光谱(宽YG)中,红色(R)通道的发光效率(cd/A)在575nm处具有最高值8.94,绿色(G)通道的发光效率(cd/A)在540nm处具有最高值35.61。此外还可看到,红色(R)通道的电流密度(mA/cm2)在540nm处具有最高值53.6,绿色(G)通道的电流密度(mA/cm2)在575nm处具有最高值34.8。
然而,可以看到,YG峰值波长为564nm的光谱的发光效率(cd/A)的总体面板效率最佳(为31.10),YG峰值波长为564nm的光谱的色彩再现率也最佳(为119.8)。
根据本发明的实施方式,PL光谱与发射光谱之间的匹配得到改进,因此,由于视角增大而导致的色彩偏移减小,从而增强了色彩视角特性。
此外,EL光谱中的红光的发光效率提高,因此Voled电压降低,从而改进了面板的发光效率。
此外,PL光谱中的峰值波长的FWHM加宽,从而增大了色彩再现率和发光效率。
对于本领域技术人员而言,显而易见的是,在不偏离本发明的精神和范围的情况下,可对本发明做出各种修改和变型。因此,本发明旨在涵盖了落入所附权利要求及其等效物的范围内的对本发明的修改和变型。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2011年12月23日提交的第10-2011-0141810号韩国专利申请以及于2012年9月27日提交的第10-2012-0108375号韩国专利申请的权益,其全部内容通过引用合并到本文中。

Claims (11)

1.一种有机发光显示装置,该有机发光显示装置包括:
基板;
薄膜晶体管,其形成在所述基板上;
第一电极,其形成在所述薄膜晶体管上;
有机发射层,其包括第一叠层、第二叠层和电荷产生层,所述第一叠层包括形成在所述第一电极上以发出第一色光的第一发射层,所述第二叠层包括形成在所述第一电极上以发出第二色光的第二发射层,所述电荷产生层形成在所述第一叠层与所述第二叠层之间;以及
第二电极,其形成在所述有机发射层上,
其中,
相比根据有机发光装置的光学特性确定的发射光谱的第一色峰值波长,即第二峰值波长,根据所述第一发射层和所述第二发射层的掺杂剂特性确定的光致发光PL光谱的第一色峰值波长,即第一峰值波长,位于短波长区域内,并且
相比所述发射光谱的第二色峰值波长,即第四峰值波长,所述光致发光PL光谱的第二色峰值波长,即第三峰值波长,位于短波长区域或长波长区域内。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,
所述光致发光PL光谱的所述第一色峰值波长,即所述第一峰值波长,与所述发射光谱的所述第一色峰值波长,即所述第二峰值波长,之间的差异等于或小于10nm,并且
所述光致发光PL光谱的所述第二色峰值波长,即所述第三峰值波长,与所述发射光谱的所述第二色峰值波长,即所述第四峰值波长,之间的差异等于或小于10nm。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,第一色为蓝色,第二色为黄绿色。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第二发射层的掺杂剂浓度是主体的10%至25%。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第二发射层的掺杂剂材料被选择为使得所述光致发光PL光谱的所述第二色峰值波长,即所述第三峰值波长,具有540nm至575nm的波长。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,CIE 1931标准色度系统中的色坐标变化量Δu'v'在所述有机发光显示装置发出的光的0度至60度的视角方向上等于或小于0.02。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,该有机发光显示装置还包括保护层以及位于所述薄膜晶体管与所述第一电极之间的光补偿层。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置,其中,所述光补偿层具有1.8至2.3的折射率。
9.根据权利要求7所述的有机发光显示装置,其中,所述光补偿层具有的厚度。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述光致发光PL光谱的所述第二色峰值波长,即所述第三峰值波长,的半峰全宽等于或大于80nm。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置,其中,所述光致发光PL光谱的所述第二色峰值波长,即所述第三峰值波长,的峰值波长为540nm至575nm。
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