CN112262477A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
显示装置包括：基板，该基板包括开口区、显示区以及在开口区和显示区之间的非显示区；像素阵列，该像素阵列包括位于显示区中的多个像素，多个像素中的每一个具有像素电极、面向像素电极的相对电极以及在像素电极和相对电极之间的中间层；在非显示区中的绕过开口区的多个数据线；覆盖多个数据线的第一绝缘层和第二绝缘层；在第一绝缘层和第二绝缘层之间的导电层；以及覆盖像素阵列的薄膜封装层，该薄膜封装层包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层，其中限定在第一绝缘层、导电层和第二绝缘层中的第一槽位于非显示区中。
Description
技术领域
本公开涉及显示装置。
背景技术
最近，显示装置已用于各种领域。而且，随着显示装置已变得更薄且更轻量，它们的使用范围已逐渐扩展。
随着显示装置的显示区所占的面积增加，可与显示装置组合或关联的功能的数量已增加。作为向显示装置添加各种功能同时增加显示区的方式，已经对具有形成在显示区中的开口的显示装置进行了研究。
发明内容
技术问题
在形成具有开口的显示装置时，随着封装构件和结构之间的结合力减弱，封装构件可从其下方的结构向上移动。
本公开要解决包括上面问题的许多问题，并且提供其中防止封装构件向上移动的显示装置。然而，该目标只是示例，并且本公开的范围不受其限制。
问题解决方案
根据本公开的方面，显示装置包括：基板，该基板包括开口区、显示区以及在开口区和显示区之间的非显示区；像素阵列，该像素阵列包括位于显示区中的多个像素，多个像素中的每一个具有像素电极、面向像素电极的相对电极以及在像素电极和相对电极之间的中间层；在非显示区中的绕过开口区的多个数据线；覆盖多个数据线的第一绝缘层和第二绝缘层；在第一绝缘层和第二绝缘层之间的导电层；以及覆盖像素阵列的薄膜封装层，薄膜封装层包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层，其中限定在第一绝缘层、导电层和第二绝缘层中的第一槽位于非显示区中。
第一槽可与多个数据线重叠。
对应于第一槽的导电层的开放区的宽度可小于第一绝缘层的开放区的宽度。
中间层和相对电极中的至少一个可朝向开口区延伸并且可在导电层的第一槽周围断开。
至少一个有机封装层的一部分可位于第一槽中。
至少一个无机封装层可完全覆盖第一槽的内表面。
第一槽可围绕开口区。
显示装置可进一步包括布置在基板和第一绝缘层下方的多绝缘层，以及限定在多绝缘层和基板中的第二槽。
第二槽可在开口区和第一槽之间，并且围绕开口区。
至少一个有机封装层可朝向开口区延伸并且可在第二槽周围断开。
第二绝缘层可覆盖像素电极的边缘。
根据本公开的另一方面，显示装置包括：基板，该基板包括开口；像素阵列，该像素阵列包括位于基板上并且围绕开口的多个像素，多个像素中的每一个包括显示元件，该显示元件包括像素电极、在像素电极上的中间层以及在中间层上的相对电极；位于开口和像素阵列之间的多个数据线，该多个数据线沿着开口的边缘绕过；以及布置在多个数据线上的多层，该多层具有限定在其中的第一槽。
中间层和相对电极中的至少一个可在第一槽周围断开。
多层可包括具有第一开放区的第一层；布置在第一层下方的第二层，该第二层具有第二开放区；以及布置在第一层上的第三层，该第三层具有第三开放区，其中第一开放区的宽度可小于第二开放区的宽度。
第一层可与像素电极包括相同的材料，并且第二层和第三层可包括绝缘材料。
显示装置可进一步包括覆盖像素阵列的薄膜封装层，该薄膜封装层包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。
至少一个有机封装层的一部分可位于第一槽中。
至少一个有机封装层可朝向开口延伸并且可在开口和第一槽之间的区中断开。
显示装置可进一步包括在基板和多层之间的多绝缘层，以及限定在多绝缘层和基板中的第二槽。
第二槽可在开口和第一槽之间，并且围绕开口。
除了上述方面、特征和优势之外的其他方面、特征和优势将从本公开的下述附图、权利要求和详细描述中变得显而易见。
本公开的有益效果
根据本公开的实施方式，能够有效防止开口周围的薄膜封装层的抬起，特别地，防止其中相对于绕过开口周围的数据线发生薄膜封装层的抬起的现象，并且因此防止对开口周围的像素的损坏。然而，这些效果是示例性的，并且本公开的范围不受其限制。
附图说明
图1为示出根据本公开的实施方式的显示装置的示意性平面图；
图2为根据本公开的实施方式的显示装置的像素的等效电路图；
图3为示出根据本公开的实施方式的显示装置中的开口的外围的平面图；
图4为根据本公开的实施方式的显示装置的截面图；
图5A为示出根据本公开的实施方式的显示装置的第一槽的截面图；
图5B为示出第一槽和其上的堆叠结构的截面图；
图6A为示出根据本公开的实施方式的显示装置的第二槽的截面图；
图6B为示出第二槽和其上的堆叠结构的截面图；
图7为示出根据本公开的实施方式的显示装置中的开口周围的槽的平面图；
图8为示出根据本公开的实施方式的显示装置中的开口周围的有机封装层的平面图；
图9为示出根据本公开的另一实施方式的显示装置的示意性平面图；
图10为示出根据本公开的另一实施方式的显示装置的示意性平面图；
图11为示出根据本公开的另一实施方式的显示装置中的开口周围的槽的平面图；并且
图12为示出根据本公开的另一实施方式的显示装置中的开口周围的有机封装层的平面图。
具体实施方式
因为本公开可具有各种修改和若干实施方式，所以在附图中显示并且将详细地描述实施方式。将参考下面详细描述的实施方式以及所附附图一起说明效果、特征、以及实现其的方法。然而，实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于本文阐述的描述。
下文，将通过参考所附附图解释本公开的实施方式来详细描述本公开，并且附图中相同的附图标记表示相同的元件并且因此将省略它们的描述。
应当理解，尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种组件，但这些组件不应受这些术语的限制，并且这些术语仅用于区分一个组件与另一个组件。
如本文使用的，单数形式“一个(a)”、“一种(an)”和“所述(the)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
应进一步理解，本文使用的术语“包括(includes)”、“包括(including)”、“具有(has)”和/或“具有(having)”指定存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征或组件。
应当理解，当层、区域或组件被称为“形成”在另一层、区域或组件“上”时，它可直接或间接形成在另一层、区域或组件上。即，例如，可存在中间层、区域或组件。
为了便于描述，附图中的元件的尺寸可放大或减小。换句话说，因为为了便于描述，随意地示出附图中的组件的尺寸和厚度，所以下述实施方式不限于此。
当某一实施方式可不同地实施时，可与所描述的顺序不同地进行具体的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时进行或以与所描述的顺序相反的顺序进行。
应当理解，当层、区域或组件被称为“连接”至另一层、区域或组件时，它可“直接连接”至其他层、区域或组件；或可“间接连接”至其他层、区域或组件，其中在它们之间插入另一层、区域或组件。例如，应当理解，当层、区域或组件被称为“连接至或电连接”至另一层、区域或组件时，它可“直接电连接”至其他层、区域或组件；或可“间接连接或电连接”至其他层、区域或组件，其中在它们之间插入其他层、区域或组件。
显示装置可包括有机发光显示装置、无机电致发光(EL)显示装置(或无机发光显示装置)或量子点发光显示装置等。下文，作为根据本公开的实施方式的显示装置，描述有机发光显示装置作为示例。然而，本公开的显示装置不限于此，并且可使用各种类型的显示装置。
图1为示出根据本公开的实施方式的显示装置1的示意性平面图。
参考图1，显示装置1包括显示区DA和非显示区NDA。显示区DA为提供某一图像的区，并且包括像素阵列，该像素阵列包括多个像素P。像素P中的每一个可包括显示元件，比如有机发光二极管(OLED)。
像素P可通过有机发光二极管发射红色、绿色、蓝色或白色光。本说明书中的像素P可理解为发射如上所述的红色、绿色、蓝色和白色中的任何一种的光的像素。显示区DA可用封装构件覆盖，并且因此可被保护免受外部空气或水分影响。
开口OP可提供在显示区DA内侧。开口OP可被像素P围绕。开口OP可为针对用于显示装置1的功能的单独的电子元件的区，或针对用来添加新功能的单独的电子元件的区。例如，当显示装置1包括电子元件(比如照相机、声学元件或用于识别距离或指纹等的传感器)时，电子元件可布置为与开口OP重叠。
非显示区NDA可包括邻近于显示区DA的内边缘的第一非显示区NDA1，和邻近于显示区DA的外边缘的第二非显示区NDA2。第一非显示区NDA1和第二非显示区NDA2可彼此间隔开，其中显示区DA在它们之间。
第一非显示区NDA1为不提供图像的区，并且可位于显示区DA的开口OP和像素阵列之间。第一非显示区NDA1可围绕开口OP。第一非显示区NDA1可被显示区DA的像素阵列围绕。在第一非显示区NDA1中，将电信号提供至邻近于开口OP的像素P的布线可绕过，并且布线可沿着开口OP的边缘弯曲。
第二非显示区NDA2为不提供图像的区，并且驱动器(例如，扫描驱动器、数据驱动器等)和用于传输电信号或功率(该电信号或功率被传输至每个像素P)的布线可布置在第二非显示区NDA2中。
图1可理解为显示装置1中的基板100的状态。例如，可理解，基板100具有对应于开口OP的开口区、显示区DA以及第一非显示区NDA1和第二非显示区NDA2。基板100可包括比如玻璃、金属或有机材料的材料。根据实施方式，基板100可包括柔性材料。例如，基板100可包括可很好地弯曲或卷曲的金属材料，或比如有机聚合物树脂的材料，该有机聚合物树脂包括比如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺的聚合物。
图2为根据本公开的实施方式的显示装置的像素P的等效电路图。
参考图2，像素P包括像素电路PC和连接至像素电路PC的显示元件。在图2中，示出有机发光二极管OLED作为显示元件。像素电路PC可包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。
第二薄膜晶体管T2为开关薄膜晶体管并且连接至扫描线SL和数据线DL，并且可配置为响应于从扫描线SL输入的开关电压而将从数据线DL输入的数据电压传送至第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可连接至第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可存储对应于从第二薄膜晶体管T2传送的电压和供应至驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差的电压。
第一薄膜晶体管T1为驱动薄膜晶体管，并且可连接至驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可响应于存储在存储电容器Cst中的电压值，控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可通过使用驱动电流发射具有某一亮度的光。有机发光二极管OLED的相对电极(例如，阴极)可接收第二电源电压ELVSS。
尽管在图2中显示像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但本公开不限于此。薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可取决于像素电路PC的设计而不同地修改。
图3为示出根据本公开的实施方式的显示装置中的开口的外围的平面图。
参考图3，多个像素P布置在开口OP周围。如上面参考图2所描述的，像素P中的每一个可包括有机发光二极管，并且有机发光二极管电连接至扫描线和数据线等。图3显示数据线DL。
数据线DL电连接至数据驱动器1100。数据驱动器1100可为面板上芯片(COP)型并且布置在第二非显示区NDA2(见图1)中，或可为膜上芯片(COF)型并且布置在电连接至在第二非显示区NDA2中提供的端子的柔性电路板(未显示)上。
位于开口OP周围的一些数据线DL可弯曲以沿着第一非显示区NDA1中的开口OP的边缘绕过。
尽管在图3中未显示，但扫描线可在与数据线DL相交的方向(例如，x方向)上延伸，并且可如同数据线DL一样沿着第一非显示区NDA1中的开口OP的边缘弯曲。可替代地，扫描线可在开口OP周围被切割。在该情况下，连接至布置在开口OP的左侧的像素P的扫描线和连接至布置在开口OP的右侧的像素P的扫描线中的每一个可单独地连接至扫描驱动器。
图4为根据本公开的实施方式的显示装置的截面图，并且对应于沿着图3的线IV-IV'截取的截面图。图5A为示出根据本公开的实施方式的显示装置的第一槽的截面图，并且图5B为示出第一槽和在其上的堆叠结构的截面图。图6A为示出根据本公开的实施方式的显示装置的第二槽的截面图，并且图6B为示出第二槽和在其上的堆叠结构的截面图。图7为示出根据本公开的实施方式的显示装置中的开口周围的槽的平面图，并且图8为示出根据本公开的实施方式的显示装置中的开口周围的有机封装层的平面图。
参考图4，基板100包括对应于开口OP的开口区OA、其中布置显示元件的显示区DA、以及在开口区OA和显示区DA之间的第一非显示区NDA1。
基板100可具有包括基底层和屏障层的多层结构。就此而言，图4示出基板100包括顺序堆叠的第一基底层101、第一屏障层102、第二基底层103和第二屏障层104。
第一基底层101和第二基底层103可各自包括聚合物树脂，比如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物(polyallylate)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)。
第一屏障层102和第二屏障层104可各自包括氧化硅或氮化硅等。在本公开的非限制性实施方式中，第一屏障层102可为包括非晶硅层和氧化硅层的多层以提高相邻层之间的粘附性，并且第二屏障层104可为氧化硅层。然而，本公开不限于此。
缓冲层110(其形成为防止杂质穿透至薄膜晶体管的半导体层中)可布置在基板100上。缓冲层110可包括无机绝缘材料，比如氮化硅或氧化硅，并且可为包括上述无机绝缘材料的单层或多层。在一些实施方式中，基板100的第二屏障层104可理解为具有多层结构的缓冲层110的一部分。
第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2以及存储电容器Cst等可布置在缓冲层110上。
第一薄膜晶体管T1可为驱动薄膜晶体管并且可包括半导体层Act1、栅电极G1、源电极S1和漏电极D1。第二薄膜晶体管T2可为开关薄膜晶体管并且可包括半导体层Act2、栅电极G2、源电极S2和漏电极D2。第二薄膜晶体管T2的源电极S2可理解为上面参考图2描述的数据线的一部分。在本实施方式中，示出其中栅电极G1和G2分别布置在半导体层Act1和Act2上(其中栅绝缘层130在它们之间)的顶栅型。然而，根据另一实施方式，第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2可为底栅型。
半导体层Act1和Act2可各自包括多晶硅。可替代地，半导体层Act1和Act2可各自包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。
栅电极G1和G2可各自包括低电阻金属材料。例如，栅电极G1和G2可各自包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等的导电材料，并且可各自包括包含该材料的多层或单层。
栅绝缘层130在半导体层Act1和Act2与栅电极G1和G2之间，并且栅绝缘层130可包括无机绝缘材料，比如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪。
源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可各自包括具有良好的导电性的材料。例如，源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可各自包括包含Mo、Al、Cu或Ti等的导电材料，并且可各自包括包含该材料的多层或单层。在非限制性实施方式中，源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可各自包括Ti/Al/Ti的多层。
存储电容器Cst包括彼此重叠的下电极C1和上电极C2，其中第一层间绝缘层150在它们之间。存储电容器Cst可与第一薄膜晶体管T1重叠。就此而言，图4示出第一薄膜晶体管T1的栅电极G1为存储电容器Cst的下电极C1，并且存储电容器Cst被第二层间绝缘层170覆盖。然而，本公开不限于此。在另一实施方式中，存储电容器Cst可不与第一薄膜晶体管T1重叠。
第一层间绝缘层150和第二层间绝缘层170可各自包括无机绝缘材料，比如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪。
包括第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2以及存储电容器Cst的像素电路被第一绝缘层180覆盖。第一绝缘层180为平坦化绝缘层并且可包括有机绝缘材料，比如通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯基醇类聚合物或其共混物。
有机发光二极管OLED布置在第一绝缘层180上。有机发光二极管OLED的像素电极210设置在第一绝缘层180上，但是像素电极210的边缘被第二绝缘层190(其为像素限定层)覆盖。像素电极210可包括导电氧化物，比如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。在另一实施方式中，像素电极210可包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物的反射层。在另一实施方式中，像素电极210可进一步在上述反射层上面或下面包括包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
第二绝缘层190包括暴露像素电极210的顶表面的开口，但是覆盖像素电极210的边缘。第二绝缘层190可包括有机绝缘材料，比如通用聚合物(例如，PMMA或PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯基醇类聚合物或其共混物。作为实施方式，第一绝缘层180和第二绝缘层190可各自包括聚酰亚胺。可替代地，第二绝缘层190可包括无机绝缘材料，或无机绝缘材料和有机绝缘材料两者。
中间层220包括发射层。发射层可包括发射某一颜色的光的高分子量或低分子量有机材料。中间层220可包括至少一个功能层，即，空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。
构成中间层220的多个层中的一些，例如，一个或多个功能层，可不仅布置在显示区DA中，还布置在第一非显示区NDA1中，并且在第一非显示区NDA1中可由稍后描述的第一槽410和第二槽420断开。
相对电极230布置为面向像素电极210，其中中间层220在它们之间。相对电极230可包括具有低功函的导电材料。例如，相对电极230可包括(半)透明层，该(半)透明层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)、钙(Ca)或其合金。可替代地，相对电极230可进一步包括在包含上述材料的(半)透明层上的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
有机发光二极管OLED用薄膜封装层300覆盖。薄膜封装层300可包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。图4示出薄膜封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及它们之间的有机封装层320，但是层的堆叠顺序和数量可改变。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可各自包括选自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种无机绝缘材料，并且可通过化学气相沉积(CVD)形成。有机封装层320可包括聚合物类材料。聚合物类材料的实例可包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
参考图4，第一非显示区NDA1可包括第一至第三区A1、A2和A3。
第一区A1为用于确保在去除对应于开口区OA的基板100和在其上的堆叠结构以便形成开口OP的工艺中的切割余量的区，并且第二区A2为具有凹陷结构以防止侧面水分穿透的区。第二槽420可位于第二区A2中。第二槽420可限定在基板100和基板100上的多绝缘层中。图4示出形成两个第二槽420，并且示出有机封装层320在两个第二槽420中的一个周围断开。在形成在基板100上的层中，包括有机材料的层可为外来物质(比如水分或氧)的穿透路径，但是因为有机封装层320在第二区A2中断开，所以可防止水分在横向方向(即，x方向)上穿透。
第三区A3为其中沿着开口OP的边缘绕过的数据线DL布置在开口OP周围的区。位于第三区A3中的数据线DL可交替地布置，其中绝缘层在它们之间。例如，邻近的数据线DL可分别布置在下面和上面，其中绝缘层(例如，第二层间绝缘层170)在它们之间，从而减小邻近的数据线DL之间的距离(间距)。通过该结构，第一区A1的宽度可减小，并且第一非显示区NDA1的宽度也可减小。
在制造具有开口OP的显示装置的工艺中，如上所述进行去除对应于开口区OA的基板100和在其上的堆叠结构的工艺。在该情况下，可使用激光进行去除工艺。因为由于用于形成开口OP的去除工艺而传输冲击，所以可发生薄膜封装层300的抬起，并且薄膜封装层300的抬起现象很可能发生在与薄膜封装层300的结合力相对弱的第三区A3中。然而，根据本公开的实施方式，因为第一槽410位于第三区A3中，所以薄膜封装层300和其下方的结构之间的结合力可增强，从而防止或减少薄膜封装层300的抬起现象。第一槽410位于数据线DL上。第一槽410可与数据线DL重叠。
参考图5A，第一槽410限定在多层ML中。多层ML可覆盖上面参考图4描述的第三区A3的数据线DL，并且可包括顺序堆叠的第一绝缘层180、导电层185和第二绝缘层190。导电层185可与参考图4描述的像素电极210包括相同的材料。
第一槽410可形成为沿着多层ML的深度方向具有某一深度。第一槽410可通过去除部分的第二绝缘层190、导电层185和第一绝缘层180而形成。在部分的第二绝缘层190、导电层185和第一绝缘层180开放的同时形成的第一槽410，可取决于其位置而具有不同的宽度。
导电层185的开放区(开口)的第一宽度W1小于导电层185下面的第一绝缘层180的开放区(开口)的第二宽度W2。第二绝缘层190的开放区的第三宽度W3可大于第一宽度W1。换句话说，导电层185的内边缘可比第一绝缘层180和第二绝缘层190的内边缘进一步朝向第一槽410的中心轴延伸。可使用激光或通过蚀刻(干/湿)工艺形成第一槽410。
在图5A中，第二绝缘层190和导电层185的开放区可形成为在其厚度方向上穿透第二绝缘层190和导电层185，但是第一绝缘层180的开放区可形成为相对于第一绝缘层180的顶表面是凹形的。在另一实施方式中，第一绝缘层180的开放区可形成为在其厚度方向上穿透第一绝缘层180，但是在该情况下，数据线DL(见图4)可用另一绝缘层覆盖以免通过第一槽410暴露。
如图5A中显示，当中间层220和相对电极230形成在具有第一槽410的基板100上时，中间层220和相对电极230中的至少一个可在第一槽410周围断开。就此而言，图5B示出中间层220和相对电极230被第一槽410断开。
中间层220和相对电极230可通过使用掩模的蒸发方法来沉积。在该情况下，中间层220和相对电极230通过由导电层185(其为朝向第一槽410的中心轴延伸的层)和其下方的第一绝缘层180形成的屋檐结构(底切结构)断开。如图7中显示，第一槽410完全围绕第一非显示区NDA1中的开口OP。因此，中间层220和相对电极230的断开区也可具有围绕开口OP的环形状。
如图5B中显示，因为不同于中间层220和相对电极230，第一无机封装层310具有相对优异的阶梯覆盖，所以第一无机封装层310可连续形成而不断开以覆盖第一槽410的整个内表面。例如，第一无机封装层310可完全覆盖第二绝缘层190的侧表面，导电层185的顶表面、侧表面和底表面，以及第一绝缘层180的侧表面和底表面。
有机封装层320的一部分可位于第一槽410中。由于中间层220和相对电极230中的至少一个被第一槽410和第一无机封装层310断开，并且有机封装层320填充第一槽410的内部空间，因此可有效防止在开口形成工艺中可能发生的薄膜封装层300的剥离。薄膜封装层300和其下方的结构(即，第一槽410)之间的结合力，可通过取决于其位置具有不同的宽度的第一槽410的形状(锚形状)而进一步增加。
参考图6A，类似于第一槽410，第二槽420也可具有取决于其位置具有不同的宽度的锚形状。
第二槽420限定在多绝缘层MIL中。多绝缘层MIL可包括上面参考图4描述的基板100、缓冲层110、栅绝缘层130、第一层间绝缘层150和第二层间绝缘层170。图6A示出基板100的第二基底层103和第二屏障层104为多绝缘层MIL的部分。
第二槽420可形成为在多绝缘层MIL的深度方向上具有某一深度。例如，可通过部分地去除第二层间绝缘层170、第一层间绝缘层150、栅绝缘层130、缓冲层110、第二屏障层104和第二基底层103而形成第二槽420。
在实施方式中，包括第二层间绝缘层170、第一层间绝缘层150和栅绝缘层130的堆叠体(下文，称为上层)可在形成用于参考图4描述的显示区DA中的源电极S1和S2或漏电极D1和D2与半导体层Act1和Act2之间的接触的接触孔的工艺中去除。随后，可进行去除包括缓冲层110和第二屏障层104的堆叠体(下文，称为中层)的一部分以及第二基底层103(下文，称为下层)的一部分的工艺。可在形成第一槽410的工艺(激光、蚀刻等)中去除中层和下层的部分。
中层的开放区的第四宽度W4小于中层下方的下层的开放区的第五宽度W5。上层的开放区的第六宽度W6可大于第四宽度W4。换句话说，中层的内边缘可比下层和上层的内边缘进一步朝向第二槽420的中心轴延伸。
如图6A中显示，当中间层220和相对电极230形成在具有第二槽420的基板100上时，中间层220和相对电极230中的至少一个可在第二槽420周围断开。就此而言，图6B示出中间层220和相对电极230被第二槽420断开。如图7中显示，第二槽420完全围绕第一非显示区NDA1中的开口OP。因此，中间层220和相对电极230的断开区也可具有围绕开口OP的环形状。
如图6B中显示，因为如上所述第一无机封装层310具有相对优异的阶梯覆盖，所以第一无机封装层310可连续形成而不断开以覆盖第二槽420的整个内表面。
当多个第二槽420如图6B中显示定位时，有机封装层320可位于第二槽420中的任何一个中。然而，有机封装层320不位于多个第二槽420中的邻近于开口OP的至少一个第二槽420中。如图4和图8中显示，有机封装层320在邻近于开口OP的至少一个第二槽420周围断开。例如，有机封装层320可包括沿着第二槽420彼此间隔开的内部分和外部分，并且内部分可具有围绕开口OP的环形状。即使外来物质(比如水分)在从开口OP朝向显示区DA的横向方向上穿透通过有机封装层320，也可防止外来物质达到显示区DA的有机发光二极管，因为有机封装层320被断开。
尽管参考图5A和图5B描述的第一槽410已经主要描述为布置在第三区A3中，但本公开的实施方式不限于此。如图4中显示，第一槽410也可位于第一区A1中。因此，同样在第一区A1中，可在第一槽410周围去除中间层220和相对电极230的至少部分，并且由于薄膜封装层300的一部分位于第一槽410中，因此可使薄膜封装层300的剥掉最小化。
图9为示出根据本公开的另一实施方式的显示装置2的示意性平面图。
参考图9，显示装置2可包括多个开口OP。开口OP可位于显示区DA中。第一非显示区NDA1布置在开口OP和显示区DA之间，并且第一非显示区NDA1可围绕开口OP。显示区DA可被第二非显示区NDA2围绕。因为以每个开口OP为中心的结构与上面参考图2至图8描述的相同，所以省略重复描述。
图10为示出根据本公开的另一实施方式的显示装置3的示意性平面图，图11为示出根据本公开的另一实施方式的显示装置中的开口周围的槽的平面图，并且图12为示出根据本公开的另一实施方式的显示装置中的开口周围的有机封装层的平面图。
参考图10，显示装置3可包括多个开口OP。开口OP可位于显示区DA中。第一非显示区NDA1布置在开口OP和显示区DA之间，并且第一非显示区NDA1可完全围绕多个开口OP。显示区DA可被第二非显示区NDA2围绕。
如图11中显示，布置在第一非显示区NDA1中的多个开口OP中的每一个可被第一槽410和第二槽420围绕，并且第一槽410和第二槽420的截面结构如上面参考图4至图6B描述。
如上所述，薄膜封装层(即，图4中的薄膜封装层300)不仅覆盖显示区DA，还覆盖第一非显示区NDA1。然而，有机封装层(即，图4中的有机封装层320)可为水分提供穿透路径，并且因此可在开口OP周围不连续地形成。参考图12，有机封装层320可在围绕布置在第一非显示区NDA1中的多个开口OP中的每一个的第二槽420周围断开。有机封装层320可包括在第二槽420周围断开的内部分和外部分，并且有机封装层320的内部分可具有围绕开口OP中的每一个的环形状。有机封装层320的外部分与内部分间隔开某一间隔，并且可覆盖显示区DA和第一非显示区NDA1中的邻近的开口OP之间的区。
尽管图1至图12示出其中开口OP为圆形的情况，但本公开不限于此。开口OP可具有各种形状，比如多边形(比如正方形)或椭圆形，并且开口OP的数量可不同地改变。
尽管图1至图12示出其中围绕开口OP的第一非显示区NDA1沿着开口OP的形状是圆的情况，但本公开不限于此。第一非显示区NDA1可具有各种形状，比如多边形(比如正方形)或椭圆形，并且第一非显示区NDA1的形状不受限制。
尽管图1至图12示出其中显示区DA为大致正方形的情况，但本公开不限于此。显示区DA可具有各种形状，比如多边形(比如三角形或五角形)、圆形或椭圆形。应理解，本文所述的实施方式应仅以描述性意义考虑而不是为了限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应视为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参考图描述了一个或多个实施方式，但本领域普通技术人员将理解，在不背离由以下权利要求限定的精神和范围的情况下，可在其中作出形式和细节上的各种改变。
Claims (20)
1.一种显示装置，包括：
基板，所述基板包括开口区、显示区以及在所述开口区和所述显示区之间的非显示区；
像素阵列，所述像素阵列包括位于所述显示区中的多个像素，所述多个像素中的每一个包括像素电极、面向所述像素电极的相对电极以及在所述像素电极和所述相对电极之间的中间层；
在所述非显示区中的绕过所述开口区的多个数据线；
覆盖所述多个数据线的第一绝缘层和第二绝缘层；
在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的导电层；以及
覆盖所述像素阵列的薄膜封装层，所述薄膜封装层包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层，
其中限定在所述第一绝缘层、所述导电层和所述第二绝缘层中的第一槽位于所述非显示区中。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第一槽与所述多个数据线重叠。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中对应于所述第一槽的所述导电层的开放区的宽度小于所述第一绝缘层的开放区的宽度。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中所述中间层和所述相对电极中的至少一个朝向所述开口区延伸并且在所述导电层的所述第一槽周围断开。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中所述至少一个有机封装层的一部分位于所述第一槽中。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中所述至少一个无机封装层完全覆盖所述第一槽的内表面。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第一槽围绕所述开口区。
8.如权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
布置在所述基板和所述第一绝缘层下方的多绝缘层；以及
限定在所述多绝缘层和所述基板中的第二槽。
9.如权利要求8所述的显示装置，其中所述第二槽在所述开口区和所述第一槽之间，并且围绕所述开口区。
10.如权利要求8所述的显示装置，其中所述至少一个有机封装层朝向所述开口区延伸并且在所述第二槽周围断开。
11.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第二绝缘层覆盖所述像素电极的边缘。
12.一种显示装置，包括：
基板，所述基板包括开口；
像素阵列，所述像素阵列包括位于所述基板上并且围绕所述开口的多个像素，所述多个像素中的每一个包括显示元件，所述显示元件包括像素电极、在所述像素电极上的中间层以及在所述中间层上的相对电极；
位于所述开口和所述像素阵列之间的多个数据线，所述多个数据线沿着所述开口的边缘绕过；以及
布置在所述多个数据线上的多层，所述多层具有限定在其中的第一槽。
13.如权利要求12所述的显示装置，其中所述中间层和所述相对电极中的至少一个在所述第一槽周围断开。
14.如权利要求12所述的显示装置，其中所述多层包括：
具有第一开放区的第一层；
布置在所述第一层下方的第二层，所述第二层具有第二开放区；以及
布置在所述第一层上的第三层，所述第三层具有第三开放区，
其中所述第一开放区的宽度小于所述第二开放区的宽度。
15.如权利要求14所述的显示装置，其中所述第一层与所述像素电极包括相同的材料，并且
所述第二层和所述第三层包括绝缘材料。
16.如权利要求13所述的显示装置，进一步包括覆盖所述像素阵列的薄膜封装层，所述薄膜封装层包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。
17.如权利要求16所述的显示装置，其中所述至少一个有机封装层的一部分位于所述第一槽中。
18.如权利要求16所述的显示装置，其中所述至少一个有机封装层朝向所述开口延伸并且在所述开口和所述第一槽之间的区中断开。
19.如权利要求12所述的显示装置，进一步包括在所述基板和所述多层之间的多绝缘层，以及限定在所述多绝缘层和所述基板中的第二槽。
20.如权利要求19所述的显示装置，其中所述第二槽在所述开口和所述第一槽之间，并且围绕所述开口。
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