TWI581420B - 有機發光顯示設備及其製造方法 - Google Patents

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Description

有機發光顯示設備及其製造方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2012年12月14日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2012-0146443號之優先權及效益，其全部內容於此併入作為參考。
本發明之一或多個態樣係有關一種有機發光顯示設備及其製造方法，且更具體地，係一種使用包括浮凸狀(embossing-shaped)(或浮凸狀(embossed-shaped))導電反射層之墊電極之有機發光顯示設備、以及其製造方法。
有機發光顯示設備係自發光顯示器，其藉由使用包含電洞注入電極、電子注入電極以及形成於其間之有機發光層的有機發光二極體(OLED)而形成。當在從電洞注入電極注入之電洞以及從電子注入電極注入之電子結合而產生之激子從激發態下降至基態時，此有機發光顯示設備發光。
由於為自發光顯示器之有機發光顯示設備通常不使用(或需要)額外電源，其可由低電壓驅動，且可以光膜(light film)所形成。此外，有機發光顯 示設備可提供更高品質特性，如更寬的視角、更高之對比度、以及更快速的反應。因此，其通常作為新一代的顯示設備而獲得許多關注。
本發明之一或多個態樣提供一種使用包含浮凸狀導電反射層之墊電極之有機發光顯示設備、以及其製造方法。在本發明一實施例中，附接顯示面板模組至頂板之紫外線(UV)使用效率可得以改善，且可提供用於降低佈線電阻之墊電極。
根據本發明之一態樣，提供一種有機發光顯示設備，其包含：基板；位於基板上且配置以顯示影像之顯示部，該顯示部包含薄膜電晶體(TFT)及有機發光二極體(OLED)；以及位於基板上且在顯示部外部之墊電極，且墊電極包含具有浮凸狀之導電反射層。
墊電極可更包含在導電反射層下方之導電層，且導電層可電耦接於薄膜電晶體或有機發光二極體，且可配置以傳送外部信號。
有機發光顯示設備可更包含在導電層與導電反射層之間之部份區域之絕緣件，且導電層及導電反射層可在剩餘區域中彼此電耦接。
絕緣件可包含複數個絕緣件，且至少一絕緣件之高度可不同於其他絕緣件之高度。
導電反射層可包含具有不同高度之複數個浮凸狀。
導電反射層可電耦接於薄膜電晶體或有機發光二極體，且可配置以傳送外部信號。
有機發光二極體可包含陽極電極層、位於陽極電極層上之有機發光層、以及位於有機發光層上之陰極電極層，且導電反射層與陽極電極層可位於相同層。
導電反射層可包含與陽極電極層相同之材料。
薄膜電晶體可包含主動層、與主動層絕緣之閘極電極、覆蓋閘極電極之層間絕緣件、以及位於層間絕緣件上且與主動層接觸之源極電極與汲極電極，且導電層與源極電極及汲極電極可位於相同層。
導電層可包含與源極電極及汲極電極相同之材料。
墊電極可進一步包含在導電反射層上之保護層。
根據本發明之另一態樣，提供一種有機發光顯示設備，其包含顯示部及在顯示部外部之墊部，且位於墊部上之墊電極包含：與顯示部電耦接之導電層；位於導電層上之複數個絕緣件；以及覆蓋導電層與絕緣件且具有浮凸狀之導電反射層。
導電層與導電反射層可彼此電耦接。
墊電極可對應資料線、掃描線、及電源供應線之其中之一。
根據本發明之另一態樣，提供一種製造有機發光顯示設備之方法，方法包含：在薄膜電晶體上依序地形成主動層、閘極絕緣件、閘極電極、以及層間絕緣件；在層間絕緣件上之第一區域中形成接觸主動層之源極電極與汲極電極，且在層間絕緣件上之第二區域中形成導電層；形成覆蓋源極電極與汲極電極之平坦層，且形成覆蓋導電層之絕緣層；藉由圖案化絕緣層而形成至少一絕緣件；以及在平坦層上形成有機發光二極體之陽極電極，此陽極電極與汲極電極接觸，且形成覆蓋導電層與至少一絕緣件之導電反射層。
導電反射層可具有浮凸狀。
導電層與導電反射層可電耦接於薄膜電晶體或有機發光二極體。
至少一絕緣件之形成可包含半色調曝光過程。
源極電極及汲極電極可與導電層同步形成。
陽極電極可與導電反射層同步形成。
導電反射層可包括氧化銦錫/銀/氧化銦錫。
方法可更包括在平坦層與陽極電極上形成像素定義層，以及在導電反射層上形成保護層。
1、100‧‧‧有機發光顯示設備
10、11‧‧‧基板
13‧‧‧輔助層
15‧‧‧閘極絕緣件
16‧‧‧驅動器整合電路
17‧‧‧層間絕緣件
19‧‧‧平坦層
20‧‧‧密封基板
21‧‧‧陽極電極
23‧‧‧像素定義層
25‧‧‧有機發光層
27‧‧‧陰極電極
30‧‧‧顯示面板模組
40‧‧‧樹脂
50‧‧‧頂板
52‧‧‧光透射層
54‧‧‧非光透射層
95‧‧‧第一圖案
97‧‧‧第二圖案
101‧‧‧DA區域
110、120、130、140、150、160‧‧‧墊電極
111‧‧‧汲極電極
112‧‧‧主動層
113‧‧‧源極電極
114‧‧‧閘極電極
115‧‧‧導電層
119、219、319、419、519、619‧‧‧絕緣件
121、221、321、421、521、621‧‧‧導電反射層
123‧‧‧保護層
210、220、230、240、250、260‧‧‧遮罩
195‧‧‧開口
295、395、495‧‧‧第一開口
297、397、497‧‧‧第二開口
A‧‧‧墊單位
D‧‧‧顯示部
DA‧‧‧發光區域
NDA‧‧‧非發光區域
EL‧‧‧有機發光二極體
本發明之上述及其他特性與態樣將藉由參考附圖來詳細描述其例示性實施例而變得更加顯而易見，其中：第1圖為根據本發明之一實施例用以解釋附接有機發光顯示設備之顯示面板模組至頂板的製程之剖面圖；第2圖為第1圖之顯示面板模組之結構之示意平面圖；第3圖為根據本發明之一實施例用以說明包含墊電極之有機發光顯示設備之第2圖中沿著線段X-X’所截取之有機發光顯示設備的剖面圖；第4圖為根據本發明之一實施例用以說明有機發光顯示設備之墊電極之第2圖中沿著線段Y-Y’所截取之有機發光顯示設備的剖面圖；第5圖至第9圖為根據本發明之另一實施例顯示第2圖中有機發光顯示設備之墊電極之示意圖。
本發明現將參考其中顯示本發明之例示性實施例之附圖而更充分地描述。類似的參考符號在附圖中表示相同元件，且因此其敘述將可予於省略。在圖式中，為求清晰與敘述方便，元件的長度和尺寸可被誇大。
本發明可以許多不同方式實施且不應解釋為限制於圖中所示之例示性實施例。例如，將理解的是當一層被稱為在另一層「上(on)」或「位於頂部(on the top of)」時，此層可直接位於另一層上或其間可存在有中間層。
這裡所用的術語係僅用於描述特定實施例之目的而非旨在限制本發明。當於本文所使用時，除非上下文另有清楚指示，否則單數型式之「一(a)」、「(an)」、以及「該(the)」亦旨在包括複數型式。將進一步理解的是用語「包含(comprises)」、「包含(comprising)」、「包含(includes)」、及/或「包含(including)」，當在本文中使用時，係指定特定步驟、操作、及/或元件之存在，但不排除存在或添加一或多個其他步驟、操作、及/或元件。將理解的是，雖然「第一(first)」、「第二(second)」等用語可在本文中用來描述各種元件，但這些元件不應被這些用語所限制。這些用語僅用來區分一元件與另一元件。
若實施例可以其他方式實施，則特定過程可以上述說明以外執行。
在一實施例可以其他方式實施的情況下，則特定過程可以說明以外之順序執行。例如，於此依序描述的兩個過程可同步(如，在同一時間)或以其描述之相反順序執行。
第1圖為根據本發明之一實施例用以解釋附接有機發光顯示設備1之顯示面板模組30至頂板50的製程之剖面圖。第2圖為第1圖中顯示面板模組30之結構之示意平面圖。
參照第1圖，有機發光顯示設備1包括顯示面板模組30與頂板50。此外，參照第1圖與第2圖，顯示面板模組30包括基板10和密封基板20，且可被區分為顯示部D與墊單位(或墊部)A。
薄膜電晶體(TFT)、有機發光二極體(OLED)EL(如第3圖所示)、及電容器可形成於基板10上之顯示部D上。密封基板20可保持薄膜電晶體與有機發光二極體EL被包含於遠離外部濕氣與空氣之基板10上。密封基板20可為玻璃基板或塑膠基板。基板10與密封基板20可使用設置沿著基板10與密封基板20邊緣之密封件來接合。偏光膜或彩色膜更可包含在密封基板20上。基板10上之顯示部D可包括發光區域DA和在發光區域DA外部之非發光區域NDA。
電耦接(如，連接)於顯示部D之薄膜電晶體與有機發光二極體EL之墊電極110係包含於基板10之墊單位A內。此外，墊電極110係電耦接(如，連接)於供應電流以驅動有機發光顯示設備1之驅動器整合電路(IC)16。因此，墊電極110可接收來自驅動器整合電路16之電流。墊電極110係耦接(如，連接)於不同引線(圖未示)，例如，資料線、掃描線、及/或電源供應線以驅動顯示部D內所包含之顯示元件。因此，墊電極110可經由耦接(如，連接)引線傳送外部信號至顯示部D內所包含之有機發光二極體EL。墊電極110可形成具有數百至數千微米(μm)寬度。
第2圖中，墊單位A係僅形成於顯示部D外部之一側上。然而，此僅為一示例，且本發明並不受限於此。例如，在本發明之一實施例中，墊單位A可形成在顯示部D外部之至少一側上。
頂板50包含光透射層52及非光透射層54。光透射層52可由透明玻璃形成。然而，光透射層52並不受限於此，且可由多種材料形成，如透明塑料、金屬及其相似物。廣域(Wide-area)金屬圖案和頂板鍵(keys)可形成於非光透射層54上。金屬層，例如像是鋁箔(aluminum foil)之反射層可進一步包含於非光透射層54下。
為了附接顯示面板模組30與頂板50，樹脂40可塗布於其間且通過照射紫外線(UV)射線來固化。紫外線射線可照射於有機發光顯示設備1之頂部、底部、及/或側邊。然而，在基板10的墊單位A上，由於具寬大寬度之頂板50與墊電極110上之非光透射層54而使設於基板10上之墊單位A中傳送到樹脂40的紫外線射線量可能相當少。根據本發明之態樣，通過採用可改善紫外線射線使用之效率的墊電極110之結構，有機發光顯示設備1可減少(或防止)樹脂40未固化。
第3圖為根據本發明之實施例用以說明包含墊電極110之有機發光顯示設備100之第2圖中沿著線段X-X’所截取之有機發光顯示設備的剖面圖，。
參照第3圖，有機發光顯示設備100包括在顯示部D的DA區域101內之發光區域以及墊電極110。
DA區域101包括薄膜電晶體與包括有機發光層25之有機發光二極體EL於基板11及/或輔助層13上。
基板11可由具有二氧化矽(SiO2)做為主要成份的透明玻璃所形成。然而，基板11並不受限於此，且可由多種材料所形成，如透明塑料、金屬、及其相似物。
輔助層13，如阻隔層、阻擋層、及/或緩衝層，可包含於基板11上以減少(或防止)雜質離子的擴散，減少(或防止)濕氣或外部空氣流入，並平坦化基板11之上表面。輔助層13可通過使用不同的沉積方法，如電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)、常壓化學氣相沉積(APCVD)、低壓化學氣相沉積(LPCVD)等而由二氧化矽(SiO2)及/或氮化矽(SiNx)所形成。
薄膜電晶體包含主動層112、閘極電極114、以及源極電極113及汲極電極111。閘極絕緣件15插入於閘極電極114與主動層112間以使閘極電極114與主動層112絕緣。主動層112可由如非晶矽或多晶矽之無機半導體或有機半導體所形成。在一些實施例中，主動層112可由氧化物半導體所形成。例如，氧化物半導體可包含選自由第12族至第14族中鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鎘(Cd)、鍺(Ge)、及鉿(Hf)及其組合的金屬元素之至少一材料之氧化物。
此外，源極區域及汲極區域可形成以對應主動層112之二邊緣。源極區域及汲極區域可分別耦接(如，連接)至源極電極113及汲極電極111。
閘極電極114形成於閘極絕緣件15上，且層間絕緣件17形成以覆蓋閘極電極114與閘極絕緣件15。源極電極113與汲極電極111形成於層間絕緣件17上，且平坦層19設置以覆蓋源極電極113與汲極電極111。
閘極絕緣件15、層間絕緣件17、與平坦層19可藉由使用多種沉積方法而由絕緣材料所形成，且亦可形成為包含無機材料、有機材料、或其組合 的單層或多層之堆疊結構。薄膜電晶體之堆疊結構僅為示例，且不同結構可用於薄膜電晶體。
有機發光二極體EL包括耦接(如，連接)至薄膜電晶體之源極電極113與汲極電極111之其中之一之陽極電極21、形成以面對陽極電極21之陰極電極27、以及插設於其間之有機發光層25。
有機發光二極體EL之陽極電極21形成於平坦層19上，且像素定義層23形成以覆蓋陽極電極21與平坦層19。像素定義層23可藉由使用樹脂而形成，如聚丙烯酸酯(polyacrylates)或聚醯亞胺(polyimides)，或二氧化矽基(silica-based)無機材料。開口(如，預定開口)形成於像素定義層23，且有機發光二極體EL之有機發光層25可形成於受限於開口之區域內。然後，有機發光二極體EL之陰極電極27可形成以覆蓋所有電極。在一些實施例中，陽極電極21與陰極電極27可彼此替換。
陽極電極21可由透明電極或反射電極所形成。若由透明電極形成，陽極電極21可包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化銦(In2O3)。另外，若由反射電極形成，陽極電極21可包括由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或其化合物所形成之反射層；以及由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化銦(In2O3)所形成之透明層。在一些實施例中，陽極電極21可由具有ITO/Ag/ITO之反射電極所形成。
陰極電極27也可由透明電極或反射電極所形成。若由透明電極所形成，陰極電極27可包括藉由沉積鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、鎂(Mg)、或其化合物而形成以面對有機發光層25之一層； 以及於此層上由像是氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化銦(In2O3)的透明導電材料所形成之輔助電極或匯流排電極線(bus electrode line)。若由反射電極所形成，陰極電極27可由鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、鎂(Mg)、或其化合物所形成。
低分子量有機材料或聚合物有機材料可採用作為設置在陽極電極21與陰極電極27間之有機發光層25。當有機發光層25由低分子量有機材料所形成時，則未繪示之電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、及/或電子注入層(EIL)可堆疊以形成具有有機發光層25於其間之單層或多層結構。各種有機材料，如銅酞菁(copper phthalocyanine,CuPc)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基聯苯胺(N,N’-Di(naphthalene-1-yl)-N,N’-diphenyl-benzidine,NPB)、或三-8-羥基喹啉鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum,Alq3)，可用於形成有機發光層25。在一實施例中，低分子量有機材料可藉由於遮罩上使用真空沈積法(vacuum deposition method)而形成。
當有機發光層25由聚合物有機材料形成時，電洞傳輸層(圖未示)可進一步包括於有機發光層25與陽極電極21之間。電洞傳輸層可由聚(3,4-二氧乙基噻吩)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene),PEDOT)所形成，且有機發光層25可由聚合物有機材料如聚對位苯基乙烯(Poly-Phenylenevinylene,PPV)或聚芴(Polyfluorene)所形成。有機發光層25可包括由分別發出紅、綠或藍光之子像素所形成之單位像素。
根據本發明之一實施例，如示例，有機發光層25形成於像素定義層23內之開口上，且針對各像素形成各別發光材料。然而，本發明並不受限於此。有機發光層25也可形成於整個平坦層19上，而無須顧及像素位置。例如， 有機發光層25可例如藉由垂直堆疊或混合包括發射紅、綠、與藍光之發光材料的層而形成。若有機發光層能夠發出白光，不同顏色也可結合。此外，可進一步包含用以轉變所發出之白光為一顏色(如，預定顏色)之顏色轉換層(color conversion layer)、或彩色濾片(color filter)。
如第2圖所示之墊電極110包括於基板11及/或輔助層13上電性耦接(例如，連接)至顯示部D之導電層115、以及位於導電層115上具有浮凸(浮凸)狀之導電反射層121。墊電極110可進一步包括位於導電層115之一部份(或在部分區域)上之絕緣件119。自DA區域101延伸之基板11、輔助層13、閘極絕緣件15、及/或層間絕緣件17可進一步包括於導電層115下。
導電層115電性耦接(如，連接)至如第2圖所示之顯示部D之薄膜電晶體及/或有機發光二極體EL，亦即，DA區域101。導電層115可傳送從如第2圖所示之驅動器整合電路(IC)16所施加之外部信號至薄膜電晶體及/或有機發光二極體EL。導電層115可由多種導電材料形成。例如，導電層115可形成以包括金屬，如銀、鋁、鈦、鎳、金、鈦/金、鎳/金、鎳/銀及/或鈦/鋁/鈦。在一些實施例中，導電層115可與DA區域101之源極電極113及汲極電極111以相同材料所形成。在一些實施例中，導電層115可與DA區域101之源極電極113及汲極電極111以相同材料形成且為同步形成(如，同一時間)。
絕緣件119可位於導電層115之一部分(或部分區域內)上。絕緣件119可與DA區域101之平坦層19以相同材料形成。為了形成絕緣件119，絕緣件119可與DA區域101之平坦層19同時沉積(如，與DA區域101之平坦層19沉積時同時)，且可藉由光蝕刻法與蝕刻製程來圖案化。透過這樣的圖案化，導電層115可被暴露，且可在導電層115上形成複數個絕緣件119。
導電反射層121可形成以覆蓋導電層115與絕緣件119。因此，導電反射層121可包括浮凸狀。在一些實施例中，導電反射層121可形成為單層或多層的結構，其包括具有高反射率的至少一材料，例如銀、氧化銀(Ag2O)、鋁、鋅、鈦(Ti)、銠(Rh)、鎂、鈀及釕(Ru)。例如，導電反射層121可由ITO/Ag/ITO形成。
導電反射層121可與DA區域101之陽極電極21以相同材料形成。導電反射層121可與陽極電極21同步沉積(如，與陽極電極21沉積時同時)。在一些實施例中，導電反射層121可形成以與未形成絕緣件119於其上之導電層115的一部份直接接觸，且可電耦接(如，連接)至導電層115。在一些實施例中，導電反射層121電耦接(如，連接)至如第2圖所示之顯示部D之薄膜電晶體及/或有機發光二極體EL，亦即，DA區域101。因此，導電層115可傳送從如第2圖所示之驅動器整合電路(IC)16所施加之外部信號至薄膜電晶體及/或有機發光二極體EL。
因此，導電反射層121可包括浮凸狀，且可由對光具有高反射率之材料所形成。因此，暴露至墊單元A之反射光的漫射(diffusion)可減少，且光使用效率可改善。例如，如參照第1圖所示，為了附接顯示面板模組30與頂板50，墊單元A上的樹脂40可藉由增加用以固化樹脂40之紫外線射線效率來更輕易地固化。
此外，如導電層115，導電反射層121可作用為用於傳送信號至薄膜電晶體之佈線。墊電極110之整個佈線電阻可減少，且因此，墊電極110之寬度可減少。
由絕緣材料所形成之保護層123可設在導電反射層121上。保護層123可與DA區域101之像素定義層23以相同材料形成。在一些實施例中，保護層 123可與像素定義層23同步形成(如，同時地)。保護層123可作用以減少(或防止)導電反射層121之腐蝕。
第4圖為根據本發明之一實施例用以說明有機發光顯示設備所包含之墊電極110之第2圖中沿著線段Y-Y’所截取之有機發光顯示設備的剖面圖。第4圖中，如第3圖中所示之相同參考符號表示相同元件，且因此其敘述可毋需於此提供。
根據一實施例，第4圖之(A)部分為墊電極110之剖面圖，而根據一實施例，第4圖之(B)部分則為用以形成墊電極110之導電反射層121之遮罩210的剖面圖。
為了形成導電反射層121，絕緣層沉積於導電層115上，且可藉由使用遮罩210實行光蝕刻法製程。然後，開口195係形成以對應遮罩210之第一圖案95，使絕緣件119可形成(或完成)。開口195的尺寸與傾斜度可能根據絕緣件119之材料、厚度、以及暴露條件而改變。然後，導電反射層121沉積以覆蓋具有厚度(如，特定厚度)之絕緣件119，因而形成具有浮凸狀之導電反射層121。
在一些實施例中，第一圖案95的尺寸可為數微米(μm)，且第一圖案95間的距離可為數微米(μm)。然而，尺寸與距離不受限於此，且第一圖案95的尺寸可與導電層115之寬度幾乎相同。此外，在第4圖之(B)部分中，第一圖案95的形狀為六角型，但不受限於此。第一圖案可由各種形狀形成，如圓形或多邊形。此外，第一圖案95可不規則(irregularly)或不對稱地(unevenly)成型。
第5圖至第9圖為根據本發明之另一實施例顯示第1圖中有機發光顯示設備1所包含之墊電極120、130、140、150及160之示意圖。第5圖至第9圖中，如第3圖中所示之相同參考符號表示相同元件，且因此其敘述可毋需於此提 供；其中，第5圖至第9圖的(A)部分為墊電極120、130、140、150及160之剖面圖，而第5圖至第9圖的(B)部分為用以形成墊電極120、130、140、150及160之導電反射層221、321、421、521及621之遮罩220、230、240、250及260的剖面圖。
參照第5圖至第7圖，在半色調曝光過程中形成的第二圖案97形成於遮罩220、230、240上，且絕緣層藉由使用第二圖案97來蝕刻。因此，第一開口295、395及495和第二開口297、397、497可形成以具有彼此不同之深度。因此，絕緣件219、319及419可具有各種高度與形狀，且導電反射層221、321及421可具有不同浮凸狀。亦即，根據如第5圖所示之高度，浮凸狀可具有相位差，且如第6圖所示，可具有各種深度。浮凸狀的傾斜部分也可形成為如第7圖所示之非對稱結構。
參照第8圖，在半色調曝光過程中形成的第二圖案97可完整形成於遮罩250上，且在全色調曝光過程中形成之第一圖案95可形成在第二圖案97之中心。換言之，參照第9圖，第一圖案95可完整形成於遮罩260上，而然後，在半色調曝光過程中形成的第二圖案97可形成在第一圖案95之中心。藉由使用這些，絕緣件519與619以及導電反射層521與621上之浮凸狀的高度可改變(或多樣化形成)。
然而，墊電極的形狀不受限於上述之實施例，且墊電極可藉由例如結合第4圖至第9圖中所提供的各種形狀來形成。
在上述之一些實施例中，說明有機發光顯示設備作為示例。然而，本發明並不受限於此，且可用於多種顯示元件如液晶顯示器(LCD)。
為了便於描述僅繪示單一薄膜電晶體於圖式中以描述本發明之實施例，且可能僅包括一個電容器。然而，本發明並不受限於此。例如，根據 本發明之實施例，以不增加遮罩製程之數量為前提下可包括複數個薄膜電晶體與電容器。
根據本發明實施例的有機發光顯示設備採用包括浮凸狀導電反射層的墊電極。因此，當顯示面板模組藉由使用UV固化樹脂附接於頂板時，UV射線的使用效率可得以改善。
墊電極可為用於發射用於驅動有機發光二極體的信號之一層。墊電極可包括導電層與導電反射層，因此減少佈線電阻。佈線電阻的減少可幫助拓寬範圍以調整墊電極的寬度。
雖然本發明已參照其例示性實施例而具體顯示並描述，那些熟習此領域之技術者將了解的是，在不背離由所附的申請專利範圍及其等效物所定義之本發明的精神與範疇下，可對其進行形式與細節上之不同變更。
11‧‧‧基板
13‧‧‧輔助層
15‧‧‧閘極絕緣件
17‧‧‧層間絕緣件
19‧‧‧平坦層
100‧‧‧有機發光顯示設備
110‧‧‧墊電極
101‧‧‧DA區域
21‧‧‧陽極電極
23‧‧‧像素定義層
25‧‧‧有機發光層
27‧‧‧陰極電極
EL‧‧‧有機發光二極體
111‧‧‧汲極電極
112‧‧‧主動層
113‧‧‧源極電極
114‧‧‧閘極電極
115‧‧‧導電層
119‧‧‧絕緣件
121‧‧‧導電反射層
123‧‧‧保護層
A‧‧‧墊單位

Claims (21)

  1. 一種有機發光顯示設備，其包含：一基板；一顯示部，位於該基板上且配置以顯示一影像，該顯示部包括一薄膜電晶體(TFT)與一有機發光二極體(OLED)；以及一墊電極，位於該基板上且在該顯示部外部，其中該墊電極包括：一導電反射層，係具有浮凸狀，浮凸狀包括至少一凸狀及複數個凹狀；一導電層，係位於該基板及該導電反射層之間；及複數個絕緣件，各具有包括至少一凸狀之浮凸狀，該複數個絕緣件係位於該導電層及該導電反射層之間之一部份區域，且具有整個接觸該導電層之底部表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該導電層係電耦接至該薄膜電晶體或該有機發光二極體且配置以傳送一外部信號。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示設備，其中該導電層與該導電反射層係在一剩餘區域內彼此電耦接。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示設備，其中該複數個絕緣件之至少其中之一之高度不同於該複數個絕緣件之至少其中之另一之高度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該導電反射層包括具有不同高度之複數個該浮凸狀。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該導電反射層電耦接至該薄膜電晶體或該有機發光二極體且配置以傳送一外部信號。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該有機發光二極體包括一陽極電極層、在該陽極電極層上之一有機發光層、以及在該有機發光層上之一陰極電極層，且其中該導電反射層與該陽極電極層位於相同層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示設備，其中該導電反射層包括與該陽極電極層相同之材料。
  9. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示設備，其中該薄膜電晶體包括一主動層、與該主動層絕緣之一閘極電極、覆蓋該閘極電極之一層間絕緣件、以及位於該層間絕緣件上且與該主動層接觸之一源極電極及一汲極電極，且其中該導電層與該源極電極及該汲極電極位於相同層。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示設備，其中該導電層包括與該源極電極及該汲極電極相同之材料。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該墊電極更包含位於該導電反射層上之一保護層。
  12. 一種有機發光顯示設備，其包括一顯示部及於該顯示部外部之一墊部，其中在該墊部上之一墊電極包含：一導電層，電耦接至該顯示部；複數個絕緣件，位於該導電層上；以及 一導電反射層，覆蓋該導電層及該絕緣件且具有一浮凸狀，浮凸狀包含包括至少一凸狀及複數個凹狀，其中該複數個絕緣件各具有包括至少一凸狀之浮凸狀，該複數個絕緣件係位於該導電層及該導電反射層之間之一部份區域，且具有整個接觸該導電層之一底部表面。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光顯示設備，其中該導電層與該導電反射層彼此電耦接。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光顯示設備，其中該墊電極對應一資料線、一掃描線、及一電源供應線之其中之一。
  15. 一種製造有機發光顯示設備之方法，該方法包含：在一基板上依序地形成一薄膜電晶體之一主動層、一閘極絕緣件、一閘極電極及一層間絕緣件；在該層間絕緣件上之一第一區域中形成接觸該主動層之一源極電極及一汲極電極，且在該層間絕緣件上之一第二區域中形成一導電層；形成覆蓋該源極電極及該汲極電極之一平坦層，且形成覆蓋該導電層之一絕緣層；藉由圖案化該絕緣層形成複數個絕緣件，該複數個絕緣件各具有包括至少一凸狀之浮凸狀；以及在該平坦層上形成一有機發光二極體之一陽極電極，該陽極電極與該汲極電極接觸，且形成覆蓋該導電層及該至少一絕緣件之一導電反射層， 其中該導電反射層具有浮凸狀，浮凸狀包括至少一凸狀及複數個凹狀，以及其中該複數個絕緣件各具有包括至少一凸狀之浮凸狀，該複數個絕緣件係位於該導電層及該導電反射層之間之一部份區域，且具有整個接觸該導電層之底部表面。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該導電層及該導電反射層電耦接於該薄膜電晶體或該有機發光二極體。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該至少一絕緣件之形成包含一半色調曝光過程。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該源極電極及該汲極電極與該導電層同步形成。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該陽極電極與該導電反射層同步形成。
  20. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該導電反射層包括氧化銦錫/銀/氧化銦錫。
  21. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其更包含在該平坦層及該陽極電極上形成一像素定義層，且在該導電反射層上形成一保護層。
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102100880B1 (ko) * 2013-06-26 2020-04-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
CN103427049B (zh) * 2013-08-21 2014-12-03 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光元件的制造方法及量子点显示设备
US9117780B2 (en) * 2013-08-29 2015-08-25 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Anode connection structure of organic light-emitting diode and manufacturing method thereof
CN103500752A (zh) * 2013-09-27 2014-01-08 京东方科技集团股份有限公司 一种oled像素结构和oled显示装置
US9806279B2 (en) * 2014-07-08 2017-10-31 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device comprising auxiliary electrode having void therein and manufacturing method thereof
JP6484487B2 (ja) * 2015-04-06 2019-03-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法及び表示装置
US10355061B2 (en) * 2015-06-30 2019-07-16 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US9799713B2 (en) 2015-07-23 2017-10-24 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with barrier layer
KR102626853B1 (ko) * 2015-10-30 2024-01-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102490890B1 (ko) * 2016-01-11 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR101859484B1 (ko) * 2016-05-30 2018-05-21 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102582059B1 (ko) * 2016-12-30 2023-09-21 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치
EP3609967B1 (en) * 2017-04-14 2022-06-01 3M Innovative Properties Company Durable low emissivity window film constructions
WO2018211776A1 (ja) * 2017-05-16 2018-11-22 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US10333098B2 (en) 2017-06-15 2019-06-25 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Transparent OLED display panel and manufacturing method thereof
CN107359268B (zh) * 2017-06-15 2019-04-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 透明oled显示面板及其制作方法
CN108461530B (zh) * 2018-03-30 2021-08-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板和显示装置
KR102533660B1 (ko) * 2018-07-04 2023-05-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN208705629U (zh) * 2018-10-08 2019-04-05 惠科股份有限公司 显示器及其显示面板、阵列基板
CN109411522A (zh) * 2018-11-06 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示面板及其制备方法、显示装置
CN110504387B (zh) * 2019-08-30 2023-01-13 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法和显示装置
KR20210077822A (ko) * 2019-12-17 2021-06-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2023206127A1 (zh) * 2022-04-27 2023-11-02 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070045617A1 (en) * 2005-08-30 2007-03-01 Lee Keun S Organic light emitting display and method of manufacturing the same
US7697094B2 (en) * 2003-10-16 2010-04-13 Lg Display Co., Ltd. Transflective-type liquid crystal display device and method of fabricating the same
TW201225281A (en) * 2010-12-02 2012-06-16 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6825496B2 (en) * 2001-01-17 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100745129B1 (ko) 2001-01-31 2007-08-02 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 액정표시장치
KR100603336B1 (ko) * 2004-04-07 2006-07-20 삼성에스디아이 주식회사 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR101058458B1 (ko) * 2004-09-22 2011-08-24 엘지디스플레이 주식회사 저분자 유기 반도체물질을 이용한 액정표시장치용 어레이기판 및 그의 제조 방법
KR20080051220A (ko) 2006-12-05 2008-06-11 삼성전자주식회사 표시장치
KR100959106B1 (ko) * 2008-11-05 2010-05-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101246789B1 (ko) * 2009-07-23 2013-03-26 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조방법
JP2011048027A (ja) * 2009-08-25 2011-03-10 Toshiba Mobile Display Co Ltd アレイ基板
KR101744906B1 (ko) * 2010-01-20 2017-06-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 표시 장치의 구동 방법
KR101733128B1 (ko) * 2010-04-26 2017-05-08 삼성디스플레이 주식회사 반 투과형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101117399B1 (ko) 2010-05-11 2012-03-07 주식회사 에이치엔에이치글로벌리소스 휴대용 디스플레이 장치 및 장치의 결합 방법
KR101781506B1 (ko) * 2010-12-23 2017-09-26 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자용 기판
JP2013054863A (ja) * 2011-09-01 2013-03-21 Sony Corp 有機ｅｌ表示装置、有機ｅｌ表示装置の製造方法および電子機器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7697094B2 (en) * 2003-10-16 2010-04-13 Lg Display Co., Ltd. Transflective-type liquid crystal display device and method of fabricating the same
US20070045617A1 (en) * 2005-08-30 2007-03-01 Lee Keun S Organic light emitting display and method of manufacturing the same
TW201225281A (en) * 2010-12-02 2012-06-16 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

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Publication number Publication date
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