JPH0997676A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 45
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 45
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 19
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 17
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 abstract description 4
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 abstract 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 14
- -1 amine compound Chemical class 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVHXEHGUEKARKZ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C=C)=CC=CC3=CC2=C1 UVHXEHGUEKARKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1[C](C=C[CH2])C1=CC=CC=C1 GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLXDFCLCNCWKND-UHFFFAOYSA-N 10-n-(4-butylphenyl)phenanthrene-9,10-diamine Chemical compound C1=CC(CCCC)=CC=C1NC1=C(N)C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C12 NLXDFCLCNCWKND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIDFGXDXQKPZMA-UHFFFAOYSA-N 14h-benz[4,5]isoquino[2,1-a]perimidin-14-one Chemical compound C1=CC(N2C(=O)C=3C4=C(C2=N2)C=CC=C4C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 NIDFGXDXQKPZMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAAMSDWKXXPUJR-UHFFFAOYSA-N 3,5-dihydro-4H-imidazol-4-one Chemical compound O=C1CNC=N1 CAAMSDWKXXPUJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 4-(2-naphthalen-1-ylethylamino)-4-oxobutanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCNC(=O)CCC(=O)O)=CC=CC2=C1 CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical compound C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical compound C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VESMRDNBVZOIEN-UHFFFAOYSA-N 9h-carbazole-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(N)C(N)=C3NC2=C1 VESMRDNBVZOIEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRYCSMQKUKOKBP-UHFFFAOYSA-N Imidazolidine Chemical compound C1CNCN1 WRYCSMQKUKOKBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N anhydrous quinoline Natural products N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzoquinoline Natural products C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000004697 chelate complex Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical compound O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- NBGMRMDAEWWFIR-UHFFFAOYSA-N imidazole-2-thione Chemical compound S=C1N=CC=N1 NBGMRMDAEWWFIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N n-vinylcarbazole Chemical compound C1=CC=C2N(C=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical compound C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical compound O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N thiopyran Chemical compound S1C=CC=C=C1 IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N thioridazine hydrochloride Chemical compound Cl.C12=CC(SC)=CC=C2SC2=CC=CC=C2N1CCC1CCCCN1C NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 環境に対する経時安定性の高い陰極を使用し
た、発光劣化が少なく信頼性の高い有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を提供する。 【解決手段】 陽極および陰極間に発光層もしくは発光
層を含む有機化合物薄膜層を備えた有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、陰極が仕事関数4.0eV未
満であるアルカリ金属、アルカリ土類金属、または希土
類元素のうちから選ばれる1種の金属元素(A)と、仕
事関数4.0eV以上のものから選ばれる1種の金属元
素(B)と、上記で選ばれなかった金属元素であって、
Y,Gd,Nd,Sc,La,Zn,Mg,Zr,C
d,In,Mn,Pb,V,Ga,Ti,Bi,Sn,
Crから選ばれる1種の金属元素(C)からなる3元合
金であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
ス素子。
た、発光劣化が少なく信頼性の高い有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を提供する。 【解決手段】 陽極および陰極間に発光層もしくは発光
層を含む有機化合物薄膜層を備えた有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、陰極が仕事関数4.0eV未
満であるアルカリ金属、アルカリ土類金属、または希土
類元素のうちから選ばれる1種の金属元素(A)と、仕
事関数4.0eV以上のものから選ばれる1種の金属元
素(B)と、上記で選ばれなかった金属元素であって、
Y,Gd,Nd,Sc,La,Zn,Mg,Zr,C
d,In,Mn,Pb,V,Ga,Ti,Bi,Sn,
Crから選ばれる1種の金属元素(C)からなる3元合
金であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
ス素子。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は平面光源や表示に使
用される有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子に
関するものであり、特に発光劣化の少ない長寿命発光素
子に関するものである。
用される有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子に
関するものであり、特に発光劣化の少ない長寿命発光素
子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】有機物質を使用したEL素子は、固体発
光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が
有望視され、多くの開発が行われている。一般にEL
は、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から構
成されている。発光は、両電極間に電界が印加される
と、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入
される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結
合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際に
エネルギーを光として放出する現象である。
光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が
有望視され、多くの開発が行われている。一般にEL
は、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から構
成されている。発光は、両電極間に電界が印加される
と、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入
される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結
合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際に
エネルギーを光として放出する現象である。
【0003】従来の有機EL素子は、無機EL素子に比
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、10V以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機EL
素子が報告され、関心を集めている(アプライド・フィ
ジクス・レターズ、51巻、913ページ、1987年
参照)。この方法では、金属キレート錯体を蛍光体層、
アミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色
発光を得ており、6〜7Vの直流電圧で輝度は1000
cd/m2 、最大発光効率は1.5lm/Wを達成し
て、実用領域に近い性能を持っている。しかしながら、
現在までの有機EL素子は、構成の改善により発光強度
は改良されつつあるが、繰り返し使用時、および大気中
での長期保存時の安定性に劣るという大きな問題があ
る。
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、10V以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機EL
素子が報告され、関心を集めている(アプライド・フィ
ジクス・レターズ、51巻、913ページ、1987年
参照)。この方法では、金属キレート錯体を蛍光体層、
アミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色
発光を得ており、6〜7Vの直流電圧で輝度は1000
cd/m2 、最大発光効率は1.5lm/Wを達成し
て、実用領域に近い性能を持っている。しかしながら、
現在までの有機EL素子は、構成の改善により発光強度
は改良されつつあるが、繰り返し使用時、および大気中
での長期保存時の安定性に劣るという大きな問題があ
る。
【0004】発光輝度、効率を改善する手段の1つとし
て、電子の注入効率を向上させるために仕事関数の小さ
い金属やそれを含む合金を陰極として用いることが行わ
れている。例えば、特開平2−15595号公報には主
としてMg合金を用いた例が、特開平4−212287
号公報、特開平5−121172号公報、特開平5−1
59882号公報、特開平5−198380号公報には
Li合金を用いた例が開示されている。しかし、これら
の方法では仕事関数の小さい金属、すなわち酸化され易
い金属を含むため、大気中の水分や酸素により陰極の劣
化が進み、輝度低下や駆動電圧の上昇、さらにはダーク
スポットと呼ばれる非発光部分の形成と増大が、経時駆
動中あるいは発光させずに大気下に放置した場合にも観
測される。
て、電子の注入効率を向上させるために仕事関数の小さ
い金属やそれを含む合金を陰極として用いることが行わ
れている。例えば、特開平2−15595号公報には主
としてMg合金を用いた例が、特開平4−212287
号公報、特開平5−121172号公報、特開平5−1
59882号公報、特開平5−198380号公報には
Li合金を用いた例が開示されている。しかし、これら
の方法では仕事関数の小さい金属、すなわち酸化され易
い金属を含むため、大気中の水分や酸素により陰極の劣
化が進み、輝度低下や駆動電圧の上昇、さらにはダーク
スポットと呼ばれる非発光部分の形成と増大が、経時駆
動中あるいは発光させずに大気下に放置した場合にも観
測される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、発光
輝度、駆動電圧などの素子初期特性を維持しつつ、繰り
返し使用時での安定性の優れた有機EL素子の提供にあ
る。本発明者らが鋭意検討した結果、仕事関数の異なる
特定の金属の組み合わせからなる3元合金を陰極に使用
した有機EL素子は経時安定性に優れていることを見い
だし本発明をなすに至った。
輝度、駆動電圧などの素子初期特性を維持しつつ、繰り
返し使用時での安定性の優れた有機EL素子の提供にあ
る。本発明者らが鋭意検討した結果、仕事関数の異なる
特定の金属の組み合わせからなる3元合金を陰極に使用
した有機EL素子は経時安定性に優れていることを見い
だし本発明をなすに至った。
【0006】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、陽極お
よび陰極間に発光層もしくは発光層を含む有機化合物薄
膜層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子におい
て、陰極が仕事関数4.0eV未満であるアルカリ金
属、アルカリ土類金属、または希土類元素のうちから選
ばれる1種の金属元素(A)と、仕事関数4.0eV以
上のものから選ばれる1種の金属元素(B)と、上記で
選ばれなかった金属元素であって、Y,Gd,Nd,S
c,La,Zn,Mg,Zr,Cd,In,Mn,P
b,V,Ga,Ti,Bi,Sn,Crから選ばれる1
種の金属元素(C)からなる3元合金であることを特徴
とする有機エレクトロルミネッセンス素子に関するもの
である。
よび陰極間に発光層もしくは発光層を含む有機化合物薄
膜層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子におい
て、陰極が仕事関数4.0eV未満であるアルカリ金
属、アルカリ土類金属、または希土類元素のうちから選
ばれる1種の金属元素(A)と、仕事関数4.0eV以
上のものから選ばれる1種の金属元素(B)と、上記で
選ばれなかった金属元素であって、Y,Gd,Nd,S
c,La,Zn,Mg,Zr,Cd,In,Mn,P
b,V,Ga,Ti,Bi,Sn,Crから選ばれる1
種の金属元素(C)からなる3元合金であることを特徴
とする有機エレクトロルミネッセンス素子に関するもの
である。
【0007】ここで、仕事関数は金属元素やその他の材
料の形態や測定方法、条件により値が大きく異なること
が多く、報告されている値も文献により異なる。本発明
では、主な金属元素の仕事関数は化学便覧改訂3版(日
本化学会編)基礎編IIの493ページに記載されている
値を採用した。これらの中には特開平2−15595号
公報に記載されている値と大きく異なるものもあるが、
本発明における金属元素の分類、選択にはこれらの文献
値に限定されない。
料の形態や測定方法、条件により値が大きく異なること
が多く、報告されている値も文献により異なる。本発明
では、主な金属元素の仕事関数は化学便覧改訂3版(日
本化学会編)基礎編IIの493ページに記載されている
値を採用した。これらの中には特開平2−15595号
公報に記載されている値と大きく異なるものもあるが、
本発明における金属元素の分類、選択にはこれらの文献
値に限定されない。
【0008】陰極における金属元素(A)および(B)
の役割は、従来の2元合金と同様、(A)が主に電子の
注入効率を向上させることによる駆動電圧の低下、およ
び発光効率の向上であり、(B)が主に(A)の安定化
や有機層への密着性の向上である。これに第3成分とし
て加えられる(C)は、(A)を化学的に安定化させ
る、(A)の仕事関数を維持する、または合金としての
仕事関数をさらに低下させる、合金の緻密性を向上させ
たり合金組成を均一化することで合金の酸化を抑制す
る、あるいは(C)の酸化被膜を表面に作ることで合金
内部への水分や酸素の浸透を防止するなどの効果のうち
の1つまたは2つ以上を有する。これらのうちどの効果
が発現するかは(C)の種類にも拠るが、同じ(C)で
あっても(A)および(B)の種類により異なることが
ある。いずれの効果の場合も(C)は最終的に陰極の性
質、特に(A)の良好な特性を活かしたまま、陰極の経
時的安定性を増加させることに寄与する。
の役割は、従来の2元合金と同様、(A)が主に電子の
注入効率を向上させることによる駆動電圧の低下、およ
び発光効率の向上であり、(B)が主に(A)の安定化
や有機層への密着性の向上である。これに第3成分とし
て加えられる(C)は、(A)を化学的に安定化させ
る、(A)の仕事関数を維持する、または合金としての
仕事関数をさらに低下させる、合金の緻密性を向上させ
たり合金組成を均一化することで合金の酸化を抑制す
る、あるいは(C)の酸化被膜を表面に作ることで合金
内部への水分や酸素の浸透を防止するなどの効果のうち
の1つまたは2つ以上を有する。これらのうちどの効果
が発現するかは(C)の種類にも拠るが、同じ(C)で
あっても(A)および(B)の種類により異なることが
ある。いずれの効果の場合も(C)は最終的に陰極の性
質、特に(A)の良好な特性を活かしたまま、陰極の経
時的安定性を増加させることに寄与する。
【0009】本発明において、仕事関数4.0eV未満
である金属元素(A)としては、具体的にはCs(1.
95),Rb(2.16),K(2.28),Na
(2.36),Li(2.93)などのアルカリ金属、
Ba(2.52),Sr,Ca(2.9),Mg(3.
66)などのアルカリ土類金属、Eu(2.5),Yb
(2.6),Sm(2.7),Ce(2.9),Er
(2.97),Gd(3.1),Y(3.1),Nd
(3.2),La(3.5),Sc(3.5)などの希
土類元素がある。ここで、括弧中の値は前出の化学便覧
に記載されているもの(単位:eV)である。Srにつ
いてはこの文献には記載がなかった。
である金属元素(A)としては、具体的にはCs(1.
95),Rb(2.16),K(2.28),Na
(2.36),Li(2.93)などのアルカリ金属、
Ba(2.52),Sr,Ca(2.9),Mg(3.
66)などのアルカリ土類金属、Eu(2.5),Yb
(2.6),Sm(2.7),Ce(2.9),Er
(2.97),Gd(3.1),Y(3.1),Nd
(3.2),La(3.5),Sc(3.5)などの希
土類元素がある。ここで、括弧中の値は前出の化学便覧
に記載されているもの(単位:eV)である。Srにつ
いてはこの文献には記載がなかった。
【0010】本発明において、仕事関数4.0eV以上
である金属元素(B)は多種類あるが、この中でも典型
金属元素であるIn(4.09),Pb(4.25),
Al(4.28),Bi(4.34),Sn(4.4
2),Sb(4.55)、遷移金属元素であるAg
(4.26),Cu(4.65),Co(5.0),A
u(5.1),Ni(5.15),Pd(5.55),
Pt(5.64)が好ましい。
である金属元素(B)は多種類あるが、この中でも典型
金属元素であるIn(4.09),Pb(4.25),
Al(4.28),Bi(4.34),Sn(4.4
2),Sb(4.55)、遷移金属元素であるAg
(4.26),Cu(4.65),Co(5.0),A
u(5.1),Ni(5.15),Pd(5.55),
Pt(5.64)が好ましい。
【0011】本発明において、金属元素(C)として
は、希土類元素であるY(3.1),Gd(3.1),
Nd(3.2),Sc(3.5),La(3.5)、典
型金属元素であるZn(3.63),Mg(3.6
6),Cd(4.08),In(4.09),Pb
(4.25),Ga(4.3),Bi(4.34),S
n(4.42)、遷移金属元素であるZr(4.0
5),Mn(4.1),V(4.3),Ti(4.3
3),Cr(4.5)であるが、これらの金属元素の仕
事関数は括弧中に示した通り3.0eV以上4.5eV
以下の範囲にある。ここで、(C)として選ぶことので
きる金属元素は、金属元素(A)または(B)としても
選ぶことができるが、どちらの群の金属元素として選ば
れるかは、3元合金における金属元素の組み合わせと合
金中でのそれぞれの金属元素の役割によって確定するも
ので、最初から限定されている訳ではない。また、3元
合金における金属元素の組み合わせにおいて、金属元素
(C)の仕事関数の値が金属元素(A)と(B)の仕事
関数の値の間にある必要は必ずしもなく、(A)と
(C)、あるいは(B)と(C)の間に数値の逆転があ
ってもかまわない。
は、希土類元素であるY(3.1),Gd(3.1),
Nd(3.2),Sc(3.5),La(3.5)、典
型金属元素であるZn(3.63),Mg(3.6
6),Cd(4.08),In(4.09),Pb
(4.25),Ga(4.3),Bi(4.34),S
n(4.42)、遷移金属元素であるZr(4.0
5),Mn(4.1),V(4.3),Ti(4.3
3),Cr(4.5)であるが、これらの金属元素の仕
事関数は括弧中に示した通り3.0eV以上4.5eV
以下の範囲にある。ここで、(C)として選ぶことので
きる金属元素は、金属元素(A)または(B)としても
選ぶことができるが、どちらの群の金属元素として選ば
れるかは、3元合金における金属元素の組み合わせと合
金中でのそれぞれの金属元素の役割によって確定するも
ので、最初から限定されている訳ではない。また、3元
合金における金属元素の組み合わせにおいて、金属元素
(C)の仕事関数の値が金属元素(A)と(B)の仕事
関数の値の間にある必要は必ずしもなく、(A)と
(C)、あるいは(B)と(C)の間に数値の逆転があ
ってもかまわない。
【0012】本発明において、金属元素(C)より選ば
れたものの3元合金中での割合は0.1〜50at.%
であることが好ましい。ここでat.%とは原子比にお
ける百分率である。0.1%未満であると(C)を含有
する効果の発揮が期待できず、50%を越えると効果の
さらなる向上が期待できない上に、他の特性を著しく低
下させる場合もある。
れたものの3元合金中での割合は0.1〜50at.%
であることが好ましい。ここでat.%とは原子比にお
ける百分率である。0.1%未満であると(C)を含有
する効果の発揮が期待できず、50%を越えると効果の
さらなる向上が期待できない上に、他の特性を著しく低
下させる場合もある。
【0013】有機EL素子は、陽極と陰極間に一層もし
くは多層の有機薄膜を形成した素子である。一層型の場
合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層
は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した
正孔もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送
させるために正孔輸送材料もしくは電子輸送材料を含有
しても良い。多層型は、(陽極/正孔注入層/発光層/
陰極)、(陽極/発光層/電子注入層/陰極)、(陽極
/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極)の多層構成
で積層した有機EL素子がある。
くは多層の有機薄膜を形成した素子である。一層型の場
合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層
は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した
正孔もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送
させるために正孔輸送材料もしくは電子輸送材料を含有
しても良い。多層型は、(陽極/正孔注入層/発光層/
陰極)、(陽極/発光層/電子注入層/陰極)、(陽極
/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極)の多層構成
で積層した有機EL素子がある。
【0014】有機EL素子は、多層構造にすることによ
り、正孔と電子の発光層中での再結合を効率的に起こさ
せることが可能になり、さらにクエンチングによる輝度
や寿命の低下を防ぐことができる。また、必要があれ
ば、発光材料、ドーピング材料、キャリア輸送を行う正
孔輸送材料や電子輸送材料を二種類以上組み合わせて使
用することも出来る。また、正孔注入層、発光層、電子
注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されて
も良く、正孔もしくは電子が効率よく電極から注入さ
れ、層中で輸送される素子構造が選択される。
り、正孔と電子の発光層中での再結合を効率的に起こさ
せることが可能になり、さらにクエンチングによる輝度
や寿命の低下を防ぐことができる。また、必要があれ
ば、発光材料、ドーピング材料、キャリア輸送を行う正
孔輸送材料や電子輸送材料を二種類以上組み合わせて使
用することも出来る。また、正孔注入層、発光層、電子
注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されて
も良く、正孔もしくは電子が効率よく電極から注入さ
れ、層中で輸送される素子構造が選択される。
【0015】有機EL素子の陽極に使用される導電性材
料は、4.0eVより大きな仕事関数を持つものが好適
であり、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバル
ト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウ
ム等およびそれらの合金、ITO基板、NESA基板に
使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さ
らにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹
脂が用いられるが、これらに限定されるものではない。
陽極は、必要があれば二層以上の層構成により形成され
ていても良い。
料は、4.0eVより大きな仕事関数を持つものが好適
であり、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバル
ト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウ
ム等およびそれらの合金、ITO基板、NESA基板に
使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さ
らにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹
脂が用いられるが、これらに限定されるものではない。
陽極は、必要があれば二層以上の層構成により形成され
ていても良い。
【0016】有機EL素子では、効率良く発光させるた
めに、少なくとも一方は素子の発光波長領域において充
分透明であることが望ましい。また、基板も透明である
ことが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用
して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性を
確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を
10%以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱
的強度を有し、透明であれば限定されるものではない
が、例示すると、ガラス基板、ポリエチレン板、ポリエ
ーテルサルフォン板、ポリプロピレン板等の透明性樹脂
があげられる。
めに、少なくとも一方は素子の発光波長領域において充
分透明であることが望ましい。また、基板も透明である
ことが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用
して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性を
確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を
10%以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱
的強度を有し、透明であれば限定されるものではない
が、例示すると、ガラス基板、ポリエチレン板、ポリエ
ーテルサルフォン板、ポリプロピレン板等の透明性樹脂
があげられる。
【0017】本発明に係わる有機EL素子の有機各層の
形成は、真空蒸着、スパッタリング等の乾式成膜法やス
ピンコーティング、ディッピング等の湿式成膜法のいず
れの方法を適用することができる。膜厚は特に限定され
るものではないが、各層は適切な膜厚に設定する必要が
ある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大
きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄す
ぎると、薄膜中にピンホール等が発生して、電界を印加
しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は5n
mから10μmの範囲が適しているが、10nmから
0.2μmの範囲がさらに好ましい。
形成は、真空蒸着、スパッタリング等の乾式成膜法やス
ピンコーティング、ディッピング等の湿式成膜法のいず
れの方法を適用することができる。膜厚は特に限定され
るものではないが、各層は適切な膜厚に設定する必要が
ある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大
きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄す
ぎると、薄膜中にピンホール等が発生して、電界を印加
しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は5n
mから10μmの範囲が適しているが、10nmから
0.2μmの範囲がさらに好ましい。
【0018】湿式成膜法の場合、各層を形成する材料
を、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
の適切な溶媒に溶解または分散して薄膜を形成するが、
その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの薄膜
においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため
適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。使用の可能な樹
脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリア
リレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、
ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチ
ルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂、ポリ−N
−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、
ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げる
ことができる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫
外線吸収剤、可塑剤等を挙げることができる。
を、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
の適切な溶媒に溶解または分散して薄膜を形成するが、
その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの薄膜
においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため
適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。使用の可能な樹
脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリア
リレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、
ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチ
ルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂、ポリ−N
−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、
ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げる
ことができる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫
外線吸収剤、可塑剤等を挙げることができる。
【0019】本発明の有機EL素子に使用できる発光材
料またはドーピング材料としては、アントラセン、ナフ
タレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネ
ン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリ
レン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、
ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェ
ニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダ
ジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジ
ン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキ
ノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジ
フェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカル
バゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシア
ニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キ
ナクリドン、ルブレン等およびそれらの誘導体がある
が、これらに限定されるものではない。
料またはドーピング材料としては、アントラセン、ナフ
タレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネ
ン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリ
レン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、
ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェ
ニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダ
ジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジ
ン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキ
ノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジ
フェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカル
バゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシア
ニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キ
ナクリドン、ルブレン等およびそれらの誘導体がある
が、これらに限定されるものではない。
【0020】正孔輸送材料としては、正孔を輸送する能
力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた正孔注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層ま
たは電子輸送材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニ
ン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ポルフィリン
系化合物、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾ
ール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリ
ン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾ
ール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾ
ン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、
ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型ト
リフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等
と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、
ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、
これらに限定されるものではない。
力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた正孔注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層ま
たは電子輸送材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニ
ン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ポルフィリン
系化合物、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾ
ール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリ
ン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾ
ール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾ
ン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、
ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型ト
リフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等
と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、
ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、
これらに限定されるものではない。
【0021】電子輸送材料としては、電子を輸送する能
力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた電子注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層ま
たは正孔輸送材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。例えば、フルオレノン、ア
ントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオ
キシド、オキサジアゾール、チアジアゾール、テトラゾ
ール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメ
タン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの
誘導体があるが、これらに限定されるものではない。ま
た、正孔輸送材料に電子受容物質を、電子輸送材料に電
子供与性物質を添加して増感させることもできる。
力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた電子注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層ま
たは正孔輸送材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。例えば、フルオレノン、ア
ントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオ
キシド、オキサジアゾール、チアジアゾール、テトラゾ
ール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメ
タン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの
誘導体があるが、これらに限定されるものではない。ま
た、正孔輸送材料に電子受容物質を、電子輸送材料に電
子供与性物質を添加して増感させることもできる。
【0022】陰極の製膜法としては、抵抗加熱蒸着、電
子ビーム蒸着、直流スパッタ、RFスパッタ、イオンプ
レーティングなどの方法が挙げられる。抵抗加熱蒸着は
装置の簡便さもあって、比較的低温で蒸発する金属の場
合には非常に好適である。比較的高温で蒸発する金属を
用いる時には、電子ビーム蒸着やスパッタ法がより好ま
しい。蒸着源ないしはスパッタリングターゲットとして
は、方法に応じて、金属単体であっても、合金であって
もかまわない。しかし、抵抗加熱蒸着では、1種あるい
は2種類の合金からそれぞれの金属を所望の比率で同時
に蒸発させることは非常に困難なため、3つの蒸着源を
用いて、3元同時蒸着をすることが好ましい。ただし、
Li等の仕事関数の特に小さい金属は、空気中において
非常に不安定なため単体からの蒸着がやや難しいので、
これらの低仕事関数金属と同時に蒸発しない高沸点の金
属との合金から低仕事関数金属のみを蒸発させることが
より好ましい。また、スパッタ法では、Liなどの単体
はターゲットを作成することが難しいので、合金ターゲ
ットを作成し、比較的元の合金ターゲットに近い組成の
製膜が可能なRFスパッタで行うのがより好ましい。
子ビーム蒸着、直流スパッタ、RFスパッタ、イオンプ
レーティングなどの方法が挙げられる。抵抗加熱蒸着は
装置の簡便さもあって、比較的低温で蒸発する金属の場
合には非常に好適である。比較的高温で蒸発する金属を
用いる時には、電子ビーム蒸着やスパッタ法がより好ま
しい。蒸着源ないしはスパッタリングターゲットとして
は、方法に応じて、金属単体であっても、合金であって
もかまわない。しかし、抵抗加熱蒸着では、1種あるい
は2種類の合金からそれぞれの金属を所望の比率で同時
に蒸発させることは非常に困難なため、3つの蒸着源を
用いて、3元同時蒸着をすることが好ましい。ただし、
Li等の仕事関数の特に小さい金属は、空気中において
非常に不安定なため単体からの蒸着がやや難しいので、
これらの低仕事関数金属と同時に蒸発しない高沸点の金
属との合金から低仕事関数金属のみを蒸発させることが
より好ましい。また、スパッタ法では、Liなどの単体
はターゲットを作成することが難しいので、合金ターゲ
ットを作成し、比較的元の合金ターゲットに近い組成の
製膜が可能なRFスパッタで行うのがより好ましい。
【0023】陰極として製膜される合金は、必ずしもき
ちんとした結晶状態や金属間化合物を形成している必要
はなく、十分な効果が発揮できるのであればいわゆる固
溶体と呼ばれるアモルファス状態でも良い。
ちんとした結晶状態や金属間化合物を形成している必要
はなく、十分な効果が発揮できるのであればいわゆる固
溶体と呼ばれるアモルファス状態でも良い。
【0024】本発明は、陰極の安定性あるいは他の特性
をさらに改善するために、さらにもう一種以上の金属成
分を加えることにより、4元以上の合金にすることを妨
げない。また、陰極は必要に応じて二層以上の金属また
は合金により構成されても良く、層の下部と上部でその
組成や成分比率が連続的に変化しても良い。
をさらに改善するために、さらにもう一種以上の金属成
分を加えることにより、4元以上の合金にすることを妨
げない。また、陰極は必要に応じて二層以上の金属また
は合金により構成されても良く、層の下部と上部でその
組成や成分比率が連続的に変化しても良い。
【0025】陰極をさらに安定化させるために、水分や
酸素を透過しにくい、これらと反応しにくい、物理的、
化学的に安定な金属または合金を陰極の上に製膜しても
良い。これらの金属または合金は、陰極を形成する金属
成分のうちの1種または2種から選んでもよいし、全く
別の金属成分より形成されても良い。また、水分や酸素
に対するバリア性のさらに高い絶縁性の酸化物や窒化物
を陰極を覆うように形成しても良い。
酸素を透過しにくい、これらと反応しにくい、物理的、
化学的に安定な金属または合金を陰極の上に製膜しても
良い。これらの金属または合金は、陰極を形成する金属
成分のうちの1種または2種から選んでもよいし、全く
別の金属成分より形成されても良い。また、水分や酸素
に対するバリア性のさらに高い絶縁性の酸化物や窒化物
を陰極を覆うように形成しても良い。
【0026】本発明により得られた有機EL素子の、温
度、湿度、雰囲気等に対する安定性のさらなる向上のた
めに、素子の表面に封止フイルムや封止樹脂等で保護層
を設けたり、シリコンオイル等を封入して素子全体を保
護することも可能である。
度、湿度、雰囲気等に対する安定性のさらなる向上のた
めに、素子の表面に封止フイルムや封止樹脂等で保護層
を設けたり、シリコンオイル等を封入して素子全体を保
護することも可能である。
【0027】以上のように、本発明では、有機EL素子
の陰極に仕事関数の異なる特定の金属の組み合わせから
なる3元合金を用いたため、陰極の酸化を防止し、経時
安定性を高くすることが可能になった。また、この素子
は熱や電流に対しても非常に安定であり、さらには、低
電圧で実用的に使用可能な発光輝度が得られるので、従
来まで大きな問題であった経時での劣化、発光時間を大
幅に向上させ、有機EL素子の寿命向上に役立てること
ができた。
の陰極に仕事関数の異なる特定の金属の組み合わせから
なる3元合金を用いたため、陰極の酸化を防止し、経時
安定性を高くすることが可能になった。また、この素子
は熱や電流に対しても非常に安定であり、さらには、低
電圧で実用的に使用可能な発光輝度が得られるので、従
来まで大きな問題であった経時での劣化、発光時間を大
幅に向上させ、有機EL素子の寿命向上に役立てること
ができた。
【0028】本発明の有機EL素子は、壁掛けテレビ等
のフラットパネルディスプレイや、平面発光体として、
複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器
類等の光源、表示板、標識灯等へ応用が考えられ、その
工業的価値は非常に大きい。
のフラットパネルディスプレイや、平面発光体として、
複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器
類等の光源、表示板、標識灯等へ応用が考えられ、その
工業的価値は非常に大きい。
【0029】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細
に説明する。
に説明する。
【0030】実施例1 洗浄したITO電極付きガラス板上に、下記化学構造で
示される化合物(1)を真空蒸着して、膜厚50nmの
正孔注入層を得た。次いで、トリス(8−ヒドロキシキ
ノリン)アルミニウム錯体を発光材料として真空蒸着し
て膜厚50nmの発光層を作成した。その上に、金属元
素(A)としてMg、金属元素(B)としてAl、金属
元素(C)としてZnをそれぞれの蒸着源から同時に蒸
発させ、共蒸着を行うことによりMg:Al:Zn=1
0:1:1の合金で膜厚200nmの膜厚の陰極を形成
した。正孔注入層、発光層および陰極は、10-6Tor
rの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この
ようにして作成した有機EL素子は、直流電圧5Vで発
光輝度220cd/m2 の黄緑色発光が得られ、発光効
率は2.1lm/Wであった。この素子を特に封止をせ
ずに、初期輝度100cd/m2 で定電流駆動を続けた
ところ、500時間後に65cd/m2 までしか低下し
なかった。またダークスポットも殆ど見られなかった。
また、大気下に1000時間放置後、発光させたとこ
ろ、ダークスポットは見られず均一な発光を示した。
示される化合物(1)を真空蒸着して、膜厚50nmの
正孔注入層を得た。次いで、トリス(8−ヒドロキシキ
ノリン)アルミニウム錯体を発光材料として真空蒸着し
て膜厚50nmの発光層を作成した。その上に、金属元
素(A)としてMg、金属元素(B)としてAl、金属
元素(C)としてZnをそれぞれの蒸着源から同時に蒸
発させ、共蒸着を行うことによりMg:Al:Zn=1
0:1:1の合金で膜厚200nmの膜厚の陰極を形成
した。正孔注入層、発光層および陰極は、10-6Tor
rの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この
ようにして作成した有機EL素子は、直流電圧5Vで発
光輝度220cd/m2 の黄緑色発光が得られ、発光効
率は2.1lm/Wであった。この素子を特に封止をせ
ずに、初期輝度100cd/m2 で定電流駆動を続けた
ところ、500時間後に65cd/m2 までしか低下し
なかった。またダークスポットも殆ど見られなかった。
また、大気下に1000時間放置後、発光させたとこ
ろ、ダークスポットは見られず均一な発光を示した。
【化1】 化合物(1)
【0031】実施例2〜22 陰極として表1の組成の合金を使用する以外は、実施例
1と同じ方法で有機EL素子を作成して、直流電圧5V
での発光輝度、初期100cd/m2 で定電流駆動を続
けた時の、500時間後の輝度を測定した。結果を表1
に示す。なお、Liを蒸着する場合はLi:Al=1:
1の合金を、Smを蒸着する場合はSm:Co=1:5
の合金を蒸着源として使用し、LiまたはSmのみを蒸
発させた。
1と同じ方法で有機EL素子を作成して、直流電圧5V
での発光輝度、初期100cd/m2 で定電流駆動を続
けた時の、500時間後の輝度を測定した。結果を表1
に示す。なお、Liを蒸着する場合はLi:Al=1:
1の合金を、Smを蒸着する場合はSm:Co=1:5
の合金を蒸着源として使用し、LiまたはSmのみを蒸
発させた。
【0032】
【表1】
【0033】
【0034】実施例23 洗浄したITO電極付きガラス板上に、N,N' ―(4
―メチルフェニル)―N,N' ―(4−n−ブチルフェ
ニル)―フェナントレン―9,10―ジアミン、トリス
(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体の順にそ
れぞれ50nm真空蒸着した。その上に、Mg:Al:
Zn=7:1:2で混合した合金で膜厚200nmの電
極を形成して有機EL素子を得た。各層は、10-6To
rrの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。こ
の素子は、直流電圧5Vで300cd/m2 の黄緑色発
光が得られ、発光効率は1.9lm/Wであった。この
素子を特に封止をせずに、初期輝度100cd/m2 で
定電流駆動を続けたところ、500時間後に60cd/
m2 までしか低下しなかった。またダークスポットも殆
ど見られなかった。また、大気下に1000時間放置
後、発光させたところ、ダークスポットは殆ど見られな
かった。
―メチルフェニル)―N,N' ―(4−n−ブチルフェ
ニル)―フェナントレン―9,10―ジアミン、トリス
(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体の順にそ
れぞれ50nm真空蒸着した。その上に、Mg:Al:
Zn=7:1:2で混合した合金で膜厚200nmの電
極を形成して有機EL素子を得た。各層は、10-6To
rrの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。こ
の素子は、直流電圧5Vで300cd/m2 の黄緑色発
光が得られ、発光効率は1.9lm/Wであった。この
素子を特に封止をせずに、初期輝度100cd/m2 で
定電流駆動を続けたところ、500時間後に60cd/
m2 までしか低下しなかった。またダークスポットも殆
ど見られなかった。また、大気下に1000時間放置
後、発光させたところ、ダークスポットは殆ど見られな
かった。
【0035】実施例24 洗浄したITO電極付きガラス板上に、化合物(1)を
クロロホルムに溶解分散させ、スピンコーティングによ
り膜厚50nmの正孔注入層を得た。次いで、発光層と
してトリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯
体を50nm真空蒸着した。その上に、Mg:Ag:M
n=9:1:1で混合した合金で膜厚200nmの電極
を形成して有機EL素子を得た。発光層および陰極は、
10-6Torrの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸
着した。この素子は、直流電圧5Vで280cd/m2
の黄緑色発光が得られ、発光効率は2.4lm/Wであ
った。この素子を特に封止をせずに、初期輝度100c
d/m2 で定電流駆動を続けたところ、500時間後に
75cd/m2 までしか低下しなかった。またダークス
ポットも殆ど見られなかった。また、大気下に1000
時間放置後、発光させたところ、ダークスポットは見ら
れず均一な発光を示した。
クロロホルムに溶解分散させ、スピンコーティングによ
り膜厚50nmの正孔注入層を得た。次いで、発光層と
してトリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯
体を50nm真空蒸着した。その上に、Mg:Ag:M
n=9:1:1で混合した合金で膜厚200nmの電極
を形成して有機EL素子を得た。発光層および陰極は、
10-6Torrの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸
着した。この素子は、直流電圧5Vで280cd/m2
の黄緑色発光が得られ、発光効率は2.4lm/Wであ
った。この素子を特に封止をせずに、初期輝度100c
d/m2 で定電流駆動を続けたところ、500時間後に
75cd/m2 までしか低下しなかった。またダークス
ポットも殆ど見られなかった。また、大気下に1000
時間放置後、発光させたところ、ダークスポットは見ら
れず均一な発光を示した。
【0036】実施例25 洗浄したITO電極付きガラス板上に、実施例24と同
様に正孔注入層、発光層を形成した。その上に、Li:
In:Zn=3:3:4で混合した合金で膜厚200n
mの電極を形成して有機EL素子を得た。発光層および
陰極は、10- 6 Torrの真空中で、基板温度室温の
条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧5Vで200
cd/m2 の黄緑色発光が得られ、発光効率は2.5l
m/Wであった。この素子を特に封止をせずに、初期輝
度100cd/m2 で定電流駆動を続けたところ、50
0時間後に70cd/m2 までしか低下しなかった。ま
たダークスポットも殆ど見られなかった。また、大気下
に1000時間放置後、発光させたところ、ダークスポ
ットは全く見られず均一な発光を示した。
様に正孔注入層、発光層を形成した。その上に、Li:
In:Zn=3:3:4で混合した合金で膜厚200n
mの電極を形成して有機EL素子を得た。発光層および
陰極は、10- 6 Torrの真空中で、基板温度室温の
条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧5Vで200
cd/m2 の黄緑色発光が得られ、発光効率は2.5l
m/Wであった。この素子を特に封止をせずに、初期輝
度100cd/m2 で定電流駆動を続けたところ、50
0時間後に70cd/m2 までしか低下しなかった。ま
たダークスポットも殆ど見られなかった。また、大気下
に1000時間放置後、発光させたところ、ダークスポ
ットは全く見られず均一な発光を示した。
【0037】実施例26 洗浄したITO電極付きガラス板上に、実施例1と同様
に正孔注入層、発光層を10-6Torrの真空中で、基
板温度室温の条件下で真空蒸着により形成した。その上
に、Mg:Ag:Zn=13:1:2の面積比で分割さ
れたターゲットを用いて、RFスパッタ法によりArガ
ス下、0.5kWの出力で膜厚200nmの合金薄膜の
電極を形成して有機EL素子を得た。この素子は、直流
電圧5Vで230cd/m2 の黄緑色発光が得られ、発
光効率は2.4lm/Wであった。この素子を特に封止
をせずに、初期輝度100cd/m2 で定電流駆動を続
けたところ、500時間後に70cd/m2 までしか低
下しなかった。またダークスポットも殆ど見られなかっ
た。また、大気下に1000時間放置後、発光させたと
ころ、ダークスポットは見られず均一な発光を示した。
に正孔注入層、発光層を10-6Torrの真空中で、基
板温度室温の条件下で真空蒸着により形成した。その上
に、Mg:Ag:Zn=13:1:2の面積比で分割さ
れたターゲットを用いて、RFスパッタ法によりArガ
ス下、0.5kWの出力で膜厚200nmの合金薄膜の
電極を形成して有機EL素子を得た。この素子は、直流
電圧5Vで230cd/m2 の黄緑色発光が得られ、発
光効率は2.4lm/Wであった。この素子を特に封止
をせずに、初期輝度100cd/m2 で定電流駆動を続
けたところ、500時間後に70cd/m2 までしか低
下しなかった。またダークスポットも殆ど見られなかっ
た。また、大気下に1000時間放置後、発光させたと
ころ、ダークスポットは見られず均一な発光を示した。
【0038】実施例27 洗浄したITO電極付きガラス板上に、実施例1と同様
に正孔注入層、発光層を10-6Torrの真空中で、基
板温度室温の条件下で真空蒸着により形成した。その上
に、Li:Al:Y=5:85:10で予め形成された
合金ターゲットを用いて、RFスパッタ法によりArガ
ス下、0.5kWの出力で膜厚200nmの合金薄膜の
電極を形成して有機EL素子を得た。この素子は、直流
電圧5Vで220cd/m2 の黄緑色発光が得られ、発
光効率は2.3lm/Wであった。この素子を特に封止
をせずに、初期輝度100cd/m2 で定電流駆動を続
けたところ、500時間後に80cd/m2 までしか低
下しなかった。またダークスポットも見られなかった。
また、大気下に1000時間放置後、発光させたとこ
ろ、ダークスポットは全く見られず均一な発光を示し
た。
に正孔注入層、発光層を10-6Torrの真空中で、基
板温度室温の条件下で真空蒸着により形成した。その上
に、Li:Al:Y=5:85:10で予め形成された
合金ターゲットを用いて、RFスパッタ法によりArガ
ス下、0.5kWの出力で膜厚200nmの合金薄膜の
電極を形成して有機EL素子を得た。この素子は、直流
電圧5Vで220cd/m2 の黄緑色発光が得られ、発
光効率は2.3lm/Wであった。この素子を特に封止
をせずに、初期輝度100cd/m2 で定電流駆動を続
けたところ、500時間後に80cd/m2 までしか低
下しなかった。またダークスポットも見られなかった。
また、大気下に1000時間放置後、発光させたとこ
ろ、ダークスポットは全く見られず均一な発光を示し
た。
【0039】実施例28 洗浄したITO電極付きガラス板上に、実施例1と同様
に正孔注入層、発光層を10-6Torrの真空中で、基
板温度室温の条件下で真空蒸着により形成した。その上
に、Li:Ni:Zr=1:6:3で予め形成された合
金ターゲットを用いて、RFスパッタ法によりArガス
下、0.5kWの出力で膜厚200nmの合金薄膜の電
極を形成して有機EL素子を得た。この素子は、直流電
圧5Vで180cd/m2 の黄緑色発光が得られ、発光
効率は2.5lm/Wであった。この素子を特に封止を
せずに、初期輝度100cd/m2 で定電流駆動を続け
たところ、500時間後に85cd/m2 までしか低下
しなかった。またダークスポットも見られなかった。ま
た、大気下に1000時間放置後、発光させたところ、
ダークスポットは全く見られず均一な発光を示した。
に正孔注入層、発光層を10-6Torrの真空中で、基
板温度室温の条件下で真空蒸着により形成した。その上
に、Li:Ni:Zr=1:6:3で予め形成された合
金ターゲットを用いて、RFスパッタ法によりArガス
下、0.5kWの出力で膜厚200nmの合金薄膜の電
極を形成して有機EL素子を得た。この素子は、直流電
圧5Vで180cd/m2 の黄緑色発光が得られ、発光
効率は2.5lm/Wであった。この素子を特に封止を
せずに、初期輝度100cd/m2 で定電流駆動を続け
たところ、500時間後に85cd/m2 までしか低下
しなかった。またダークスポットも見られなかった。ま
た、大気下に1000時間放置後、発光させたところ、
ダークスポットは全く見られず均一な発光を示した。
【0040】実施例29 洗浄したITO電極付きガラス板上に、実施例1と同様
に正孔注入層、発光層を10-6Torrの真空中で、基
板温度室温の条件下で真空蒸着により形成した。その上
に、Li:Al:Ti=3:70:27で予め形成され
た合金ターゲットを用いて、RFスパッタ法によりAr
ガス下、0.5kWの出力で膜厚200nmの合金薄膜
の電極を形成して有機EL素子を得た。この素子は、直
流電圧5Vで200cd/m2 の黄緑色発光が得られ、
発光効率は2.2lm/Wであった。この素子を特に封
止をせずに、初期輝度100cd/m2 で定電流駆動を
続けたところ、500時間後に80cd/m2 までしか
低下しなかった。またダークスポットも見られなかっ
た。また、大気下に1000時間放置後、発光させたと
ころ、ダークスポットは全く見られず均一な発光を示し
た。
に正孔注入層、発光層を10-6Torrの真空中で、基
板温度室温の条件下で真空蒸着により形成した。その上
に、Li:Al:Ti=3:70:27で予め形成され
た合金ターゲットを用いて、RFスパッタ法によりAr
ガス下、0.5kWの出力で膜厚200nmの合金薄膜
の電極を形成して有機EL素子を得た。この素子は、直
流電圧5Vで200cd/m2 の黄緑色発光が得られ、
発光効率は2.2lm/Wであった。この素子を特に封
止をせずに、初期輝度100cd/m2 で定電流駆動を
続けたところ、500時間後に80cd/m2 までしか
低下しなかった。またダークスポットも見られなかっ
た。また、大気下に1000時間放置後、発光させたと
ころ、ダークスポットは全く見られず均一な発光を示し
た。
【0041】比較例1 洗浄したITO電極付きガラス板上に、実施例1と同様
に正孔注入層、発光層を形成した。その上に、Mg:I
n=10:1で混合した合金で膜厚200nmの電極を
形成して有機EL素子を得た。各層は10-6Torrの
真空中で、基板温度室温の条件下で真空蒸着により形成
した。この素子は、直流電圧5Vで230cd/m2 の
黄緑色発光が得られ、発光効率は2.2lm/Wであっ
た。この素子を特に封止をせずに、初期輝度100cd
/m2 で定電流駆動を続けたところ、500時間後には
発光面の70%以上がダークスポットに覆われ、輝度も
10cd/m2 以下までに低下してしまった。また、大
気下に1000時間放置後、発光させたところ、殆ど発
光しなかった。
に正孔注入層、発光層を形成した。その上に、Mg:I
n=10:1で混合した合金で膜厚200nmの電極を
形成して有機EL素子を得た。各層は10-6Torrの
真空中で、基板温度室温の条件下で真空蒸着により形成
した。この素子は、直流電圧5Vで230cd/m2 の
黄緑色発光が得られ、発光効率は2.2lm/Wであっ
た。この素子を特に封止をせずに、初期輝度100cd
/m2 で定電流駆動を続けたところ、500時間後には
発光面の70%以上がダークスポットに覆われ、輝度も
10cd/m2 以下までに低下してしまった。また、大
気下に1000時間放置後、発光させたところ、殆ど発
光しなかった。
【0042】比較例2 洗浄したITO電極付きガラス板上に、実施例1と同様
に正孔注入層、発光層を形成した。その上に、Mg:A
l=8:2で混合した合金で膜厚200nmの電極を形
成して有機EL素子を得た。各層は10-6Torrの真
空中で、基板温度室温の条件下で真空蒸着により形成し
た。この素子は、直流電圧5Vで190cd/m2 の黄
緑色発光が得られ、発光効率は2.1lm/Wであっ
た。この素子を特に封止をせずに、初期輝度100cd
/m2 で定電流駆動を続けたところ、500時間後には
発光面の50%以上がダークスポットに覆われ、輝度も
15cd/m2 まで低下してしまった。また、大気下に
1000時間放置後、発光させたところ、ダークスポッ
トに覆われ発光は非常に弱かった。
に正孔注入層、発光層を形成した。その上に、Mg:A
l=8:2で混合した合金で膜厚200nmの電極を形
成して有機EL素子を得た。各層は10-6Torrの真
空中で、基板温度室温の条件下で真空蒸着により形成し
た。この素子は、直流電圧5Vで190cd/m2 の黄
緑色発光が得られ、発光効率は2.1lm/Wであっ
た。この素子を特に封止をせずに、初期輝度100cd
/m2 で定電流駆動を続けたところ、500時間後には
発光面の50%以上がダークスポットに覆われ、輝度も
15cd/m2 まで低下してしまった。また、大気下に
1000時間放置後、発光させたところ、ダークスポッ
トに覆われ発光は非常に弱かった。
【0043】比較例3 洗浄したITO電極付きガラス板上に、実施例1と同様
に正孔注入層、発光層を形成した。その上に、Li:A
l=3:7で混合した合金で膜厚200nmの電極を形
成して有機EL素子を得た。各層は10-6Torrの真
空中で、基板温度室温の条件下で真空蒸着により形成し
た。この素子は、直流電圧5Vで220cd/m2 の黄
緑色発光が得られ、発光効率は2.7lm/Wであっ
た。この素子を特に封止をせずに、初期輝度100cd
/m2 で定電流駆動を続けたところ、500時間後に
は、輝度が10cd/m2 以下まで低下してしまった。
発光面にはダークスポットや輝度ムラが生じていた。大
気下に1000時間放置後、発光させようとしたとこ
ろ、全く発光しなかった。
に正孔注入層、発光層を形成した。その上に、Li:A
l=3:7で混合した合金で膜厚200nmの電極を形
成して有機EL素子を得た。各層は10-6Torrの真
空中で、基板温度室温の条件下で真空蒸着により形成し
た。この素子は、直流電圧5Vで220cd/m2 の黄
緑色発光が得られ、発光効率は2.7lm/Wであっ
た。この素子を特に封止をせずに、初期輝度100cd
/m2 で定電流駆動を続けたところ、500時間後に
は、輝度が10cd/m2 以下まで低下してしまった。
発光面にはダークスポットや輝度ムラが生じていた。大
気下に1000時間放置後、発光させようとしたとこ
ろ、全く発光しなかった。
【0044】比較例4 洗浄したITO電極付きガラス板上に、実施例24と同
様に正孔注入層、発光層を形成した。その上に、Mg:
Ag=10:1で混合した合金で膜厚200nmの電極
を形成して有機EL素子を得た。各層は10-6Torr
の真空中で、基板温度室温の条件下で真空蒸着により形
成した。この素子は、直流電圧5Vで270cd/m2
の黄緑色発光が得られ、発光効率は2.5lm/Wであ
った。この素子を特に封止をせずに、初期輝度100c
d/m2 で定電流駆動を続けたところ、500時間後に
は発光面の70%以上がダークスポットに覆われ、輝度
も10cd/m2 以下までに低下してしまった。また、
大気下に1000時間放置後、発光させようとしたとこ
ろ、全く発光しなかった。
様に正孔注入層、発光層を形成した。その上に、Mg:
Ag=10:1で混合した合金で膜厚200nmの電極
を形成して有機EL素子を得た。各層は10-6Torr
の真空中で、基板温度室温の条件下で真空蒸着により形
成した。この素子は、直流電圧5Vで270cd/m2
の黄緑色発光が得られ、発光効率は2.5lm/Wであ
った。この素子を特に封止をせずに、初期輝度100c
d/m2 で定電流駆動を続けたところ、500時間後に
は発光面の70%以上がダークスポットに覆われ、輝度
も10cd/m2 以下までに低下してしまった。また、
大気下に1000時間放置後、発光させようとしたとこ
ろ、全く発光しなかった。
【0045】比較例5 洗浄したITO電極付きガラス板上に、実施例1と同様
に正孔注入層、発光層を10-6Torrの真空中で、基
板温度室温の条件下で真空蒸着により形成した。その上
に、Mg:Ag=10:1で予め形成された合金ターゲ
ットを用いて、RFスパッタ法によりArガス下、0.
5kWの出力で膜厚200nmの電極を形成して有機E
L素子を得た。この素子は、直流電圧5Vで280cd
/m2 の黄緑色発光が得られ、発光効率は2.4lm/
Wであった。この素子を特に封止をせずに、初期輝度1
00cd/m2 で定電流駆動を続けたところ、500時
間後には発光面の50%以上がダークスポットに覆わ
れ、輝度も20cd/m2 まで低下してしまった。ま
た、大気下に1000時間放置後、発光させたところ、
ダークスポットに覆われ発光は非常に弱かった。
に正孔注入層、発光層を10-6Torrの真空中で、基
板温度室温の条件下で真空蒸着により形成した。その上
に、Mg:Ag=10:1で予め形成された合金ターゲ
ットを用いて、RFスパッタ法によりArガス下、0.
5kWの出力で膜厚200nmの電極を形成して有機E
L素子を得た。この素子は、直流電圧5Vで280cd
/m2 の黄緑色発光が得られ、発光効率は2.4lm/
Wであった。この素子を特に封止をせずに、初期輝度1
00cd/m2 で定電流駆動を続けたところ、500時
間後には発光面の50%以上がダークスポットに覆わ
れ、輝度も20cd/m2 まで低下してしまった。ま
た、大気下に1000時間放置後、発光させたところ、
ダークスポットに覆われ発光は非常に弱かった。
【0046】このように、従来の技術による有機EL素
子が、初期100cd/m2 が500時間の継続駆動で
20cd/m2 以下に低下し、発光面がダークスポット
で覆われたり、ムラが生じるのに対し、本発明の素子
は、50cd/m2 以上の輝度を保ち、ダークスポット
の発生も殆どなかった。また、従来の技術による有機E
L素子が、大気下に放置することにより、殆ど発光しな
くなるのに対し、本発明の素子は十分な輝度の均一発光
を示した。以上の結果から、陰極に本発明で示される3
元合金を使用した有機EL素子は、発光輝度、発光効率
を低下させることなく、素子の駆動および保存における
長寿命化を達成した。
子が、初期100cd/m2 が500時間の継続駆動で
20cd/m2 以下に低下し、発光面がダークスポット
で覆われたり、ムラが生じるのに対し、本発明の素子
は、50cd/m2 以上の輝度を保ち、ダークスポット
の発生も殆どなかった。また、従来の技術による有機E
L素子が、大気下に放置することにより、殆ど発光しな
くなるのに対し、本発明の素子は十分な輝度の均一発光
を示した。以上の結果から、陰極に本発明で示される3
元合金を使用した有機EL素子は、発光輝度、発光効率
を低下させることなく、素子の駆動および保存における
長寿命化を達成した。
【0047】本発明の有機EL素子は発光効率、発光輝
度を維持しつつ、長寿命化を達成するものであり、併せ
て使用される発光材料、ドーピング材料、正孔輸送材
料、電子輸送材料、増感剤、樹脂、電極材料等および素
子作製方法を限定するものではない。
度を維持しつつ、長寿命化を達成するものであり、併せ
て使用される発光材料、ドーピング材料、正孔輸送材
料、電子輸送材料、増感剤、樹脂、電極材料等および素
子作製方法を限定するものではない。
【0048】
【発明の効果】本発明の有機EL素子は、陰極の劣化が
抑制されたために、従来に比べて環境に対する経時安定
性が高く、長寿命の有機EL素子を得ることができた。
以上により、本発明で示した3元合金を、有機EL素子
の陰極として使用することにより、高い発光輝度、高い
発光効率を維持しつつ、経時劣化の少ない長寿命の有機
EL素子を容易に作製することが可能になった。
抑制されたために、従来に比べて環境に対する経時安定
性が高く、長寿命の有機EL素子を得ることができた。
以上により、本発明で示した3元合金を、有機EL素子
の陰極として使用することにより、高い発光輝度、高い
発光効率を維持しつつ、経時劣化の少ない長寿命の有機
EL素子を容易に作製することが可能になった。
Claims (3)
- 【請求項1】 陽極および陰極間に発光層もしくは発光
層を含む有機化合物薄膜層を備えた有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、陰極が仕事関数4.0eV未
満であるアルカリ金属、アルカリ土類金属、または希土
類元素のうちから選ばれる1種の金属元素(A)と、仕
事関数4.0eV以上のものから選ばれる1種の金属元
素(B)と、上記で選ばれなかった金属元素であって、
Y,Gd,Nd,Sc,La,Zn,Mg,Zr,C
d,In,Mn,Pb,V,Ga,Ti,Bi,Sn,
Crから選ばれる1種の金属元素(C)からなる3元合
金であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
ス素子。 - 【請求項2】 仕事関数4.0eV以上のものとして選
ばれる金属元素(B)がIn,Pb,Ag,Al,B
i,Sn,Sb,Cu,Co,Au,Ni,Pd,Pt
から選ばれる1種の金属元素である請求項1に記載の有
機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項3】 金属元素(C)として選ばれたものの3
元合金中での割合が0.1〜50at.%である請求項
1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7254843A JPH0997676A (ja) | 1995-10-02 | 1995-10-02 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7254843A JPH0997676A (ja) | 1995-10-02 | 1995-10-02 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0997676A true JPH0997676A (ja) | 1997-04-08 |
Family
ID=17270630
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7254843A Pending JPH0997676A (ja) | 1995-10-02 | 1995-10-02 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0997676A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6781305B1 (en) * | 1998-12-25 | 2004-08-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic electroluminescent device having negative electrode containing a selective combination of elements |
WO2005062678A3 (ja) * | 2003-12-19 | 2005-10-06 | Idemitsu Kosan Co | 有機エレクトロルミネッセンス素子、導電積層体及び表示装置 |
US7414362B2 (en) | 2004-07-02 | 2008-08-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display panel |
US7696682B2 (en) * | 2005-06-27 | 2010-04-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting device using Mg—Ag thin film and manufacturing method thereof |
KR101453712B1 (ko) * | 2011-06-24 | 2014-10-22 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 도전성 막, 그의 제조 방법, 및 이것에 사용되는 스퍼터링 타겟 |
JPWO2014133141A1 (ja) * | 2013-02-28 | 2017-02-02 | 日本放送協会 | 有機電界発光素子 |
-
1995
- 1995-10-02 JP JP7254843A patent/JPH0997676A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6781305B1 (en) * | 1998-12-25 | 2004-08-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic electroluminescent device having negative electrode containing a selective combination of elements |
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JPWO2014133141A1 (ja) * | 2013-02-28 | 2017-02-02 | 日本放送協会 | 有機電界発光素子 |
JP2017143072A (ja) * | 2013-02-28 | 2017-08-17 | 日本放送協会 | 有機電界発光素子 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050201 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050607 |