KR20220034948A - 전자 장치 - Google Patents

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박수현
곽동훈
한슬기
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Abstract

일 실시예의 전자 장 치는 베이스층, 베이스층 상에 배치된 제1 전극, 베이스층 상에 배치되고, 제1 전극의 상부면을 노출시키는 개구부가 정의된 화소 정의막, 개구부 내에 배치되고 개구부의 중심에서 화소 정의막의 측면 방향으로 갈수록 두께가 점차적으로 감소하는 정공 수송 영역, 정공 수송 영역 상에 배치되고 개구부의 중심에서 화소 정의막의 측면 방향으로 갈수록 두께가 점차적으로 증가하는 발광층, 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역, 및 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극을 포함하여, 균일한 발광 특성을 나타내는 발광 면적을 증가시키고 높은 발광 효율을 나타낼 수 있다.

Description

전자 장치{ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 전자 장치에 대한 것으로, 보다 상세하게는 적층된 기능층들을 갖는 발광 소자를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
텔레비전, 휴대 전화, 태블릿 컴퓨터, 내비게이션, 게임기 등과 같은 멀티 미디어 장치 등의 다양한 전자 장치에 포함된 발광 소자의 제작에 있어서 잉크젯 프린팅법 등의 제조 방법이 사용되고 있다.
한편, 잉크젯 프린팅법 등의 코팅 방법을 사용할 경우 코팅층의 가운데 부분과 엣지 부분의 두께의 차이로 인하여 발광 소자를 구성하는 기능층들의 막 특성이 균일하지 않은 문제가 발생한다. 이에 따라, 발광 소자에서의 발광 면적을 넓히고 발광 면적 내에서 균일한 발광 특성을 나타내는 전자 장치 제작 방법에 대한 연구가 진행되고 있다.
본 발명의 목적은 발광 소자에 포함된 기능층들의 두께 프로파일을 최적화하여 발광 균일도를 개선한 전자 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 발광 소자에 포함된 기능층들의 두께 프로파일을 최적화하여 유효 발광 면적을 넓힌 전자 장치를 제공하는 것이다.
일 실시예는 베이스층; 상기 베이스층 상에 배치된 제1 전극; 상기 베이스층 상에 배치되고, 상기 제1 전극의 상부면을 노출시키는 개구부가 정의된 화소 정의막; 상기 개구부 내에 배치되고, 상기 개구부의 중심에서 상기 화소 정의막의 측면 방향으로 갈수록 두께가 점차적으로 감소하는 정공 수송 영역; 상기 정공 수송 영역 상에 배치되고, 상기 개구부의 중심에서 상기 화소 정의막의 측면 방향으로 갈수록 두께가 점차적으로 증가하는 발광층; 상기 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역; 및 상기 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극; 을 포함하는 전자 장치를 제공한다.
상기 개구부의 중심을 지나고 상기 제1 전극에 수직하는 가상의 중심선을 중심으로 하며 상기 제1 전극에 수직하는 단면 상에서, 상기 개구부 내에 배치된 상기 정공 수송 영역의 전체 단면적을 100%로 할 때, 상기 중심선을 중심으로 하고 상기 단면적이 60%인 영역까지의 상기 정공 수송 영역의 평균 두께는 상기 중심선을 중심으로 하고 상기 단면적이 80%인 영역까지의 상기 정공 수송 영역의 평균 두께 보다 큰 것일 수 있다.
상기 정공 수송 영역의 상부면은 상기 발광층 방향으로 볼록한 곡면일 수 있다.
상기 개구부의 중심을 지나고 상기 제1 전극에 수직하는 가상의 중심선을 중심으로 하고 상기 제1 전극에 수직하는 단면 상에서, 상기 개구부 내에 배치된 발광층의 전체 단면적을 100%로 할 때, 상기 중심선을 중심으로 하고 상기 단면적이 60%인 영역까지의 상기 발광층의 평균 두께는 상기 중심선을 중심으로 하고 상기 단면적이 80%인 영역까지의 상기 발광층의 평균 두께 보다 작은 것일 수 있다.
상기 발광층의 하부면은 상기 발광층 상부면 방향으로 오목한 곡면이고, 상기 발광층의 상부면은 평탄면일 수 있다.
상기 개구부의 중심을 지나고 상기 제1 전극에 수직하는 가상의 중심선을 지나는 상기 정공 수송 영역의 제1 부분 및 상기 중심선을 지나는 상기 발광층의 제2 부분의 두께의 합과 상기 중심선과 나란한 가상의 외곽선을 지나는 상기 정공 수송 영역의 제3 부분 및 상기 발광층의 제4 부분의 두께의 합의 차이는 10% 미만일 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 상기 제1 전극 상에 배치된 정공 주입층; 및 상기 정공 주입층 상에 배치된 정공 수송층; 을 포함하고, 상기 정공 주입층은 상기 개구부의 중심에서 상기 화소 정의막의 측면 방향으로 갈수록 두께가 점차적으로 감소하는 것일 수 있다.
상기 정공 수송층은 상기 개구부의 중심에서 상기 화소 정의막의 측면 방향으로 갈수록 두께가 점차적으로 감소하는 것일 수 있다.
상기 정공 주입층의 상부면은 상기 발광층 방향으로 볼록한 곡면이고, 상기 정공 수송층의 상부면은 상기 발광층 방향으로 볼록한 곡면일 수 있다.
상기 정공 수송 영역의 비저항은 상기 발광층의 비저항보다 낮을 수 있다.
상기 발광층의 비저항은 상기 정공 수송 영역의 비저항의 10배 이상 100배 이하일 수 있다.
상기 개구부를 정의하는 상기 화소 정의막의 측면은 소수성일 수 있다.
상기 정공 수송 영역 및 상기 발광층은 잉크젯 프린팅법으로 제공되고, 상기 전자 수송 영역은 증착법으로 제공될 수 있다.
일 실시예는 평면 상에서 서로 이격된 복수 개의 개구부들이 정의된 화소 정의막; 및 상기 개구부들 각각에 배치된 적어도 하나의 기능층들을 포함하는 복수 개의 발광 소자들; 을 포함하고, 상기 발광 소자들 각각은 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되고 중심에서의 두께가 외곽에서의 두께보다 두꺼운 정공 수송 영역; 상기 정공 수송 영역 상에 배치되고, 중심에서의 두께가 외곽에서의 두께보다 얇은 발광층; 상기 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역; 및 상기 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극; 을 포함하고, 상기 중심은 상기 제1 전극에 수직하는 가상의 중심선을 지나는 지점이고, 상기 외곽은 상기 중심에서 상기 화소 정의막 방향으로 이격된 지점일 수 있다.
상기 적어도 하나의 기능층들은 잉크젯 프린팅법으로 제공될 수 있다.
상기 정공 수송 영역의 상부면은 상기 발광층 방향으로 볼록한 곡면일 수 있다.
상기 발광층의 하부면은 상기 정공 수송 영역의 상부면에 대응하는 형상이고, 상기 발광층의 상부면은 평탄면일 수 있다.
상기 개구부들 내에서 상기 중심에서의 상기 제1 전극에서 상기 발광층 상부까지의 제1 두께와 상기 외곽에서의 상기 제1 전극에서 상기 발광층 상부까지의 제2 두께의 편차는 10% 미만일 수 있다.
복수 개의 발광 소자들을 포함하는 일 실시예에 있어서, 상기 발광 소자들 각각은 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치된 정공 수송 영역; 상기 정공 수송 영역 상에 배치된 발광층; 상기 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역; 및 상기 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극; 을 포함하고, 상기 제1 전극 및 상기 발광층 사이의 간격인 상기 정공 수송 영역의 제1 두께는 중심에서 외곽으로 갈수록 감소하고, 상기 정공 수송 영역 및 상기 전자 수송 영역 사이의 간격인 상기 발광층의 제2 두께는 중심에서 외곽으로 갈수록 증가하는 전자 장치를 제공한다.
상기 정공 수송 영역의 상부면은 상기 발광층 방향으로 볼록한 곡면이고, 상기 발광층의 하부면은 상기 정공 수송 영역의 상부면에 대응하는 형상이며, 상기 발광층의 상부면은 평탄면일 수 있다.
일 실시예는 순차적으로 적층된 정공 수송 영역과 발광층의 두께 프로파일을 최적화하여 요구되는 발광 파장 영역의 발광 면적을 넓힌 발광 소자를 포함한 전자 장치를 제공할 수 있다.
또한, 일 실시예는 적층된 정공 수송 영역과 발광층의 두께 프로파일을 최적화하여 발광 면적 내에서의 발광 균일도가 개선되고 소자 수명이 증가된 발광 소자를 포함한 전자 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 일 실시예의 전자 장치를 나타낸 평면도이다.
도 2는 일 실시예의 전자 장치의 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 4는 일 실시예에서 정공 수송 영역의 두께 프로파일을 나타낸 도면이다.
도 5는 일 실시예에서 발광층의 두께 프로파일을 나타낸 도면이다.
도 6은 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 8은 일 실시예에서 발광층까지 적층된 상태의 두께 프로파일을 나타낸 도면이다.
도 9는 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 10a는 비교예에서의 정공 주입층 및 발광층의 두께 프로파일을 나타낸 도면이다.
도 10b는 도 10a의 두께 프로파일을 갖는 발광 소자에서의 휘도 특성을 나타낸 그래프이다.
도 11a는 일 실시예에서의 정공 주입층 및 발광층의 두께 프로파일을 나타낸 도면이다.
도 11b는 도 11a의 두께 프로파일을 갖는 발광 소자에서의 휘도 특성을 나타낸 그래프이다.
도 12a는 비교예에서의 발광 특성을 나타낸 이미지이다.
도 12b는 일 실시예에서의 발광 특성을 나타낸 이미지이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
한편, 본 출원에서 "직접 배치"된다는 것은 층, 막, 영역, 판 등의 부분과 다른 부분 사이에 추가되는 층, 막, 영역, 판 등이 없는 것을 의미하는 것일 수 있다. 예를 들어, "직접 배치"된다는 것은 두 개의 층 또는 두 개의 부재들 사이에 접착 부재 등의 추가 부재를 사용하지 않고 배치하는 것을 의미하는 것일 수 있다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다. 본 명세서에서 "상에 배치되는" 것은 어느 하나의 부재의 상부뿐 아니라 하부에 배치되는 경우도 나타내는 것일 수 있다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의된 것으로 해석된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 일 실시예의 전자 장치를 나타낸 평면도이다. 도 2는 일 실시예의 전자 장치의 단면도이다. 도 2는 도 1의 I-I'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다. 도 3은 전자 장치의 일 부분을 나타낸 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 일 실시예의 전자 장치(DD)는 복수 개의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예의 전자 장치(DD)에서 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각은 서로 마주하는 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 및 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 적어도 하나의 기능층들(FL)을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예의 전자 장치(DD)는 비발광 영역(NPXA) 및 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 포함할 수 있다. 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각에서 생성된 광이 방출되는 영역일 수 있다. 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 평면 상에서 서로 이격된 것일 수 있다.
발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 화소 정의막(PDL)으로 구분되는 영역일 수 있다. 비발광 영역들(NPXA)은 이웃하는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이의 영역들로 화소 정의막(PDL)과 대응하는 영역일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 화소(Pixel)에 대응하는 것일 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 구분하는 것일 수 있다. 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 발광층(EML-R, EML-G, EML-B)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH)에 배치되어 구분될 수 있다. 또한, 일 실시예에서 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 정공 수송 영역(HTR)도 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 내에 배치되는 것일 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 고분자 수지로 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 폴리아크릴레이트(Polyacrylate)계 수지 또는 폴리이미드(Polyimide)계 수지를 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 화소 정의막(PDL)은 고분자 수지 이외에 무기물을 더 포함하여 형성될 수 있다. 한편, 화소 정의막(PDL)은 광흡수 물질을 포함하여 형성되거나, 블랙 안료 또는 블랙 염료를 포함하여 형성될 수 있다. 블랙 안료 또는 블랙 염료를 포함하여 형성된 화소 정의막(PDL)은 블랙화소정의막을 구현할 수 있다. 화소 정의막(PDL) 형성 시 블랙 안료 또는 블랙 염료로는 카본 블랙 등이 사용될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 화소 정의막(PDL)은 무기물로 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등을 포함하여 형성되는 것일 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 정의하는 것일 수 있다. 화소 정의막(PDL)에 의해 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 과 비발광 영역(NPXA)이 구분될 수 있다.
일 실시예에서 화소 정의막(PDL)의 측면(PDL-S)은 소수성(hydrophobic)을 갖는 것일 수 있다. 개구부(OH)를 정의하고 기능층들(FL)과 접촉하는 화소 정의막의 측면(PDL-S)은 소수성을 나타내는 것일 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL) 자체가 소수성 물질을 포함하여 형성된 것이거나, 또는 적어도 화소 정의막의 측면(PDL-S)에 소수성 코팅층(미도시)을 포함하는 것일 수 있다.
발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)에서 생성되는 광의 컬러에 따라 복수 개의 그룹으로 구분될 수 있다. 도 1 및 도 2에 도시된 일 실시예의 전자 장치(DD)에는 적색광, 녹색광, 및 청색광을 발광하는 3개의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 예시적으로 도시하였다. 예를 들어, 일 실시예의 전자 장치(DD)는 서로 구분되는 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 전자 장치(DD)에서 복수 개의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 서로 상이한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 전자 장치(DD)는 적색광을 방출하는 제1 발광 소자(ED-1), 녹색광을 방출하는 제2 발광 소자(ED-2), 및 청색광을 방출하는 제3 발광 소자(ED-3)를 포함할 수 있다. 즉, 전자 장치(DD)의 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)은 각각 제1 발광 소자(ED-1), 제2 발광 소자(ED-2), 및 제3 발광 소자(ED-3)에 대응할 수 있다.
하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제1 내지 제3 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 동일한 파장 영역의 광을 방출하는 것이거나, 또는 적어도 하나가 상이한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 모두 청색광을 방출하는 것일 수 있다.
한편, 제1 내지 제3 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)이 모두 청색광을 방출하는 경우 전자 장치(DD)는 표시 패널(DP) 상에 배치된 광제어층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 광제어층(미도시)은 양자점 또는 형광체 등의 광변환체를 포함하는 층일 수 있다. 광제어층(미도시)은 적색 발광 영역(PXA-R)에 대응하고 청색광을 적색광으로 변환하는 적색 광변환체를 포함하는 제1 광제어부, 및 녹색 발광 영역(PXA-G)에 대응하고 청색광을 녹색광으로 변환하는 녹색 광변환체를 포함하는 제2 광제어부를 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예에 따른 전자 장치(DD)에서의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 스트라이프 형태로 배열된 것일 수 있다. 도 1을 참조하면, 복수 개의 적색 발광 영역들(PXA-R), 복수 개의 녹색 발광 영역들(PXA-G), 및 복수 개의 청색 발광 영역들(PXA-B)이 각각 제2 방향축(DR2)을 따라 정렬된 것일 수 있다. 또한, 제1 방향축(DR1)을 따라 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)의 순서로 번갈아 가며 배열된 것일 수 있다.
도 1 및 도 2에서는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적이 모두 유사한 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 발광 영역들(PXA-R PXA-G, PXA-B)의 면적은 방출하는 광의 파장 영역에 따라 서로 상이할 수 있다. 한편, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면 상에서 보았을 때의 면적을 의미할 수 있다.
한편, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 배열 형태는 도 1에 도시된 것에 한정되지 않으며, 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)이 배열되는 순서는 전자 장치(DD)에서 요구되는 표시 품질의 특성에 따라 다양하게 조합되어 제공될 수 있다. 예를 들어, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 배열 형태는 펜타일(pentile) 배열 형태이거나, 다이아몬드 배열 형태를 갖는 것일 수 있다.
또한, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적은 서로 상이한 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 녹색 발광 영역(PXA-G)의 면적이 청색 발광 영역(PXA-B)의 면적 보다 작을 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예의 전자 장치(DD)는 발광 소자층(DP-ED)을 포함하는 표시 패널(DP)을 포함한다. 일 실시예에서 표시 패널(DP)은 베이스층(BS), 베이스층(BS) 상에 제공된 회로층(DP-CL)과 발광 소자층(DP-ED), 및 발광 소자층(DP-ED) 상에 배치된 상부 절연층(TFE)을 포함하는 것일 수 있다. 발광 소자층(DP-ED)은 화소 정의막(PDL), 화소 정의막(PDL) 사이에 배치된 적어도 하나의 기능층들(FL)을 포함하는 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 포함하는 것일 수 있다.
베이스층(BS)은 발광 소자층(DP-ED)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(BS)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스층(BS)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다.
일 실시예에서 회로층(DP-CL)은 베이스층(BS) 상에 배치되고, 회로층(DP-CL)은 복수의 트랜지스터들(미도시)을 포함하는 것일 수 있다. 트랜지스터들(미도시)은 각각 제어 전극, 입력 전극, 및 출력 전극을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 회로층(DP-CL)은 발광 소자층(DP-ED)의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 구동하기 위한 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터 등을 포함하는 것일 수 있다.
발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각은 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML-R, EML-G, EML-B), 전자 수송 영역(ETR), 및 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다. 도 3에서는 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 대표하는 구조를 예시적으로 나타낸 것으로, 도 3에서 도시된 발광 소자의 구조는 도 2에서 도시된 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각에 동일하게 적용될 수 있다.
도 2를 참조하면, 일 실시예에서 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 내에 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 정공 수송 영역(HTR) 및 발광층(EML-R, EML-G, EML-B)이 배치되며, 전자 수송 영역(ETR) 및 제2 전극(EL2)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 전체에서 공통층으로 제공되는 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 도 2에 도시된 것과 달리 일 실시예에서 전자 수송 영역(ETR)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 내부에 패턴닝 되어 제공되는 것일 수 있다.
일 실시예에서 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)의 정공 수송 영역(HTR) 및 발광층(EML-R, EML-G, EML-B) 등은 잉크젯 프린팅법으로 제공되는 것일 수 있다. 잉크젯 프린팅법을 이용하여 정공 수송 영역(HTR) 및 발광층(EML-R, EML-G, EML-B)이 순차적으로 제공될 수 있다. 한편, 일 실시예에서 전자 수송 영역(ETR)은 증착법 등을 이용하여 제공될 수 있다. 잉크젯 프린팅법을 이용하여 형성된 정공 수송 영역(HTR) 및 발광층(EML-R, EML-G, EML-B)은 정공 수송 재료 또는 발광층 재료를 용매와 같이 인쇄층용 용액으로 제공하여 형성되거나, 또는 별도의 용매 없이 정공 수송 재료 또는 발광층 재료 상태로부터 형성될 수 있다.
상부 절연층(TFE)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 상에 배치되는 것일 수 있다. 상부 절연층(TFE)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 커버하여 밀봉하는 것일 수 있다. 상부 절연층(TFE)은 박막 봉지층일 수 있다. 상부 절연층(TFE)은 하나의 층 또는 복수의 층들이 적층된 것일 수 있다. 일 실시예에 따른 상부 절연층(TFE)은 적어도 하나의 무기막(이하, 봉지 무기막)을 포함할 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 상부 절연층(TFE)은 적어도 하나의 유기막(이하, 봉지 유기막) 및 적어도 하나의 봉지 무기막을 포함할 수 있다.
봉지 무기막은 수분/산소로부터 발광 소자층(DP-ED)을 보호하고, 봉지 유기막은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자층(DP-ED)을 보호한다. 봉지 무기막은 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 티타늄옥사이드, 또는 알루미늄옥사이드 등을 포함할 수 있고, 이에 특별히 제한되지 않는다. 봉지 유기막은 아크릴계 화합물, 에폭시계 화합물 등을 포함하는 것일 수 있다. 봉지 유기막은 광중합 가능한 유기물질을 포함하는 것일 수 있으며 특별히 제한되지 않는다.
상부 절연층(TFE)은 제2 전극(EL2) 상에 배치되고, 개구부(OH)를 채우고 배치될 수 있다.
일 실시예에 따른 전자 장치(DD)는 표시 패널(DP) 및 표시 패널(DP) 상에 배치된 광학층(PP)을 포함할 수 있다. 광학층(PP)은 표시 패널(DP) 상에 배치되어 외부광에 의한 표시 패널(DP)에서의 반사광을 제어할 수 있다. 광학층(PP)은 예를 들어, 편광층을 포함하는 것이거나 또는 컬러필터층을 포함하는 것일 수 있다. 한편, 도면에 도시된 바와 달리 일 실시예의 전자 장치(DD)에서 광학층(PP)은 생략될 수 있다.
광학층(PP) 상에는 베이스 기판(BL)이 배치될 수 있다. 베이스 기판(BL)은 광학층(PP)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스 기판(BL)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스 기판(BL)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다. 또한, 도시된 것과 달리 일 실시예에서 베이스 기판(BL)은 생략될 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 소자는 순차적으로 적층된 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 전자 수송 영역(ETR), 및 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다.
제1 전극(EL1)은 도전성을 갖는다. 제1 전극(EL1)은 금속재료, 금속합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 제1 전극(EL1)은 애노드(anode) 또는 캐소드(cathode)일 수 있다. 하지만 실시예가 이에 한정되지 않는다. 또한, 제1 전극(EL1)은 화소 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)이 투과형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등을 포함할 수 있다. 제1 전극(EL1)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, W 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 제1 전극(EL1)은 상기의 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 전극(EL1)은 상술한 금속재료, 상술한 금속재료들 중 선택된 2종 이상의 금속재료들의 조합, 또는 상술한 금속재료들의 산화물 등을 포함하는 것일 수 있다. 제1 전극(EL1)의 두께는 약 700Å 내지 약 10000Å일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)의 두께는 약 1000Å 내지 약 3000Å일 수 있다.
베이스층(BS) 상에 배치된 화소 정의막(PDL)에는 복수 개의 개구부(OH)들이 정의되는 것일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 베이스층(BS) 상에 배치되고 제1 전극(EL1)의 상부면은 개구부(OH)에서 노출되는 것일 수 있다. 일 실시예에서 제1 전극(EL1)은 회로층(DP-CL) 상에 배치되고, 도시되지는 않았으나 제1 전극(EL1)은 회로층(DP-CL)과 전기적으로 연결될 수 있다.
화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 내에서 정공 수송 영역(HTR)이 제1 전극(EL1) 상에 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층, 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물, DNTPD(N1,N1'-([1,1'-biphenyl]-4,4'-diyl)bis(N1-phenyl-N4,N4-di-m-tolylbenzene-1,4-diamine)), m-MTDATA(4,4',4"-[tris(3-methylphenyl)phenylamino] triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2-TNATA(4,4',4"-tris[N(2-naphthyl)-N-phenylamino]-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS(Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate)), NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), 트리페닐아민을 포함하는 폴리에테르케톤(TPAPEK), 4-Isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium [Tetrakis(pentafluorophenyl)borate], HATCN(dipyrazino[2,3-f: 2',3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile) 등을 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorene)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl), mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene) 등을 포함할 수도 있다.
또한, 정공 수송 영역(HTR)은, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorene)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diplienyl-benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl), CzSi(9-(4-tert-Butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H-carbazole), CCP(9-phenyl-9H-3,9'-bicarbazole), mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene), 또는 mDCP(1,3-bis(1,8-dimethyl-9H-carbazol-9-yl)benzene)등을 포함할 수 있다.
또한, 정공 수송 영역(HTR)은 하기 화합물군 H에 나열된 모노아민 화합물들 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
[화합물군 H]
Figure pat00001
Figure pat00002
Figure pat00003
정공 수송 영역(HTR)은 앞서 언급한 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 전하 생성 물질은 정공 수송 영역(HTR) 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. 전하 생성 물질은 예를 들어, p-도펀트(dopant)일 수 있다. p-도펀트는 할로겐화 금속 화합물, 퀴논(quinone) 유도체, 금속 산화물 및 시아노(cyano)기 함유 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, p-도펀트는 CuI 및 RbI 등의 할로겐화 금속 화합물, TCNQ(Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체, 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물, HATCN(dipyrazino[2,3-f: 2',3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile) 및 4-[[2,3-bis[cyano-(4-cyano-2,3,5,6-tetrafluorophenyl)methylidene]cyclopropylidene]-cyanomethyl]-2,3,5,6-tetrafluorobenzonitrile과 같은 시아노기 함유 화합물 등을 들 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)은 중심에서 외곽으로 갈수록 두께가 점차적으로 감소하는 기능층일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR)의 두께(tH)는 제1 전극(EL1) 및 제1 전극(EL1)과 마주하는 발광층(EML) 사이의 간격으로 정의될 수 있다. 정공 수송 영역(HTR)의 두께(tH)는 개구부의 중심을 지나는 가상의 중심선(CTL)을 지나는 중심에서 화소 정의막(PDL)의 측면(PDL-S) 방향으로 갈수록 점차적으로 감소하는 것일 수 있다.
제1 전극(EL1)에 수직하는 단면 상에서 정공 수송 영역(HTR)의 형상은 중심 부분이 발광층(EML) 방향으로 볼록하게 형성된 돔(dome) 형상일 수 있다. 도 3에서는 제1 방향축(DR1)과 제3 방향축(DR3)이 정의하는 평면과 나란한 단면을 도시하였으며, 제1 방향축(DR1)과 제3 방향축(DR3)이 정의하는 평면과 나란한 단면 상에서 정공 수송 영역(HTR)의 중심에서의 두께는 화소 정의막(PDL)의 측면(PDL-S)에 인접한 외곽 부분에서의 두께 보다 두꺼운 것일 수 있다. 일 실시예에서, 정공 수송 영역(HTR)의 상부면(HTR-T)은 발광층(EML) 방향으로 볼록한 곡면일 수 있다.
도 4는 일 실시예에서의 정공 수송 영역(HTR)의 두께 프로파일을 나타낸 도면이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, "CTL"은 개구부(OH)의 중심을 지나는 가상의 중심선이고, "EDL1" 및 "EDL2"는 각각 화소 정의막(PDL)의 상부 엣지(PDL-T)로부터 소정의 거리(GP1, GP2)만큼 이격된 지점을 지나는 가상의 외곽선일 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)의 상부 엣지(PDL-T)로부터 이격된 거리(GP1, GP2)는 약 2㎛일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, "EDL1" 및 "EDL2"는 중심으로부터 화소 정의막(PDL) 방향으로 이격된 지점으로, 화소 정의막(PDL)과 중첩하지 않는 지점을 나타내는 것일 수 있다.
중심선(CTL)을 지나는 부분의 정공 수송 영역(HTR)의 중심 두께(tHC)는 외곽선(EDL1, EDL2)을 지나는 정공 수송 영역(HTR)의 외곽 두께(tHE) 보다 두꺼운 것일 수 있다. 중심선(CTL)을 지나는 부분의 정공 수송 영역(HTR)의 중심 두께(tHC)와 외곽선(EDL1, EDL2)을 지나는 정공 수송 영역(HTR)의 외곽 두께(tHE)의 차이는 약 200Å 이상일 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR) 전체의 평균 두께는 약 1000Å 내지 약 1500Å이고, 정공 수송 영역(HTR)의 중심 두께(tHC)와 외곽선(EDL1, EDL2)을 지나는 정공 수송 영역(HTR)의 외곽 두께(tHE)의 차이는 약 200Å 일 수 있다.
하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR) 전체의 평균 두께가 1000Å 보다 작은 경우에 있어서, 정공 수송 영역(HTR)의 중심 두께(tHC)와 외곽선(EDL1, EDL2)을 지나는 정공 수송 영역(HTR)의 외곽 두께(tHE)의 차이는 200Å 보다 작을 수 있고, 정공 수송 영역(HTR) 전체의 평균 두께가 1500Å 보다 큰 경우에 있어서, 정공 수송 영역(HTR)의 중심 두께(tHC)와 외곽선(EDL1, EDL2)을 지나는 정공 수송 영역(HTR)의 외곽 두께(tHE)의 차이는 약 200Å 보다 클 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)의 중심 두께(tHC)와 외곽선(EDL1, EDL2)을 지나는 정공 수송 영역(HTR)의 외곽 두께(tHE)의 차이가 200Å 보다 작거나 큰 경우에 있어서도 정공 수송 영역(HTR)의 중심 두께(tHC)가 가장 두껍고 외곽으로 갈수록 두께가 감소하는 것일 수 있다.
도 4를 참조하면, 정공 수송 영역의 두께 프로파일(PF-HR)은 중심에서의 두께가 외곽에서의 두께보다 두꺼운 돔 형상일 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)의 두께 프로파일은 가상의 중심선(CTL)을 기준으로 대칭일 수 있다. 하지만 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 정공 수송 영역(HTR)의 두께는 중심선(CTL)에서 외곽선(EDL1, EDL2) 방향으로 갈수록 감소되는 두께 프로파일을 나타내는 것으로 중심선(CTL)을 기준으로 각 외곽선(EDL1, EDL2)에 인접하도록 대응되는 부분의 두께는 비대칭일 수 있다. 하지만, 이 경우에 있어서도 정공 수송 영역(HTR)의 중심 두께(tHC)가 가장 두껍고 외곽선(EDL1, EDL2)에 인접한 부부의 외곽 두께(tHE)가 얇은 것일 수 있다.
발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 배치된다. 발광층(EML)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
발광층(EML)은 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 빛을 방출하는 형광 또는 인광 물질을 포함하는 유기 물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물을 포함할 수 있다.
발광층(EML)은 저분자 유기물로 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), Alq3 (tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum) 등을 비롯해 다양한 유기 물질을 포함할 수 있다. 또한, 발광층(EML)이 고분자 유기물을 포함할 경우에는 발광층의 위 또는 아래에 정공 수송 영역(HTR)이 배치될 수 있다. 이 때, 정공 수송 영역(HTR)은 PEDOT를 포함하고, 발광층(EML)은 PPV(Poly-Phenylene vinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등의 고분자 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예의 발광 소자에서 발광층(EML)은 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 플루오란텐 유도체, 크리센 유도체, 디하이드로벤즈안트라센 유도체, 또는 트리페닐렌 유도체를 포함하는 것일 수 있다. 구체적으로, 발광층(EML)은 안트라센 유도체 또는 피렌 유도체를 포함하는 것일 수 있다.
예를 들어, 발광층(EML)은 하기 화합물 E1 내지 화합물 E19 중 어느 하나로 표시되는 안트라센 유도체를 포함하는 것일 수 있다.
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발광층(EML)은 호스트 물질로 당 기술분야에 알려진 일반적인 재료를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층(EML)은 호스트 물질로 DPEPO(Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl] ether oxide), CBP(4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl), mCP(1,3-Bis(carbazol-9-yl)benzene), PPF (2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]furan), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine) 및 TPBi(1,3,5-tris(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazole-2-yl)benzene) 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PVK(poly(N-vinylcarbazole), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(2-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4′-bis(9-carbazolyl)-2,2′-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene), CP1(Hexaphenyl cyclotriphosphazene), UGH2 (1,4-Bis(triphenylsilyl)benzene), DPSiO3 (Hexaphenylcyclotrisiloxane), DPSiO4 (Octaphenylcyclotetra siloxane), PPF(2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzofuran) 등을 호스트 재료로 사용할 수 있다.
일 실시예에서 발광층(EML)은 공지의 도펀트 재료로, 스티릴 유도체(예를 들어, 1, 4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene(BCzVB), 4-(di-p-tolylamino)-4'-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene(DPAVB), N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi)), 4,4'-bis[2-(4-(N,N-diphenylamino)phenyl)vinyl]biphenyl(DPAVBi) , 페릴렌 및 그 유도체(예를 들어, 2, 5, 8, 11-Tetra-t-butylperylene(TBP)), 피렌 및 그 유도체(예를 들어, 1, 1-dipyrene, 1, 4-dipyrenylbenzene, 1, 4-Bis(N, N-Diphenylamino)pyrene) 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에서 발광층(EML)은 중심에서의 두께가 외곽에서의 두께보다 얇은 것일 수 있다. 발광층(EML)은 중심에서 외곽으로 갈수록 두께가 점차적으로 증가하는 기능층일 수 있다. 발광층(EML)의 두께(tE)는 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR) 사이의 간격으로 정의될 수 있다. 발광층(EML)의 두께(tE)는 개구부(OH)의 중심을 지나는 가상의 중심선(CTL)을 지나는 중심에서 화소 정의막(PDL)의 측면(PDL-S) 방향으로 갈수록 점차적으로 증가하는 것일 수 있다.
도 5는 일 실시예에서의 발광층(EML)의 두께 프로파일을 나타낸 도면이다. 도 5에서, "CTL"은 개구부(OH)의 중심을 지나는 가상의 중심선이고, "EDL1" 및 "EDL2"는 각각 화소 정의막(PDL)의 상부 엣지(PDL-T)로부터 소정의 거리(GP1, GP2)만큼 이격된 지점을 지나는 가상의 외곽선에 해당한다. 발광층(EML)의 중심의 두께(tEC)는 가상의 중심선(CTL)을 지나는 지점의 두께이고, 발광층(EML)의 외곽의 두께(tEE)는 가상의 외곽선(EDL1, ELD2)을 지나는 지점의 두께이다. 도 5를 참조하면, 발광층의 두께 프로파일(PF-EML)은 중심에서 외곽으로 갈수록 두께가 증가하는 U-형상일 수 있다. 한편, "EDL1" 및 "EDL2"는 중심으로부터 화소 정의막(PDL) 방향으로 이격된 지점으로, 화소 정의막(PDL)과 중첩하지 않는 지점을 나타내는 것일 수 있다.
일 실시예에서, 발광층(EML)의 중심 두께(tEC)는 외곽 지점인 "EDL1" 또는 "EDL2" 등을 지나는 발광층(EML)의 외곽 두께(tEE) 보다 얇은 것일 수 있다.
도 3을 참조하면, 발광층(EML)의 하부면은 정공 수송 영역의 상부면(HTR-T)에 대응하는 형상일 수 있다. 발광층(EML)의 하부면은 발광층 상부면(EML-T) 방향으로 오목한 곡면일 수 있다. 또한, 일 실시예에서 발광층의 상부면(EML-T)은 평탄면일 수 있다.
도 6 및 도 7은 각각 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 6은 일 실시예에서 정공 수송 영역(HTR)이 제1 전극(EL1) 상에 제공된 상태의 발광 소자의 단면을 나타낸 도면이다. 도 6을 참조하면, 제1 전극(EL1)에 수직하는 단면 상에서 개구부(OH) 내에 배치된 정공 수송 영역(HTR) 전체의 단면적을 100%로 할 때, 정공 수송 영역(HTR)의 단면적이 60%인 제1 영역(HR-A)의 정공 수송 영역(HTR)의 평균 두께는 정공 수송 영역(HTR)의 단면적이 80%인 영역(제1 영역(HR-A) 및 제2 영역(HR-B) 포함)의 정공 수송 영역(HTR)의 평균 두께 보다 큰 것일 수 있다. 한편, 정공 수송 영역(HTR) 전체의 단면적이 100%인 영역은 제1 영역 내지 제3 영역 전체(HR-A, HR-B, 및 HR-C 포함)에 해당하는 것일 수 있다.
일 실시예에서 발광 소자의 정공 수송 영역(HTR)은 중심선(CTL)을 중심으로 하고 단면적이 전체 면적의 60%인 제1 영역(HR-A)의 평균 두께가, 중심선(CTL)을 중심으로 하고 단면적이 전체 면적의 80%인 영역(제1 영역(HR-A) 및 제2 영역(HR-B) 포함)의 평균 두께 보다 큰 것을 특징으로 한다. 즉, 일 실시예에서 정공 수송 영역(HTR)은 단면 상의 전체 면적의 60%인 제1 영역(HR-A)의 평균 두께가 전체 면적의 80%인 영역(제1 영역(HR-A) 및 제2 영역(HR-B) 포함)의 평균 두께 보다 큰 것으로 중심 부분이 외곽 부분보다 상대적으로 볼록한 형태의 돔 형상의 두께 프로파일을 갖는 것일 수 있다.
도 7은 돔 형상으로 제공된 정공 수송 영역(HTR) 상에 발광층(EML)이 배치된 일 실시예의 발광 소자를 나타낸 단면도이다. 도 7을 참조하면, 제1 전극(EL1)에 수직하는 단면 상에서 개구부(OH) 내에 배치된 발광층(EML) 전체의 단면적을 100%로 할 때, 발광층(EML)의 단면적이 60%인 제1 영역(ER-A)의 발광층(EML)의 평균 두께는 발광층(EML)의 단면적이 80%인 영역(제1 영역(ER-A) 및 제2 영역(ER-B) 포함)의 발광층(EML)의 평균 두께 보다 작은 것일 수 있다. 한편, 발광층(EML) 전체의 단면적이 100%인 영역은 제1 영역 내지 제3 영역 전체(ER-A, ER-B, 및 ER-C 포함)에 해당하는 것일 수 있다.
일 실시예에서 발광 소자의 발광층(EML)은 중심선(CTL)을 중심으로 하고 단면적이 전체 면적의 60%인 제1 영역(ER-A)의 평균 두께가, 중심선(CTL)을 중심으로 하고 단면적이 전체 면적의 80%인 영역(제1 영역(ER-A) 및 제2 영역(ER-B) 포함)의 평균 두께 보다 작은 것을 특징으로 한다. 즉, 일 실시예에서 발광층(EML)은 단면 상의 전체 면적의 60%인 제1 영역(ER-A)의 평균 두께가 전체 면적의 80%인 영역(제1 영역(ER-A) 및 제2 영역(ER-B) 포함)의 평균 두께 보다 작은 것으로 중심 부분이 외곽 부분보다 상대적으로 오목한 형태의 U-형상의 두께 프로파일을 갖는 것일 수 있다.
도 3을 다시 참조하면, 제1 전극(EL1)에 수직하는 단면 상에서 발광층(EML)의 상부면(EML-T)은 평탄면일 수 있다. 즉, 일 실시예에서 오목한 돔 형상의 정공 수송 영역(HTR) 상에 U-형상의 두께 프로파일을 갖는 발광층(EML)을 제공하여, 최종적으로 발광층(EML)의 상부면(EML-T)은 중심과 외곽의 두께 편차가 10% 미만인 평탄면을 나타낼 수 있다.
일 실시예에서 화소 정의막(PDL)으로 구분되는 발광 영역 전체의 면적에 대한두께 균일도를 갖는 영역의 면적의 비율은 80% 이상일 수 있다. 예를 들어, 하나의 발광 영역 안에서 두께 균일도를 갖는 면적의 비율을 아래의 수식에서 나타낸 IPU 값으로 정의할 수 있다.
IPU(%) = {(최소두께)~(최소두께+150Å) 영역의 면적}/{발광영역 전체 면적}
즉, IPU 값은 개구부(OH) 내에 배치된 발광 영역 전체의 면적에 대하여 제1 전극(EL1)부터 발광층 상부면(EML-T)까지의 두께가 최소두께인 부분부터 제1 전극(EL1)부터 발광층 상부면(EML-T) 까지의 두께가 최소두께+150Å 부분까지의 면적의 합의 비율을 나타낸 것이다. 일 실시예의 경우 발광층(EML) 하부의 정공 수송 영역(HTR)은 중심 부분이 볼록한 돔 형상의 두께 프로파일을 가지고, 발광층(EML)은 중심 부분의 두께가 얇은 U-형상의 두께 프로파일을 가짐으로써 발광층(EML)의 상부면(EML-T)에서는 두께 편차가 작은 평탄면을 나타낼 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 발광층의 상부면(EML-T) 까지의 두께 편차가 150Å 이하인 영역이 전체 발광 영역의 80% 이상으로 두께의 편차가 작은 막 특성을 나타낼 수 있다.
도 8은 제1 전극 상에 정공 수송 영역과 발광층이 적층된 상태에서의 두께 프로파일을 개략적으로 나타낸 도면이다. 가상의 중심선(CTL)을 지나는 중심에서의 제1 전극부터 발광층 상부면까지의 두께(tCTL)와 가상의 외곽선(EDL1, EDL2)을 지나는 외곽에서의 제1 전극부터 발광층 상부면까지의 두께(tEDL)의 차이는 10% 미만일 수 있다.
중심에서의 제1 전극부터 발광층 상부면까지의 두께(tCTL)는 정공 수송 영역에서 가상의 중심선(CTL)을 지나는 부분의 두께(tHC)와 발광층에서 가상의 중심선(CTL)을 지나는 부분의 두께(tEC)의 합에 해당한다. 또한, 외곽에서의 제1 전극부터 발광층 상부면까지의 두께(tEDL)는 정공 수송 영역에서 가상의 외곽선(EDL1 또는 EDL2)을 지나는 부분의 두께(tHE)와 발광층에서 가상의 외곽선(EDL1 또는 EDL2)을 지나는 부분의 두께(tEE)의 합에 해당한다. 중심에서의 제1 전극부터 발광층 상부면까지의 두께(tCTL)와 외곽에서의 제1 전극부터 발광층 상부면까지의 두께(tEDL)의 차이는 10% 미만일 수 있다. 즉, 중심에서의 정공 수송 영역의 두께(tHC)와 발광층 두께(tEC)의 합과 외곽에서의 정공 수송 영역의 두께(tHE)와 발광층의 두께(tEE)의 합의 차이는 10% 미만일 수 있다.
도 2 및 도 3에서 도시하여 설명한 일 실시예에 따른 발광 소자에서 정공 수송 영역(HTR)의 비저항은 발광층(EML)의 비저항보다 낮은 것일 수 있다. 예를 들어, 발광층(EML)의 비저항은 정공 수송 영역(HTR)의 비저항의 10배 이상 100배 이하일 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)의 비저항은 1.0X106Ωㆍm 내지 9.0X106Ωㆍm 이고, 발광층(EML)의 비저항은 1.0X107Ωㆍm 내지 9.0X107Ωㆍm 일 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)의 비저항은 1.5X106Ωㆍm 내지 4.50X106Ωㆍm 이고, 발광층(EML)의 비저항은 8.0X107Ωㆍm 내지 9.0X107Ωㆍm 일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에서 정공 수송 영역(HTR)의 전도도는 발광층(EML)의 전도도보다 큰 것일 수 있다. 한편, 전도도와 비저항은 아래의 관계식을 갖는다.
Figure pat00011
비저항 값과 전도도 값은 반비례의 관계를 갖는 것일 수 있다. 즉, 정공 수송 영역(HTR)은 발광층(EML)과 비교하여 비저항이 낮고 전도도가 높은 특성을 갖는 것일 수 있다.
한편, 일 실시예에서 상대적으로 비저항이 높고 전도도가 낮은 발광층(EML)의 외곽 부분의 두께를 두껍게 하여 발광 영역의 외곽 부분에서의 전류 밀도 증가를 제어할 수 있다. 이에 따라, 비발광 영역으로의 전류 손실을 감소시켜 발광 소자에서의 발광 효율을 증대시킬 수 있다.
도 3을 다시 참조하면, 발광층(EML) 상에 전자 수송 영역(ETR)이 배치될 수 있다. 전자 수송 영역(ETR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 진공 증착법 등을 이용하여 형성될 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 전자 수송 영역(ETR)은 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), 1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene, 2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine, 2-(4-(N-phenylbenzoimidazol-1-yl)phenyl)-9,10-dinaphthylanthracene, TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)benzene), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), BmPyPhB(1,3-Bis[3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl]benzene) 및 이들의 혼합물을 포함하는 것일 수 있다.
또한, 전자 수송 영역(ETR)은 LiF, NaCl, CsF, RbCl, RbI, CuI, KI와 같은 할로겐화 금속, Yb와 같은 란타넘족 금속, 또한 상기의 할로겐화 금속과 란타넘족 금속의 공증착 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 수송 영역(ETR)은 공증착 재료로 KI:Yb, RbI:Yb 등을 포함할 수 있다. 한편, 전자 수송 영역(ETR)은 Li2O, BaO 와 같은 금속 산화물, 또는 Liq(8-hydroxyl-Lithium quinolate) 등이 사용될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송 영역(ETR)은 또한 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 유기 금속염은 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 대략 4eV 이상의 물질이 될 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 앞서 언급한 재료 이외에 BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETR) 상에 제공된다. 제2 전극(EL2)은 공통 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 캐소드(cathode) 또는 애노드(anode)일 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)이 애노드인 경우 제2 전극(EL2)은 캐소드일 수 있고, 제1 전극(EL1)이 캐소드인 경우 제2 전극(EL2)은 애노드일 수 있다.
제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)이 투과형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다.
제2 전극(EL2)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, Yb, W 또는 이들을 포함하는 화합물이나 혼합물(예를 들어, AgMg, AgYb, 또는 MgAg)을 포함할 수 있다. 또는 제2 전극(EL2)은 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(EL2)은 상술한 금속재료, 상술한 금속재료들 중 선택된 2종 이상의 금속재료들의 조합, 또는 상술한 금속재료들의 산화물 등을 포함하는 것일 수 있다.
한편, 일 실시예에서 발광 소자의 제2 전극(EL2) 상에는 캡핑층(미도시)이 더 배치될 수 있다. 캡핑층(미도시)은 다층 또는 단층을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 캡핑층(미도시)은 유기층 또는 무기층일 수 있다. 캡핑층(미도시)의 굴절률은 1.6 이상일 수 있다. 구체적으로, 550nm 이상 660nm 이하의 파장 범위의 광에 대해서 캡핑층(미도시)의 굴절률은 1.6 이상일 수 있다.
일 실시예의 전자 장치는 개구부 내에 배치되고 중심에서의 두께가 외곽에서의 두께보다 두꺼운 정공 수송 영역, 및 정공 수송 영역 상에 배치되고 중심에서의 두께가 외곽에서의 두께보다 얇은 발광층을 포함하고, 발광층 상부면은 두께 편차가 10% 미만의 평탄면을 갖는 발광 소자를 포함하여 발광 영역 내에서 우수한 발광 균일도를 나타낼 수 있다. 또한, 일 실시예의 전자 장치에서 화소 정의막에 인접한 발광 영역의 외곽 부분에서 상대적으로 두꺼운 두께의 발광층을 포함함으로써 발광층이 상대적으로 얇은 경우에 발생하는 누설 전류 흐름이 방지되어 발광 소자의 효율이 개선된 특성을 나타낼 수 있다. 한편, 발광층 하부의 기능층의 두께 프로파일을 돔 형상으로 하고, 발광층의 두께 프로파일은 U-형상으로 하여, 최종적으로 발광층 상부면의 두께 프로파일을 평탄하게 함으로써 발광 영역 내에서의 발광 균일도를 증가시키고, 균일한 발광 특성을 나타내는 영역의 면적을 증가시킬 수 있다.
도 9는 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부를 나타낸 단면도이다. 도 9를 참조하여 설명하는 일 실시예에 따른 전자 장치(DD-1)의 설명에 있어서, 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한 내용과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며 차이점을 위주로 설명한다.
일 실시예의 전자 장치(DD-1)에서 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 포함하는 것일 수 있다. 정공 주입층(HIL)은 제1 전극(EL1) 상에 배치되고 정공 수송층(HTL)은 정공 주입층(HIL) 상에 배치되는 것일 수 있다. 한편, 도면에 도시되는 않았으나 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL)과 정공 수송층(HTL) 사이에 배치된 버퍼층(미도시) 및 정공 수송층(HTL) 상부에 배치된 전자 저지층(미도시) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 포함하는 정공 수송 영역(HTR)의 중심에서의 두께는 외곽에서의 두께보다 두꺼울 수 있다. 또한, 정공 수송 영역(HTR)이 버퍼층(미도시) 및 전자 저지층(미도시) 중 적어도 하나를 더 포함하는 경우에 있어서도 정공 수송 영역(HTR)의 중심에서의 두께는 외곽에서의 두께보다 두꺼울 수 있다.
도 9를 참조하면, 중심에서의 정공 주입층(HIL)의 두께는 외곽에서의 정공 주입층(HIL)의 두께보다 두꺼운 것일 수 있다. 정공 주입층(HIL)의 두께는 중심에서 화소 정의막(PDL)의 측면(PDL-S) 방향인 외곽으로 갈수록 점차적으로 감소하는 것일 수 있다. 정공 주입층의 상부면(HIL-T)은 발광층(EML) 방향으로 볼록한 곡면일 수 있다. 정공 주입층(HIL)은 개구부(OH) 내에 배치된 단면 상에서 발광층(EML) 방향으로 볼록한 돔 형상일 수 있다.
즉, 일 실시예에서 개구부(OH)의 중심을 지나는 가상의 중심선(CTL)에 대응하는 중심 부분에서의 정공 주입층(HIL)의 두께는 화소 정의막(PDL)으로부터 소정 간격(GP1, GP2) 이격된 가상의 외곽선(EDL1, EDL2)에 대응하는 외곽 지점의 정공 주입층(HIL)의 두께보다 두꺼운 것일 수 있다.
정공 수송층(HTL)은 정공 주입층(HIL) 상에 배치되고, 정공 수송층의 상부면(HTL-T)은 발광층(EML) 방향으로 볼록한 곡면일 수 있다. 정공 수송층(HTL)의 하부면은 정공 주입층의 상부면(HIL-T)에 대응하는 형상일 수 있다.
중심에서의 정공 수송층의 두께(tHTC)는 외곽에서의 정공 수송층의 두께(tHTE)보다 두꺼운 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 중심에서의 정공 수송층의 두께(tHTC)는 외곽에서의 정공 수송층의 두께(tHTE)는 동일할 수 있다.
도 9에 도시된 일 실시예에서 제1 전극(EL1), 발광층(EML), 전자 수송 영역(ETR), 및 제2 전극(EL2)에 대하여는 상술한 도 1 내지 도 8에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다. 즉, 일 실시예의 전자 장치(DD-1)에서 발광층(EML)은 중심에서의 두께가 외곽에서의 두께보다 얇은 것일 수 있다. 발광층(EML)의 하부면은 정공 수송층의 상부면(HTL-T)에 대응하는 형상을 가지며, 발광층(EML)의 상부면은 평탄면일 수 있다. 예를 들어, 개구부(OH) 내에서 제1 전극(EL1)으로부터 평탄면을 제공하는 발광층(EML) 상부면까지의 두께의 편차는 10% 미만일 수 있다.
정공 주입층(HIL)을 포함한 정공 수송 영역(HTR)의 두께 프로파일이 중심 부분의 두께가 외곽 부분의 두께 보다 두꺼운 돔 형상을 가지고, 정공 수송 영역(HTR) 상에 배치된 발광층(EML)의 두께 프로파일은 중심 부분의 두께가 외곽 부분의 두께 보다 얇은 U-형상을 갖는 일 실시예에 따른 발광 소자의 경우 종래의 발광 소자와 비교하여 발광 효율이 10% 이상 증가될 수 있다.
발광 효율은 동일한 색좌표에서의 단위 면적당 발광 휘도로 비교할 수 있다. 한편, 발광 효율의 비교 대상인 종래의 발광 소자는 정공 주입층(HIL)을 포함한 정공 수송 영역(HTR)의 두께 프로파일이 중심 부분의 두께가 외곽 부분의 두께 보다 얇은 U-형상을 가지고, 정공 수송 영역(HTR) 상에 배치된 발광층(EML)의 두께 프로파일도 정공 수송 영역(HTR)과 같이 U-형상을 갖는 경우에 해당한다.
도 10a는 비교예의 전자 장치에서의 기능층들의 두께 프로파일을 나타낸 도면이고, 도 10b는 비교예의 전자 장치에서의 발광 영역의 휘도 특성을 나타낸 도면이다. 또한, 도 11a는 일 실시예의 전자 장치에서의 기능층들의 두께 프로파일을 나타낸 도면이고, 도 11b는 일 실시예의 전자 장치에서의 발광 영역의 휘도 특성을 나타낸 도면이다.
도 10a 내지 도 11b로 설명한 비교예와 실시예의 경우 도 9와 같이 정공 수송 영역이 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함하는 발광 소자의 적층 구조를 갖는 것에 해당한다.
도 10b에서는 도 10a의 AA' 부분에서의 휘도 감소량(DTL)과 발광층의 두께(tE)를 도시하였다. 도 10a 및 도 10b를 참조하면, 비교예의 경우 정공 주입층의 두께 프로파일(HIL-CP)은 중심선(CTL)에 대응하는 중심 부분의 두께가 얇고 외곽선(EDL1, EDL2)에 대응하는 외곽 부분의 두께가 두꺼운 U-형상이다. 또한, 비교예에서 발광층의 두께 프로파일(EML-CP)은 중심 부분의 두께가 두껍고 외곽 부분의 두께가 얇은 돔 형상이다.
외곽선(EDL2) 부분에서 발광층의 두께(tE)는 중심선(CTL) 부분에서 발광층의 두께(tE) 보다 얇으며, 휘도 감소량(DTL)도 외곽선(EDL2) 부분에서 크게 나타났다. 한편, 본 명세서에서 휘도 감소량은 초기의 휘도와 열화 테스트 후의 휘도의 차이 값에 해당하며, 휘도 감소량이 큰 것은 열화 테스트 전후의 휘도 값의 변화가 큰 경우에 해당한다.
비교예의 경우 중심 부분 대비 외곽 부분에서의 휘도 감소량이 크게 나타나며 이는 외곽 부분에서 열화에 의한 휘도 감소가 큰 것을 의미한다. 즉, 발광층의 두께가 상대적으로 얇은 외곽 부분에서 전류 밀도가 커짐으로써 이에 따른 전류 손실에 따라 발광층의 발광 효율이 감소하게 되며, 결과적으로 발광 휘도가 감소한 것으로 생각된다.
도 11b는 도 11a의 BB' 부분에서의 휘도 감소량(DTL)과 발광층의 두께(tE)를 도시하였다. 도 11a 및 도 11b를 참조하면, 실시예의 경우 정공 주입층의 두께 프로파일(HIL-P)은 중심선(CTL) 부분의 두께가 두껍고 외곽선(EDL1, EDL2) 부분의 두께가 얇은 돔 형상이다. 또한, 일 실시예에서 발광층의 두께 프로파일(EML-P)은 중심선(CTL) 부분의 두께가 ?緞? 외곽선(EDL1, EDL2) 부분의 두께가 두꺼운 U-형상이다.
외곽 부분에서 발광층의 두께(tE)는 중심 부분에서 발광층의 두께(tE) 보다 두꺼우며, 휘도 감소량(DTL)도 외곽 부분에서 상대적으로 작게 나타났다. 비교예와 비교하여 실시예의 경우 중심 부분 대비 외곽 부분에서의 휘도 감소량이 작게 나타나며 이는 외곽 부분에서 열화에 의한 휘도 감소가 작은 것을 의미한다. 즉, 발광층의 두께가 상대적으로 두꺼운 외곽 부분에서 전류 밀도가 감소하며, 이에 따라 비발광 영역으로의 전류 손실이 줄어들어 결과적으로 발광 휘도의 감소량이 작아진 것이다.
도 12a는 비교예에서의 발광 특성을 나타낸 이미지이고, 도 12b는 일 실시예에서의 발광 특성을 나타낸 이미지이다. 도 12a와 도 12b는 각각 비교예와 실시예에서의 발광 영역의 휘도 분포를 나타낸 이미지이다.
도 12a 및 도 12b에서 "PXA"는 발광 영역에 해당하고 "NPXA"는 비발광 영역에 해당한다. 즉, "PXA"는 화소 정의막(PDL, 도 2)으로 구분되는 발광 영역이고, "NPXA"는 화소 정의막(PDL, 도 2)에 대응하는 비발광 영역에 해당한다. 또한, "EA-F"는 발광 영역(PXA) 내에서 발광 휘도가 균일하게 나타나는 균일 휘도 영역에 해당한다.
비교예와 비교하여 실시예의 경우 발광 영역(PXA) 내에서 균일 휘도를 나타낸 균일 휘도 영역(EA-F)의 면적이 상대적으로 크게 나타나는 것을 확인할 수 있다. 한편, 비교예는 정공 주입층을 포함한 정공 수송 영역의 두께 프로파일이 중심 부분의 두께가 외곽 부분의 두께 보다 얇은 U-형상을 가지고, 정공 수송 영역 상에 배치된 발광층의 두께 프로파일도 정공 수송 영역과 같이 U-형상을 갖는 종래의 발광 소자를 포함한 전자 장치의 경우에 해당한다. 또한, 실시예는 도 9에 도시된 것과 같이 정공 주입층을 포함한 정공 수송 영역의 두께 프로파일이 중심 부분의 두께가 외곽 부분의 두께 보다 두꺼운 돔 형상을 가지고, 정공 수송 영역 상에 배치된 발광층의 두께 프로파일은 중심 부분의 두께가 외곽 부분의 두께 보다 얇은 U-형상을 갖는 경우에 해당한다.
도 12a 및 도 12b를 참조하면 일 실시예의 경우 정공 수송 영역과 발광층의 두께 프로파일을 최적화하여 발광 균일도가 증가된 전자 장치를 구현할 수 있음을 알 수 있다. 즉, 일 실시예의 전자 장치는 정공 수송 영역이 상부면이 중심 부분이 볼록한 형상의 두께 프로파일을 갖고, 발광층은 중심 부분의 두께가 얇은 두께 프로파일을 가짐으로써 균일한 발광 특성을 나타내는 균일 휘도 영역의 면적이 증가될 수 있다.
일 실시예의 전자 장치는 발광층 및 발광층 하부의 기능층의 두께 프로파일을 최적화한 발광 소자를 포함하여 발광 영역 내에서 균일한 발광 특성을 나타내는 영역의 면적을 증가시킬 수 있다. 또한, 일 실시예의 전자 장치는 중심에서 외곽으로 갈수록 발광층의 두께를 두껍게하여 발광 영역의 외곽으로의 누설 전류 흐름을 감소시켜 개선된 발광 효율 특성 및 발광 수명 특성을 나타낼 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DD, DD-1 : 전자 장치 HTR : 정공 수송 영역
EML : 발광층 ED-1, ED-2, ED-3 : 발광 소자

Claims (20)

  1. 베이스층;
    상기 베이스층 상에 배치된 제1 전극;
    상기 베이스층 상에 배치되고, 상기 제1 전극의 상부면을 노출시키는 개구부가 정의된 화소 정의막;
    상기 개구부 내에 배치되고, 상기 개구부의 중심에서 상기 화소 정의막의 측면 방향으로 갈수록 두께가 점차적으로 감소하는 정공 수송 영역;
    상기 정공 수송 영역 상에 배치되고, 상기 개구부의 중심에서 상기 화소 정의막의 측면 방향으로 갈수록 두께가 점차적으로 증가하는 발광층;
    상기 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역; 및
    상기 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극; 을 포함하는 전자 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 개구부의 중심을 지나고 상기 제1 전극에 수직하는 가상의 중심선을 중심으로 하며 상기 제1 전극에 수직하는 단면 상에서,
    상기 개구부 내에 배치된 상기 정공 수송 영역의 전체 단면적을 100%로 할 때,
    상기 중심선을 중심으로 하고 상기 단면적이 60%인 영역까지의 상기 정공 수송 영역의 평균 두께는 상기 중심선을 중심으로 하고 상기 단면적이 80%인 영역까지의 상기 정공 수송 영역의 평균 두께 보다 큰 것인 전자 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 정공 수송 영역의 상부면은 상기 발광층 방향으로 볼록한 곡면인 전자 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 개구부의 중심을 지나고 상기 제1 전극에 수직하는 가상의 중심선을 중심으로 하고 상기 제1 전극에 수직하는 단면 상에서,
    상기 개구부 내에 배치된 발광층의 전체 단면적을 100%로 할 때,
    상기 중심선을 중심으로 하고 상기 단면적이 60%인 영역까지의 상기 발광층의 평균 두께는 상기 중심선을 중심으로 하고 상기 단면적이 80%인 영역까지의 상기 발광층의 평균 두께 보다 작은 것인 전자 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 발광층의 하부면은 상기 발광층 상부면 방향으로 오목한 곡면이고,
    상기 발광층의 상부면은 평탄면인 전자 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 개구부의 중심을 지나고 상기 제1 전극에 수직하는 가상의 중심선을 지나는 상기 정공 수송 영역의 제1 부분 및 상기 중심선을 지나는 상기 발광층의 제2 부분의 두께의 합과
    상기 중심선과 나란한 가상의 외곽선을 지나는 상기 정공 수송 영역의 제3 부분 및 상기 발광층의 제4 부분의 두께의 합의 차이는 10% 미만인 전자 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 정공 수송 영역은 상기 제1 전극 상에 배치된 정공 주입층; 및
    상기 정공 주입층 상에 배치된 정공 수송층; 을 포함하고,
    상기 정공 주입층은 상기 개구부의 중심에서 상기 화소 정의막의 측면 방향으로 갈수록 두께가 점차적으로 감소하는 전자 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 정공 수송층은 상기 개구부의 중심에서 상기 화소 정의막의 측면 방향으로 갈수록 두께가 점차적으로 감소하는 전자 장치.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 정공 주입층의 상부면은 상기 발광층 방향으로 볼록한 곡면이고,
    상기 정공 수송층의 상부면은 상기 발광층 방향으로 볼록한 곡면인 전자 장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 정공 수송 영역의 비저항은 상기 발광층의 비저항보다 낮은 전자 장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 발광층의 비저항은 상기 정공 수송 영역의 비저항의 10배 이상 100배 이하인 전자 장치.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 개구부를 정의하는 상기 화소 정의막의 측면은 소수성인 전자 장치.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 정공 수송 영역 및 상기 발광층은 잉크젯 프린팅법으로 제공되고,
    상기 전자 수송 영역은 증착법으로 제공된 전자 장치.
  14. 평면 상에서 서로 이격된 복수 개의 개구부들이 정의된 화소 정의막; 및
    상기 개구부들 각각에 배치된 적어도 하나의 기능층들을 포함하는 복수 개의 발광 소자들; 을 포함하고,
    상기 발광 소자들 각각은
    제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치되고 중심에서의 두께가 외곽에서의 두께보다 두꺼운 정공 수송 영역;
    상기 정공 수송 영역 상에 배치되고, 중심에서의 두께가 외곽에서의 두께보다 얇은 발광층;
    상기 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역; 및
    상기 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극; 을 포함하고,
    상기 중심은 상기 제1 전극에 수직하는 가상의 중심선을 지나는 지점이고, 상기 외곽은 상기 중심에서 상기 화소 정의막 방향으로 이격된 지점인 전자 장치.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 기능층들은 잉크젯 프린팅법으로 제공된 전자 장치.
  16. 제 14항에 있어서,
    상기 정공 수송 영역의 상부면은 상기 발광층 방향으로 볼록한 곡면인 전자 장치.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 발광층의 하부면은 상기 정공 수송 영역의 상부면에 대응하는 형상이고,
    상기 발광층의 상부면은 평탄면인 전자 장치.
  18. 제 16항에 있어서,
    상기 개구부들 내에서 상기 중심에서의 상기 제1 전극에서 상기 발광층 상부까지의 제1 두께와 상기 외곽에서의 상기 제1 전극에서 상기 발광층 상부까지의 제2 두께의 편차는 10% 미만인 전자 장치.
  19. 복수 개의 발광 소자들을 포함하는 전자 장치에 있어서,
    상기 발광 소자들 각각은
    제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치된 정공 수송 영역;
    상기 정공 수송 영역 상에 배치된 발광층;
    상기 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역; 및
    상기 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극; 을 포함하고,
    상기 제1 전극 및 상기 발광층 사이의 간격인 상기 정공 수송 영역의 제1 두께는 중심에서 외곽으로 갈수록 감소하고,
    상기 정공 수송 영역 및 상기 전자 수송 영역 사이의 간격인 상기 발광층의 제2 두께는 중심에서 외곽으로 갈수록 증가하는 전자 장치.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 정공 수송 영역의 상부면은 상기 발광층 방향으로 볼록한 곡면이고,
    상기 발광층의 하부면은 상기 정공 수송 영역의 상부면에 대응하는 형상이며, 상기 발광층의 상부면은 평탄면인 전자 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP4381206B2 (ja) * 2004-03-31 2009-12-09 淳二 城戸 発光トランジスタ
TW201101478A (en) * 2009-03-25 2011-01-01 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescence device, method for manufacturing the same, image display device, and method for manufacturing the same
KR20140033636A (ko) * 2012-09-10 2014-03-19 삼성디스플레이 주식회사 발광보조층의 구조가 개선된 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102024696B1 (ko) * 2013-03-22 2019-09-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광소자, 이를 포함하는 유기발광 표시패널 및 유기발광 표시패널의 제조방법
KR102114314B1 (ko) * 2013-06-26 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN207664069U (zh) * 2017-12-29 2018-07-27 云谷（固安）科技有限公司 有机发光器件

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