TWI386105B - 顯示器面板 - Google Patents

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TWI386105B
TWI386105B TW094122047A TW94122047A TWI386105B TW I386105 B TWI386105 B TW I386105B TW 094122047 A TW094122047 A TW 094122047A TW 94122047 A TW94122047 A TW 94122047A TW I386105 B TWI386105 B TW I386105B
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Jin-Koo Chung
Dong-Won Lee
Beohm-Rock Choi
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Samsung Display Co Ltd
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Description

顯示器面板 發明領域
本發明相關於顯示器面板且尤其，相關於用在有機發光二極體顯示器之面板。
 發明背景
通常，一有機發光二極體(OLED)顯示器為利用激發可發光有機材料以發光而顯示影像之自身發光顯示器裝置。有機發光二極體顯示器之發光要件包含一陽極(電洞注入電極)、一陰極(電子注入電極)及一插入於其中之有機發光層。當電洞與電子係注入發光層內，它們結合並當從激態轉移至基態時發光。該有機發光層可進一步包含一或更多個電子傳輸層(ETL)與電洞傳輸層(HTL)，以及電子注入層(EIL)與電洞注入層(HIL)以提升光發射。
該有機發光二極體顯示器包含數個像素，且每個像素包含一陽極、一陰極與一發光層。該像素可排列成一陣列，且係可以被動陣列(或單一陣列)形式或主動陣列形式而驅動。
被動陣列式有機發光二極體顯示器包含數條陽極線、數條與陽極線交叉之陰極線，以及數個像素，每一像素包含發光層。選擇一陽極線與一陰極線造成位於受選擇訊號線之交叉處的像素發光。
主動陣列式有機發光二極體顯示器包含數個像素，且每個像素可包含一切換電晶體、一驅動電晶體與一儲存電容以及一陽極、一陰極與一發光層。該主動陣列式有機發光二極體顯示器進一步包含數條傳輸閘極訊號之閘極線與數條傳輸資料電壓之資料線。切換電晶體連結至一閘極線與一資料線，且其自資料線對應來自閘極線之閘極訊號傳輸資料電壓。驅動電晶體自切換電晶體接收資料電壓並驅動符合資料電壓所需之電流量。來自驅動電晶體之電流進入發光層以導致具有依據電流大小之強度的光發射。儲存電容係連結介於資料電壓與供應電壓之間以維持其壓差。該主動陣列式有機發光二極體顯示器之灰階係由控制資料電壓而達成以調整由驅動電晶體驅動之電流。該有機發光二極體顯示器以供應紅、綠與藍色發光層表示顏色。
此外，有機發光二極體顯示器根據光發射方向可分為上發光式與下發光式顯示器。上發光式有機發光二極體顯示器包含通常以銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)製成之一透明陰極，以及一不透明陽極。相反地，下發光式有機發光二極體顯示器包含一不透明陰極與一透明陽極。陽極與陰極之相關位置可依據需要而改變。
陰極係經另一導體以一般電壓提供，且介於陰極與導體間之接觸電阻為高。
 發明概要
本發明提供可減少介於一般電極與一般電壓線間之接觸電阻的一有機發光二極體裝置。
本發明之其他特徵係於本敘述中提出，且在某種程度上自該敘述可顯而易見，或藉由本發明實際應用而習知。
本發明揭露包含數條陽極電極與以預定電壓供應之陰極電極的一有機發光顯示器面板，並包含面對陽極電極之一第一部分、接收預定電壓並具有不同於第一部分其橫截面的第二部分。數個發光組件係配置介於陽極電極與陰極電極之間，且一導線傳輸預定電壓並接觸陰極電極其第二部分。
本發明亦揭露包含數條陽極電極、數個分別配置於陽極電極上之發光組件、包括配置於發光組件上之一第一部分和與發光組件分離之第二部分的一金屬層，以及連結金屬層第二部分之一導線的一有機發光顯示器面板。該導線係配置於發光組件所在層之下方層。
可了解到上面敘述與下列詳細敘述皆為具模範性與解釋用意，並意圖提供如主張之本發明其進一步說明。
圖式簡單說明
係包含以對本發明提供進一步了解且係併入且構成本規格之一部分之伴隨圖示說明本發明實施例且與敘述一起用於解釋本發明之原理。
第1圖根據本發明實施例為一有機發光二極體顯示器其方塊圖。
第2圖根據本發明實施例為一有機發光二極體顯示器中一像素之等效電路圖。
第3圖根據本發明實施例為一有機發光二極體顯示器其顯示器面板的結構平面圖。
第4圖為沿第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’之截面圖。
第5圖為第3圖中顯示器面板上像素與訊號線之佈局圖。
第6圖與第7圖分別為沿第5圖中像素與訊號線其線段VI－VI’與VII－VII’之截面圖。
第8圖根據本發明實施例為一有機發光要件之結構圖。
第9圖、第11圖、第13圖、第15圖、第17圖、第19圖、第21圖、第23圖與第25圖根據本發明實施例為第3圖、第4圖、第5圖、第6圖與第7圖中所示之顯示器面板在製程中間步驟之佈局圖。
第10A圖與第10B圖分別為沿第9圖中顯示器面板其線段XA－XA’與XB－XB’之截面圖，而第10C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。
第12A圖與第12B圖分別為沿第11圖中顯示器面板其線段XIIA－XIIA’與XIIB－XIIB’之截面圖，而第12C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。
第14A圖與第14B圖分別為沿第13圖中顯示器面板其線段XIVA－XIVA’與XIVB－XIVB’之截面圖，而第14C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。
第16A圖與第16B圖分別為沿第15圖中顯示器面板其線段XVIA－XVIA’與XVIB－XVIB’之截面圖，而第16C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。
第18A圖與第18B圖分別為沿第17圖中顯示器面板其線段XVIIIA－XVIIIA’與XVIIIB－XVIIIB’之截面圖，而第18C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。
第20A圖與第20B圖分別為沿第19圖中顯示器面板其線段XXA－XXA’與XXB－XXB’之截面圖，而第20C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。
第22A圖與第22B圖分別為沿第21圖中顯示器面板其線段XXIIA－XXIIA’與XXIIB－XXIIB’之截面圖，而第22C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。
第24A圖與第24B圖分別為沿第23圖中顯示器面板其線段XXIVA－XXIVA’與XXIVB－XXIVB’之截面圖，而第24C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。
第26A圖與第26B圖分別為沿第25圖中顯示器面板其線段XXVIA－XXVIA’與XXVIB－XXVIB’之截面圖，而第26C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。
第27A圖與第27B圖分別為沿第25圖中顯示器面板其線段XXVIA－XXVIA’與XXVIB－XXVIB’之截面圖，並說明第26A圖與第26B圖中所示步驟之下一步驟，而第27C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。
 較佳實施例之詳細說明
本發明將參照含本發明例示實施例之伴隨圖示完全敘述。然而，本發明將以各種形式具體化且不應受限於此處實施例而說明。
圖示中，層、薄膜、面板、區域等等之厚度係誇大以便於明瞭。相同編號完全參照於相同要件。可以了解到當一要件如層、薄膜、區域或基體係稱為“另一要件”時，其可直接為“其他要件”或“干擾要件”係用以表示。相對的，當一要件係稱為“直接在另一要件上”，沒有“干擾要件”係用以表示。
現在，根據本發明實施例，用於一有機發光二極體顯示器之顯示器面板與其製程將參照伴隨圖示係敘述。
第1圖根據本發明一實施例為一有機發光二極體顯示器之方塊圖，且第2圖根據本發明一實施例為一有機發光二極體顯示器中像素之等效電路圖。
參照第1圖，根據本發明一實施例之一有機發光二極體顯示器包含一顯示器面板300與兩包含連結至顯示器面板300之一掃描驅動器400與一資料驅動器500的驅動器。
該顯示器面板300包含數條訊號線，而數條像素PX係向訊號線連結且實質排列於陣列中。
訊號線包含數條用以傳輸掃描訊號之掃描線G1 －Gn 及數條用以傳輸資料訊號之資料線sD1 －Dm 。掃描線G1 －Gn 實質以“列”方向延伸且兩兩相互平行，而資料線D1 －Dm 實質以“行”方向延伸且兩兩相互平行。
參照第2圖，例如，每個像素PX係連結至一掃描線Gi 與一資料線Dj 且包含一有機發光要件LD、一驅動電晶體Qd、一電容器Cst與一切換電晶體Qs。
驅動電晶體Qd具有一連結至切換電晶體Qs之控制終點、一連結至驅動電壓Vp之輸入終點與一連結至發光要件LD之輸出終點。
發光要件LD具有一連結至驅動電晶體Qd之輸出終點的陽極與一連結至一般電壓Vcom的陰極。該一般電壓Vcom可小於驅動電壓Vp且為底電壓。該發光要件LD依據驅動電晶體Qd之輸出電流發出具有強度的光，且驅動電晶體Qd之輸出電流取決於驅動電晶體Qd中介於控制終點與輸入終點之電壓。
切換電晶體Qs具有一連結至掃描線Gi 之一控制終點，一連結至資料線Dj之輸入終點與一連結至驅動電晶體Qd控制終點之輸出終點。該切換電晶體Qs對應來自掃描線Gi 之掃描訊號從資料線Dj傳輸資料訊號至驅動電晶體Qd。
如第2圖所示，切換電晶體Qs為N－通道場效電晶體(FET)，而驅動電晶體Qd為P－通道場效電晶體。然而其種類可相交換或皆為N－通道場效電晶體或皆為P－通道場效電晶體。此例示中，介於電晶體Qs與Qd及發光要件LD間之連接係可改良。
電晶體Qs與Qd包含多晶矽或非晶矽。
電容器Cst係連結驅動電晶體Qd之控制終點與輸入終點。電容器Cst充電並對應由驅動電晶體Qd控制終點提供之資料訊號而維持電壓。
再參照第1圖，掃描驅動器400係連結至顯示器面板300之掃描線G1 －Gn 且形成閘極開啟電壓Von以開啟切換電晶體Qs及閘極關閉電壓Voff以關閉切換電晶體sQs進而產生掃描訊號以提供至掃描線sG1 －Gn 。
資料驅動器500係連結至顯示器面板300之資料線D1 －Dm 且提供資料訊號至資料線D1 －Dm 。
掃描驅動器400與資料驅動器500係可作為嵌入於顯示器面板300上或捲帶式封裝中附著於顯示器面板300之軟形印刷電路(FPC)薄膜上的積體電路晶片。選擇性地，它們係可整合至顯示器面板300。
現在，根據本發明實施例用於一有機發光二極體顯示器之一顯示器面板其結構如第1圖至第2圖係將於第3圖至第8圖詳細敘述。
第3圖根據本發明實施例為用於一有機發光二極體顯示器之一顯示器面板之結構平面圖，第4圖為沿第3圖中顯示器面板其線段IV－IV，之截面圖，第5圖為第3圖中顯示器面板上像素與訊號線之佈局圖，第6圖與第7圖分別為沿第5圖中像素與訊號線其線段VI－VI’與VII－VII’之截面圖，且第8圖根據本發明實施例為一有機發光要件之結構圖。
參照第3圖，根據本發明實施例一顯示器面板300包含一顯示區域DA(由點狀長方形所包圍)與配置於顯示區域DA外之一週邊區域PA。該顯示區域DA包含數個像素PX。
作為有機發光要件LD陰極之一般電極270，係也由顯示器面板300提供。一般電極270覆蓋顯示區域DA且包含配置於週邊區域PA內之接觸部分B以接收一般電壓Vcom。一般電極270之接觸部分B係連結至包含一般電壓觸墊279以自外部裝置接收一般電壓Vcom的一般電壓線278。
包含掃描線G1 －Gn 與資料線D1 －Dn 之數條訊號線係也由顯示器面板300提供。訊號線包含配置於顯示區域DA之部分及配置於週邊區域內以接收包含掃描訊號及資料訊號之訊號的終點部分。
掃描驅動器400與資料驅動器500係可配置於顯示器面板300外部，配置於週邊區域PA上，或沿像素與訊號線整合於顯示器面板300之週邊區域PA內。
接著，參照第3圖、第4圖、第5圖、第6圖與第7圖，詳細之顯示器面板層結構係將敘述。
以氧化矽或氮化矽組成之阻隔層111係形成於以透明玻璃形成之一絕緣基體110上。阻隔層111可具有雙層結構。
以多晶矽或非晶矽形成之數個半導體島151a與151b係形成於阻隔薄膜111上。每個半導體島151a與151b可包含具N－型或P－型導電雜質之數個非本質區及至少一個幾乎不包含導電雜質之本質區。
就用於切換薄膜電晶體(TFT)Qs之半導體島151a而論，非本質區包含一第一源極區153a，一中間區1535及已摻雜N－型雜質且兩兩分離之一第一汲極區155a，而本質區包含一對配置於非本質區153a、1535與155a之間的(第一)通道區154a1與154a2。
至於用作驅動薄膜電晶體Qd之半導體島151b，非本質區包含一第二源極區153b與已摻雜P－型雜質且兩兩分離之一第二汲極區155b，而本質區包含配置介於第二源極區153b與第二汲極區155b的一通道區154b。第二源極區153b延伸以形成儲存電極區157。
非本質區可進一步包含配置介於通道區154a1、154a2與154b之微量摻雜區域(未顯示)及源極和汲極區153a、155a、153b與155b。該微量摻雜區域係可以不具雜質之支管區域取代。
另外，根據驅動條件，第一半導體島151a的非本質區153a與155a係可摻雜入P－型雜質，而第二半導體島151b的非本質區153b與155b係可摻雜入N－型雜質。該導電雜質包含如硼(B)與鎵(Ga)之P－型雜質和如磷(P)與砷(As)之N－型雜質。
半導體島151a與151b由非晶矽所製造。此例示中沒有雜質區，且歐姆接觸可形成於半導體島151a與151b上以提升半導體島151a與151b與金屬層間之接觸性質。
由氧化矽或氮化矽組成之閘極絕緣層140係形成於半導體島151a與151b與阻隔薄膜111上。
數個包含數條閘極線121之閘極導體，包括數個第一閘極電極124a與第二閘極電極124b係形成於閘極絕緣層140上。
傳送閘極訊號之閘極線121實質沿水平方向延伸。每一對第一閘極電極自閘極線121向上突起，且穿越第一半導體島151a以致其與第一通道區對154a1與154a2相重疊。每一條閘極線121包含具有一大區域以與其他層或一外部驅動電路連結之一擴張末端區。該閘極線121可直接連接至閘極驅動電路以產生可合併至基體110之閘極訊號。
第二閘極電極124b與閘極線121分隔且穿越第二半導體島151b以致其與第二通道區154b相重疊。第二閘極電極124b延伸以形成與第二半導體島151b之儲存電極區157重疊的儲存電極127，因而形成儲存電容Cst。
閘極導體121與124b可以包含鋁或鋁合金(例如，Al－Nd)、銀或銀合金、銅或銅合金等低阻抗材料製成。該閘極導體121與124b可為包含兩具不同物理特性之薄膜的多層結構。此例示中，兩薄膜之一可以低阻抗金屬如含鋁金屬、含銀金屬與含銅金屬製成以降低訊號延遲或閘極導體121與124b中電壓下降。另一薄膜可以具有良好物理、化學性質及與其他材料，如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)之優良電性接觸特性之材料如鉻、鉬、鉬合金、鉭或鈦等製成。層狀結構之例示包含一下層鉻薄膜與一上層鋁－釹合金薄膜和一下層鋁薄膜與一上層鉬薄膜。
此外，閘極導體121與124b之側端可相對於在30至80度間之基體110表面而傾斜。
一界絕緣層160係形成於閘極導體121與124b上。該界絕緣層160係可以具優良平坦性質之感光有機材料，以電漿輔助化學氣相沉積法(PECVD)形成之低介電絕緣材料如非晶矽：C：O與非晶矽：O：F或如氮化矽及氧化矽之無機材料所製成。
該界絕緣層160具有多個接觸到第二閘極電極124b之接觸電洞164。此外，該界絕緣層160與閘極絕緣層140具有數個分別接觸到源極區153a與153b和汲極區155a與155b之接觸電洞163a、163b、165a及165b。
數個包含數個資料線171、數個驅動電壓線172、數個第一與第二汲極電極175a與175b及一般電壓線278之資料導體係形成於界絕緣薄膜160上。
傳送資料訊號的資料線171實質沿垂直方向延伸並穿過閘極線121。每條資料線171包含數個穿越接觸電洞163a而連結至第一源極區153a之第一源極電極173a。每條資料線171包含一具有一大區域以與其他層或一外部驅動電路連結之一擴張末端區。該資料線171可直接連接至資料驅動電路以產生可合併至基體110上之資料訊號。
傳送驅動電壓給驅動電晶體Qd之驅動電壓線172實質垂直延伸並穿越閘極線121。每條驅動電壓線172包含數個穿越接觸電洞163b連結至第二源極區153b之第二源極電極173b。該驅動電壓線172可相互連結。
第一汲極電極175a與資料線171分離且驅動電壓線172穿越接觸電洞165a連結至第一汲極區155a及穿越接觸電洞164連結至第二閘極電極124b。
第二汲極電極175b與資料線171分離且驅動電壓線172穿越接觸電洞165b連結至第二汲極區155b。
一般電壓線278包含配置接近如第3圖所示之基體110其上邊緣的一般電壓觸墊279。該一般電壓線278係可形成於閘極線121所在之層。
資料導體171、172、175a、175b與278係可由包含鉻、鉬、鈦、鉭或其合金之反射金屬製成。它們具備包含低阻抗薄膜及一優良接觸膜之多層結構。多層結構之一例示包含由下層鉻薄膜與上層鋁(合金)薄膜所組成之雙層結構，由下層鉬薄膜與上層鋁(合金)薄膜所組成之雙層結構及由下層鉬薄膜、中層鋁薄膜及上層鉬薄膜所組成之三層結構。
如閘極導體121與124b，資料導體171、172、175a、175b與278具有對應於基體從30至80度之傾斜角曲線。
一鈍態層180係形成於資料導體171、172、175a、175b與278上。該鈍態層180係可以具優良平坦性質之感光有機材料，以電漿輔助化學氣相沉積法(PECVD)形成之低介電絕緣材料如非晶矽：C：O與非晶矽：O：F或如氮化矽及氧化矽之無機材料所製成。
該鈍態層180具有數個分別接觸第二汲極電極175b與一般電壓線278之接觸電洞185與188。該鈍態層180可進一步包含數個接觸資料線171末端部分之接觸電洞(未顯示)，且該鈍態層180與界絕緣層160可具有數個接觸閘極線121末端部分之接觸電洞(未顯示)。當一般電壓線278係配置於界絕緣層160下方，接觸電洞188可穿透界絕緣層160。
數個像素電極s190與一接觸輔助88係可形成於鈍態層180上。
像素電極190可作為如第2圖中發光要件LD之陽極，且它們可穿越接觸電洞185連結至第二汲極電極175b。像素電極190與接觸輔助88可由透明導體如ITO或IZO所製成。然而，像素電極190可由不透明反射導體如鋁、銀、鈣、鋇、及鎂所製成。
接觸輔助88係穿越接觸電洞188連結至一般電壓線278以覆蓋一般電壓線278外露部分。接觸輔助88係可忽視，或超過一個接觸輔助係形成。
數個接觸輔助或連接構件(未顯示)也係可形成於鈍態層180上以致它們係連結至閘極線121、資料線171或一般電壓觸墊279之外露末端部分。
一分離有機發光二極體顯示器之像素的分隔物360係形成於鈍態層180與像素電極190上。該分隔物360包圍像素電極190以定義開孔365係由有機發光材料所填滿。分隔物360具有數個接觸接觸輔助88之接觸電洞368，且其由有機或無機絕緣材料製成。
數個發光組件370係形成於像素電極190且配置於由分隔物360定義之開孔365中。該發光組件370可由發紅、綠及藍光之有機材料所製成。該紅、綠及藍發光組件370係規律地配置。
一包含下層電極271的一般電極270及一上層電極272係形成於發光組件370及分隔物360上。該一般電極270係由一般電壓Vcom提供。
該下層電極271係可由一絕緣體如氟化鋰或鹼金屬或鹼土金屬如鋇、鈣或鋰所製成，而上層電極272係可由低阻抗金屬如鋁、銀或其合金所製成。接觸至發光組件370之下層電極271可具有低功函數以致下層電極271促使電子注入至發光組件370。該上層電極272可由對氧化阻抗之低阻抗材料所製成以致上層電極272保護下層電極271且降低一般電壓Vcom失真。
如第3圖與第4圖所示，上層電極272包含一穿越接觸電洞368而接觸至接觸輔助88之接觸部分B，且下層電極271並不接觸接觸輔助88。此結構降低一般電極270與接觸輔助88或一般電壓線278間之接觸電阻。詳細而言，具有低功函數如鋇或鈣之金屬可輕易地因一點點熱量而熔化如接觸部分B所生成之現象，因而提高接觸電阻。此外，一絕緣體如氟化鋰也會提高接觸電阻。隨著上述結構，上層電極272接觸了接觸輔助88但下層電極271沒有。因此，介於一般電極270與一般電壓線278間之接觸電阻係可降低。
在上述之有機發光二極體顯示器中，一切換電晶體Qs包括一第一半導體島151a、一連結至閘極線121之第一閘極電極124a、一連結至資料線171之第一源極電極173a及一第一汲極電極175a。此外，一驅動電晶體包含第二半導體島151b、一連結至第一汲極電極175a之第二閘極電極124b及一連結至像素電極190之第二汲極電極175b。並且，一連結至第二源極區153b之儲存電極區157與一連結至第二閘極電極124b之儲存電極127形成一儲存電容Cst。顯示於第5圖至第7圖之例示電晶體Qs與Qd因閘極電極124a與124b係配置於半導體151a與151b上而係作為“上閘極電晶體”。
有機發光組件370可具有如第8圖所示之多層結構。該有機發光組件370包含至少一發光層EML，且進一步包含輔助層以提升發光層EML其發光效率。輔助層可包含提升電子與電洞平衡之電子傳輸層ETL與電洞傳輸層HTL，及提升電子與電洞注入之電子注入層EIL與電洞注入層HIL。一般電極270之下層電極271可作為電子注入層EIL。
現在，一種顯示於第3圖至第8圖之製造顯示器面板技術係參照第9圖至第27C圖而敘述。
第9圖、第11圖、第13圖、第15圖、第17圖、第19圖、第21圖、第23圖與第25圖根據本發明實施例為第3圖至第8圖中所示之顯示器面板在製程中間步驟之佈局圖。第10A圖與第10B圖分別為沿第9圖中顯示器面板其線段XA－XA’與XB－XB’之截面圖，而第10C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。第12A圖與第12B圖分別為沿第11圖中顯示器面板其線段XIIA－XIIA’與XIIB－XIIB’之截面圖，而第12C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。第14A圖與第14B圖分別為沿第13圖中顯示器面板其線段XIVA－XIVA’與XIVB－XIVB’之截面圖，而第14C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。第16A圖與第16B圖分別為沿第15圖中顯示器面板其線段XVIA－XVIA’與XVIB－XVIB’之截面圖，而第16C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。第18A圖與第18B圖分別為沿第17圖中顯示器面板其線段XVIIIA－XVIIIA’與XVIIIB－XVIIIB’之截面圖，而第18C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。第20A圖與第20B圖分別為沿第19圖中顯示器面板其線段XXA－XXA’與XXB－XXB’之截面圖，而第20C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。第22A圖與第22B圖分別為沿第21圖中顯示器面板其線段XXIIA－XXIIA’與XXIIB－XXIIB’之截面圖，而第22C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。第24A圖與第24B圖分別為沿第23圖中顯示器面板其線段XXIVA－XXIVA’與XXIVB－XXIVB’之截面圖，而第24C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。第26A圖與第26B圖分別為沿第25圖中顯示器面板其線段XXVIA－XXVIA’與XXVIB－XXVIB’之截面圖，而第26C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。第27A圖與第27B圖分別為沿第25圖中顯示器面板其線段XXVIA－XXVIA’與XXVIB－XXVIB’之截面圖，並說明第26A圖與第26B圖中所示步驟之下一步驟，而第27C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。
參考第9圖至第10C圖，一阻隔層111係形成於一絕緣基體110上，且以非晶矽製成之一半導體層可以低壓化學氣相沉積法(LPCVD)、電漿輔助化學氣相沉積法(PECVD)或濺鍍法沉積於阻隔層111上。
接著，該半導體層可結晶成多晶矽並光蝕刻成數對第一與第二半導體島151a與151b。亦或，半導體層可以非晶矽層移除。
參考第11圖至第12C圖，一閘極絕緣層140與一閘極金屬層實質沉積於包含第一與第二半導體島151a與151b之基體上，且一第一光阻PR1形成於上。該閘極金屬層藉由使用第一光阻PR1為蝕刻光罩係蝕刻成數個包含儲存電極127與數個閘極金屬構件120a之閘極電極124b。一P－型雜質係導入至與第一光阻PR1一樣不受閘極電極124b與閘極金屬構件120a覆蓋之第二半導體島151b部分內，以形成數個P－型非本質區153b與155b。此時，第一半導體島151a係以第一光阻PR1與閘極金屬構件120a覆蓋並避免雜質摻入。
參考第13圖至第14C圖，第一光阻PR1係移除且第二光阻PR2係形成。該閘極金屬構件120a藉由使用第二光阻PR2為蝕刻光罩係蝕刻成數條包含閘極電極124a之閘極線121。一N－型雜質係注入至與第二光阻PR2一樣不受閘極線121與閘極電極124b覆蓋之第一半導體島151a部分內，以形成數個N－型非本質區153a與155a。此時，第二半導體島151b係以第二光阻PR2覆蓋並避免雜質摻入。
參考第15圖至第16C圖，一界絕緣薄膜160係沉積且該界絕緣薄膜160與閘極絕緣層140係光蝕刻以形成與數個接觸閘極電極124b之接觸電洞164一樣之數個分別接觸非本質區153a、153b、155a與155b的接觸電洞163a、163b、165a與165b。
參考第17圖至第18C圖，數個包含數條資料線171，數個驅動電壓線172之資料導體，資料線171另包含第一源極電極173a而數個驅動電壓線172另包含第二源極電極173b，數個第一與第二汲極電極175a與175b及一般電壓線278，係形成於界絕緣層160上。
參考第19圖至第20C圖，一鈍態層180係沉積且光蝕刻以形成數個分別接觸第二汲極電極175b與一般電壓線278之接觸電洞185與188。
參考第21圖至第22C圖，數個像素電極190與一接觸輔助88係形成於鈍態層180上。當像素電極190以反射不透明材料製成時，它們係沿資料線171形成為資料金屬層。
參考第23圖至第24C圖，一絕緣層係沉積且圖像化以形成一在像素電極190上有開孔365與在接觸輔助88上至少有一接觸電洞368之一分隔物360。
參考第25圖至第26C圖，數個包含至少一發光層且可進一步具有多層之有機發光組件370係形成於利用沉積法或網印法所形成之光罩而產生的開孔365中。
參考第27A圖至第27C圖，一下層電極271利用光罩等係形成以致該下層電極271並未配置於接觸電洞368上。
一具有配置於接觸電洞368上之接觸部分B的上層電極272係如第3圖、第4圖、第6圖與第7圖所示形成於下層電極271上。儘管未顯示，OLED元件可以密封薄膜或一金屬封蓋密封。
對熟知技藝者很明顯的本發明中不同修正與改變在不違背本發明精神或範圍下可進行。因此可了解本發明涵蓋隨申請專利範圍及同義之修正與改變。
88．．．接觸輔助
110．．．基體
111．．．阻隔層
121．．．閘極線
124a．．．閘極電極
124b．．．閘極電極
127．．．儲存電極
140．．．閘極絕緣層
151a．．．半導體
151b．．．半導體
153a．．．源極區
153b．．．源極區
155a．．．汲極區
155b．．．汲極區
157．．．儲存區域
160．．．界絕緣薄膜
163a．．．接觸電洞
163b．．．接觸電洞
164．．．接觸電洞
165a．．．接觸電洞
165b．．．接觸電洞
171．．．資料線
172．．．驅動電壓線
173a．．．源極電極
173b．．．源極電極
175a．．．汲極電極
175b．．．汲極電極
180．．．鈍態層
185．．．接觸電洞
188．．．接觸電洞
190．．．像素電極
270．．．一般電極
271．．．一般電極
272．．．一般電極
278．．．一般電壓線
279．．．一般電壓線
360．．．分隔物
368．．．接觸電洞
370．．．發光層
400．．．掃描驅動器
500．．．資料驅動器
Cst．．．儲存電容
PR1．．．光阻
PR2．．．光阻
PR3．．．光阻
PR4．．．光阻
Qs．．．切換電晶體
Qd．．．驅動電晶體
第1圖根據本發明實施例為一有機發光二極體顯示器其方塊圖。
第2圖根據本發明實施例為一有機發光二極體顯示器中一像素之等效電路圖。
第3圖根據本發明實施例為一有機發光二極體顯示器其顯示器面板的結構平面圖。
第4圖為沿第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’之截面圖。
第5圖為第3圖中顯示器面板上像素與訊號線之佈局圖。
第6圖與第7圖分別為沿第5圖中像素與訊號線其線段VI－VI’與VII－VII’之截面圖。
第8圖根據本發明實施例為一有機發光要件之結構圖。
第9圖、第11圖、第13圖、第15圖、第17圖、第19圖、第21圖、第23圖與第25圖根據本發明實施例為第3圖、第4圖、第5圖、第6圖與第7圖中所示之顯示器面板在製程中間步驟之佈局圖。
第10A圖與第10B圖分別為沿第9圖中顯示器面板其線段XA－XA’與XB－XB’之截面圖，而第10C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。
第12A圖與第12B圖分別為沿第11圖中顯示器面板其線段XIIA－XIIA’與XIIB－XIIB’之截面圖，而第12C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。
第14A圖與第14B圖分別為沿第13圖中顯示器面板其線段XIVA－XIVA’與XIVB－XIVB’之截面圖，而第14C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。
第16A圖與第16B圖分別為沿第15圖中顯示器面板其線段XVIA－XVIA’與XVIB－XVIB’之截面圖，而第16C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。
第18A圖與第18B圖分別為沿第17圖中顯示器面板其線段XVIIIA－XVIIIA’與XVIIIB－XVIIIB’之截面圖，而第18C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。
第20A圖與第20B圖分別為沿第19圖中顯示器面板其線段XXA－XXA’與XXB－XXB’之截面圖，而第20C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。
第22A圖與第22B圖分別為沿第21圖中顯示器面板其線段XXIIA－XXIIA’與XXIIB－XXIIB’之截面圖，而第22C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。
第24A圖與第24B圖分別為沿第23圖中顯示器面板其線段XXIVA－XXIVA’與XXIVB－XXIVB’之截面圖，而第24C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。
第26A圖與第26B圖分別為沿第25圖中顯示器面板其線段XXVIA－XXVIA’與XXVIB－XXVIB’之截面圖，而第26C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。
第27A圖與第27B圖分別為沿第25圖中顯示器面板其線段XXVIA－XXVIA’與XXVIB－XXVIB’之截面圖，並說明第26A圖與第26B圖中所示步驟之下一步驟，而第27C圖為第3圖中顯示器面板其線段IV－IV’在此步驟時之截面圖。
88．．．接觸輔助
110．．．基體
111．．．阻隔層
140．．．閘極絕緣層
160．．．界絕緣薄膜
180．．．鈍態層
188．．．接觸電洞
270．．．一般電棒
271．．．一般電極
272．．．一般電極
278．．．一般電壓線
360．．．分隔物
368．．．接觸電洞

Claims (15)

  1. 一種用於有機發光顯示器之顯示器面板，該面板包含：數個陽極電極；供應預定電壓且包含面對陽極電極之第一部分與接收預定電壓且具有不同於第一部分截面之第二部分之一陰極電極；配置介於陽極電極與陰極電極間之數個發光組件；傳輸預定電壓並接觸陰極電極之第二部分的導線；以及一絕緣層，配置於該導線上且位於該等發光組件下方，其中該絕緣層包含一接觸孔，其曝露出該導線的至少一部分，其中該陰極電極包括一含有鹼金屬或鹼土金屬的第一層以及一含有鋁或鋁合金的第二層，其中該陰極電極在該第一部分包括有該第一層與該第二層，該陰極電極在該第二部分僅包括有該第二層，且其中在該陰極電極的第二部分中之該第二層係經由該接觸孔而連接至該導線。
  2. 如申請專利範圍之第1項之顯示器面板，其中該第一層係接觸發光組件且配置介於陽極電極與第二層間。
  3. 如申請專利範圍之第2項之顯示器面板，其中第一層係與導線分離。
  4. 如申請專利範圍之第1項之顯示器面板，其中第一層具有較第二層為低之功函數。
  5. 如申請專利範圍之第1項之顯示器面板，其中第一層包含鋇、鈣或鋰。
  6. 如申請專利範圍之第1項之顯示器面板，其中第一層具有氟化鋰。
  7. 如申請專利範圍之第1項之顯示器面板，其中第二層具有較低於第一層之電阻率。
  8. 如申請專利範圍之第1項之顯示器面板，其中第一層較第二層易氧化。
  9. 如申請專利範圍之第1項之顯示器面板，其中該導線具有多層結構。
  10. 一種用於有機發光顯示器之顯示器面板，該面板包含：數個陽極電極；分別配置在陽極電極上之數個發光組件；一包含配置於發光組件上之第一部分與發光組件分離之第二部分的金屬層；一連結至金屬層第二部分之導線；以及一絕緣層，配置於該導線上且位於該等發光組件下方，其中該導線係配置於發光組件所在層下方的一層上，其中該絕緣層係配置在陰極電極下方且包含一接觸孔，其曝露出該導線的至少一部分， 其中該陰極電極包括一含有鹼金屬或鹼土金屬的第一層以及一含有鋁或鋁合金的第二層，其中該陰極電極在該第一部分包括有該第一層與該第二層，該陰極電極在該第二部份僅包括有該第二層，且其中在該陰極電極的第二部份中之該第二層係經由該接觸孔而連接至該導線。
  11. 如申請專利範圍之第10項之顯示器面板，其另包含配置介於導線與金屬層間之一接觸輔助。
  12. 如申請專利範圍之第11項之顯示器面板，其中陽極電極包含透明材料。
  13. 如申請專利範圍之第12項之顯示器面板，其中接觸輔助與陽極電極係配置於同一層。
  14. 如申請專利範圍之第10項之顯示器面板，其另包含：一掃描線；一資料線；連結於掃描線與資料線之一切換電晶體；連結該切換電晶體與一陽極電極之一驅動電晶體；以及連結驅動電晶體終端間之一電容器。
  15. 如申請專利範圍之第14項之顯示器面板，其中該導線包含與掃描線與資料線相同之層。
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