JP2012124153A - 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 214
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 32
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 26
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 27
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene dihydroxythiophene Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Abstract
【解決手段】活性層212、ゲート下部電極214とゲート上部電極215とを含むゲート電極21、ソース電極217a及びドレイン電極217bを含む薄膜トランジスタ;薄膜トランジスタと電気的に連結され、ゲート下部電極と同一層に、同一物質で形成された画素電極414、発光層を含む中間層419、対向電極420からなる有機発光素子;ゲート下部電極と同一層に、同一物質で形成される第1パッド電極514;第1パッド電極の少なくとも一部上に形成され、ゲート上部電極と同一層に、同一物質で形成される第2パッド電極515;第2パッド電極の少なくとも一部とコンタクトするように形成され、ソース電極及びドレイン電極と同一層に、同一物質で形成される第3パッド電極517;を含む有機発光ディスプレイ装置。
【選択図】図2
Description
2 チャネル領域
3 保存領域
4 発光領域
5 パッド領域
10 第1基板
11 第1絶縁層
13 第2絶縁層
14 第1導電層
15 第2導電層
20 第2基板
21 ゲート電極
30,40 電極パターン
90 シーリング部材
212 活性層
212a/212b ソース/ドレイン領域
217a/217b ソース/ドレイン電極
214 ゲート下部電極
215 ゲート上部電極
312 キャパシタ下部電極
314 キャパシタ上部電極
315 上部第2導電層
414 画素電極
416 層間絶縁膜
418 画素定義膜
419 中間層
420 対向電極
514 第1パッド電極
515 第2パッド電極
517 第3パッド電極
DA 発光領域
NDA 非発光領域
Claims (21)
- 活性層、ゲート下部電極とゲート上部電極とを含むゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと電気的に連結され、前記ゲート下部電極と同一層に、同一物質で形成された画素電極、発光層を含む中間層、及び対向電極が順次積層された有機発光素子と、
前記ゲート下部電極と同一層に、同一物質で形成される第1パッド電極と、
前記第1パッド電極の少なくとも一部上に形成され、前記ゲート上部電極と同一層に、同一物質で形成される第2パッド電極と、
前記第2パッド電極の少なくとも一部とコンタクトするように形成され、前記ソース電極及びドレイン電極と同一層に、同一物質で形成される第3パッド電極と、を含む有機発光ディスプレイ装置。 - 前記第2パッド電極と前記第3パッド電極との間に介在される層間絶縁膜をさらに含み、
前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第2パッド電極と前記第3パッド電極とがコンタクトすることを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。 - 前記層間絶縁膜は、前記第2パッド電極の一端部を露出させ、
前記第3パッド電極は、前記層間絶縁膜に沿って形成され、前記露出された第2パッド電極の一端部とコンタクトすることを特徴とする請求項2に記載の有機発光ディスプレイ装置。 - 前記第3パッド電極の両端部が、前記第2パッド電極の両端部にそれぞれコンタクトするように形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記第1パッド電極の一端部は、外部に露出され、前記有機発光ディスプレイ装置の駆動のために電流を供給するドライバICと電気的に連結されることを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記ゲート下部電極、前記画素電極及び前記第1パッド電極は、ITO、IZO、ZnO及びIn2O3のなかから選択された一つ以上を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記ゲート上部電極及び前記第2パッド電極は、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW、及びAl−Cuのなかから選択された一つ以上の物質を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記ゲート上部電極及び前記第2パッド電極は、Mo−Al−Moの3層構造を含むように形成されることを特徴とする請求項7に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記ソース電極及びドレイン電極と前記第3パッド電極は、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW、Al−Cuのうち選択された一つ以上の物質を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記ソース電極及びドレイン電極と前記第3パッド電極は、Mo−Al−Moの3層構造を含むように形成されることを特徴とする請求項9に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 基板上に形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に形成された薄膜トランジスタの活性層と、
前記活性層を覆うように形成された第2絶縁層と、
前記第2絶縁層上に形成された画素電極と、
前記活性層の上部に、前記画素電極と同一層に、同一物質で所定間隔離隔されて形成されたゲート下部電極と、
前記ゲート下部電極と同一層に、同一物質で所定間隔離隔されて形成された第1パッド電極と、
前記ゲート下部電極上に形成されたゲート上部電極と、
前記ゲート上部電極と同一層に、同一物質で形成され、前記第1パッド電極上に形成された第2パッド電極と、
前記画素電極、前記ゲート上部電極及び前記第2パッド電極の少なくとも一部を覆うように形成された第3絶縁層と、
前記画素電極とコンタクトし、前記第3絶縁層の上部に形成されたソース及びドレイン電極と、
前記ソース及びドレイン電極と同一層に、同一物質で形成され、前記第2パッド電極とコンタクトする第3パッド電極と、を含む有機発光ディスプレイ装置。 - 前記第3絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して、前記第2パッド電極と前記第3パッド電極とがコンタクトすることを特徴とする請求項11に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記第3絶縁層は、前記第2パッド電極の一端部を露出させ、
前記第3パッド電極は、前記第3絶縁層に沿って形成され、前記露出された第2パッド電極の一端部とコンタクトすることを特徴とする請求項12に記載の有機発光ディスプレイ装置。 - 前記第3パッド電極の両端部が、前記第2パッド電極の両端部にそれぞれコンタクトするように形成されることを特徴とする請求項11に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 基板上に薄膜トランジスタの活性層を形成する第1マスク工程段階と、
前記活性層の上部に、ゲート電極、第1パッド電極及び第2パッド電極、並びに画素電極を形成するための電極パターンをそれぞれ形成する第2マスク工程段階と、
前記活性層の両側と、前記第2パッド電極の一部と、前記電極パターンの一部とを露出させる開口を有する層間絶縁膜を形成する第3マスク工程段階と、
前記活性層の露出された両側とコンタクトするソース及びドレイン電極、前記第2パッド電極の露出された一部とコンタクトする第3パッド電極、及び前記画素電極をそれぞれ形成する第4マスク工程段階と、
前記画素電極の少なくとも一部を露出させる画素定義膜を形成する第5マスク工程段階と、を含むことを特徴とする有機発光ディスプレイ装置の製造方法。 - 前記第2マスク工程は、
前記活性層の上部に、第2絶縁層、第1導電層及び第2導電層を順次蒸着する段階と、
前記第1導電層及び前記第2導電層をパターニングし、前記第1導電層をゲート下部電極として、前記第2導電層をゲート上部電極とする前記ゲート電極を形成すると同時に、前記第1導電層を第1パッド電極として、前記第2導電層を第2パッド電極とするパッド電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項15に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。 - 前記第3マスク工程は、
前記ゲート電極、前記第2パッド電極及び前記電極パターン上部に、第3絶縁層を蒸着する段階と、
前記第3絶縁層をパターニングし、前記活性層のソース及びドレイン領域の一部と、前記第2パッド電極の一部と、前記電極パターンの一部とを露出させる開口を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項15に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。 - 前記第4マスク工程は、
前記層間絶縁膜上部に、第3導電層を蒸着する段階と、
前記第3導電層をパターニングし、前記ソース及びドレイン電極と、前記第3パッド電極とを形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項15に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。 - 前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第2パッド電極と前記第3パッド電極とがコンタクトすることを特徴とする請求項18に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記層間絶縁膜は、前記第2パッド電極の一端部を露出させ、
前記第3パッド電極は、前記層間絶縁膜に沿って形成され、前記露出された第2パッド電極の一端部とコンタクトすることを特徴とする請求項19に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。 - 前記第5マスク工程は、
前記基板全面に第4絶縁層を積層する段階と、
前記第4絶縁層をパターニングし、前記画素定義膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項15に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100124862A KR20120063746A (ko) | 2010-12-08 | 2010-12-08 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
KR10-2010-0124862 | 2010-12-08 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012124153A true JP2012124153A (ja) | 2012-06-28 |
JP2012124153A5 JP2012124153A5 (ja) | 2014-11-20 |
JP5859802B2 JP5859802B2 (ja) | 2016-02-16 |
Family
ID=45406436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011230833A Active JP5859802B2 (ja) | 2010-12-08 | 2011-10-20 | 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8643019B2 (ja) |
EP (1) | EP2463911A3 (ja) |
JP (1) | JP5859802B2 (ja) |
KR (1) | KR20120063746A (ja) |
CN (1) | CN102544386B (ja) |
TW (1) | TWI562348B (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101884738B1 (ko) * | 2011-12-23 | 2018-08-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
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CN104218064B (zh) * | 2013-05-30 | 2019-01-04 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示设备 |
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US20120146060A1 (en) | 2012-06-14 |
EP2463911A3 (en) | 2014-01-15 |
EP2463911A2 (en) | 2012-06-13 |
US8643019B2 (en) | 2014-02-04 |
CN102544386B (zh) | 2016-03-02 |
KR20120063746A (ko) | 2012-06-18 |
TWI562348B (en) | 2016-12-11 |
TW201225285A (en) | 2012-06-16 |
CN102544386A (zh) | 2012-07-04 |
JP5859802B2 (ja) | 2016-02-16 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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