TWI407411B - 光源裝置 - Google Patents

Description

光源裝置

本發明是有關於一種光源裝置，且特別是有關於一種有機發光二極體光源裝置。

在有機發光二極體(OLED)作為光源裝置或液晶顯示面板(LCD)的背光的應用狀況中，當一個大的發光面積有分區顯示的需求時，往往要將發光區域分隔成數個子區，每個子區分別拉出一條訊號線至驅動電路或驅動電路板，如此才有辦法達到分別控制各區亮暗之目的。

然而，金屬訊號線係屬於不透光材質，會影響整體之透光面積，而導致發光裝置的開口率降低。請參照第12圖，係繪示習知的一種有機發光二極體的光源裝置50，光源裝置之發光區52分割成複數子發光區52a，每個子發光區52a分別拉出一條訊號線54至邊緣的驅動電路56。當發光區52分割的子發光區52a越多，所需的訊號線54也越多。當眾多的訊號線54遮蔽不少透光面積時，整體發光裝置的開口率當然也就隨之降低。

習知解決上述問題的方式是縮減金屬訊號線的線寬以增加發光面積。然而，一味縮小金屬訊號線的線寬只會造成訊號線的阻抗加大，金屬訊號線的負載會增加，連帶也會提高整體的功率消耗，並無法真正的解決問題。因此，有機發光二極體光源裝置需要更創新的設計以克服上述的問題。

本發明之一目的是在提供一種光源裝置，藉以解決上述先前技術中所提及的問題。

根據上述之目的，本發明之一實施例中，係提出一種光源裝置，其包含一透光基板。透光基板具有一發光區與一週邊區，其中週邊區係位於透光基板之一邊緣，而發光區具有複數子發光區。複數條第一金屬線，設置於透光基板上，其一端分別與各子發光區連接，而另一端則與週邊區連接。其中，各子發光區係具有一絕緣層、一第二金屬線以及一有機發光二極體層，而第二金屬線設置於透光基板與有機發光二極體層之間，絕緣層係設置於該些第一金屬線與該第二金屬線之間，且每一第一金屬線均與第二金屬線在垂直投影方向重疊，此外，該些第一金屬線其中之一係通過另一子發光區。

在本發明另一實施例中，光源裝置更包含一驅動電路元件設置於週邊區上。

在本發明另一實施例中，光源裝置更包含一驅動電路元件，驅動電路元件電性連接至週邊區內的該些第一金屬線。

在本發明另一實施例中，連接至距離週邊區較遠的子發光區的第一金屬線之數量多於連接至距離週邊區較近的子發光區的第一金屬線之數量。

在本發明另一實施例中，第一金屬線與第二金屬線為不透光金屬線。

在本發明另一實施例中，第一金屬線與第二金屬線彼此線寬相等。

在本發明另一實施例中，第一金屬線與第二金屬線之線寬差距小於20%。

在本發明另一實施例中，第一金屬線彼此間距相同且彼此平行。

在本發明另一實施例中，第一金屬線彼此之間的線寬差距小於20%。

在本發明另一實施例中，第一金屬線彼此之間的線寬差距小於20%。

在本發明另一實施例中，絕緣層包含一通孔，供第二金屬線穿過通孔連接至對應的第一金屬線。

在本發明另一實施例中，光源裝置更包含一陽極透光導電層，其中該陽極透光導電層位於該第二金屬線上方，使該陽極透光導電層位於該有機發光二極體層與該第二金屬線之間。

在本發明另一實施例中，絕緣層包含一通孔，供第一金屬線穿過通孔連接至陽極透光導電層。

在本發明另一實施例中，每一子發光區內的該第二金屬線與另一子發光區內的該第二金屬線不互相連接。

在本發明另一實施例中，每一子發光區的面積與形狀均相同。

在本發明另一實施例中，第二金屬線以格子狀或柵欄狀設置於每一子發光區。

在本發明另一實施例中，光源裝置更包含一陰極不透光導電層，而陰極不透光導電層位於有機發光二極體層上方。

在本發明另一實施例中，該些第一金屬線其中之一會與另一子發光區之第二金屬線在垂直投影方向重疊。

由上述可知，應用本發明之有機發光二極體光源裝置，藉其第一金屬線與第二金屬線重疊的設計，能有效增加光源裝置之開口率或發光面積(相對於習知的有機發光二極體光源裝置而言)。此外，『連接至距離驅動電路元件較遠的子發光區的訊號線(即第一金屬線)之數量』大於『連接至距離驅動電路元件區較近的子發光區的訊號線(即第一金屬線)之數量』的設計平均每一子發光區之訊號線的功耗，使得光源裝置能夠更均勻的發光。

請參照第1圖，其係繪示依照本發明一實施例的一種有機發光二極體光源裝置的平面示意。有機發光二極體光源裝置100之發光區102包含複數子發光區102a，在本發明之實施例中，每個子發光區102a的形狀與面積可以是大致相同或完全相同，但不以此為限。每一個子發光區102a均具有其第一金屬線110(在本實施例中第一金屬線110係為訊號線)連接至一驅動電路元件106a，可藉由驅動電路元件106a與第一金屬線110來傳遞訊號，以達到分別控制各區亮暗之目的。換言之，第一金屬線110其一端分別與各子發光區連接102a(請同時參照第1A、1B圖之連接區103)，而另一端則與週邊區104連接。

然，在本實施例中僅以驅動電路元件106設置於透光基板101上來說明，驅動電路元件106a位於透光基板之邊緣的周邊區104上，但不以此為限。在其他實施例中(參照第1A或1B圖)，驅動電路元件106b可不位於透光基板上(例如第1圖之透光基板101)，而位於另一片印刷電路板上。此時，所有發光區102的第一金屬線110會連接至周邊區104，再連接至驅動電路元件106b。

請同時參照第1A與1B圖，第1A圖係繪示依照本發明一實施例的有機發光二極體光源裝置之部份示意圖及其放大圖，第1B圖係繪示依照本發明另一實施例的有機發光二極體光源裝置之部份示意圖及其放大圖。需注意的是第1A與1B圖係從透光基板101一側的觀點所繪示的圖式，本實施例僅以從透光基板101往內部結構觀察之上視圖來說明。

在第1A圖之實施例中，用以驅動子發光區102a之第一金屬線110a與在同一子發光區102a之第二金屬線108a重疊，且第一金屬線110a位於第二金屬線108a之垂直投影的下方(請同時參照第2圖)，進而增加開口率或發光面積，也與下方之另一子發光區102a之第二金屬線108a重疊。

在第1B圖之實施例中，用以驅動子發光區102a之第一金屬線110b與在同一子發光區102a之第二金屬線108b重疊，且第二金屬線108b位於第一金屬線110b之投影的下方(請同時參照第3圖)，進而增加開口率或發光面積，也與下方之另一子發光區102a之第二金屬線108b重疊。

為了增加每一子發光區102a的開口率或發光面積，第二金屬線(108a、108b)與第一金屬線(110a、110b)會有『重疊』的設計。在本實施例中所提及的『重疊』並不需要第二金屬線(108a、108b)直接接觸第一金屬線(110a、110b)，兩金屬線之間可以有其他中間層存在，因此，本實施例之『重疊』是指在垂直投影上有重疊的部份。

如第1A、1B圖所示之放大圖中，第二金屬線(108a、108b)是設置於每一子發光區102a內的格子狀或柵欄狀的金屬格線，其功用是均勻化每一子發光區102a的阻抗、電流，使得每一子發光區102a能均勻發光。由於第二金屬線(108a、108b)屬於不透光的材質，原本就會減少開口率或發光面積，因此讓第一金屬線(110a、110b)與第二金屬線(108a、108b)重疊，以減少第一金屬線(110a、110b)佔用更多的發光面積或是額外的透明基板(如第1圖之透光基板101)面積，藉以增加開口率或發光面積。更進一步說明，在本實施例之第1A與1B圖之放大圖示中，用以驅動上方之子發光區102a之第一金屬線(110a、110b)不但與在同一子發光區102a之第二金屬線(108a、108b)重疊，而第一金屬線(110a、110b)也會通過另一子發光區102a，且與另一子發光區102a之第二金屬線(108a、108b)重疊，進而增加開口率或發光面積。

在本實施例中，每一第一金屬線(110a、110b)之線寬最佳為相同，但不以此為限，可能受到製程或其他因素影響下而會使每一第一金屬線(110a、110b)之線寬具有差距，然在本實施例中，每一第一金屬線(110a、110b)彼此之間的線寬差距小於20%，為在本實施例設計下可接受之範圍。

由於因為每一子發光區102a距離周邊區104或驅動電路元件(106a、106b)的遠近不一，若連接較遠的子發光區102a之第一金屬線(110a、110b)與連接較近的子發光區102a之第一金屬線(110a、110b)使用相同的線寬(或相同的截面積)，將因為距離周邊區104較遠的子發光區102a之的第一金屬線(110a、110b)長度大於距離較近的子發光區102a之訊號線，而導致由於長度不同之訊號線造成不同阻抗的問題，進而影響從驅動電路元件(106a、106b)(或周邊區104)傳遞到每一子發光區102a之控制電流不同，使得每一子發光區102a的發光均勻度受到影響。然，在本實施例中，為了使每一子發光區102a能夠具有均勻的發光特性，距離驅動電路元件(106a、106b)較遠之子發光區102a的第一金屬線(110a、110b)(即前述的訊號線)數量多於連接至距離驅動電路元件106較近之子發光區102a的第一金屬線110數量，藉以讓連接於各每一子發光區102a的第一金屬線(110a、110b)會具有相同的阻抗值總合大致相同。換言之，藉由每一子發光區102a至驅動電路元件(106a、106b)的距離，來調控所需第一金屬線(110a、110b)之並聯條數，其中每一並聯之第一金屬線(110a、110b)具有相同的寬度與截面積。

舉例而言，如第1圖所示，距離周邊區104較近之子發光區102a具有1條並聯之第一金屬線110，而距離周邊區104較遠之子發光區102a則具有四條並聯之第一金屬線110，藉由並聯數量來使每一子發光區102a之訊號線有相同阻抗，以達到發光均勻之特性。

因為每一條第一金屬線(110a、110b)均與第二金屬線(108a、108b)重疊(參照第1A、1B圖所示之放大圖中)，即使第一金屬線(110a、110b)的數量再多，也不至於減少的開口率或發光面積，換言之，第一金屬線(110a、110b)不會完全覆蓋在可發光面積，會有全部或是大部份面積都與第二金屬線(108a、108b)重疊，藉以降低第一金屬線(110a、110b)對於開口率或發光面積的影響，同時第一金屬線(110a、110b)也不需要設置在透明基板上額外的區域，也可增加透明基板上可運用的面積，進而增加透明基板上可用來當作發光作用之面積，以增加子發光區102a的數量或每一子發光區102a的面積。

在第1A、1B圖的實施例中，多條第一金屬線(110a、110b)彼此間距相同且彼此平行，且第一金屬線(110a、110b)彼此之間的線寬需盡量相同，但不以此為限，當受到製程、金屬線佈局或其他因素影響時，第一金屬線(110a、110b)彼此之間的線寬之差距小於20%，在此範圍內所影響之發光均勻度為本實施例所可接受的範圍，但可依不同設計需求而定。

以下將藉此平面示意圖於不同區域的剖面來說明有機發光二極體光源裝置的結構。

請參照第2圖，其繪示依照本發明一實施例沿第1A圖之剖面線A-A’之剖面圖。有機發光二極體光源裝置以一透光基板101(例如玻璃基板)為基礎依續設置於第一金屬線110a、絕緣層109a、第二金屬線108a、陽極透光導電層112a、絕緣層114、有機發光二極體層116以及陰極不透光導電層118。由此圖可知，第二金屬線108a設置於透光基板101與該有機發光二極體層116之間，絕緣層109a位於第二金屬線108a與第一金屬線110a之間，陽極透光導電層112a(例如氧化銦錫，ITO)設置於第二金屬線108a上，使陽極透光導電層112a位於該有機發光二極體層116與第二金屬線108a之間，且陰極不透光導電層118位於有機發光二極體層116上方，其中絕緣層114位於有機發光二極體層116下方。在本實施例中，右邊的第二金屬線108a重疊於第一金屬線110a之上。這裡所謂的『重疊』包含『完全重疊』或『部份重疊』。在本實施例中，第二金屬線108a的線寬d₁ 較第一金屬線110a的線寬d₂ 小，但實際應用時並不侷限於此。線寬d₁ 亦可以等於或大於線寬d₂ ，但兩者線寬差距小於20%為較佳，亦即線寬差距：(d₁ -d₂ )/d₁ <20%(當d₁ 數值較大時)或線寬差距：(d₂ -d₁ )/d₂ <20%(當d₂ 數值較大時)。

請參照第3圖，其繪示依照本發明另一實施例沿第1B圖之剖面線A-A’之剖面圖。有機發光二極體光源裝置以一透光基板101(例如玻璃基板)為基礎依續形成第二金屬線108b、陽極透光導電層112a、絕緣層109b、第一金屬線110b、絕緣層114、有機發光二極體層116以及陰極不透光導電層118。第3圖之實施例與第2圖之實施例的主要差異在於第一金屬線與第二金屬線設置上下相對關係的不同。由此圖可知，絕緣層109b位於第二金屬線108b與第一金屬線110b之間，陽極透光導電層112b(例如氧化銦 錫，ITO)設置於第二金屬線108b上，使陽極透光導電層112a位於該有機發光二極體層116與第二金屬線108a之間，且陰極不透光導電層118位於有機發光二極體層116上方，其中絕緣層114位於有機發光二極體層116下方。在第3圖右側之第一金屬線110b與第二金屬線108b重疊的區域，第一金屬線110b係被夾持於兩絕緣層(109b、114)之間，且絕緣層114亦位於有機發光二極體層116與第一金屬線110b之間。在第3圖左側之第一金屬線110b與第二金屬線108b未重疊的區域，兩絕緣層(109b、114)係彼此重疊。

在本實施例中，第一金屬線110b重疊於第二金屬線108b之上。這裡所謂的『重疊』包含『完全重疊』或『部份重疊』。在本實施例中，第二金屬線108b的線寬較第一金屬線110b的線寬小，但實際應用時並不侷限於此。第一金屬線的線寬亦可以等於或小於第二金屬線線寬，但兩者線寬差距小於20%為較佳(請參照第2圖之實施例中『線寬差距』之精確定義)。

請參照第4、5圖，其中第4圖係繪示沿第1A圖之剖面線B-B’之剖面圖，而第5圖係繪示沿第1B圖之剖面線B-B’之剖面圖。兩剖面圖主要繪示出第一金屬線與第二金屬線之間的連接關係(例如第4、5圖之連接區103剖面結構)。

請參照第4圖之實施例，子發光區102a具有連接區103與通孔103a，其中連接區103是第一金屬線110a與第二金屬線108a形成電性連接之區域，並且通孔103a是形成於絕緣層109a。在連接區103內，藉由通孔103a以供第二金屬線108a穿過絕緣層109a而連接至第一金屬線110a，使得第一金屬線110a與第二金屬線108a達到電性連接之作用。

請參照第5圖之實施例，在每一個子發光區102a中，且在第二金屬線108b與第一金屬線110b之連接區103內，絕緣層109a具有一通孔103b，藉以供第一金屬線110b穿過絕緣層109b而連接至陽極透光導電層112b(間接電性連接至第二金屬線108b)。由於，陽極透光導電層112b的片電阻較大(相對於第二金屬線108b或金屬材料而言)，而當第一金屬線110b將控制電流傳遞於陽極透光導電層112b時，受到較大片電阻之影響，難以將控制電流均勻的傳遞到陽極透光導電層112b之各處，然而，陽極透光導電層112b需要能透光，因此其厚度需較薄，因此將控制電流傳遞到第二金屬線108b所受到的阻抗會小於將控制電流橫向傳遞到陽極透光導電層112b之各處所產生的阻抗，所以藉由第二金屬線108b來傳遞控制電流，進而達到均勻發光亮度之特性。在本實施例中，第二金屬線108b以格子狀或柵欄狀設置於於每一子發光區，藉以減少子發光區整體的導電阻抗。第5圖之實施例與第4圖之實施例的主要差異，除了第一金屬線與第二金屬線上、下的互換外，還在於第一金屬線110b穿過絕緣層109b的通孔103b連接至陽極透光導電層112b，而非直接連接至第二金屬線108b。

請同時參照第6、7圖，其中第6圖係繪示沿第1A圖之剖面線C-C’之剖面圖，而第7圖係繪示沿第1B圖之剖面線C-C’之剖面圖。

請同時參照第2、6圖，兩圖主要差異之處在於第6圖有3條第一金屬線110a與第二金屬線108a重疊的狀況，而第2圖只有1條第一金屬線110a與第二金屬線108a重疊的狀況。在本實施例中，第二金屬線108a的線寬較第一金屬線110a的線寬小，但實際應用時並不侷限於此，第二金屬線的線寬亦可以等於或小於第一金屬線線寬，然兩者線寬差距小於20%為較佳。

請同時參照第3、7圖，兩圖主要差異之處在於第7圖有3條第一金屬線110b與第二金屬線108b重疊的狀況，而第3圖只有1條第一金屬線110b與第二金屬線108b重疊的狀況。在本實施例中，第二金屬線108b的線寬較第一金屬線110b的線寬大，但實際應用時並不侷限於此。第二金屬線的線寬亦可以等於或小於第一金屬線線寬，但兩者線寬差距小於20%為較佳。

請同時參照第8、9圖，其中第8圖係繪示沿第1A圖之剖面線D-D’之剖面圖，而第9圖係繪示沿第1B圖之剖面線D-D’之剖面圖。此剖面圖係跨越兩個子發光區102a。

在第8圖的連接區103中，左側第二金屬線108a穿越絕緣層109a的通孔103a連接至第一金屬線110a。此外，在本實施例之第8圖中，用以驅動左側子發光區102a之第一金屬線110a不但與左側子發光區102a內的第二金屬線108a重疊外，也會通過另一子發光區102a(右側子發光區102a)，且與右側子發光區102a內的第二金屬線108a重疊。然而，左、右兩個子發光區102a的第二金屬線108a與陽極透光導電層112a不互相連接。

在第9圖的連接區103中，第一金屬線110b穿越絕緣層109b的通孔103b連接至陽極透光導電層112b。此外，在本實施例之第9圖中，用以驅動左側子發光區102a之第一金屬線110b不但與左側子發光區102a內的第二金屬線108b重疊，也會通過右側子發光區102b，且與右側子發光區102a內的第二金屬線108b重疊。然而，左、右兩個子發光區102a的第二金屬線108b與陽極透光導電層112b不互相連接。

請同時參照第10、11圖，其中第10圖係繪示沿第1A圖之剖面線E-E’之剖面圖，而第11圖係繪示沿第1B圖之剖面線E-E’之剖面圖。此剖面圖亦跨越兩個子發光區102a。剖面線E-E’與剖面線D-D’的差異在於剖面線E-E’並未剖在任何第二金屬線(108a、108b)與第一金屬線(110a、110b)重疊之處。

第10圖之剖面圖只繪示第二金屬線108a，並未繪示第一金屬線110a。此外，兩個子發光區102a的第二金屬線108a與陽極透光導電層112a不互相連接，並且藉由絕緣層114來區格不同的子發光區102a。

第11圖之剖面圖只繪示第二金屬線108b，並未繪示第一金屬線110b。此外，兩個子發光區102a的第二金屬線108b與陽極透光導電層112b不互相連接，並且藉由絕緣層109b來區格不同的子發光區102a。

然，在本實施例中僅以第一金屬線110只為直向方向來說明，如第1圖所示，但本發明不以此為限，也可以將第一金屬線110只為橫向方向或是直向與橫向都同時存在來設計。此外，周邊區104亦可位於透光基板101之上、下、左、右的任一個邊上。

由上述本發明實施例可知，應用本發明之有機發光二極體光源裝置，藉其第一金屬線與第二金屬線重疊的設計，能有效增加光源裝置之開口率或發光面積(相對於習知的有機發光二極體光源裝置而言)。此外，『連接至距離驅動電路元件較遠的子發光區的訊號線(即第一金屬線)之數量』大於『連接至距離驅動電路元件區較近的子發光區的訊號線(即第一金屬線)之數量』的設計平均每一子發光區之訊號線的功耗，使得光源裝置能夠更均勻的發光。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

50．．．光源裝置

52．．．發光區

52a．．．子發光區

54．．．訊號線

56．．．驅動電路

100．．．光源裝置

101．．．透光基板

102．．．發光區

102a．．．子發光區

103．．．連接區

103a．．．通孔

103b．．．通孔

104．．．週邊區

106a．．．驅動電路元件

106b．．．驅動電路元件

108a．．．第二金屬線

108b．．．第二金屬線

109a．．．絕緣層

109b．．．絕緣層

110．．．第一金屬線

110a．．．第一金屬線

110b．．．第一金屬線

112a．．．陽極透光導電層

112b．．．陽極透光導電層

114．．．絕緣層

116．．．有機發光二極體層

118．．．陰極不透光導電層

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：

第1圖係繪示依照本發明一實施例的一種有機發光二極體光源裝置的平面示意。

第1A圖係繪示依照本發明一實施例的有機發光二極體光源裝置的部份示意圖及其放大圖。

第1B圖係繪示依照本發明另一實施例的有機發光二極體光源裝置的部份示意圖及其放大圖。

第2圖係繪示依照本發明一實施例沿第1A圖之剖面線A-A’之剖面圖。

第3圖係繪示依照本發明另一實施例沿第1B圖之剖面線A-A’之剖面圖。

第4圖係繪示依照本發明一實施例沿第1A圖之剖面線B-B’之剖面圖。

第5圖係繪示依照本發明另一實施例沿第1B圖之剖面線B-B’之剖面圖。

第6圖係繪示依照本發明一實施例沿第1A圖之剖面線C-C’之剖面圖。

第7圖係繪示依照本發明另一實施例沿第1B圖之剖面線C-C’之剖面圖。

第8圖係繪示依照本發明一實施例沿第1A圖之剖面線D-D’之剖面圖。

第9圖係繪示依照本發明另一實施例沿第1B圖之剖面線D-D’之剖面圖。

第10圖係繪示依照本發明一實施例沿第1A圖之剖面線E-E’之剖面圖。

第11圖係繪示依照本發明另一實施例沿第1B圖之剖面線E-E’之剖面圖。

第12圖係繪示習知的一種有機發光二極體的光源裝置。

100．．．光源裝置

101．．．透光基板

102．．．發光區

102a．．．子發光區

104．．．週邊區

106a．．．驅動電路元件

110．．．第一金屬線

Claims (18)

1. 一種光源裝置，包含：一透光基板，具有一發光區與一週邊區，其中該週邊區係位於該透光基板之一邊緣，而該發光區具有複數子發光區；以及複數條第一金屬線，設置於該透光基板上，其一端分別與各該子發光區連接，而另一端則與該週邊區連接；其中，各該子發光區係具有一絕緣層、一第二金屬線以及一有機發光二極體層，而該第二金屬線設置於該透光基板與該有機發光二極體層之間，該絕緣層係設置於該些第一金屬線與該第二金屬線之間，且每一第一金屬線均與該第二金屬線在垂直投影方向重疊，此外，該些第一金屬線其中之一係通過另一該子發光區。
2. 如請求項1所述之光源裝置，更包含一驅動電路元件設置於該週邊區上。
3. 如請求項1所述之光源裝置，更包含一驅動電路元件，且該驅動電路元件電性連接至該週邊區內的該些第一金屬線。
4. 如請求項1所述之光源裝置，其中連接至距離該週邊區較遠的該子發光區的該些第一金屬線之數量多於連接至距離該週邊區較近的該子發光區的該些第一金屬線之 數量。
5. 如請求項1所述之光源裝置，其中該第一金屬線與該第二金屬線為不透光金屬線。
6. 如請求項1所述之光源裝置，其中該第一金屬線與該第二金屬線彼此線寬相等。
7. 如請求項1所述之光源裝置，其中該第一金屬線與該第二金屬線之線寬差距小於20%。
8. 如請求項1所述之光源裝置，其中該第一金屬線彼此間距相同且彼此平行。
9. 如請求項1所述之光源裝置，其中該第一金屬線彼此之間的線寬差距小於20%。
10. 如請求項1所述之光源裝置，其中該第二金屬線彼此之間的線寬差距小於20%。
11. 如請求項1所述之光源裝置，其中該絕緣層包含一通孔，供該第二金屬線穿過該通孔連接至對應的該第一金屬線。
12. 如請求項1所述之光源裝置，更包含一陽極透光導電層，其中該陽極透光導電層位於該第二金屬線上方，使該陽極透光導電層位於該有機發光二極體層與該第二金屬線之間。
13. 如請求項12所述之光源裝置，其中該絕緣層包含一通孔，供該第一金屬線穿過該通孔連接至該陽極透光導電層。
14. 如請求項1所述之光源裝置，其中每一該子發光區內的該第二金屬線與另一該子發光區內的該第二金屬線不互相連接。
15. 如請求項1所述之光源裝置，其中每一該子發光區的面積與形狀均相同。
16. 如請求項1所述之光源裝置，其中該第二金屬線以格子狀或柵欄狀設置於每一該子發光區。
17. 如請求項1所述之光源裝置，更包含一陰極不透光導電層，而該陰極不透光導電層位於該有機發光二極體層上方。
18. 如請求項1所述之光源裝置，其中該些第一金屬線其中之一會與另一該子發光區之該第二金屬線在垂直投影方向重疊。