KR102300404B1

KR102300404B1 - 유기 발광 표시 장치

Info

Publication number: KR102300404B1
Application number: KR1020150007025A
Authority: KR
Inventors: 박경훈; 김정환; 박선; 장원호; 조주현
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2015-01-14
Filing date: 2015-01-14
Publication date: 2021-09-09
Also published as: KR20160087983A; US9564476B2; US20160204174A1; US10170527B2; KR102421595B1; KR20210113578A; US9773850B2; US20180026085A1; US20170117340A1

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 위에 형성되어 있으며 화소를 스위칭하는 트랜지스터, 상기 트랜지스터를 덮고 있는 화소 보호막, 상기 화소 보호막 위에 형성되어 있는 화소 전극, 상기 화소 전극의 가장자리부를 덮고 있으며 상기 화소 전극을 노출하는 화소 개구부를 가지는 화소 격벽, 상기 화소 개구부를 채우고 있는 유기 발광층, 상기 유기 발광층 위에 형성되어 있는 공통 전극이 형성되어 있는 화소부, 상기 화소부를 둘러싸고 있으며 상기 공통 전극과 접촉하여 상기 공통 전극에 공통 전압을 전달하는 공통 전압선, 상기 공통 전압선의 단부를 덮고 있는 주변 보호막, 상기 주변 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 공통 전압선과 이격되어 있는 주변 격벽이 형성되어 있는 주변부를 포함할 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.

유기 발광 표시 장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함하며, 하나의 전극인 캐소드(cathode)으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극인 애노드(anode)으로부터 주입된 정공(hole)이 유기 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.

이러한 유기 발광 표시 장치는 각 단위 화소가 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 포함하는 트랜지스터, 커패시터(Capacitor) 및 유기 발광 다이오드(Organic Light emitting Diode, OLD)를 포함하며, 구동 전압선으로부터 구동 트랜지스터 및 커패시터에 구동 전압(ELVDD)이 제공되고, 구동 전압선은 구동 트랜지스터를 통해 유기 발광 다이오드로 흐르는 전류를 제어하는 역할을 한다. 또한, 캐소드에 연결되어 있는 공통 전압선은 캐소드인 공통 전극에 공통 전압(ELVSS)을 공급하여 구동 트랜지스터에 연결된 애노드와 캐소드간에 전위차를 형성시켜 전류를 흐르게 한다. 이러한 공통 전압선은 복수개의 화소가 형성된 화소부의 주변에 위치하는 주변부에 형성된 공통 전압 패드를 통해 외부로부터 공통 전압을 인가받고 공통 전압 접촉부를 통해 공통 전극과 접촉하고 있다.

화소부에는 트랜지스터와 공통 전극 사이에 형성된 화소 보호막과 화소 격벽을 두꺼운 두께로 형성하여 트랜지스터와 공통 전극 사이의 기생 커패시터(Parasitic Capacitor)를 제거한다.

그러나, 유기막으로 이루어진 화소 보호막과 화소 격벽을 경화(curing)시키는 경우, 화소 보호막과 화소 격벽의 두꺼운 두께에 비례하여 유기막 스트레스(stress)가 증가하므로 주변부에 위치하는 공통 전압선과 주변 격벽 사이가 벌어지기 쉽다. 특히, 유기막 내부에는 솔벤트(solvent)의 양이 많으므로 경화 공정 시 충분히 증발되지 못해 아웃개싱(Outgassing)이 발생하기 쉽고, 이 경우 주변 격벽 가장자리부와 공통 전압선간의 접착력이 약화되어 주변 격벽이 들뜨게 된다. 이 경우 주변 격벽과 공통 전압선 위에 모두 증착되어 있는 공통 전극이 단선되기 쉬우며 공통 전압(ELVSS)의 공급에 문제가 생겨 유기 발광 표시 장치에 발열 현상이 발생하게 된다.

본 발명은 전술한 배경 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 두꺼운 유기막인 주변 격벽이 들뜨는 것을 방지하여 공통 전극의 단선을 방지하는 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 한다.

상기 주변 격벽의 가장자리부는 상기 공통 전압선과 이격되어 상기 공통 전압선과 상기 화소부 사이에 위치할 수 있다.

상기 주변 격벽은 상기 주변 보호막의 가장자리부를 노출하고 있을 수 있다.

상기 주변 보호막의 가장자리부는 30도 보다 낮은 경사각으로 테이퍼지게 형성되어 있을 수 있다.

상기 공통 전압선의 상부면, 상기 주변 보호막의 가장자리부의 상부면, 그리고 상기 주변 격벽의 가장자리부의 상부면은 차례대로 높이가 증가하는 계단을 이루고 있을 수 있다.

상기 주변 보호막의 두께는 상기 화소 보호막의 두께보다 작을 수 있다.

상기 주변 보호막의 두께는 상기 공통 전압선의 두께보다 두껍고 상기 주변 격벽의 두께보다 작을 수 있다.

상기 주변 격벽의 두께는 상기 화소 격벽의 두께보다 두꺼울 수 있다.

상기 화소 보호막과 상기 화소 격벽의 두께의 합은 상기 주변 보호막과 상기 주변 격벽의 두께의 합과 동일할 수 있다.

상기 트랜지스터는 게이트 전극, 반도체, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 상기 공통 전압선은 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 층에 동일한 물질로 형성되어 있을 수 있다.

상기 공통 전압선은 상기 주변 보호막에 의해 덮히지 않은 부분에서 상기 공통 전극과 접촉하고 있을 수 있다.

외부로부터 상기 공통 전압이 인가되는 공통 전압 패드, 상기 공통 전압 패드와 상기 공통 전압선을 서로 연결하고 있는 공통 전압 연결부를 더 포함하고, 상기 공통 전압 연결부는 상기 게이트 전극과 동일한 층에 동일한 물질로 형성되어 있을 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 주변부의 공통 전압선의 단부를 얇은 두께의 주변 보호막으로 덮고, 주변 보호막 위에 두꺼운 두께의 주변 격벽의 가장자리부를 형성하며 공통 전압선과 화소부 사이에 주변 격벽의 가장자리부가 위치하게 함으로써, 주변 격벽은 공통 전압선과 접촉하지 않고, 주변 보호막과 접촉하게 하여 주변 격벽의 접착력을 강화시킬 수 있다. 따라서, 두꺼운 두께의 주변 격벽의 가장자리부가 들뜨는 것을 방지할 수 있다.

또한, 주변 격벽 위를 덮고 있는 공통 전극이 단선되는 것을 방지하여 유기 발광 표시 장치의 이상 발열 현상을 제거할 수 있다.

또한, 유기막인 주변 보호막과 유기막인 주변 격벽간의 접착력은 우수하므로 주변 격벽을 두껍게 형성할 수 있어 트랜지스터와 공통 전극 사이에 발생하는 기생 커패시터를 최소화할 수 있다.

또한, 해프톤 마스크를 사용하여 주변 보호막의 가장자리부를 테이퍼지게 형성함으로써 공통 전극의 스텝 커버리지(Step coverage)를 향상시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소부 및 주변부의 개략적인 평면도이다.
도 3은 도 2의 화소부의 III-III 선 및 주변부의 III'-III' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 4는 도 2의 주변부의 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.

또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.

또한, 명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 발명이 없는 한 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 또는 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분의 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, "~ 상에" 또는 "~ 위에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것을 의미하며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상측에 위치하는 것을 의미하지 않는다.

또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.

또한, 첨부 도면에서는, 하나의 화소에 2개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 1개의 커패시터(capacitor)를 구비하는 2 트랜지스터 1 커패시터 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 유기 발광 표시 장치는 하나의 화소에 복수개의 트랜지스터와 하나 이상의 커패시터를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되거나 기존의 배선이 생략되어 다양한 구조를 갖도록 형성할 수도 있다. 여기서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 유기 발광 표시 장치는 복수개의 화소들을 통해 화상을 표시한다.

그러면 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 도 1, 도 2, 도 3 및 도 4를 참고로 상세하게 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.

도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수개의 신호선(121, 171, 172), 복수개의 신호선에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수개의 화소(PX)를 포함한다.

신호선(121, 171, 172)은 스캔 신호(Sn)를 전달하는 복수개의 스캔선(121), 스캔선(121)과 교차하며 데이터 신호(Dm)를 전달하는 복수개의 데이터선(171), 그리고 구동 전압(ELVDD)을 전달하는 복수개의 구동 전압선(172)을 포함한다. 스캔선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171)과 구동 전압선(172)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다.

각 화소(PX)는 복수개의 신호선(121, 171, 172)에 각각 연결되어 있는 복수개의 트랜지스터(T1, T2), 스토리지 커패시터(storage capacitor, Cst) 및 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLD)를 포함한다.

트랜지스터(T1, T2)는 데이터선(171)에 연결되어 있는 스위칭 트랜지스터(switching transistor)(T1), 유기 발광 다이오드(OLD)에 연결되어 있는 구동 트랜지스터(driving transistor)(T2)을 포함한다.

스위칭 트랜지스터(T1)는 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스캔선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 트랜지스터(T2)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(T1)는 스캔선(121)에 인가되는 스캔 신호(Sn)에 응답하여 데이터선(171)에 인가되는 데이터 신호(Dm)를 구동 트랜지스터(T2)에 전달한다.

구동 트랜지스터(T2) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 트랜지스터(T1)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 다이오드(OLD)에 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(T2)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 구동 전류(Id)를 흘린다.

스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(T2)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(T2)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(T1)가 턴 오프(turn off)된 뒤에도 이를 유지한다.

유기 발광 다이오드(OLD)는 구동 트랜지스터(T2)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode), 공통 전압(ELVSS)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 다이오드(OLD)는 구동 트랜지스터(T2)의 구동 전류(Id)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.

스위칭 트랜지스터(T1) 및 구동 트랜지스터(T2)는 n 채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET) 또는 p 채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 그리고, 트랜지스터(T1, T2), 스토리지 커패시터(Cst) 및 유기 발광 다이오드(OLD)의 연결 관계는 바뀔 수 있다.

그러면 도 1에 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조에 대하여 도 2, 도 3 및 도 4를 도 1과 함께 참고하여 상세하게 설명한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소부 및 주변부의 개략적인 평면도이고, 도 3은 도 2의 화소부의 III-III 선 및 주변부의 III'-III' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이며, 도 4는 도 2의 주변부의 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.

도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(110), 기판(110) 위에 형성되어 있으며 복수개의 화소(PX)가 형성되어 있는 화소부(P), 화소부(P)를 둘러싸고 있는 주변부(S)를 포함한다.

화소부(P)에는 화소(PX)를 스위칭하는 복수개의 트랜지스터가 형성되어 있다.

이하에서 복수개의 트랜지스터를 포함하는 화소부(P)의 구체적인 구조에 대해 도 2 및 도 3을 참고하여 상세하게 설명한다. 이 때, 구동 트랜지스터를 중심으로 설명하며, 스위칭 트랜지스터는 구동 트랜지스터의 적층 구조와 대부분 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.

도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 화소부(P)의 기판(110) 위에는 버퍼층(120)이 형성되어 있다. 기판(110)은 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판으로 형성될 수 있고, 버퍼층(120)은 다결정 규소를 형성하기 위한 결정화 공정 시 기판(110)으로부터 불순물을 차단하여 다결정 규소의 특성을 향상시키고, 기판(110)이 받는 스트레스를 줄이는 역할을 한다.

버퍼층(120) 위에는 반도체(135)가 형성되어 있다. 이러한 반도체(135)는 다결정 규소 또는 산화물 반도체로 이루어질 수 있다. 산화물 반도체는 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 게르마늄(Ge), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 또는 인듐(In)을 기본으로 하는 산화물, 이들의 복합 산화물인 인듐―갈륨―아연 산화물(InGaZnO4), 인듐―아연 산화물(Zn―In―O), 아연―주석 산화물(Zn―Sn―O) 인듐―갈륨 산화물 (In―Ga―O), 인듐―주석 산화물(In―Sn―O), 인듐―지르코늄 산화물(In―Zr―O), 인듐―지르코늄―아연 산화물(In―Zr―Zn―O), 인듐―지르코늄―주석 산화물(In―Zr―Sn―O), 인듐―지르코늄―갈륨 산화물(In―Zr―Ga―O), 인듐―알루미늄 산화물(In―Al―O), 인듐―아연―알루미늄 산화물(In―Zn―Al―O), 인듐―주석―알루미늄 산화물(In―Sn―Al―O), 인듐―알루미늄―갈륨 산화물(In―Al―Ga―O), 인듐―탄탈륨 산화물(In―Ta―O), 인듐―탄탈륨―아연 산화물(In―Ta―Zn―O), 인듐―탄탈륨―주석 산화물(In―Ta―Sn―O), 인듐―탄탈륨―갈륨 산화물(In―Ta―Ga―O), 인듐―게르마늄 산화물(In―Ge―O), 인듐―게르마늄―아연 산화물(In―Ge―Zn―O), 인듐―게르마늄―주석 산화물(In―Ge―Sn―O), 인듐―게르마늄―갈륨 산화물(In―Ge―Ga―O), 티타늄―인듐―아연 산화물(Ti―In―Zn―O), 하프늄―인듐―아연 산화물(Hf―In―Zn―O) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 반도체(135)가 산화물 반도체로 이루어지는 경우에는 고온 등의 외부 환경에 취약한 산화물 반도체를 보호하기 위해 별도의 보호층이 추가될 수 있다.

반도체(135)는 채널(1355)과, 채널(1355)의 양측에 형성된 소스 영역(1356) 및 드레인 영역(1357)으로 구분된다. 반도체(135)의 채널(1355)은 N형 불순물 또는 P형 불순물의 도핑 불순물로 채널 도핑이 되어 있으며, 반도체(135)의 소스 영역(1356) 및 드레인 영역(1357)은 채널 도핑보다 도핑 불순물의 도핑 농도를 많게 한 접촉 도핑이 되어 있는 접촉 도핑 영역이다.

반도체(135) 위에는 이를 덮는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 따위로 형성될 수 있다.

화소부(P)의 게이트 절연막(140) 위에는 게이트 전극(125)이 형성되어 있다. 게이트 전극(125)은 스캔선(121)의 일부이며, 채널(1355)과 중첩한다.

게이트 전극(125) 위에는 이를 덮는 층간 절연막(160)이 형성되어 있다. 층간 절연막(160)은 게이트 절연막(140)과 마찬가지로 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 따위로 형성될 수 있다.

화소부(P)의 층간 절연막(160) 위에는 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)이 형성되어 있다. 소스 전극(176)과 드레인 전극(177)은 각각 소스 영역(1356) 및 드레인 영역(1357)과 연결되어 있다. 반도체(135), 게이트 전극(125), 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)은 구동 트랜지스터(T2)를 이룬다.

화소부(P)의 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177) 위에는 이를 덮는 화소 보호막(181)이 형성되어 있다.

화소 보호막(181) 위에는 ITO 또는 IZO 따위의 투명 도전체로 만들어진 화소 전극(710)이 형성되어 있다. 화소 전극(710)은 화소 보호막(181)에 형성된 접촉 구멍(81)을 통해서 구동 트랜지스터(T2)의 드레인 전극(177)과 전기적으로 연결되어 유기 발광 다이오드(OLD)의 애노드가 된다.

화소 보호막(181) 및 화소 전극(710)의 가장자리부 위에는 화소 격벽(351)이 형성되어 있다. 화소 격벽(351)은 화소 전극(710)을 노출하는 화소 개구부(51)를 가진다. 화소 격벽(351)은 폴리아크릴계(polyacrylates) 또는 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지와 실리카 계열의 무기물 등을 포함하여 이루어질 수 있다.

화소 격벽(351)의 화소 개구부(51)에는 유기 발광층(720)이 형성되어 있다. 유기 발광층(720)은 발광층, 정공 수송층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron transporting layer, ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 중 하나 이상을 포함하는 복수층으로 형성된다. 유기 발광층(720)이 이들 모두를 포함할 경우 정공 주입층이 애노드인 화소 전극(710) 위에 위치하고 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층될 수 있다.

화소부(P)의 화소 격벽(351) 및 유기 발광층(720) 위에는 공통 전극(730)이 형성되어 있다. 공통 전극(730)은 유기 발광 다이오드(OLD)의 캐소드가 된다. 화소 전극(710), 유기 발광층(720) 및 공통 전극(730)은 함께 유기 발광 다이오드(OLD)를 이룬다.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 주변부의 구체적인 구조에 대해 도 2, 도 3 및 도 4를 참고하여 이하에서 상세히 설명한다.

도 2에 도시한 바와 같이, 주변부(S)에는 공통 전극(730)에 공통 전압(ELVSS)을 전달하는 공통 전압선(420)이 형성되어 있고, 외부로부터 공통 전압(ELVSS)이 인가되는 복수개의 공통 전압 패드(430)가 형성되어 있으며, 공통 전압 패드(430)와 공통 전압선(420) 사이에는 공통 전압 패드(430)와 공통 전압선(420)을 서로 연결하고 있는 공통 전압 연결부(410)가 형성되어 있다.

공통 전압 연결부(410)는 층간 절연막(160)에 형성된 접촉 구멍(42)을 통해 공통 전압선(420)과 연결되어 있고, 층간 절연막(160)에 형성된 접촉 구멍(43)을 통해 공통 전압 패드(430)와 연결되어 있다.

또한, 주변부(S)에는 화소 전극(710)에 구동 전압(ELVDD)을 전달하는 주변 구동 전압선(520)이 형성되어 있고, 외부로부터 구동 전압(ELVDD)이 인가되는 복수개의 구동 전압 패드(530)가 형성되어 있으며, 구동 전압 패드(530)와 주변 구동 전압선(520)를 연결하는 구동 전압 연결부(510)가 형성되어 있다.

구동 전압 연결부(510)는 층간 절연막(160)에 형성된 접촉 구멍(62)을 통해 주변 구동 전압선(520)과 연결되어 있고, 층간 절연막(160)에 형성된 접촉 구멍(63)을 통해 구동 전압 패드(530)와 연결되어 있다.

주변부(S)의 기판(110) 위에는 버퍼층(120)이 형성되어 있으며, 버퍼층(120) 위에 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.

주변부(S)의 게이트 절연막(140) 위에는 공통 전압 패드(430)와 공통 전압선(420)을 서로 연결하는 공통 전압 연결부(410)가 형성되어있다. 공통 전압 연결부(410)는 게이트 전극(125)과 동일한 층에 동일한 물질로 형성되어 있다. 이 때, 공통 전압 연결부(410)와 동일한 층에 구동 전압 연결부(510)가 형성되어 있다.

게이트 절연막(140) 위에 형성되는 층간 절연막(160)은 주변부(S)에 위치하는 공통 전압 연결부(410)의 단부만을 덮고 있어 공통 전압 연결부(410)의 일부를 노출하고 있다.

주변부(S)에서 층간 절연막(160)에 의해 덮히지 않고 노출되어 있는 공통 전압 연결부(410) 위에는 공통 전압선(420)이 형성되어 있다. 공통 전압선(420)은 공통 전압 연결부(410)와 직접 접촉하여 연결되어 있다. 이러한 공통 전압선(420)은 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)과 동일한 층에 동일한 물질로 형성되어 있다. 이 때, 공통 전압선(420)과 동일한 층에 주변 구동 전압선(520)과 구동 전압 패드(530)가 형성되어 있다.

주변부(S)의 층간 절연막(160) 위에는 이를 덮는 주변 보호막(182)이 형성되어 있다. 주변 보호막(182)은 노출된 공통 전압 연결부(410) 및 공통 전압선(420)의 단부를 덮고 있다. 주변 보호막(182)의 가장자리부(182a)는 30도 보다 낮은 경사각(θ)으로 테이퍼지게 형성되어 있다. 해프톤 마스크(half tone mask)를 이용하여 주변 보호막(182)의 가장자리부(182a)를 이와 같이 테이퍼지게 형성할 수 있다. 이와 같이, 해프톤 마스크를 사용하여 주변 보호막(182)의 가장자리부(182a)를 테이퍼지게 형성함으로써 주변 보호막(182) 위에 적층되는 공통 전극(730)의 스텝 커버리지(Step coverage)를 향상시킬 수 있다.

주변 보호막(182) 위에는 공통 전압선(420)과 이격되어 주변 격벽(352)이 형성되어 있다. 주변 격벽(352)의 가장자리부(352a)는 공통 전압선(420)과 소정 간격(d) 이격되어 공통 전압선(420)과 화소부(P) 사이에 위치하고 있다. 따라서, 주변 격벽(352)은 주변 보호막(182)의 가장자리부(182a)를 노출하고 있다. 따라서, 공통 전압선(420)의 상부면, 주변 보호막(182)의 가장자리부(182a)의 상부면, 그리고 주변 격벽(352)의 가장자리부(352a)의 상부면은 차례대로 높이가 증가하는 계단을 이루고 있다.

이 때, 주변 보호막(182)의 두께(h2)는 화소 보호막(181)의 두께(h1)보다 작으며, 주변 격벽(352)의 두께(h4)는 화소 격벽(351)의 두께(h3)보다 두꺼울 수 있다. 따라서, 화소 보호막(181)과 화소 격벽(351)의 두께의 합(h1+h3)은 주변 보호막(182)과 주변 격벽(352)의 두께의 합(h2+h4)과 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 주변 보호막(182)의 두께(h2)는 공통 전압선(420)의 두께(h5)보다 두껍고 주변 격벽(352)의 두께(h4)보다 작다.

이와 같이, 주변부(S)의 공통 전압선(420)의 단부를 얇은 두께의 주변 보호막(182)으로 덮고, 주변 보호막(182) 위에 두꺼운 두께의 주변 격벽(352)의 가장자리부(352a)를 형성하며 공통 전압선(420)과 화소부(P) 사이에 주변 격벽(352)의 가장자리부(352a)가 위치하게 함으로써, 주변 격벽(352)은 공통 전압선(420)과 접촉하지 않고, 주변 보호막(182)과 접촉하게 하여 주변 격벽(352)의 접착력을 강화시킬 수 있다.

주변부(S)의 주변 격벽(352), 주변 보호막(182) 및 공통 전압선(420) 위에도 공통 전극(730)이 형성되어 있다. 공통 전압선(420)의 상부면, 주변 보호막(182)의 가장자리부(182a)의 상부면, 그리고 주변 격벽(352)의 가장자리부(352a)의 상부면은 차례대로 높이가 증가하는 계단을 이루고 있으므로, 공통 전극(730)의 스텝 커버리지(Step coverage)는 향상된다.

또한, 얇은 두께의 주변 보호막(182)을 형성하여 두꺼운 두께의 주변 격벽(352)의 가장자리부(352a)가 들뜨는 것을 방지할 수 있으므로, 주변 격벽(352) 위를 덮고 있는 공통 전극(730)이 단선되는 것을 방지하여 유기 발광 표시 장치의 이상 발열 현상을 제거할 수 있다.

또한, 유기막인 주변 보호막(182)과 유기막인 주변 격벽(352)간의 접착력은 우수하므로 주변 격벽(352) 및 화소 격벽(351)을 두껍게 형성할 수 있어 공통 전극(730)과 트랜지스터(T1, T2) 사이에 발생하는 기생 커패시터를 최소화할 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

110: 기판 181: 화소 보호막
182: 주변 보호막 351: 화소 격벽
352: 주변 격벽 410: 공통 전압 연결부
420: 공통 전압선 430: 공통 전압 패드
510: 구동 전압 연결부 520: 주변 구동 전압선
530: 구동 전압 패드

Claims

기판 위에 위치하는 트랜지스터, 상기 트랜지스터를 덮고 있는 화소 보호막, 상기 화소 보호막 위에 위치하는 화소 전극, 상기 화소 전극의 가장자리부를 덮고 있으며 상기 화소 전극과 중첩하는 화소 개구부를 가지는 화소 격벽, 상기 화소 전극과 중첩하는 유기 발광층, 상기 유기 발광층과 중첩하는 공통 전극이 형성되어 있는 화소부, 그리고
상기 화소부 주변에 위치하며 공통 전압을 전달하고 상기 공통 전극과 전기적으로 연결되어 있는 공통 전압선, 상기 공통 전압선의 단부와 접촉하면서 상기 공통 전압선의 단부를 덮고 있는 주변 보호막, 상기 주변 보호막 위에 위치하며 상기 주변 보호막과 접촉하는 주변 격벽이 형성되어 있는 주변부
를 포함하며,
상기 주변 격벽은 상기 주변 보호막의 가장자리부의 상부면을 덮지 않고, 상기 주변 격벽의 가장자리부가 평면도에서 상기 공통 전압선과 이격되어 있는 유기 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 주변 격벽의 가장자리부는 평면도에서 상기 공통 전압선과 상기 화소부 사이에 위치하고 상기 공통 전압선과 중첩하지 않는 유기 발광 표시 장치.
제2항에 있어서,
상기 주변 격벽은 상기 주변 보호막의 가장자리부의 측면을 덮지 않는 유기 발광 표시 장치.
제3항에 있어서,
상기 주변 보호막의 가장자리부는 30도 보다 낮은 경사각으로 테이퍼지게 형성되어 있는 유기 발광 표시 장치.
제3항에 있어서,
상기 공통 전압선의 상부면, 상기 주변 보호막의 가장자리부의 상부면, 그리고 상기 주변 격벽의 가장자리부의 상부면은 차례대로 높이가 증가하는 계단을 이루고 있는 유기 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 주변 보호막의 두께는 상기 화소 보호막의 두께보다 작은 유기 발광 표시 장치.
제6항에 있어서,
상기 주변 보호막의 두께는 상기 공통 전압선의 두께보다 두껍고 상기 주변 격벽의 두께보다 작은 유기 발광 표시 장치.
제7항에 있어서,
상기 주변 격벽의 두께는 상기 화소 격벽의 두께보다 두꺼운 유기 발광 표시 장치.
제8항에 있어서,
상기 화소 보호막과 상기 화소 격벽의 두께의 합은 상기 주변 보호막과 상기 주변 격벽의 두께의 합과 동일한 유기 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 트랜지스터는 게이트 전극, 반도체, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며,
상기 공통 전압선은 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 층에 동일한 물질로 형성되어 있는 유기 발광 표시 장치.
제10항에 있어서,
상기 공통 전압선은 상기 주변 보호막에 의해 덮이지 않은 부분에서 상기 공통 전극과 접촉하고 있는 유기 발광 표시 장치.
제11항에 있어서,
외부로부터 상기 공통 전압이 인가되는 공통 전압 패드,
상기 공통 전압 패드와 상기 공통 전압선을 서로 연결하고 있는 공통 전압 연결부를 더 포함하고,
상기 공통 전압 연결부는 상기 게이트 전극과 동일한 층에 동일한 물질로 형성되어 있는 유기 발광 표시 장치.