CN117015275A - 显示面板、显示装置及显示面板制备方法 - Google Patents

显示面板、显示装置及显示面板制备方法 Download PDF

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CN117015275A CN202311133007.6A CN202311133007A CN117015275A CN 117015275 A CN117015275 A CN 117015275A CN 202311133007 A CN202311133007 A CN 202311133007A CN 117015275 A CN117015275 A CN 117015275A
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孙韬
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Abstract

本申请提供了一种显示面板、显示装置及显示面板制备方法，涉及显示技术领域。该显示基板包括：衬底基板；在衬底基板上呈阵列排布的多个像素，每个像素包括多个子像素，每个子像素包括层叠设置在衬底基板上的第一电极层、有机发光功能层以及第二电极层；位于衬底基板上的像素界定层，像素界定层包括多个像素开口，每个像素开口对应于一个子像素；金属隔离柱，设置在像素界定层的远离衬底基板的一侧，且金属隔离柱围绕各个子像素设置，用于隔断相邻子像素的有机发光功能层，每个子像素的第二电极层的两端分别搭接在金属隔离柱上；金属隔离柱的远离像素界定层的一侧设置有第三电极层，且第三电极层与金属隔离柱接触。

Description

显示面板、显示装置及显示面板制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示面板制备方法。
背景技术
随着显示技术的发展，对显示面板分辨率的要求越来越高。为了实现高分辨率，通常采用高精度掩模板(mask)设计如高精度金属掩模板(Fine Metal Mask，FMM)，但是工艺实现上存在技术难度，尤其是分辨率大于800ppi之后，难以实现高精度的张网技术和蒸镀对位技术，并且mask材料成本较高。由此，采用光刻技术来实现显示面板的子像素图案(pattern)化的工艺应运而生。相比FMM技术，使用光刻技术得到的显示面板具有更高的精度和更高的像素开口率。
然而，使用光刻技术得到的显示面板的出光效率低。
发明内容
本申请提供一种显示面板、显示装置及显示面板制备方法，用于解决现有技术中使用光刻技术得到的显示面板的出光效率低的问题。
第一方面，本申请提供了一种显示面板，包括：
衬底基板；
在衬底基板上呈阵列排布的多个像素，每个像素包括多个子像素，每个子像素包括层叠设置在衬底基板上的第一电极层、有机发光功能层以及第二电极层；
位于衬底基板上的像素界定层，像素界定层包括多个像素开口，每个像素开口对应于一个子像素；
金属隔离柱，设置在像素界定层的远离衬底基板的一侧，且金属隔离柱围绕各个子像素设置，用于隔断相邻子像素的有机发光功能层，每个子像素的第二电极层的两端分别搭接在金属隔离柱上；
金属隔离柱的远离像素界定层的一侧设置有第三电极层，且第三电极层与金属隔离柱接触。
在一种可能得实施方式中，第三电极层的厚度范围为(100A，200A)。
在一种可能得实施方式中，第二电极层和第三电极层的材质相同。
在一种可能得实施方式中，金属隔离柱包括在像素界定层上依次层叠设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层，其中，第一金属层的材质与第三金属层的材质相同，第二电极层的两端分别搭接于第一金属层。
在一种可能得实施方式中，第二电极层和第三电极层的远离衬底基板的一侧设置有第一封装层。
在一种可能得实施方式中，第三电极层还包括设置于第二电极层远离衬底基板的一侧的区域；
第三电极层从位于金属隔离柱的远离像素界定层的一侧的区域，延伸至设置于第二电极层远离衬底基板的一侧的区域。
在一种可能得实施方式中，金属隔离柱包括在像素界定层上依次层叠设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层，其中，第二电极层搭接于第一金属层；
第二电极层与第二金属层间隔设置，第三电极层通过第二电极层与第二金属层之间的间隙，分别与第二金属层、第三金属层接触。
在一种可能得实施方式中，有机发光功能层位于像素开口内；
或者，有机发光功能层的两端从像素开口内伸出并分别与金属隔离柱搭接。
第二方面，本申请还提供了一种显示面板制备方法，包括：
在衬底基板的一侧形成多个子像素的第一电极层，并在多个第一电极层的远离衬底基板的一侧依次层叠像素界定层和金属隔离层；
在金属隔离层与多个子像素中的第一子像素的第一电极层对应的位置形成第一开口，在像素界定层的与第一子像素的第一电极层对应的位置形成像素开口，像素开口露出第一子像素的第一电极层的至少部分区域；
在第一子像素的第一电极层的远离衬底基板的一侧形成第一发光功能层；
在第一发光功能层的远离衬底基板的一侧，形成第一子像素的第二电极层以及在金属隔离层的远离衬底基板的一侧覆盖目标长度的第三电极层，其中，第二电极层的两端分别与金属隔离层搭接。
在一种可能得实施方式中，在发光功能层的远离衬底基板的一侧形成第一子像素的第二电极层以及在金属隔离层的远离衬底基板的一侧形成目标长度的第三电极层，包括：
同时在第一发光功能层的远离衬底基板的一侧蒸镀第一子像素的第二电极层，以及在金属隔离层的远离衬底基板的一侧蒸镀第三电极层，其中，第二电极层的材质与第三电极层的材质相同；
对在金属隔离层的远离衬底基板的一侧的第三电极层进行刻蚀，得到目标长度的第三电极层。
在一种可能得实施方式中，在第一子像素的第一电极层的远离衬底基板的一侧形成第一发光功能层，包括：
在第一子像素的第一电极层的远离衬底基板的一侧、金属隔离层的远离衬底基板的一侧同时蒸镀第一发光功能层；
使用激光透过位于第一发光功能层上方的掩膜层，以对金属隔离层的远离衬底基板的一侧的第一发光功能层进行刻蚀，其中，掩膜层被划分为遮光区和透光区，且遮光区与第一子像素的第一电极层上的第一发光功能层的位置对应。
在一种可能得实施方式中，在第一发光功能层的远离衬底基板的一侧形成第一子像素的第二电极层以及在金属隔离层的远离衬底基板的一侧形成目标长度的第三电极层之后，本申请提供的方法还包括：
在金属隔离层与多个子像素中的第二子像素的第一电极层对应的位置形成第一开口，在像素界定层的与第二子像素的第一电极层对应的位置形成像素开口，像素开口露出第二子像素的第一电极层的至少部分区域；
在第二子像素的第一电极层的远离衬底基板的一侧形成第二发光功能层；
在第二发光功能层的远离衬底基板的一侧形成第二子像素的第二电极层以及在金属隔离层的远离衬底基板的一侧形成目标长度的第三电极层。
第三方面，本申请还提供了另一种显示面板制备方法，包括：
在衬底基板的一侧形成多个子像素的第一电极层，并在多个第一电极层依次层叠像素界定层和金属隔离层；
在金属隔离层与多个子像素中的第一子像素的第一电极层对应的位置形成第一开口，在像素界定层的与第一子像素的第一电极层对应的位置形成像素开口，像素开口露出第一子像素的第一电极层的至少部分区域；
在第一子像素的第一电极层的远离衬底基板的一侧依次层叠第一发光功能层和第二电极层，第二电极层的两端分别搭接于金属隔离层；
在金属隔离层和第二电极层的远离衬底基板的一侧覆盖第三电极层。
在一种可能得实施方式中，第一子像素的第一电极层的远离衬底基板的一侧依次层叠第一发光功能层和第二电极层，包括：
在第一子像素的第一电极层的远离衬底基板的一侧、以及金属隔离层的远离衬底基板的一侧依次层叠第一发光功能层和第二电极层；
使用第一激光透过位于第二电极层上方的掩膜层，以对金属隔离层的远离衬底基板的一侧的第二电极层进行刻蚀；
使用第二激光透过位于第一发光功能层上方的掩膜层，以对金属隔离层的远离衬底基板的一侧的第一发光功能层进行刻蚀；其中，第二激光的光强小于第一激光的光强；
其中，掩膜层被划分为遮光区和透光区，且遮光区与第一子像素的第二电极层的位置对应。
第四方面，本申请还提供了一种显示装置，包括本申请第一方面提供的显示面板。
本申请提供一种显示面板、显示装置及显示面板制备方法，由于子像素的第二电极层与金属隔离柱搭接，金属隔离柱的远离像素界定层的一侧设置有第三电极层，且第三电极层与金属隔离柱接触。如此，子像素的第二电极层、金属隔离柱以及第三电极层依次电连接，可以共同作为子像素的阴极。又由于第三电极层设置于金属隔离柱的一侧，使得子像素的阴极的厚度较大，如此，降低了子像素的阴极的电阻，进而流过子像素的阴极的电流较大，提高了子像素的出光效率，也就提高了显示面板的出光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一种实施例提供的显示面板的剖视图之一；
图2为本申请另一种实施例提供的显示面板的剖视图之二；
图3为本申请另一种实施例提供的显示面板的剖视图之三；
图4为本申请一种实施例提供的显示面板的制备方法的流程图；
图5为本申请一种实施例提供的显示面板的在制备过程中，处于其中一个制备工艺步骤时的剖视图；
图6为本申请一种实施例提供的显示面板的在制备过程中，处于图5对应的制备工艺步骤之后的下一个制备工艺步骤时的剖视图；
图7为本申请一种实施例提供的显示面板的在制备过程中，处于图6对应的制备工艺步骤之后的下一个制备工艺步骤时的剖视图；
图8为本申请一种实施例提供的显示面板的在制备过程中，处于图7对应的制备工艺步骤之后的下一个制备工艺步骤时的剖视图；
图9为本申请一种实施例提供的显示面板的在制备过程中，处于图8对应的制备工艺步骤之后的下一个制备工艺步骤时的剖视图；
图10为本申请一种实施例提供的显示面板的在制备过程中，处于图9对应的制备工艺步骤之后的下一个制备工艺步骤时的剖视图；
图11为本申请一种实施例提供的显示面板的在制备过程中，处于图10对应的制备工艺步骤之后的下一个制备工艺步骤时的剖视图；
图12为本申请一种实施例提供的制备完毕后的显示面板的剖视图；
图13为本申请另一种实施例提供的显示面板的制备方法的流程图；
图14为本申请一种实施例提供的显示面板的在制备过程中，处于其中一个制备工艺步骤时的剖视图；
图15为本申请一种实施例提供的显示面板的在制备过程中，处于图14对应的制备工艺步骤之后的下一个制备工艺步骤时的剖视图；
图16为本申请一种实施例提供的显示面板的在制备过程中，处于图15对应的制备工艺步骤之后的下一个制备工艺步骤时的剖视图；
图17为本申请一种实施例提供的显示面板的在制备过程中，处于图16对应的制备工艺步骤之后的下一个制备工艺步骤时的剖视图；
图18为本申请一种实施例提供的显示面板的在制备过程中，处于图17对应的制备工艺步骤之后的下一个制备工艺步骤时的剖视图；
图19为本申请一种实施例提供的显示面板的在制备过程中，处于图18对应的制备工艺步骤之后的下一个制备工艺步骤时的剖视图；
图20为本申请另一种实施例提供的制备完毕后的显示面板的剖视图。
具体实施方式
以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
目前，相比于FMM技术，使用光刻技术得到的显示面板具有更高的精度和更高的像素开口率。然而，使用光刻技术得到的显示面板的出光效率低。
基于上述技术问题，本申请的发明构思在于：金属隔离柱的远离像素界定层的一侧设置有第三电极层，且第三电极层与金属隔离柱接触。由于子像素的第二电极层与金属隔离柱搭接，金属隔离柱的远离像素界定层的一侧设置有第三电极层，且第三电极层与金属隔离柱接触。如此，子像素的第二电极层、金属隔离柱以及第三电极层依次电连接，可以共同作为子像素的阴极。又由于第三电极层设置于金属隔离柱的一侧，使得子像素的阴极的厚度较大，如此，降低了子像素的阴极的电阻，进而流过子像素的阴极的电流较大，提高了子像素的出光效率。
下面，以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。下面将结合附图，对本申请的实施例进行描述。
请参阅图1，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：衬底基板101、多个像素、像素界定层103、金属隔离柱201、以及第三电极层109。
其中，衬底基板101可以为刚性衬底。该刚性衬底例如可以包括玻璃衬底、PMMA(Polymethyl methacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)衬底、硅衬底等。在此情况下，上述显示基板可以为刚性显示基板。又例如，衬底基板101可以为柔性衬底。该柔性衬底例如可以包括PET(Polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)衬底、PEN(Polyethylenenaphthalate two formic acid glycol ester，聚萘二甲酸乙二醇酯)衬底或PI(Polyimide，聚酰亚胺)衬底等。在此情况下，上述显示基板可以为柔性显示基板。需要说明的是，衬底基板101可以为一层结构，也可以为多层结构。例如，衬底基板101可以包括至少一个柔性衬底和至少一个缓冲层，柔性衬底和缓冲层交替层叠设置。
在衬底基板101上呈阵列排布的多个像素，每个像素包括多个子像素。每个子像素可以显示单一一种颜色，如红色子像素显示红色，绿色子像素显示绿色，蓝色子像素显示蓝色。每个像素中不同颜色的子像素的亮度(灰阶)可被调节，通过颜色组合和叠加可以实现多种颜色的显示，从而实现全彩化显示。
需要说明的是，本申请实施例提供的显示面板还可以包括：像素驱动器件层(附图中未示)，像素驱动器件层位于多个子像素的邻近衬底基板101的一侧，像素驱动器件层包括多个像素驱动电路，每个像素驱动电路与一个子像素电连接，用于驱动子像素发光。
像素驱动电路可以包括多个晶体管和电容器等电子元件。例如，像素驱动电路均可以包括三个晶体管和一个电容器，构成3T1C(即一个驱动晶体管、两个开关晶体管和一个电容器)。还可以包括三个以上的晶体管和至少一个电容器，如4T1C(即一个驱动晶体管、三个开关晶体管和一个电容器)、5T1C(即一个驱动晶体管、四个开关晶体管和一个电容器)或7T1C(即一个驱动晶体管、六个开关晶体管和一个电容器)等。其中，晶体管可以为薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)、场效应晶体管(metal oxide semiconductor，简称MOS)或其他特性相同的开关器件。
需要说明的是，本申请实施例提供的显示面板还可以包括：设置于像素驱动器件层与衬底基板101之间的缓冲层102，缓冲层102用于阻挡衬底基板101上的杂质进入像素驱动器件层，影响像素驱动器件层的功能。
每个子像素包括层叠设置在衬底基板101上的第一电极层107、有机发光功能层108以及第二电极层113。第一电极层107、有机发光功能层108以及第二电极层113构成了发光器件。如图1所示，有机发光功能层108位于像素开口内；或者，如图2所示，有机发光功能层108的两端从像素开口内伸出并分别与金属隔离柱201搭接。
其中，发光器件可以为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)。或者，发光器件也可以为微型有机发光二极管(Micro Organic Light-Emitting Diode，Micro OLED)或量子点有机发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)等。例如，红色子像素可以包括用于发红光的发光器件，绿色子像素可以包括用于发绿光的发光器件，蓝色子像素可以包括用于发红光的发光器件。
具体地，有机发光功能层108可以包括发光层以及功能材料层。例如，功能材料层可以包括：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)中的一者或多者，具体根据实际需要设置，本实施例对此不做限制。
例如，第一电极层107可以为阳极，第二电极层113为阴极。例如，第一电极层107的结构可以为由透明导电氧化物薄膜/金属薄膜/透明导电氧化物薄膜依次层叠构成的复合结构。其中，上述透明导电氧化物薄膜的材料例如为ITO(Indium tin oxide氧化铟锡)和IZO(Indium zinc oxide氧化铟锌)中的任意一种，上述金属薄膜的材料例如为金(Au)、银(Ag)、镍(Ni)和铂(Pt)中的任意一种。又例如，第一电极层107的结构也可以为单层结构，单层结构的材料可以为ITO、IZO、Au、Ag、Ni、Pt中的任意一种。
例如，第二电极层113的材料可以为具有一定透过率的金属薄膜，如铝(Al)、银(Ag)和镁(Mg)中的任意一种，或者镁银合金和铝锂合金中的任意一种，以使得发光器件实现较强的微腔效应，从而达到较好的色域以及出光率。当然，阴极的材料也可以采用透明导电材料，本申请实施例对此不做限制。
进一步地，像素界定层103包括多个像素开口，每个像素开口对应于一个子像素。金属隔离柱201，设置在像素界定层103的远离衬底基板101的一侧，且金属隔离柱201围绕各个子像素设置，用于隔断相邻子像素的有机发光功能层108，每个子像素的第二电极层113的两端分别搭接在金属隔离柱201上，使得第二电极层113与金属隔离柱201电连接。
金属隔离柱201可以是单层或多层结构，材料至少含有一层导电层如金属层，具有上大下小，或者中间凹，上下凸出的底切结构。由于图形的阴影效应，蒸镀层无法在金属隔离柱201上完全连续沉积，因此可以实现蒸镀层如有机发光功能层108的隔断及子像素的图案化。
以金属隔离柱201为三层结构为例，金属隔离柱201可以包括自下而上依次层叠设置的第一金属层104、第二金属层105以及第三金属层106。例如，可以采用钛/铝/钛的金属叠层结构。第一金属层104和第三金属层106的边缘相对于第二金属层105凸出。此时，如图1所示，子像素的第二电极层113的两端可以搭接在第一金属层104上。
金属隔离柱201的远离像素界定层103的一侧设置有第三电极层109，且第三电极层109与金属隔离柱201接触。
示例性地，第二电极层113和第三电极层109的材质可以相同。例如，第二电极层113和第三电极层109的材质均可以为但不限于铝(Al)、银(Ag)和镁(Mg)。这样一来，在制备显示面板时，可以同时在金属隔离柱201蒸镀第三电极层109、以及在有机发光功能层108上蒸镀第三电极层109，工艺简单且节省成本。
另外，如图1或图2所示，第二电极层113和第三电极层109的远离衬底基板101的一侧可以设置有第一封装层110。第一封装层110可以采用氮化物、氧化物、氮氧化物、硝酸盐、碳化物或其任何组合的无机材料制作而成，制备工艺可以采用化学气相沉积(ChemicalVapor Deposition，CVD)工艺。在制备显示面板的过程中，第一封装层110可以保护有机发光功能层108、第二电极层113、第三电极层109不受损伤，且在显示面板制备完毕后，第一封装层110可以避免外界的水汽和空气侵蚀有机发光功能层108、第二电极层113、以及第三电极层109。
进一步地，在第一封装层110的远离衬底基板101的一侧还可以设置有第二封装层111。其中，第二封装层111可以是但不限于有机封装层。再例如，第二封装层111可以采用腈纶、六甲基二硅氧皖、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯等材料制作而成，制备工艺可以采用喷墨打印(Ink Jet Printing，IJP)工艺、spin旋涂工艺、slit涂布工艺等，在此不作限定。这样一来，可以进一步避免外界的水汽和空气侵蚀有机发光功能层108、第二电极层113、以及第三电极层109。
更进一步地，在第二封装层111的远离衬底基板101的一侧还可以设置有第三封装层112。其中，第三封装层112可以是但不限于无机封装层。这样一来，可以进一步避免外界的水汽和空气侵蚀有机发光功能层108、第二电极层113、以及第三电极层109。
综上所述，本申请实施例提供的一种显示面板，由于子像素的第二电极层113与金属隔离柱201搭接，金属隔离柱201的远离像素界定层103的一侧设置有第三电极层109，且第三电极层109与金属隔离柱201接触。如此，子像素的第二电极层113、金属隔离柱201以及第三电极层109依次电连接，可以共同作为子像素的阴极。又由于第三电极层109设置于金属隔离柱201的一侧，使得子像素的阴极的厚度较大，如此，降低了子像素的阴极的电阻，进而流过子像素的阴极的电流较大，提高了子像素的出光效率，也就提高了显示面板的出光效率。
示例性地，第三电极层109的厚度范围为(100A，200A)，例如，第三电极层109的厚度为100A、150A或者200A等，在此不作限定。当第三电极层109的厚度范围为(100A，200A)时，可以在保证发光器件不被烧坏的前提下，使得流过子像素的阴极的电流足够大，以提高子像素的出光效率。
进一步地，如图3所示，第三电极层109还包括设置于第二电极层113远离衬底基板101的一侧的区域；第三电极层109从位于金属隔离柱201的远离像素界定层103的一侧的区域，延伸至设置于第二电极层113远离衬底基板101的一侧的区域。这样一来，可以将第二电极层113和第三电极层109的整体作为发光器件的阴极或阳极。如此，相当于大大提高了发光器件的阴极或阳极与金属隔离柱201的搭接面积，可以防止发光器件的阴极或阳极与金属隔离柱201之间的搭接不良。
仍如图3所示，当金属隔离柱201包括在像素界定层103上依次层叠设置的第一金属层104、第二金属层105以及第三金属层106时，第二电极层113搭接于第一金属层104；第二电极层113与第二金属层105间隔设置，第三电极层109通过第二电极层113与第二金属层105之间的间隙，分别与第二金属层105、第三金属层106接触。这样一来，可以提高发光器件的阴极或阳极与金属隔离柱201的搭接面积。
请参阅图4，本申请实施例还提供了一种显示面板制备方法，需要说明的是，本申请实施例所提供的显示面板制备方法，其基本原理及产生的技术效果和上述实施例相同，为简要描述，本申请实施例部分未提及之处，可参考上述的实施例中相应内容。具体地，如图4所示，本申请实施例提供的显示面板制备方法包括：
S401：在衬底基板101的一侧形成多个子像素的第一电极层107，并在多个第一电极层107的远离衬底基板101的一侧依次层叠像素界定层103和金属隔离层201。
S402：如图5所示，在金属隔离层201与多个子像素中的第一子像素的第一电极层107对应的位置形成第一开口，在像素界定层103的与第一子像素的第一电极层107对应的位置形成像素开口，像素开口露出第一子像素的第一电极层107的至少部分区域。
S403：在第一子像素的第一电极层107的远离衬底基板101的一侧形成第一发光功能层108。
具体地，如图6所示，可以在第一子像素的第一电极层107的远离衬底基板101的一侧、金属隔离层201的远离衬底基板101的一侧同时蒸镀第一发光功能层108。进而，如图7所示，使用激光透过位于第一发光功能层108上方的掩膜层114，以对金属隔离层201的远离衬底基板101的一侧的第一发光功能层108进行刻蚀。
其中，掩膜层114被划分为遮光区115和透光区，且遮光区115与第一子像素的第一电极层107上的第一发光功能层108的位置对应。如此，如图8所示，第一子像素的第一电极层107的远离衬底基板101的一侧的第一发光功能层108不会被激光刻蚀。
S404：在第一发光功能层108的远离衬底基板101的一侧，形成第一子像素的第二电极层113以及在金属隔离层201的远离衬底基板101的一侧覆盖目标长度的第三电极层109，其中，第二电极层113的两端分别与金属隔离层201搭接。
具体地，如图9所示，同时在第一发光功能层108的远离衬底基板101的一侧蒸镀第一子像素的第二电极层113，以及在金属隔离层201的远离衬底基板101的一侧蒸镀第三电极层109，其中，第二电极层113的材质与第三电极层109的材质相同；这样一来，节省工艺步骤，以及在第三电极层109和金属隔离层201上层叠第一封装层110。
如图10所示，对在金属隔离层201的远离衬底基板101的一侧的第三电极层109进行刻蚀，得到目标长度的第三电极层109，以及对第一封装层110进行刻蚀得到目标长度的第一封装层110。
另外，如图11所示，本申请实施例提供的方法还包括：在金属隔离层201与多个子像素中的第二子像素的第一电极层107对应的位置形成第一开口，在像素界定层103的与第二子像素的第一电极层107对应的位置形成像素开口，像素开口露出第二子像素的第一电极层107的至少部分区域。在第二子像素的第一电极层107的远离衬底基板101的一侧形成第二发光功能层108。在第二发光功能层108的远离衬底基板101的一侧形成第二子像素的第二电极层113，以及在金属隔离层201的远离衬底基板101的一侧形成目标长度的第三电极层109和第一封装层110。如此循环，直到在最后一个子像素形成第二电极层113。
需要说明的是，在对最后一个子像素的第一电极层107对应的位置形成第一开口后，金属隔离层201被各个第一开口分割为各个金属隔离柱201。进而，如图12所示，在第一封装层110上依次层叠第二封装层111和第三封装层112，以得到显示面板。
请参阅图13，本申请实施例还提供了一种显示面板制备方法，需要说明的是，本申请实施例所提供的显示面板制备方法，其基本原理及产生的技术效果和上述实施例相同，为简要描述，本申请实施例部分未提及之处，可参考上述的实施例中相应内容。具体地，如图13所示，本申请实施例提供的显示面板制备方法包括：
S1301：在衬底基板101的一侧形成多个子像素的第一电极层107，并在多个第一电极层107依次层叠像素界定层103和金属隔离层201。
S1302：如图14所示，在金属隔离层201与多个子像素中的第一子像素的第一电极层107对应的位置形成第一开口，在像素界定层103的与第一子像素的第一电极层107对应的位置形成像素开口，像素开口露出第一子像素的第一电极层107的至少部分区域。
S1303：在第一子像素的第一电极层107的远离衬底基板101的一侧依次层叠第一发光功能层108和第二电极层113，第二电极层113的两端分别搭接于金属隔离层201。
具体地，如图15所示，在第一子像素的第一电极层107的远离衬底基板101的一侧、以及金属隔离层201的远离衬底基板101的一侧依次层叠第一发光功能层108和第二电极层113。进而，如图16所示，使用第一激光透过位于第二电极层113上方的掩膜层114，以对金属隔离层201的远离衬底基板101的一侧的第二电极层113进行刻蚀；使用第二激光透过位于第一发光功能层108上方的掩膜层114，以对金属隔离层201的远离衬底基板101的一侧的第一发光功能层108进行刻蚀。如此，如图17所示，可以在第一子像素的第一电极层107的远离衬底基板101的一侧依次层叠第一发光功能层108和第二电极层113。
其中，第二激光的光强小于第一激光的光强，掩膜层114被划分为遮光区115和透光区，且遮光区115与第一子像素的第二电极层113和第一发光功能层108的位置对应。如此，才能保证在第一子像素的第一电极层107的远离衬底基板101的一侧依次层叠的第一发光功能层108和第二电极层113不会刻蚀。
S1304：如图18所示，在金属隔离层201和第二电极层113的远离衬底基板101的一侧覆盖第三电极层109。
在S1304之后，本申请实施例提供的方法还可以包括：
如图19所示，在金属隔离层201与多个子像素中的第二子像素的第一电极层107对应的位置形成第一开口，在像素界定层103的与第二子像素的第一电极层107对应的位置形成像素开口，像素开口露出第二子像素的第一电极层107的至少部分区域。在第二子像素的第一电极层107的远离衬底基板101的一侧依次层叠第二发光功能层108和第二电极层113，第二电极层113的两端分别搭接于金属隔离层201。在金属隔离层201和第二电极层113的远离衬底基板101的一侧覆盖第三电极层109。如此循环，直到在最后一个子像素形成第三电极层109。需要说明的是，在对最后一个子像素的第一电极层107对应的位置形成第一开口后，金属隔离层201被各个第一开口分割为各个金属隔离柱。
如图20所示，在第三电极层109上依次形成第一封装层110、第二封装层111以及第三封装层112，以得到显示面板。
另外，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一实施例提供的显示面板。其中，显示装置可以为但不限于手机、平板电脑、或者VR设备等，在此不作限定。
在以上的描述中，对于各层的构图等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。
尽管已描述了本申请的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (15)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板；
在所述衬底基板上呈阵列排布的多个像素，每个像素包括多个子像素，每个子像素包括层叠设置在所述衬底基板上的第一电极层、有机发光功能层以及第二电极层；
位于所述衬底基板上的像素界定层，所述像素界定层包括多个像素开口，每个像素开口对应于一个所述子像素；
金属隔离柱，设置在所述像素界定层的远离所述衬底基板的一侧，且所述金属隔离柱围绕各个所述子像素设置，用于隔断相邻子像素的所述有机发光功能层，每个所述子像素的第二电极层的两端分别搭接在所述金属隔离柱上；
所述金属隔离柱的远离所述像素界定层的一侧设置有第三电极层，且所述第三电极层与所述金属隔离柱接触。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第三电极层的厚度范围为(100A，200A)。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极层和所述第三电极层的材质相同。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述金属隔离柱包括在所述像素界定层上依次层叠设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层，其中，所述第二电极层的两端分别搭接于所述第一金属层。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极层和所述第三电极层的远离所述衬底基板的一侧设置有第一封装层。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第三电极层还包括设置于所述第二电极层远离所述衬底基板的一侧的区域；
所述第三电极层从位于所述金属隔离柱的远离所述像素界定层的一侧的区域，延伸至所述设置于所述第二电极层远离所述衬底基板的一侧的区域。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述金属隔离柱包括在所述像素界定层上依次层叠设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层，其中，所述第一金属层的材质与所述第三金属层的材质相同，所述第二电极层搭接于所述第一金属层；
所述第二电极层与所述第二金属层间隔设置，所述第三电极层通过所述第二电极层与所述第二金属层之间的间隙，分别与所述第二金属层、所述第三金属层接触。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述有机发光功能层位于所述像素开口内；
或者，所述有机发光功能层的两端从所述像素开口内伸出并分别与所述金属隔离柱搭接。
9.一种显示面板制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板的一侧形成多个子像素的第一电极层，并在多个所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧依次层叠像素界定层和金属隔离层；
在所述金属隔离层与所述多个子像素中的第一子像素的第一电极层对应的位置形成第一开口，在所述像素界定层的与所述第一子像素的第一电极层对应的位置形成像素开口，所述像素开口露出所述第一子像素的第一电极层的至少部分区域；
在所述第一子像素的第一电极层的远离所述衬底基板的一侧形成第一发光功能层；
在所述第一发光功能层的远离衬底基板的一侧，形成所述第一子像素的第二电极层以及在所述金属隔离层的远离衬底基板的一侧覆盖目标长度的第三电极层，其中，所述第二电极层的两端分别与所述金属隔离层搭接。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述发光功能层的远离衬底基板的一侧形成所述第一子像素的第二电极层以及在所述金属隔离层的远离衬底基板的一侧形成目标长度的第三电极层，包括：
同时在所述第一发光功能层的远离衬底基板的一侧蒸镀所述第一子像素的第二电极层，以及在所述金属隔离层的远离衬底基板的一侧蒸镀第三电极层，其中，所述第二电极层的材质与所述第三电极层的材质相同；
对在所述金属隔离层的远离衬底基板的一侧的第三电极层进行刻蚀，得到所述目标长度的第三电极层。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述第一子像素的第一电极层的远离所述衬底基板的一侧形成第一发光功能层，包括：
在所述第一子像素的第一电极层的远离所述衬底基板的一侧、所述金属隔离层的远离所述衬底基板的一侧同时蒸镀第一发光功能层；
使用激光透过位于所述第一发光功能层上方的掩膜层，以对所述金属隔离层的远离所述衬底基板的一侧的第一发光功能层进行刻蚀，其中，所述掩膜层被划分为遮光区和透光区，且所述遮光区与所述第一子像素的第一电极层上的第一发光功能层的位置对应。
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述第一发光功能层的远离衬底基板的一侧形成所述第一子像素的第二电极层以及在所述金属隔离层的远离衬底基板的一侧形成目标长度的第三电极层之后，所述方法还包括：
在所述金属隔离层与所述多个子像素中的第二子像素的第一电极层对应的位置形成第一开口，在所述像素界定层的与所述第二子像素的第一电极层对应的位置形成像素开口，所述像素开口露出所述第二子像素的第一电极层的至少部分区域；
在所述第二子像素的第一电极层的远离所述衬底基板的一侧形成第二发光功能层；
在所述第二发光功能层的远离衬底基板的一侧形成所述第二子像素的第二电极层以及在所述金属隔离层的远离衬底基板的一侧形成目标长度的第三电极层。
13.一种显示面板制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板的一侧形成多个子像素的第一电极层，并在多个所述第一电极层依次层叠像素界定层和金属隔离层；
在所述金属隔离层与所述多个子像素中的第一子像素的第一电极层对应的位置形成第一开口，在所述像素界定层的与所述第一子像素的第一电极层对应的位置形成像素开口，所述像素开口露出所述第一子像素的第一电极层的至少部分区域；
在所述第一子像素的第一电极层的远离所述衬底基板的一侧依次层叠第一发光功能层和第二电极层，所述第二电极层的两端分别搭接于所述金属隔离层；
在所述金属隔离层和所述第二电极层的远离所述衬底基板的一侧覆盖第三电极层。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一子像素的第一电极层的远离所述衬底基板的一侧依次层叠第一发光功能层和第二电极层，包括：
在所述第一子像素的第一电极层的远离所述衬底基板的一侧、以及所述金属隔离层的远离衬底基板的一侧依次层叠第一发光功能层和第二电极层；
使用第一激光透过位于所述第二电极层上方的掩膜层，以对所述金属隔离层的远离所述衬底基板的一侧的第二电极层进行刻蚀；
使用第二激光透过位于所述第一发光功能层上方的掩膜层，以对所述金属隔离层的远离所述衬底基板的一侧的第一发光功能层进行刻蚀；其中，第二激光的光强小于所述第一激光的光强；
其中，所述掩膜层被划分为遮光区和透光区，且所述遮光区与所述第一子像素的第二电极层的位置对应。
15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一所述的显示面板。
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