TW201411834A - 有機發光二極體顯示器及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種有機發光二極體(OLED)顯示器,該OLED顯示器係包括:一基材;一第一電極位於該基材上;一第一畫素定義層曝露至少一部分的該第一電極;一中間層位於該第一畫素定義層與該第一電極上,該中間層包括一第一區域與一第二區域;一第二畫素定義層與該第一畫素定義層重疊,該第一區域位於此二者之間;一光發射層與該第一電極重疊,該第一區域位於此二者之間;以及一第二電極覆蓋該第二畫素定義層與該光發射層。

Description

有機發光二極體顯示器及其製造方法
本發明各方面具體實施態樣係關於一種有機發光二極體(OLED)顯示器及一種製造該顯示器的方法。
OLED顯示器係一種經由激發發射性有機材料以發射光而顯示影像的自發射性顯示器裝置。OLED顯示器包括一陽極(即電洞注入電極)、一陰極(即電子注入電極)、以及一有機光發射層插入此二者之間。當電洞與電子注入該光發射層內,它們再結合以形成激子,其係自激發態轉變至基態時發射光。
有機光發射層係安置在OLED顯示器的各畫素處,各畫素中的有機光發射層係經由一畫素定層而在空間上分隔開。畫素定義層可經形成以具有大於有機光發射層的厚度,畫素定義層的表面可較有機光發射層的表面突出。
畫素定義層的厚度係與畫素保護有關。舉例言之,在有機光發射層上提供有封裝基材的結構中,當該封裝基材朝向畫素擠壓時,若畫素定義層的厚度太小,畫素會受到擠壓(如直接擠壓),導致深色斑點。再者,若畫素定義層的厚度太小,畫素 定義層下方線路與畫素定義層上方電極之間會出現不想要的電容。
本發明各方面具體實施態樣係關於一種OLED顯示器及一種製造該OLED顯示器的方法。其他方面係關於一種OLED顯示器,包括一畫素定義層與一有機光發射層,以及一種製造該OLED顯示器的方法。本發明具體實施態樣係提供一種OLED顯示器,可降低或避免由於擠壓畫素定義層而導致畫素出現深色斑點,其係藉由形成該畫素定義層以具有足夠大的厚度,且可減少畫素定義層上方與下方線路之間的電容。本發明其他具體實施態樣係提供一種製造OLED顯示器的方法,該顯示器具有一具足夠大厚度的畫素定義層。以下例示性具體實施態樣的說明,將描述本發明之這些與其他方面、或使於此技術領域中具有通常知識者更清楚本發明之這些與其他方面。
在根據本發明例示性具體實施態樣中,係提供一種有機發光二極體(OLED)顯示器。OLED顯示器係包括:一基材;一第一電極,位於該基材上;一第一畫素定義層,暴露至少一部分的該第一電極;一中間層,位於該第一畫素定義層與該第一電極上,該中間層包括一第一區域與一第二區域;一第二畫素定義層,與該第一畫素定層重疊,該第一區域位於此二者之間;一光發射層,與該第一電極重疊,該第一區域位於此二者之間;以及一第二電極,覆蓋該第二畫素定義層與該光發射層。
該第二區域可藉由表面改質該第一區域而形成,或者該第一區域可藉由表面改質該第二區域而形成。
該第二區域可具有低於該第一區域的濕潤性。
該第二區域可與該第一畫素定義層重疊,但未與該第二畫素定層重疊。
該第一畫素定義層可具有一第一厚度為1微米或更薄。該第一厚度與該第二畫素定義層厚度的總和係可大於1微米。
該中間層可為一供該OLED顯示器畫素用之共用層。
根據本發明另一例示性具體實施態樣,提供一種有機發光二極體(OLED)顯示器。該OLED顯示器係包括:一基材,支撐複數個畫素;一第一電極,位於各該畫素內;一中間層,位於該基材與該第一電極上,該中間層包含一第一區域與一第二區域;一畫素定義層,位於該第一區域上且設置在該畫素的邊界部分處;一光發射層,位於該第一區域上且與該第一電極重疊;以及一第二電極,覆蓋該畫素定義層與該光發射層。
該第二區域係可藉由表面改質該第一區域而形成,或者該第一區域係可藉由表面改質該第二區域而形成。
該第二區域可具有低於該第一區域的濕潤性。
該第二區域可未與該畫素定義層重疊。
該中間層可為一該畫素的共用層。
根據本發明又另一例示性具體實施態樣,提供一種製造有機發光二極體(OLED)顯示器的方法。該方法包括:形成 一第一電極於一基材上;形成一第一畫素定義層於該基材上,同時暴露至少一部分的該第一電極;形成一中間層於該第一畫素定義層與該第一電極上,該中間層包含一第一區域與一第二區域;形成一第二畫素定義層與該第一畫素定義層重疊,該第一區域位於此二者之間;形成一光發射層與該第一電極重疊,該第一區域位於此二者之間;以及形成一第二電極覆蓋該第二畫素定義層與該光發射層。
該中間層的形成係可包括藉由選擇性表面改質該第一區域以形成該第二區域,或者藉由選擇性表面改質該第二區域以形成該第一區域。
該選擇性表面改質係可包括選擇性紫外光(UV)照射。
該第二畫素定義層的形成係可包括噴嘴印刷或噴墨印刷。
該第一畫素定義層可具有一第一厚度為1微米或更薄,以及該第一厚度與該第二畫素定義層厚度的總和係可大於1微米。
根據本發明再又另一例示性具體實施態樣,提供一種製造有機發光二極體(OLED)顯示器的方法。該方法包括:形成一第一電極於一基材上;形成一中間層於該基材與該第一電極上,該中間層包括一第一區域與一第二區域;形成一畫素定義層於該第一區域上且在該畫素的邊界部分處;形成一光發射層於該 第一區域上且與該第一電極重疊;以及形成一第二電極覆蓋該畫素定義層與該光發射層。
該中間層的形成係可包括藉由選擇性表面改質該第一區域以形成該第二區域,或者藉由選擇性表面改質該第二區域以形成該第一區域。
該選擇性表面改質係可包括選擇性紫外光(UV)照射。
該畫素定義層的形成係可包括噴嘴印刷或噴墨印刷。
本發明之具體實施態樣係提供一種OLED顯示器,其具有的畫素定義層可經形成以具有足夠大厚度,以保護該畫素且減少不想要的電容,同時維持第一中間層的膜均勻性。因此,當一封裝基材朝向畫素擠壓時,畫素不受擠壓(如直接擠壓),從而壓制畫素中產生深色斑點。再者,由於畫素定義層的整體厚度增加,可減少不想要的電容、或避免畫素定義層上方與下方電極之間產生不想要的電容。
10、100、101‧‧‧OLED顯示器
11‧‧‧顯示器區域
12‧‧‧非顯示器區域
110‧‧‧基材
120‧‧‧第一電極
130‧‧‧第一畫素定義層
131‧‧‧畫素定義層
140、141‧‧‧第一中間層
140a、141b‧‧‧第一區域
140b、141a‧‧‧第二區域
140p、141p‧‧‧塗覆膜
150‧‧‧光發射層
160‧‧‧第二畫素定義層
170、171‧‧‧第二中間層
180、181‧‧‧第二電極
190‧‧‧封裝基材
200、201‧‧‧光罩
210、211‧‧‧光傳送部分
220、221‧‧‧光遮蔽部分
PX‧‧‧畫素
參考所附圖式,詳細描述較佳具體實施態樣,使本發明上述與其他特徵與方面更為清楚明顯,其中:第1圖係根據本發明具體實施態樣之OLED顯示器的示意圖;第2圖係根據本發明一具體實施態樣之OLED顯示器 的佈局圖;第3圖係第2圖中所示OLED顯示器的剖面圖;第4至9圖係繪示製造第2與3圖中所示OLED顯示器之方法之程序步驟的剖面圖;第10圖係根據本發明另一具體實施態樣之OLED顯示器之佈局圖;第11圖係第10圖所示OLED顯示器的剖面圖;以及第12至15圖係繪示製造第10與11圖所示OLED顯示器之方法之程序步驟的剖面圖。
參考以下例示性具體實施態樣的詳細說明與伴隨的圖式,可更輕易了解本發明各方面與特徵以及完成本發明的方法。惟,本發明可以不同形式體現且不該被理解為僅限於本文中所列之具體實施態樣。更確切地說,該等具體實施態樣係經提供從而對本領域技術人員更完整地傳遞本發明概念。本發明範圍係由所附申請專利範圍及其均等範圍加以定義。
當一元件或層被指為「位於」另一元件或層「上」時,其可直接地位於其他元件或層上,或者可能有中介層(intervening layers)存在。全文中,相同之參考代號係表示相同的元件。本文中雖可使用用語「第一」、「第二」、「第三」等以描述各種元件、組件、區域、層、及/或區塊,這些元件、組件、區域、層、及/或區塊應不受這些用語限制。這些用語係用於區分一 種元件、組件、區域、層、或區塊與另一種元件、組件、區域、層、或區塊。因此,在未悖離相關具體實施態樣之教導的情況下,以下討論的第一元件、組件、區域、層、或區塊可以稱為第二元件、組件、區域、層、或區塊。現將參考伴隨的圖式對本發明的具體實施態樣進行詳細的描述。
第1圖係根據本發明具體實施態樣之一OLED顯示器10的示意圖。參考第1圖,OLED顯示器10包括一顯示器區域11及一非顯示器區域12。顯示器區域11可設置在例如OLED顯示器10的中心部分處,顯示器區域11包括複數個畫素PX,各畫素PX係發射具有特定顏色波長的光。在一例示性具體實施態樣中,畫素PX包括紅色、綠色及藍色畫素。非顯示器區域12可設置在例如顯示器區域11的周圍,非顯示器區域12可包括一驅動器,其供應電子信號如資料信號或掃描信號給顯示器區域11。
第2圖係根據本發明一具體實施態樣之OLED顯示器100的佈局圖。參考第2圖,各畫素係包括一光發射層150。在一例示性具體實施態樣中,各畫素的光發射層150發射紅色(R)、綠色(G)或藍色(B)中任一者的光。不同畫素的光發射層150係由畫素定義層分割,畫素定義層包括一第一畫素定義層130及一第二畫素定義層160。如第2圖所示,第一畫素定義層130係鄰接光發射層150,第二畫素定義層160可與光發射層150間隔一設定的距離(例如一預定距離),但本發明各方面不限於此。以下將更詳細地描述如第2圖OLED顯示器中所體現的顯示器區域11的畫素構型(參第1 圖)。
第3圖係第2圖所示OLED顯示器的剖面圖。
參考第2至3圖,各像素的一第一電極120係形成在一基材110上,不同畫素的第一電極120在物理與電性上係彼此分隔開的。基材110可包括例如一絕緣基材,絕緣基材可由例如含透明SiO2作為主要成分的透明玻璃材料所製成。在一些具體實施態樣中,絕緣基材可由不透明材料或塑膠材料所製成。此外,絕緣基材可為例如一可撓性基材。基材110可更包括其他形成在絕緣基材上的其他結構,例子包括配線、電極、絕緣膜等。當OLED顯示器100係一主動型OLD顯示器時,基材100可包括複數個薄膜電晶體形成在一絕緣基材上。某些薄膜電晶體的汲電極可電性連接至第一電極120。
第一畫素定義層13係形成在基材110與第一電極120的可能部分上。第一畫素定義層130係設置在畫素的邊界部分處以定義各個畫素。再者,第一畫素定義層130可定義出一開口,即光發射層150的設置處。某些或所有的第一電極120係經由第一畫素定義層130的開口而暴露。在第3圖例示性具體實施態樣中,第一電極120的側面部分朝第一畫素定義層130延伸且與第一畫素定義層130部分地重疊。此即,在第一畫素定義層130與第一電極120的重疊區域中,相對於基材110,第一畫素定義層130係設置在第一電極之上。
第一電極120可為OLED顯示器100的陽極電極或陰 極電極。當第一電極120係一陽極電極時,第二電極180係一陰極電極。為便於描述,將以第一電極120為一陽極電極來描述第3圖的具體實施態樣;然而,在其他具體實施態樣中,第一電極120可為一陰極電極且第二電極180可為一陽極電極。第一電極120可由例如具有高工作函數(work function)的導電材料所製成。當OLED顯示器100係一背面發射顯示器時,第一電極120可由例如ITO、IZO、ZnO、或In2O3所製成、或可由這些材料的堆疊膜所形成。當OLED顯示器100係一正面發射顯示器時,第一電極120可更包括一反射膜,係由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li或Ca所製成。
第一畫素定義層30可由一絕緣材料所製成,舉例言之,第一畫素定義層130可包括選自以下群組之至少一種有機材料:苯環丁烯(BCB)、聚醯亞胺(PI)、聚醯胺(PA)、丙烯系樹脂、及酚樹脂。在其他具體實施態樣中,第一畫素定義層130可包括無機材料,例如氮化矽。
如第3圖例示性具體實施態樣所示,第一中間層140係形成在第一畫素定義層130與經由第一畫素定義層130的開口而暴露的第一電極120部分上。第一中間層140有助於第一電極120與光發射層150之間電子或電洞的注入或傳輸。當第一電極120係一陽極電極時(如此具體實施態樣所描述),第一中間層140係與電洞的注入或傳輸有關。舉例言之,第一中間層140可經形成為單一層的電洞注入層或電洞傳輸層、或為電洞注入層與電洞傳輸層的 堆疊層。電洞注入層可包括例如一酞青素化合物(phthalocyanine compound)(如銅酞青素)、或光芒形式胺(Starburst type amine)(如TCTA、m-MTDATA、或m-MTDAPB)。電洞傳輸層可包含例如N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1-聯苯基]-4,4’-二胺(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine,TPD)、或N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯苯胺(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl benzidine,α-NPD)。
在其他具體實施態樣中,第一中間層140例如朝第一畫素定義層130的頂部表面延伸。更一般言之,在其他具體實施態樣中,第一中間層140係經由各畫素而分隔開。然而,如第3圖例示性具體實施態樣所示,第一中間層140係整體地形成在OLED顯示器100的整個表面上方。在此一具體實施態樣中,第一中間層140係一共用層且無關於畫素區分。
在第一中間層140係一共用層的具體實施態樣(如第3圖)中,是可以希望第一中間層140在整個OLED顯示器100中具有均勻的厚度。然而,第一中間層140的膜厚度均勻性係與第一畫素定義層130的厚度有關,第一畫素定義層130的厚度係如第一畫素定義層130的底部表面至第一畫素定義層130的頂部表面的距離測得。若第一畫素定義層130太厚(例如大於1微米),則可能難以確保整個第一中間層140的膜厚度均勻性。因此,第一畫素定義層130的厚度可經調整為1微米或更薄,但本發明各方面不限於此。
在第3圖例示性具體實施態樣中,第一中間層140包 括一第一區域140a與一第二區域140b。第一區域140a與第二區域140b彼此的濕潤性不同(或變濕性,即維持與液體接觸的能力)。舉例言之,第一區域140a可具有相對高的濕潤性(例如吸引或附著液體)且第二區域140b可具有相對低的濕潤性(例如排斥液體)。可以透過選擇性表面處理使第一區域140a與第二區域140b獲取此不同的濕潤性。舉例言之,具有與第一區域140a相同性質(即高濕潤性)的材料膜係塗覆在整個OLED顯示器100上方,且一部分的材料膜係經過選擇性表面處理以降低濕潤性,藉此形成第二區域140b。選擇性表面處理的例子包括使用光罩的UV照射。
舉例言之,在第3圖例示性具體實施態樣中,第一區域140a係設置於第一電極120的頂部表面與第一畫素定義層130的頂部表面上,而第二區域140b係設置於第一畫素定義層130的側面表面或傾斜表面上。因此,第一區域140a包括二部分,即一第一部分位於第一電極120上(即第一區域140a位於第一電極120上)與一第二部分位於第一畫素定義層130上(即第一區域140a位於第一畫素定義層130上)。在某些具體實施態樣中,第二區域140b可朝向第一畫素定義層130的頂部表面更部分地延伸。然而,如下文將描述,為了確保用以形成第二畫素定義層160的部分,第二區域140b可不延伸至完全地覆蓋第一畫素定義層130的頂部表面。
光發射層150係設置在第一中間層140上,如第3圖所示,光發射層150係與第一畫素定義層150開口中的第一電極120重疊。此外,由於第一區域140a與第二區域140b間濕潤性的差異, 光發射層150係直接與第一電極120上的第一區域140a接觸,但可能不直接與第二區域140b接觸。因此,第一區域140a與第二區域140b可定義出光發射層150形成在第一畫素定義層130開口中的區域。
當第一區域140a具有相對高濕潤性且第二區域140b具有相對低濕潤性,濕潤性間的差異可選擇性地定義出用以形成光發射層150之塗覆液體的施用位置。舉例言之,當光發射層150係透過噴嘴印刷而形成時,可選擇性地僅形成在第一電極120上的第一區域140a上,而不形成在鄰接此部分第一區域140a的第二區域140b上。例如,使用噴嘴印刷,形成光發射層150的噴霧可稍微地被第二區域140b排斥,且稍微被第一電極120上的第一區域140a吸引,因此形成光發射層150直接位於此部分的第一區域140a且遠離第二區域140b。
如第3圖例示性具體實施態樣所示,光發射層150的頂部表面係低於第一畫素定義層130的頂部表面。換言之,第一畫素定義層130的頂部表面相對於光發射層150係可突出的。除此之外,此有助於創造第一中間層的側向表面(對應於第二區域140b)以及形成光發射層150在第一電極120上的第一區域140a上;此亦有助於保護光發射層150免受擠壓。
光發射層150可包括例如聚合有機材料、小分子有機材料、或其組合。在某些具體實施態樣中,光發射層150可包括一宿主材料與一摻雜材料。宿主材料的例子係包括三(8-羥基-喹啉) 鋁(tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminum,Alq3)、9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-di(naphth-2-yl)anthracene,AND)、3-三級-丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(3-Tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene,TBADN)、4,4’-雙(2,2-二苯基-乙烯-1-基)聯苯(4,4'-Bis(2,2-diphenyl-ethen-1-yl)biphenyl,DPVBi)、4,4’-雙[2,2-二(4-甲基苯基)-乙烯-1-基)聯苯(4,4'-Bis[2,2-di(4-methylphenyl)-ethen-1-yl]biphenyl,p-DMDPVBi)、三級(9,9-二芳基茀)(Tert(9,9-diarylfluorene),TDAF)、2-(9,9’-螺雙茀-2-基)-9,9’-螺雙茀(2-(9,9'-spirobifluorene-2-yl)-9,9'-spirobifluorene,BSDF)、2,7-雙(9,9’-螺雙茀-2-基)-9,9’-螺雙茀(2,7-bis(9,9'-spirobifluorene-2-yl)-9,9'-spirobifluorene,TSDF)、雙(9,9-二芳基茀)(bis(9,9-diarylfluorene),BDAF)、4,4’-雙[2-(4-三級-丁基-苯-4-基)-乙烯-1-基]聯苯(4,4'-Bis[2-(4-tert-butyl-phen-4-yl)-ethen-1-yl]biphenyl,p-TDPVBi)、1,3-雙(咔唑-9-基)苯(1,3-bis(carbazole-9-yl)benzene,mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(1,3,5-tris(carbazole-9-yl)benzene,tCP)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯基胺(4,4',4"-tris(carbazole-9-yl)triphenylamine,TcTa)、4,4’-雙(咔唑-9基)聯苯(4,4'-bis(carbazole-9-yl)biphenyl,CBP)、4,4’-雙(9-咔唑基)-2,2’-二甲基-聯苯(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2'-dimethyl-biphenyl,CBDP)、4,4’-雙(咔唑-9基)-9,9’-二甲基茀(4,4'-bis(carbazole-9-yl)-9,9-dimethyl-fluorene,DMFL-CBP)、4,4’-雙(咔唑-9基)-9,9’-雙(9-苯基-9H-咔唑)茀(4,4'-bis(carbazole-9-yl)-9,9-bis (9-phenyl-9H-carbazole)fluorene,FL-4CBP)、44’-雙(咔唑-9-基)9,9-二-甲苯基-茀(4,4'-bis(carbazole-9-yl)-9,9-di-tolyl-fluorene,DPFL-CBP)、以及9,9-雙(9-苯基-9H-咔唑)茀(9,9-bis(9-phenyl-9H-carbazole)fluorene,FL-2CBP)。摻雜材料的例子係包括4,4’-雙[4-(二-對甲苯基胺基)苯乙烯基]聯苯(4,4'-bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl,DPAVBi)、9,10-雙(萘-2-基)蒽(9,10-di(naphth-2-yl)anthracene,AND)、以及3-三級-丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene,TBADN)。
如第3圖例示性具體實施態樣所示,第二畫素定義層160係設置在第一畫素定義層130上的第一區域140a上。第二畫素定義層160因此與第一畫素定義層130重疊,再者,第二畫素定義層160係未設置在第二區域140b上。當第一區域140a具有相對高濕潤性且第二區域140b具有相對低的濕潤性時,濕潤性上的差異可選擇性地定義用於形成第二畫素定義層160的塗覆液體的施加處。舉例言之,當第二畫素定義層160係經由噴嘴印刷而形成時,可選擇性地僅形成在第一畫素定義層130上的第一區域140a上,而不形成在鄰接此部分第一區域140a的第二區域140b上。
再者,雖然第二畫素定義層160係關於達成一特定的畫素定義層厚度,其貢獻較不明顯,如下文中將說明。因此,第二畫素定義層160對圖案化的正確性或者膜厚度均勻性會是較不敏感的。因此,即使第二畫素定義層160係經由噴墨印刷而形成, 顯示器品質受到第二畫素定義層160的影響會較少。如上述,即使第二畫素定義層160係經由噴墨印刷而形成,噴墨位置可輕易地且選擇性地由第一區域140a與第二區域140b之間濕潤性的差異加以定義,當第二畫素定義層160係經由噴嘴印刷形成時亦同。
第二畫素定義層160可包括選自由苯環丁烯(BCB)、聚醯亞胺(PI)、聚醯胺(PA)、丙烯系樹脂、及酚樹脂所組成群組之至少一種有機材料。在某些具體實施態樣中,第二畫素定義層160係由與第一畫素定義層130相同的材料製成。惟,在其他具體實施態樣中,第二畫素定義層160係由不同於第一畫素定義層130的材料製成。
由於第二畫素定義層160係形成在第一畫素定義層130上,包括第一畫素定義層130與第二畫素定義層160的整個畫素定義層的總厚度,會比僅使用單一畫素定義層的具體實施態樣要厚。如上述,第一畫素定義層130的厚度會因第一中間層140膜厚度均勻性上的負面影響而受限(例如,不大於1微米)。然而,由於第二畫素定層160係形成在第一畫素定義層130上,故可達成足夠厚度的畫素定義層,而未削弱第一中間層140的膜厚度均勻性。 舉例言之,第一畫素定義層130與第二畫素定義層160的厚度總和可大於1微米。
如上述,若整個畫素定義層的厚度增加,當封裝基材朝向畫素擠壓時,畫素不會再受到擠壓(如直接擠壓),從而壓制深色斑點產生。
如第3圖所示,第二畫素定義層160係未形成在第一畫素定義層130定義出的開口中。因此,當第二畫素定義層160係在光發射層150之後形成時,光發射層150係經暴露,未被第二畫素定義層160覆蓋。然而,在下述製造OLED顯示器100的方法中,第二畫素定義層160係在光發射層150之前形成,一第二中間層170係形成在經暴露的光發射層150上。第二中間層170有助於注入或傳輸第二電極180與光發射層150之間的電子或電洞。當第二電極180係一陰極電極時,第二中間層170係與電子的注入或傳輸有關。
舉例言之,第二中間層170可形成為單一層的電子傳輸層或電子注入層,或者形成為電子傳輸層與電子注入層的堆疊層。電子傳輸層可包括如Alq3,電子注入層可包括如LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO、Liq等。
如第3圖例示性具體實施態樣所示,第二中間層170延伸至第一畫素定義層130的側向表面、第二畫素定義層160的側向表面、以及第二畫素定義層160的頂部表面。在其他具體實施態樣中,第二中間層170可彼此分隔開來。如第3圖所示,第二中間層170係整體地形成在OLED顯示器100整個表面上方。因此,第二中間層170係一共同層且無關於畫素區分。在某些具體實施態樣中,可不提供第二中間層170。
第二電極180係形成在第二畫素定義層160上,例如如第3圖所示之第二中間層170上。當第二電極180係用作陰極電極時,其可由具有低工作函數的導電性材料製成。舉例言之,第二 電極180可由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、或Ca所製成。
在第3圖中,一封裝基材190係設置在第二電極180上,封裝基材190可為一絕緣基材。第二畫素定義層160上的第二電極180與封裝基材190之間可安置一間隔物。在本發明其他具體實施態樣中,可不提供封裝基材190。於此情況中,由絕緣材料製成的封裝膜可覆蓋並保護整個結構。
以下將描述製造上述OLED顯示器的方法。第4至9圖係繪示製造第2與3圖所示OLED顯示器之方法之程序步驟的剖面圖。
首先參考第4圖,第一電極120係形成在基材110上,第一電極120可經由安置一導電性材料接著以光蝕刻製程圖案化該導電性材料而形成。在其他具體實施態樣中,第一電極120可經由印刷而形成。
參考第5圖,具有開口的第一畫素定義層130可形成在具有第一電極120的基材110上。第一畫素定義層130可經由光蝕刻或印刷而形成,例如噴嘴印刷或噴墨印刷。為了確保稍後要安置的第一中間層140的膜厚度均勻性,第一畫素定義層130可經形成具有厚度為約1微米或更薄。
參考第6圖,用於形成第一中間層的塗覆膜140p係形成在第5圖所示結構的整個表面上。形成第一中間層的塗覆膜140p可經由狹縫塗覆而形成。當形成第一中間層的塗覆膜140p係一二 或更多種材料的堆疊膜時,係依序地塗覆各材料。
參考第7圖,形成第一中間層的塗覆層140p係選擇性地進行表面處理。形成第一中間層的塗覆層140p將描述為具有與第一區域140a相同的性質(如相對高的濕潤性),接著一部分的形成第一中間層的塗覆層140p係使用UV照射經改質成具有與第二區域140b相同的性質(如相對低的濕潤性)。
包括一光傳輸部分210與一光遮蔽部分220的光罩220係放置在第6圖所示的結構上,接著照射UV射線。於此,安置在第一電極120上的形成第一中間層的塗覆膜140p與安置在第一畫素定義層130頂部表面上的形成第一中間層的塗覆膜140p,係對應於光遮蔽部分220,而第一畫素定義層130的側向或傾斜表面係對應於光傳送部分210。穿過光罩200的光傳送部分210的UV射線接著改質形成第一中間層的塗覆膜140p的表面。因此,對應於光遮蔽部分220的形成第一中間層的塗覆膜140p的區域係保留作為第一區域140a,而對應於光傳送部分210的形成第一中間層的塗覆膜140p的區域則經改質成第二區域140b。因此,完成包括第一區域140a與第二區域140b的第一中間層140。
在本發明某些其他具體實施態樣中,形成第一中間層的塗覆膜140p係具有與第二區域140b相同的性質(如相對低的濕潤性),接著使用UV照射經改質以具有與第一區域140a相同的性質(如相對高的濕潤性)。於此情況中,光罩220中光遮蔽部分220與光傳送部分210的安排係對調的。
參考第8圖,第二畫素定義層160係形成在第一畫素定義層130上的第一區域140a上。第二畫素定義層160可經印刷,例如使用噴嘴印刷或噴墨印刷。在印刷期間,用以形成第二畫素定義層160的塗覆液體可經導引朝向第二區域140b,第二區域140b係鄰接第一畫素定義層130上的第一區域140。然而,由於第二區域140b係具有低濕潤性,塗覆液體會朝向第一畫素定義層130上的第一區域140a移動。因此,可精確地實現所欲第二畫素定義層160的圖案。
第二畫素定義層160亦可經由噴墨印刷而形成。由於噴墨印刷係有利於形成各種圖案,其可經選擇以形成第二畫素定義層160,取代噴嘴印刷。在噴墨印刷期間,由於第一區域140a與第二區域140b之間濕潤性的差異,可以減少或避免不想要的圖案形成在第二區域140b中。
參考第9圖,形成光發射層150係經由印刷一有機光發射材料在第一電極120上的第一區域140上而形成。印刷可為例如噴嘴印刷。在印刷期間,用以形成光發射層150的塗覆液體可部分地經導引朝向鄰接第一區域140a的第二區域140b。然而,由於第二區域140b具有低濕潤性,此部分的塗覆液體會朝第一電極120上的第一區域140a移動。再者,由於第一畫素定義層130與第二畫素定義層160可用作印刷屏障,故可改善光發射層150的圖案化正確性。
回頭參考第3圖,第二中間層170係使用開放式罩具 經由安置用以形成第二中間層170的材料而形成。第二電極180係經由安置一導電性膜在第二中間層170上而形成。封裝基材190係安置在第二電極180上,例如使用一間隔物在第二畫素定義層160上的第二電極180上,以分隔封裝基材190與第二電極180,從而完成第3圖所示的OLED顯示器100。
下文將描述本發明另一具體實施態樣。在以下的具體實施態樣中,與前述具體實施態樣相同的組件將不會再進行描述或僅會簡單地描述。
第10圖係根據本發明另一具體實施態樣之OLED顯示器101的佈局圖。第11圖係第10圖所示OLED顯示器101的剖面圖。
參考第10與11圖,OLED顯示器101係不同於第2與3圖所示的OLED顯示器100,差別在於一畫素定義層131係由單一層形成,未分隔成二層,且係形成在一第一中間層141上。第一中間層141係包括一第一區域141b與一第二區域141a,其中第一區域141b係對應於畫素定義層131與光發射層150,具有基材110與第一電極120上的對應部分。
更詳細地,第一中間層141係形成在(如直接形成在)具有一第一電極120的基材110上,第一中間層141與基材110之間沒有插入一畫素定義層。如同第3圖所示具體實施態樣,第一中間層141係包括第一區域141b與第二區域141a。然而,不同於第3圖所示具體實施態樣,第一區域141b係設置在第一電極120上(設置 有光發射層150的底部表面的區域內)以及基材110上(設置有畫素定義層131的底部表面的區域內)。此外,第二區域141a係設置在第一電極120上的空間內且位於光發射層150與畫素定義層131之間。在第3圖所示具體實施態樣中,第一中間層140係未與第二畫素定義層160重疊,但與第一畫素定義層130重疊。然而,在第11圖具體實施態樣中,第一中間層141係未與畫素定義層131重疊。
光發射層150係設置在第一電極120上的第一區域141b上,且畫素定義層150係設置在基材110上的第一區域141b上。在第11圖所繪示的具體實施態樣中,第二區域141a係設置成第一電極120上的一部分,但本發明各方面不限於此。第二中間層171與第二電極181係依序地形成在光發射層150與畫素定義層131上。
在第11圖之該具體實施態樣中,由於第一中間層141係未形成在畫素定義層131上,而是形成在(如直接形成在)具有第一電極120的基材110上,畫素定義層131的厚度係不影響第一中間層141的膜厚度均勻性。相反地,由於畫素定義層131係未提供在第一中間層141與基材110之間,下方結構的平坦性係經改善,從而增進第一中間層141的膜厚度均勻性。
此外,畫素定義層131的厚度可經調整以具有足夠大的厚度,無須調整厚度為1微米或更薄。舉例言之,畫素定義層131的厚度係可大於1微米。因此,當一封裝基材係朝向畫素擠壓時,可避免畫素受擠壓,例如直接擠壓,從而壓制畫素生成深色斑點。
下文將描述製造OLED顯示器101的方法,第12至15圖係繪示製造第10與11圖所示OLED顯示器101之方法之程序步驟的剖面圖。
在本具體實施態樣中,一直到形成第一電極120在基材110上步驟的程序步驟係相同於第4圖所示具體實施態樣者。之後,參考第12圖,用以形成第一中間層141的塗覆膜141p係經形成。形成第一中間層的塗覆膜141p係可經由狹縫塗覆而形成。當形成第一中間層的塗覆膜141p係一二或更多種材料的堆疊膜時,係依序地塗覆各材料。
之後,參考第13圖,形成第一中間層的塗覆膜141p係選擇性地進行表面處理。形成第一中間層的塗覆膜141p將被描述為具有與第一區域141b相同的性質(如相對高的濕潤性),接著使用UV照射經改質為具有與第二區域141a相同的性質(如相對低的濕潤性)。
包括一光傳送部分211與一光遮蔽部分221的光罩201係放置在第12圖所示結構上,然後照射UV射線。於此,光遮蔽部分221係經放置以對應於第一電極120與畫素定義層131的位置,而光傳送部分211係經放置以對應於第一電極120與畫素定義層131之間的空間。接著,穿透光罩201之光傳送部分211的UV射線係改質形成第一中間層的塗覆膜141的表面。因此,對應於光遮蔽部分221的形成第一中間層的塗覆膜141p的區域係保留為第一區域141b,而對應於光傳送部分211的形成第一中間層的塗覆膜 141p的區域係經改質成第二區域141a。因此,完成包括第一區域141b與第二區域141a的第一中間層141。
在本發明某些其他具體實施態樣中,形成第一中間層的塗覆膜141p係具有與第二區域141a相同的性質(如相對低的濕潤性),然後使用UV照射經改質以具有與第一區域141b相同的性質(如相對高的濕潤性)。於此情況中,光罩201中光遮蔽部分221與光傳送部分211的安排係可對調的。
參考第4圖,畫素定義層131係形成在基材110上的第一區域141b上。畫素定義層131可例如使用噴嘴印刷或噴墨印刷加以印刷。
參考第15圖,光發射層15係經由印刷一有機光發射材料在第一電極120上的第一區域141b上而形成。於此,第一畫素定義層131可用作一印刷屏障。之後,參考第11圖,第二中間層171與第二電極181係經形成,接著封裝基材190係經設置,從而完成第11圖所示的OLED顯示器101。
雖然已參考本發明例示性具體實施態樣特定地顯示與描述本發明,於此技術領域中具有通常知識者將可了解,在不背離如後附申請專利範圍定義的發明的精神與範疇之情形下,可進行形式與細節上的各種變化。上述具體實施態樣在各方面應理解為例示,而非用以縮限,參考所附申請專利範圍與其均等範圍,而非上述說明來指出本發明的範圍。
10‧‧‧OLED顯示器
11‧‧‧顯示器區域
12‧‧‧非顯示器區域
PX‧‧‧畫素

Claims (20)

  1. 一種有機發光二極體(OLED)顯示器,包含:一基材;一第一電極,位於該基材上;一第一畫素定義層,曝露至少一部分的該第一電極;一中間層,位於該第一畫素定義層與該第一電極上,該中間層包含一第一區域與一第二區域;一第二畫素定義層,與該第一畫素定義層重疊,該第一區域位於此二者之間;一光發射層,與該第一電極重疊,該第一區域位於此二者之間;以及一第二電極,覆蓋該第二畫素定義層與該光發射層。
  2. 如請求項1所述之OLED顯示器,其中該第二區域係藉由表面改質該第一區域而形成,或者該第一區域係藉由表面改質該第二區域而形成。
  3. 如請求項1所述之OLED顯示器,其中該第二區域具有低於該第一區域的濕潤性。
  4. 如請求項1所述之OLED顯示器,其中該第二區域與該第一畫素定義層重疊,但未與該第二畫素定層重疊。
  5. 如請求項1所述之OLED顯示器,其中該第一畫素定義層具有一第一厚度為1微米或更薄,以及 該第一厚度與該第二畫素定義層厚度的總和係大於1微米。
  6. 如請求項1所述之OLED顯示器,其中該中間層係一供該OLED顯示器畫素用之共用層。
  7. 一種有機發光二極體(OLED)顯示器,包含:一基材,支撐複數個畫素;一第一電極,位於各該畫素內;一中間層,位於該基材與該第一電極上,該中間層包含一第一區域與一第二區域;一畫素定義層,位於該第一區域上且設置在該畫素的邊界部分處;一光發射層,位於該第一區域上且與該第一電極重疊;以及一第二電極,覆蓋該畫素定義層與該光發射層。
  8. 如請求項7所述之OLED顯示器,其中該第二區域係藉由表面改質該第一區域而形成,或者該第一區域係藉由表面改質該第二區域而形成。
  9. 如請求項7所述之OLED顯示器,其中該第二區域具有低於該第一區域的濕潤性。
  10. 如請求項7所述之OLED顯示器,其中該第二區域未與該畫素定義層重疊。
  11. 如請求項7所述之OLED顯示器,其中該中間層係一該畫素的共用層。
  12. 一種製造有機發光二極體(OLED)顯示器的方法,該方法包含:形成一第一電極於一基材上;形成一第一畫素定義層於該基材上,同時暴露至少一部分的該第一電極;形成一中間層於該第一畫素定義層與該第一電極上,該中間層包含一第一區域與一第二區域;形成一第二畫素定義層與該第一畫素定義層重疊,該第一區域位於此二者之間;形成一光發射層與該第一電極重疊,該第一區域位於此二者之間;以及形成一第二電極覆蓋該第二畫素定義層與該光發射層。
  13. 如請求項12所述之方法,其中該中間層的形成係包含:藉由選擇性表面改質該第一區域以形成該第二區域,或者藉由選擇性表面改質該第二區域以形成該第一區域。
  14. 如請求項13所述之方法,其中該選擇性表面改質係包含選擇性紫外光(UV)照射。
  15. 如請求項12所述之方法,其中該第二畫素定義層的形成係包含噴嘴印刷或噴墨印刷。
  16. 如請求項12所述之方法,其中該第一畫素定義層具有一第一厚度為1微米或更薄,以及該第一厚度與該第二畫素定義層厚度的總和係大於1微米。
  17. 一種製造有機發光二極體(OLED)顯示器的方法,該方法包含:形成一第一電極於一基材上;形成一中間層於該基材與該第一電極上,該中間層包含一第一區域與一第二區域;形成一畫素定義層於該第一區域上且在該畫素的邊界部分處形成一光發射層於該第一區域上且與該第一電極重疊;以及形成一第二電極覆蓋該畫素定義層與該光發射層。
  18. 如請求項17所述之方法,其中該中間層的形成係包含:藉由選擇性表面改質該第一區域以形成該第二區域,或者藉由選擇性表面改質該第二區域以形成該第一區域。
  19. 如請求項18所述之方法,其中該選擇性表面改質係包含選擇性紫外光(UV)照射。
  20. 如請求項17所述之方法,其中該畫素定義層的形成係包含噴嘴印刷或噴墨印刷。
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KR102090709B1 (ko) 2013-05-31 2020-03-19 삼성디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 표시 장치
KR102117849B1 (ko) * 2013-08-12 2020-06-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR102181978B1 (ko) * 2014-08-22 2020-11-24 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160055519A (ko) * 2014-11-10 2016-05-18 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 그 제조방법
KR102502202B1 (ko) 2015-06-29 2023-02-21 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2017079935A1 (en) * 2015-11-12 2017-05-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Polymer light-emitting diode structure, related display substrate and display apparatus, and fabrication method thereof
KR102537992B1 (ko) * 2015-12-22 2023-05-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102562897B1 (ko) * 2016-03-28 2023-08-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2017169961A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 ソニー株式会社 表示装置及び電子機器
KR20180132935A (ko) 2016-05-30 2018-12-12 가부시키가이샤 제이올레드 표시 장치 및 전자 기기
CN109920816B (zh) * 2017-12-12 2021-03-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
KR102576997B1 (ko) * 2017-12-29 2023-09-12 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 제조 방법
CN108321175B (zh) * 2018-01-31 2021-02-12 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制造方法、显示装置
CN108470753B (zh) * 2018-03-28 2021-02-26 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN110265451B (zh) * 2019-06-25 2021-11-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制造方法、显示装置
CN110828683B (zh) 2019-10-28 2021-07-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled器件及其制备方法
CN111293152B (zh) * 2020-02-20 2022-11-04 京东方科技集团股份有限公司 显示用基板及其制备方法、电致发光显示装置
KR20210145049A (ko) * 2020-05-22 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP2023540317A (ja) 2020-09-04 2023-09-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 無機ピクセル封入バリアを有するoledパネルを製造する方法
CN112952025A (zh) * 2021-03-31 2021-06-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
KR20240045246A (ko) 2021-08-04 2024-04-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보된 기판 패터닝에서의 내에칭성 감소
US11610954B1 (en) 2022-02-14 2023-03-21 Applied Materials, Inc. OLED panel with advanced sub-pixel overhangs
WO2023220152A1 (en) 2022-05-12 2023-11-16 Applied Materials, Inc. High resolution advanced oled sub-pixel circuit and patterning method
US11527732B1 (en) 2022-05-31 2022-12-13 Applied Materials, Inc. OLED anode structures including amorphous transparent conducting oxides and OLED processing method comprising the same
CN115275053B (zh) * 2022-07-26 2023-09-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7307381B2 (en) * 2002-07-31 2007-12-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Electroluminescent display and process for producing the same
JP4400138B2 (ja) * 2003-08-08 2010-01-20 セイコーエプソン株式会社 配線パターンの形成方法
JP3915806B2 (ja) * 2003-11-11 2007-05-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP4200983B2 (ja) * 2005-05-24 2008-12-24 セイコーエプソン株式会社 膜パターンの形成方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置、及び電子機器
US20080286487A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Lang Charles D Process for making contained layers
GB0722750D0 (en) * 2007-11-20 2008-01-02 Cambridge Display Technology O Organic thin film transistors active matrix organic optical devices and emthods of making the same
US8040048B2 (en) 2007-12-12 2011-10-18 Lang Charles D Process for forming an organic electronic device including an organic device layer
EP2296442B1 (en) * 2008-05-29 2016-08-31 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method of manufacturing an organic electroluminescent display
KR101600816B1 (ko) 2008-11-14 2016-03-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9093399B2 (en) * 2009-05-28 2015-07-28 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescence display device, method for producing same, color filter substrate and method for producing same
KR101058109B1 (ko) 2009-09-15 2011-08-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
WO2011077477A1 (ja) * 2009-12-22 2011-06-30 パナソニック株式会社 表示装置とその製造方法
KR101119046B1 (ko) 2010-01-08 2012-03-02 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
JP5982146B2 (ja) * 2011-06-16 2016-08-31 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 有機発光構造物、有機発光構造物の製造方法、有機発光表示装置、及び有機発光表示製造方法
KR20130043482A (ko) * 2011-10-20 2013-04-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

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