JP2008216954A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1基板12上の画素領域A100に薄膜トランジスタを形成するとともに第1基板12上のパッド領域A110にパッド電極24を形成する段階と、薄膜トランジスタと連結する第1画素電極60及びパッド電極24を覆うパッド保護層62を同時に形成する段階と、パッド保護層62を除去し、パッド電極24を露出させる段階と、を含むことを特徴としており、パッド電極24上にパッド保護層62を形成することによって、第1画素電極60をパターニングする際のエッチング液によるパッド電極24の損傷を防止することができる。
【選択図】図2F
Description
図1は第1の実施の形態による表示装置の斜視図であり、一例として有機発光表示装置を示している。図1を参照すると、有機発光表示装置100は、第1基板12と、シーラント14によって第1基板12に接合される第2基板16を備えている。シーラント14の内側の第1基板12と第2基板16が対向する部分に実際に画像表示が行われる画素領域A100が形成され、シーラント14の外側に第1基板12が露出された部分がパッド領域A110となる。第2基板16は吸湿材(図示せず)を内蔵している。
以下、図3A〜図3Cを参照して、第2の実施の形態による表示装置の製造方法について説明する。第2の実施の形態における表示装置は、前述した第1の実施の形態における表示装置と、パッド電極の位置が異なる。以下の説明で、前述した第1の実施の形態と同じ部材については同じ符号を付けて説明する。
16 第2基板
14 シーラント
18 サブピクセル
24 パッド電極
26 バッファ層
28 アクティブ層
30 ゲート絶縁膜
32 ゲート電極
36 ソース領域
38 ドレイン領域
40 チャンネル領域
42 層間絶縁膜
48 ソース電極
50 ドレイン電極
52 平坦化膜
54 ビアホール
56 パッドコンタクトホール
62 パッド保護層
66 開口部
68 有機発光層
100 有機発光表示装置
A100 画素領域
A110 パッド領域
Claims (16)
- 第1基板上の画素領域に薄膜トランジスタを形成するとともに前記第1基板上のパッド領域にパッド電極を形成する段階と、
前記薄膜トランジスタと連結する第1画素電極及び前記パッド電極を覆うパッド保護層を同時に形成する段階と、
前記パッド保護層を除去し、前記パッド電極を露出させる段階と、
を含むことを特徴とする、表示装置の製造方法。 - 前記第1画素電極は、Agを含むことを特徴とする、請求項1に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1画素電極は第1透明導電膜、反射膜、及び第2透明導電膜を有しており、前記反射膜はAgを含むことを特徴とする、請求項2に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1画素電極上に有機発光層及び第2画素電極を形成する段階を含むことを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
- 前記パッド保護層を除去する前に、前記第1基板上に第2基板を接合させる段階を含むことを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
- 前記パッド保護層は湿式エッチング法で除去することを特徴とする、請求項5に記載の表示装置の製造方法。
- 前記薄膜トランジスタを形成する段階は、
前記第1基板上にアクティブ層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を順次に形成する段階と、
前記ゲート電極を覆うように前記ゲート絶縁膜の上に層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜の上にソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の表示装置の製造方法。 - 前記ゲート電極及び前記パッド電極は、同じ物質で同時に形成されることを特徴とする、請求項7に記載の表示装置の製造方法。
- 前記パッド電極は、MoW、Al、Cr、及びAl/Crで構成される群より選択されるいずれか一つを含むことを特徴とする、請求項8に記載の表示装置の製造方法。
- 前記薄膜トランジスタ及び前記パッド電極上に平坦化膜を形成する段階と、
前記平坦化膜をパターニングして、前記ドレイン電極を露出させるビアホールを形成する段階と、
前記平坦化膜及び前記層間絶縁膜をパターニングして、前記パッド電極を露出させるパッドコンタクトホールを形成する段階と、
を含むことを特徴とする、請求項8または9に記載の表示装置の製造方法。 - 前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記パッド電極は、同じ物質で同時に形成されることを特徴とする、請求項7に記載の表示装置の製造方法。
- 前記パッド電極は、Ti、Ti合金、Ta、及びTa合金で構成された群より選択されるいずれか一つを含むことを特徴とする、請求項11に記載の表示装置の製造方法。
- 前記Ti合金はTiNであり、前記Ta合金はTaNであることを特徴とする、請求項12に記載の表示装置の製造方法。
- 前記薄膜トランジスタ及び前記パッド電極上に平坦化膜を形成する段階と、
前記平坦化膜をパターニングして前記ドレイン電極を露出させるビアホール、及び前記
パッド電極を露出させるパッドコンタクトホールを形成する段階と、
を含むことを特徴とする、請求項11〜13のいずれかに記載の表示装置の製造方法。 - 請求項1〜14のいずれかに記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする、表示装置。
- 前記表示装置は、有機発光表示装置であることを特徴とする、請求項15に記載の表示装置。
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