JP4629072B2 - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に関し、より詳しくは有機発光素子の駆動により画像が表示され、基板の画素領域の外側にパッド領域を有する、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

表示装置の１つとして、有機発光素子を駆動して画像を示す有機発光表示装置がある。有機発光素子は、正孔注入電極のアノード電極、有機発光層、及び電子注入電極のカソード電極を備えており、アノード電極とカソード電極とが、有機発光層に各々正孔と電子とを注入すれば、有機発光層内部に電子と正孔が結合した励起子が生成されて、励起子が励起状態から基底状態に落ちる時に発生するエネルギーによって発光する。

能動駆動型の有機発光表示装置においては、通常、基板には実際画像が表示される画素領域と、画素領域の外側のパッド領域とが形成され、パッド領域に具備されたパッド電極の上に外部モジュールが装着される。画素領域には赤色、緑色及び青色の有機発光素子がマトリックス状に配置され、有機発光素子毎に少なくとも２つの薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒともいう）が備えられて有機発光素子は独立的に制御される。

一般に有機発光表示装置を製造する過程は、基板上にアクティブ層、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を含むＴＦＴを形成する工程と、ＴＦＴを覆うように平坦化膜を形成する工程と、平坦化膜上にドレイン電極と連結する第１画素電極を形成する工程と、第１画素電極上に有機発光層と第２画素電極を形成する工程と、を含み、また、ＴＦＴを形成する過程中にパッド領域にパッド電極が形成される。パッド電極は少なくとも一つの絶縁層で覆われながら、絶縁層に形成された開口部を通して基板上に露出して形成される。

しかし、前述した製造過程において、第１画素電極を形成する工程時に第１画素電極の形成をパッド電極が露出された状態で行うため、第１画素電極エッチング液によってパッド電極が損傷することがある。つまり、パッド電極が第１画素電極エッチング液によってエッチングされてしまう物質で形成された場合には、除去しなければならない第１画素電極部位と共にパッド電極もエッチングされてしまい、パッド電極に断線が発生する問題があった。

そこで、本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、基板の画素領域の外側のパッド領域に具備されたパッド電極が製造工程中に損傷するのを防止できる、表示装置及び表示装置の製造方法を提供することである。

上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、第１基板上の画素領域に薄膜トランジスタを形成するとともに第１基板上のパッド領域にパッド電極を形成する段階と、薄膜トランジスタと連結する第１画素電極、及び、第１画素電極と同じ物質で形成され、パッド電極を覆うパッド保護層を、エッチング液によりパターニングして同時に形成する段階と、パッド保護層を除去し、パッド電極を露出させる段階と、を含み、第１画素電極は、Ａｇを含むことを特徴とする表示装置の製造方法が提供される。

こうして、第１画素電極を形成する工程において、パッド電極上にパッド保護層を同時に形成することによって、第１画素電極をパターニングする際のエッチング液によるパッド電極の損傷を防止することができ、製造不良を低減することができる。

ここで、第１画素電極は、Ａｇを含むことができる。さらに、第１画素電極は第１透明導電膜、反射膜、及び第２透明導電膜を有しており、反射膜はＡｇを含むことができる。Ａｇは電気伝導度が高いため、Ａｇを含む反射膜は発光素子の反射効率を上げながら、電気伝導度を改善することができ、第２透明導電膜は、反射膜の酸化を抑制しながら以降に形成される有機発光層と反射膜との間の仕事関数を改善することができる。

第１画素電極上に有機発光層及び第２画素電極を形成する段階を含むことができる。第１画素電極の上に有機発光層、第２画素電極を形成して発光素子を完成することができる。

パッド保護層を除去する前に、第１基板上に第２基板を接合させる段階を含むことができる。この時、パッド保護層は湿式エッチング法で除去することができる。第１基板上に第２基板を接合させてから、パッド保護層を除去することにより、第１画素電極上を覆う工程を追加することなく、例えば、湿式エッチング法を用いて容易にパッド保護層を除去することができる。

また、パッド保護層は、第１画素電極と同様な導電物質で形成することができるため、パッド保護層を除去しないで、パッド保護層の上に外部モジュールを装着することもできる。しかし、パッド保護層にＡｇを含む場合は、電気的腐蝕を起こしながら線欠陥を誘発する場合があるので、パッド保護層を除去することによって、Ａｇの電蝕による問題を解消することができる。

薄膜トランジスタを形成する段階は、第１基板上にアクティブ層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を順次に形成する段階と、ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜の上に層間絶縁膜を形成する段階と、層間絶縁膜の上にソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、を含むことができる。

例えば、ゲート電極及びパッド電極は、同じ物質で同時に形成されることができる。この時、パッド電極は、ＭｏＷ、Ａｌ、Ｃｒ、及びＡｌ／Ｃｒで構成される群より選択されるいずれか一つを含むことができる。ここで、Ａｌ／ＣｒはＡｌ層とＣｒ層との積層構造を示すものである。

ゲート電極及びパッド電極は、同じ物質で同時に形成される場合には、薄膜トランジスタ及びパッド電極上に平坦化膜を形成する段階と、平坦化膜をパターニングして、ドレイン電極を露出させるビアホールを形成する段階と、平坦化膜及び層間絶縁膜をパターニングして、パッド電極を露出させるパッドコンタクトホールを形成する段階と、を含むことができる。その後、ビアホール及びパッドコンタクトホールを埋め込むように第１画素電極及びパッド保護層を同時に形成することができる。

或いは、ソース電極、ドレイン電極、及びパッド電極は、同じ物質で同時に形成されることができる。この時、パッド電極は、Ｔｉ、Ｔｉ合金、Ｔａ、及びＴａ合金で構成された群より選択されるいずれか一つを含むことができ、Ｔｉ合金はＴｉＮであり、Ｔａ合金はＴａＮであることができる。

ソース電極、ドレイン電極、及びパッド電極は、同じ物質で同時に形成される場合には、薄膜トランジスタ及びパッド電極上に平坦化膜を形成する段階と、平坦化膜をパターニングしてドレイン電極を露出させるビアホール、及びパッド電極を露出させるパッドコンタクトホールを形成する段階と、を含むことができる。その後、ビアホール及びパッドコンタクトホールを埋め込むように第１画素電極及びパッド保護層を同時に形成することができる。

上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、上記の製造方法によって製造されたことを特徴とする表示装置が提供される。ここで、表示装置は有機発光表示装置であることができる。

第１画素電極を形成時に、パッド電極上にパッド保護層を同時に形成することによって、第１画素電極をパターニングする際のエッチング液によるパッド電極の損傷を防止し、製造工程を増やすことなく製造不良を低減できるので、コストの低減に寄与することができる。

以上詳述したように本発明による表示装置及び表示装置の製造方法によれば、第１画素電極を形成する工程において、パッド電極上にパッド保護層を同時に形成することによって第１画素電極をパターニングする際のエッチング液によるパッド電極の損傷を防止することができる。

以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

以下の実施の形態を説明する上で、層、膜などの部分が他の部分の上部に形成されるとする時、これは他の部分の真上にある場合だけでなく、その中間にさらに他の部分が形成されている場合も含むこととする。

（第１の実施の形態）
図１は第１の実施の形態による表示装置の斜視図であり、一例として有機発光表示装置を示している。図１を参照すると、有機発光表示装置１００は、第１基板１２と、シーラント１４によって第１基板１２に接合される第２基板１６を備えている。シーラント１４の内側の第１基板１２と第２基板１６が対向する部分に実際に画像表示が行われる画素領域Ａ１００が形成され、シーラント１４の外側に第１基板１２が露出された部分がパッド領域Ａ１１０となる。第２基板１６は吸湿材（図示せず）を内蔵している。

第１基板１２の画素領域Ａ１００には複数のサブピクセル１８がマトリックス状に配置され、画素領域Ａ１００の外側にはサブピクセル１８を駆動するためのスキャンドライバ２０とデータドライバ２２とが位置する。

第１基板１２のパッド領域Ａ１１０にはスキャンドライバ２０とデータドライバ２２に電気的信号を伝達するためのパッド電極２４が位置する。パッド電極２４の上には外部モジュール（チップオンガラス（ＣＯＧ）または軟質印刷回路（ＦＰＣ）フィルムなど：図示せず）が装着される。

サブ−ピクセル１８は発光素子Ｌ１と駆動回路部で構成される。発光素子Ｌ１はアノード電極、有機発光層、及びカソード電極を有している。駆動回路部は、一例としてスイッチング用の第１薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔ１と、駆動用の第２薄膜トランジスタＴ２と、保存キャパシタＣｓｔを有することができる。ただし、サブピクセル１８の構成は前述した例に限らない。

第１薄膜トランジスタＴ１は、スキャンラインＳＬ１とデータラインＤＬ１に連結されて、スキャンラインＳＬ１に入力されるスイッチング電圧によりデータラインＤＬ１で入力されるデータ電圧を第２薄膜トランジスタＴ２に伝送する。保存キャパシタＣｓｔは第１薄膜トランジスタＴ１と電源ラインＶＤＤに連結され、第１薄膜トランジスタＴ１から伝送された電圧と電源ラインＶＤＤに供給される電圧の差に該当する電圧Ｖｇｓを貯蔵する。

第２薄膜トランジスタＴ２は電源ラインＶＤＤと保存キャパシタＣｓｔに連結され、保存キャパシタＣｓｔに貯蔵された電圧Ｖｇｓとしきい電圧Ｖｔｈの差の二乗に比例する出力電流を発光素子Ｌ１に供給し、発光素子Ｌ１は出力電流によって発光する。

以下、図２Ａ〜図２Ｇを参照して第１の実施の形態による表示装置の製造方法について説明する。図２Ａ〜図２Ｆは、有機発光表示装置における画素領域Ａ１００のサブピクセル１８とパッド領域Ａ１１０のパッド電極を示し、画素領域Ａ１００のサブピクセル１８については前述した第１薄膜トランジスタＴ１と第２薄膜トランジスタＴ２の中で、第２薄膜トランジスタＴ２だけを示している。図２Ｇはパッド領域Ａ１１０だけを選択的に示した。

図２Ａを参照すると、画素領域Ａ１００とパッド領域Ａ１１０とを有する第１基板１２の全面にバッファ層２６を形成する。バッファ層２６は第１基板１２から流出する不純物から後続工程で形成されるＴＦＴを保護し、シリコン硝酸塩単独またはシリコン硝酸塩とシリコン酸化物の積層膜で形成できる。

続いて、画素領域Ａ１００のバッファ層２６の上にアクティブ層２８を形成する。アクティブ層２８は非晶質シリコンを蒸着して結晶化した後にパターニングして形成できる。そして、アクティブ層２８を覆うようにバッファ層２６の上にゲート絶縁膜３０を形成する。

図２Ｂを参照すると、ゲート絶縁膜３０の上に第１導電膜（図示せず）を形成し、第１導電膜をパターニングして、画素領域Ａ１００とパッド領域Ａ１１０とに各々ゲート電極３２とパッド電極２４とを形成する。ゲート電極３２はアクティブ層２８上部に位置し、ゲート電極３２及びパッド電極２４は、ＭｏＷ、Ａｌ、Ｃｒ、及びＡｌ／Ｃｒ（Ａｌ層とＣｒ層との積層構造）で構成された群より選択されるいずれか一つを含むことができる。パッド電極２４はゲートパッド電極であることもできる。

そして、ゲート電極３２をマスクとして活用して、アクティブ層２８に不純物を注入することによって、アクティブ層２８にソース領域３６とドレイン領域３８を形成する。アクティブ層２８のソース領域３６とドレイン領域３８との間はチャンネル領域４０となる。

図２Ｃを参照すると、ゲート電極３２とパッド電極２４とを覆うようにゲート絶縁膜３０の上に層間絶縁膜４２を形成し、層間絶縁膜４２とゲート絶縁膜３０とをパターニングして、ソース領域３６を露出させる第１コンタクトホール４４１、４４２と、ドレイン領域３８を露出させる第２コンタクトホール４６１、４６２を形成する。

その後、層間絶縁膜４２の上に第２導電膜（図示せず）を形成し、第２導電膜をパターニングして、ソース領域３６と連結されるソース電極４８及びドレイン領域３８と連結されるドレイン電極５０を形成する。ソース電極４８とドレイン電極５０は、Ｔｉ、Ｔｉ合金、Ｔａ、及びＴａ合金で構成された群より選択されるいずれか一つを含むことができる。Ｔｉ合金はＴｉＮでもよく、Ｔａ合金はＴａＮでもよい。前述した過程を通して第２薄膜トランジスタＴ２を完成する。

図２Ｄを参照すると、ソース電極４８とドレイン電極５０を覆うように層間絶縁膜４２の上に平坦化膜５２を形成する。平坦化膜５２はアクリル膜で構成できる。そして、画素領域Ａ１００で平坦化膜５２をパターニングして、ドレイン電極５０を露出させるビアホール５４を形成する。これと同時にパッド領域Ａ１１０で平坦化膜５２と層間絶縁膜４２とをパターニングして、パッド電極２４を露出させるパッドコンタクトホール５６１、５６２を形成する。

図２Ｅを参照すると、画素領域Ａ１００とパッド領域Ａ１１０の平坦化膜５２の上にスパッタリング法または真空蒸着法で第３導電膜（図示せず）を形成する。そして、マスク層５８と第３導電膜エッチング液を利用したエッチング法で第３導電膜をパターニングして、第１画素電極６０とパッド保護層６２を同時に形成する。第１画素電極６０はビアホール５４を通してドレイン電極５０と連結し、パッド保護層６２はパッドコンタクトホール５６１、５６２を通してパッド電極２４と連結される。

パッド保護層６２が第１画素電極６０と同じ物質で同時に形成されるため、第３導電膜をエッチングする過程でパッド電極２４はパッド保護層６２によって第３導電膜エッチング液に触れない。従って、第３導電膜エッチング液によってパッド電極２４が損傷されることにより発生するパッド電極２４の断線を未然に防止できる。また、第３導電膜をエッチングする過程でパッド電極２４とパッド保護層６２との間にガルバニック現象が発生することもない。

第１画素電極６０はアノード電極であり、Ａｇを含むことができる。また、第１画素電極６０は、第１透明導電膜、反射膜、及び第２透明導電膜の積層構造とすることもできる。第１透明導電膜及び第２透明導電膜は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）で形成できる。反射膜はＡｇまたはＡｇ合金を含むこともできる。反射膜は発光素子の反射効率を上げながら、電気伝導度を改善することができる。第２透明導電膜は、反射膜の酸化を抑制しながら以降に形成される有機発光層と反射膜との間の仕事関数を改善する。

図２Ｆを参照すると、第１画素電極６０を覆うように画素領域Ａ１００の平坦化膜５２の上に画素定義膜６４を形成し、画素定義膜６４をパターニングして、第１画素電極６０を露出させる開口部６６を形成する。次に第１画素電極６０の上に有機発光層６８を形成する。有機発光層６８は正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、及び電子輸送層を含むことができる。そして、有機発光層６８の上に画素領域Ａ１００全体に第２画素電極７０を形成して、発光素子Ｌ１を完成する。

次に、第１基板１２または第２基板１６（図１参照）にシーラント１４（図１参照）を塗布し、第１基板１２と第２基板１６とを組み立てながら、シーラント１４を溶かした後に硬化して、第１基板１２と第２基板１６とを接合させる。シーラント１４は、外部の酸素や水分が画素領域Ａ１００内部に侵入するのを防止する。次に第２基板１６中のパッド領域Ａ１１０上側部位を除去して、パッド領域Ａ１１０を露出させる。

図２Ｇを参照すると、パッド領域Ａ１１０に第３導電膜エッチング液を噴射したり、パッド領域Ａ１１０を第３導電膜エッチング液に浸漬する湿式エッチング法を利用したりしてパッド保護層６２を除去し、洗浄を経てパッド電極２４を露出させる。次にテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）ボンディングなどの方法でパッド電極２４の上に外部モジュール（図示せず）を装着して有機発光表示装置を完成する。

パッド保護層６２は、第１画素電極６０のような導電物質で形成されるため、パッド保護層６２を除去しないでパッド保護層６２の上に外部モジュールを装着することもできる。しかし、パッド保護層６２がＡｇを含んでいるため、高温高湿及び高温動作など信頼性テストで耐性が弱いＡｇが電気的腐蝕（電蝕）を起こしながら、線欠陥を誘発する場合がある。従って、本実施の形態においては、パッド保護層６２を残さずに外部モジュールを装着する前に除去することによって、Ａｇの電蝕による問題を解消することができる。

一方、第１基板１２の上に複数の画素領域Ａ１００と複数のパッド領域Ａ１１０とを同時に形成し、第１基板１２と第２基板１６とを接合させた後に、基板切断過程を経て、個別の有機発光表示装置を製作することもできる。この場合、複数の有機発光表示装置にエッチング液を同時に噴射したり、複数の有機発光表示装置をエッチング液に同時に浸漬したりして、パッド保護層６２を除去できるので、工程効率を向上することができる。

（第２の実施の形態）
以下、図３Ａ〜図３Ｃを参照して、第２の実施の形態による表示装置の製造方法について説明する。第２の実施の形態における表示装置は、前述した第１の実施の形態における表示装置と、パッド電極の位置が異なる。以下の説明で、前述した第１の実施の形態と同じ部材については同じ符号を付けて説明する。

図３Ａを参照すると、前述した第１の実施の形態と同様な方法で、第１基板１２の上にバッファ層２６、ソース領域３６、ドレイン領域３８、及びチャンネル領域４０を含むアクティブ層２８と、ゲート絶縁膜３０と、層間絶縁膜４２とを形成する。そして、層間絶縁膜４２の上に第２導電膜（図示せず）を形成し、第２導電膜をパターニングして、ソース電極４８及びドレイン電極５０を形成するのと同時に、パッド領域Ａ１１０にパッド電極２４’を形成する。

ソース電極４８、ドレイン電極５０、及びパッド電極２４’は、Ｔｉ、Ｔｉ合金、Ｔａ、及びＴａ合金で構成された群より選択されるいずれか一つを含むことができる。Ｔｉ合金はＴｉＮでもよく、Ｔａ合金はＴａＮでもよい。パッド電極２４’はデータパッド電極にすることもできる。

次にソース電極４８、ドレイン電極５０、及びパッド電極２４’を覆うように層間絶縁膜４２の上に平坦化膜５２を形成し、平坦化膜５２をパターニングして、ドレイン電極５０を露出させるビアホール５４と、パッド電極２４’を露出させるパッドコンタクトホール５６１を形成する。

そして、画素領域Ａ１００とパッド領域Ａ１１０の平坦化膜５２の上に前述した第１の実施の形態と同じ方法で第３導電膜（図示せず）を形成した後にパターニングして、ビアホール５４を通して、ドレイン電極５０と連結する第１画素電極６０及びパッドコンタクトホール５６１を通して、パッド電極２４’と連結するパッド保護層６２を形成する。

図３Ｂを参照すると、第１画素電極６０を覆うように画素領域Ａ１００の平坦化膜５２の上に画素定義膜６４を形成し、画素定義膜６４をパターニングして、第１画素電極６０を露出させる開口部６６を形成する。そして、第１画素電極６０の上に有機発光層６８を形成し、有機発光層６８の上に画素領域Ａ１００全体に第２画素電極７０を形成する。

次に第１基板１２と第２基板１６（図１参照）を接合させて、第２基板１６中パッド領域Ａ１１０上側部位を除去してパッド領域Ａ１１０を露出させる。そして、パッド領域Ａ１１０に露出したパッド保護層６２を除去して、パッド電極２４’を露出させ、パッド電極２４’の上に外部モジュールを装着して有機発光表示装置を完成する。

第１の実施の形態において、パッド電極２４はゲート電極３２と同時に形成されたが、第２の実施の形態においては、パッド電極２４’は、ソース電極４８及びドレイン電極５０と同時に形成される点で異なる。しかし、第２の実施の形態においても、パッド保護層６２が第１画素電極６０と同じ物質で同時に形成されるため、第３導電膜をエッチングする過程でパッド電極２４’はパッド保護層６２によって第３導電膜エッチング液に触れず、パッド電極２４’が損傷されることにより発生する断線を未然に防止できる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本発明は表示装置及び表示装置の製造方法に適用可能であり、基板の画素領域の外側にパッド領域を有する表示装置、及び表示装置の製造方法に適用可能である。

第１の実施の形態による表示装置の斜視図である。 第１の実施の形態による表示装置の製造方法を示す工程説明図であり、基板の画素領域上にアクティブ層を形成し、アクティブ層を覆って基板全面にゲート絶縁膜を形成した後の図である。 第１の実施の形態による表示装置の製造方法を示す工程説明図であり、画素領域とパッド領域とに、各々ゲート電極とパッド電極とを形成した後の図である。 第１の実施の形態による表示装置の製造方法を示す工程説明図であり、層間絶縁膜を形成後にソース電極及びドレイン電極を形成した後の図である。 第１の実施の形態による表示装置の製造方法を示す工程説明図であり、平坦化膜を形成後にドレイン電極を露出させるビアホール及びパッド電極を露出させるパッドコンタクトホールを形成した後の図である。 第１の実施の形態による表示装置の製造方法を示す工程説明図であり、ドレイン電極に連結する第１画素電極、及びパッド電極に連結するパッド保護層を同時に形成した後の図である。 第１の実施の形態による表示装置の製造方法を示す工程説明図であり、第１画素電極上に有機発光層及び第２画素電極を順次形成した後の図である。 第１の実施の形態による表示装置の製造方法を示す工程説明図であり、パッド保護層を除去した後の図である。 第２の実施の形態による表示装置の製造方法を示す工程説明図であり、ドレイン電極に連結する第１画素電極、及びパッド電極に連結するパッド保護層を同時に形成した後の図である。 第２の実施の形態による表示装置の製造方法を示す工程説明図であり、第１画素電極上に有機発光層及び第２画素電極を順次形成した後の図である。 第２の実施の形態による表示装置の製造方法を示す工程説明図であり、パッド保護層を除去した後の図である。

符号の説明

１２ 第１基板
１６ 第２基板
１４ シーラント
１８ サブピクセル
２４ パッド電極
２６ バッファ層
２８ アクティブ層
３０ ゲート絶縁膜
３２ ゲート電極
３６ ソース領域
３８ ドレイン領域
４０ チャンネル領域
４２ 層間絶縁膜
４８ ソース電極
５０ ドレイン電極
５２ 平坦化膜
５４ ビアホール
５６ パッドコンタクトホール
６２ パッド保護層
６６ 開口部
６８ 有機発光層
１００ 有機発光表示装置
Ａ１００ 画素領域
Ａ１１０ パッド領域

Claims (15)

1. 第１基板上の画素領域に薄膜トランジスタを形成するとともに前記第１基板上のパッド領域にパッド電極を形成する段階と、
   前記薄膜トランジスタと連結する第１画素電極、及び、前記第１画素電極と同じ物質で形成され、前記パッド電極を覆うパッド保護層を、エッチング液によりパターニングして同時に形成する段階と、
   前記パッド保護層を除去し、前記パッド電極を露出させる段階と、
   を含み、
   前記第１画素電極は、Ａｇを含むことを特徴とする、表示装置の製造方法。
2. 前記第１画素電極は第１透明導電膜、反射膜、及び第２透明導電膜を有しており、前記反射膜はＡｇを含むことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
3. 前記第１画素電極上に有機発光層及び第２画素電極を形成する段階を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
4. 前記パッド保護層を除去する前に、前記第１基板上に第２基板を接合させる段階を含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
5. 前記パッド保護層は湿式エッチング法で除去することを特徴とする、請求項４に記載の表示装置の製造方法。
6. 前記薄膜トランジスタを形成する段階は、
   前記第１基板上にアクティブ層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を順次に形成する段階と、
   前記ゲート電極を覆うように前記ゲート絶縁膜の上に層間絶縁膜を形成する段階と、
   前記層間絶縁膜の上にソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、
   を含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
7. 前記ゲート電極及び前記パッド電極は、同じ物質で同時に形成されることを特徴とする、請求項６に記載の表示装置の製造方法。
8. 前記パッド電極は、ＭｏＷ、Ａｌ、Ｃｒ、及びＡｌ／Ｃｒで構成される群より選択されるいずれか一つを含むことを特徴とする、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
9. 前記薄膜トランジスタ及び前記パッド電極上に平坦化膜を形成する段階と、
   前記平坦化膜をパターニングして、前記ドレイン電極を露出させるビアホールを形成する段階と、
   前記平坦化膜及び前記層間絶縁膜をパターニングして、前記パッド電極を露出させるパッドコンタクトホールを形成する段階と、
   を含むことを特徴とする、請求項７または８に記載の表示装置の製造方法。
10. 前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記パッド電極は、同じ物質で同時に形成されることを特徴とする、請求項８に記載の表示装置の製造方法。
11. 前記パッド電極は、Ｔｉ、Ｔｉ合金、Ｔａ、及びＴａ合金で構成された群より選択されるいずれか一つを含むことを特徴とする、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
12. 前記Ｔｉ合金はＴｉＮであり、前記Ｔａ合金はＴａＮであることを特徴とする、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
13. 前記薄膜トランジスタ及び前記パッド電極上に平坦化膜を形成する段階と、
    前記平坦化膜をパターニングして前記ドレイン電極を露出させるビアホール、及び前記
    パッド電極を露出させるパッドコンタクトホールを形成する段階と、
    を含むことを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
14. 請求項１〜１３のいずれかに記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする、表示装置。
15. 前記表示装置は、有機発光表示装置であることを特徴とする、請求項１４に記載の表示装置。

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