JP2010010296A - 有機トランジスタアレイ及び表示装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 85
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 45
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 7
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 5
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 4
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 18
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 165
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 115
- 239000010408 film Substances 0.000 description 79
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- -1 manufacturing method Substances 0.000 description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 14
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 13
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 13
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 13
- 238000003491 array Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 4
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 4
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 3
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000084 Gum arabic Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000205 acacia gum Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005354 coacervation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000004815 dispersion polymer Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000003041 ligament Anatomy 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920003145 methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229940117841 methacrylic acid copolymer Drugs 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000414 polyfuran Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
- H10K19/10—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising field-effect transistors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
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- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
【解決手段】 基板上に設けられた複数のゲート電極と、前記複数のゲート電極の上層又は下層にゲート絶縁膜を介して設けられた複数のソース電極及び複数のドレイン電極と、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に対向して配置され、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にチャネル領域を形成する有機半導体層と、を有する有機トランジスタアレイであって、前記有機トランジスタアレイは、平面視において、単一画素を構成する複数の区画に区分され、前記区画は、最密充填構造を有することを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
07IDW−AMD5−4L T.OKUBO
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る有機薄膜トランジスタアレイを例示する平面図である。図2は、本発明の第1の実施の形態に係る有機薄膜トランジスタアレイを例示する図1のA−A線に沿う断面図である。図1及び図2を参照するに、有機薄膜トランジスタアレイ1は、複数の有機薄膜トランジスタ10を有する。有機薄膜トランジスタ10は、基板11と、ゲート電極12と、アース電極13と、ゲート絶縁膜14と、ソース電極15と、ドレイン電極16と、有機半導体層17とを有する。
本発明の第2の実施の形態では、ゲート絶縁膜として濡れ性変化層を用いる例を示す。図10は、本発明の第2の実施の形態に係る有機薄膜トランジスタアレイを例示する段面図である。同図中、図2と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。本発明の第2の実施の形態に係る有機薄膜トランジスタアレイを例示する平面図は図1と同様であるためその説明は省略する。
本発明の第3の実施の形態では、ゲート絶縁膜上に濡れ性変化層を形成する例を示す。図11は、本発明の第3の実施の形態に係る有機薄膜トランジスタアレイを例示する段面図である。同図中、図2と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。本発明の第3の実施の形態に係る有機薄膜トランジスタアレイを例示する平面図は図1と同様であるためその説明は省略する。
本発明の第4の実施の形態では、基板上にアース電極を設けない構造の例を示す。図12は、本発明の第4の実施の形態に係る有機薄膜トランジスタアレイを例示する平面図である。同図中、図1と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。図12を参照するに、有機薄膜トランジスタアレイ4は、有機薄膜トランジスタアレイ1におけるゲート電極12がゲート電極52に置換され、アース電極13が設けられていない点を除いて、有機薄膜トランジスタアレイ1と同様に構成される。以下、有機薄膜トランジスタアレイ3について、有機薄膜トランジスタアレイ1と異なる点についてのみ説明する。
本発明の第5の実施の形態では、基板上にアース電極を設けず、アース電極を隣接するゲート電極と共通にする構造の例を示す。図13は、本発明の第5の実施の形態に係る有機薄膜トランジスタアレイを例示する平面図である。同図中、図1と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。図13を参照するに、有機薄膜トランジスタアレイ5は、有機薄膜トランジスタアレイ1におけるゲート電極12及びソース電極15がゲート電極62及びソース電極65に置換され、アース電極13が設けられていない点を除いて、有機薄膜トランジスタアレイ1と同様に構成される。以下、有機薄膜トランジスタアレイ5について、有機薄膜トランジスタアレイ1と異なる点についてのみ説明する。
本発明の第6の実施の形態では、アクティブマトリックス素子として本発明の第2の実施の形態に係る有機薄膜トランジスタアレイ2を有するアクティブマトリックス基板を用いた表示装置の例を示す。図14は本発明に係る表示装置を例示する断面図である。同図中、図10と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。図14を参照するに、表示装置6は、アクティブマトリックス基板70と、マイクロカプセルシート80とを有する。表示装置6において、有機半導体層17等が形成されている側のアクティブマトリックス基板70上にはマイクロカプセルシート80が接合されている。
単一画素を構成する区画が六角形となる有機薄膜トランジスタ40を30×30素子配列した有機薄膜トランジスタアレイ3を作製した(構造は、図1及び図11参照)。単一画素を構成する区画20(図4(a)参照)の占有面積を、後述する比較例1における単一画素を構成する区画21(図4(b)参照)の占有面積と等しい200μm×200μmとした結果、パターンピッチA(図4(a)参照)は215μmであった。
実施例1と同様の方法で、単一画素を構成する区画が四角形となる有機薄膜トランジスタを30×30素子配列した有機薄膜トランジスタアレイ9を作製した(構造は、図8参照)。単一画素を構成する区画21(図4(b)参照)の占有面積を、前述の実施例1における単一画素を構成する区画20(図4(a)参照)の占有面積と等しい200μm×200μmとした結果、パターンピッチB(図4(b)参照)は約200μmであった。なお、ソース電極95の線幅を変化させた複数の有機薄膜トランジスタアレイ9を作製した。
実施例1及び比較例1で作製した有機薄膜トランジスタアレイ3及び9について、ソース電極15及び95の線幅を変化させ、隣接するソース電極15及び95間に電圧を印加したときの、ショートの有無の評価を行った。表1に評価結果を示す。表1において、○はショートが発生しなかったことを、×はショートが発生したことを示している。表1に示すように、ソース電極15及び95の線幅を広くするほど、隣接するソース電極15同士及び95同士の間隔が狭くなるため、ショートが発生しやすくなるが、単一画素を構成する区画が六角形である本発明に係る有機薄膜トランジスタ3はパターンピッチAが広いため、ショートの発生を抑制できることが確認できた。
単一画素を構成する区画が六角形となる有機薄膜トランジスタ10を30×30素子配列した有機薄膜トランジスタアレイ1を作製した(構造は、図1及び図2参照)。単一画素を構成する区画20(図4(a)参照)の占有面積は、後述する比較例2における集積度100、127、150、200ppiの各有機薄膜トランジスタアレイ9の単一画素を構成する区画21(図4(b)参照)の占有面積に対応するように作製した。
実施例2と同様の方法で、単一画素を構成する区画が四角形となる有機薄膜トランジスタを30×30素子配列した有機薄膜トランジスタアレイ9を多数個作製した。なお、比較例2で作製した集積度が100、127、150、200ppiである各有機薄膜トランジスタアレイ9は、単一画素を構成する区画21(図4(b)参照)の占有面積が実施例2で作製した集積度が100、127、150、200ppiである各有機薄膜トランジスタアレイ1の単一画素を構成する区画20(図4(a)参照)の占有面積と対応するように作製した。各有機薄膜トランジスタアレイ9について、単一画素を構成する区画である四角形のパターンピッチBは254μm、200μm、169.3μm、127μmである。
実施例2及び比較例2で作製した有機薄膜トランジスタアレイ1及び9について、インクジェット法でパターニングした有機半導体層17及び97の乾燥後の径を金属顕微鏡で評価した。又、有機薄膜トランジスタのオフリークやクロストークを評価した。
図15は、有機半導体層の乾燥後の径を金属顕微鏡で評価した結果を例示する図である。図15において、横軸は有機半導体層の乾燥後の径を、縦軸は有機薄膜トランジスタアレイの個数を示している。比較例2では有機半導体層97の径がφ100μm程度であったのに対して、単一画素を構成する区画が六角形となる実施例2では有機半導体層17の径がφ80μm程度となり、大幅に小さくすることができた。なお、ここでいう径とは最大径を意味する(図5に示すφa及びφbに対応する物である)。
酸素<1ppm、水分<1ppmの雰囲気下で、ドレイン電圧Vdsを−20V印加し、ゲート電圧Vgを+20V印加することにより、実施例2及び比較例2の有機薄膜トランジスタアレイ1及び9のオフリーク電流値を評価した。又、同様の雰囲気下で、隣接するソース電極15及び95間に±20Vの電圧を印加し、有機半導体層17及び97の成膜範囲が広がることによるクロストークの影響を評価した。表2に有機薄膜トランジスタアレイ1及び9の集積度を変化させたときのオフリーク電流値及びクロストークの発生の評価結果を示す。
実施例1で作製した有機薄膜トランジスタアレイ3を用いて、アクティブマトリックス表示装置を作製した。具体的には、フィルム基板上に、厚さ100nmのITO(Indium Tin Oxide)をスパッタにより成膜し、透明導電膜付きフィルム基板を作製した。
6 表示装置
10,30,40 有機薄膜トランジスタ
11,22 基板
12,52,62,92 ゲート電極
13,93 アース電極
14,34,94 ゲート絶縁膜
15,65,95 ソース電極
16,96 ドレイン電極
17,97 有機半導体層
20,21 区画
20a,20b,21a,21b 補助線
23 ノズル
24 インク液滴
25,98 中心位置
34a,41a 高表面エネルギー部
34b,41b 低表面エネルギー部
41 濡れ性変化層
70 アクティブマトリックス基板
80 マイクロカプセルシート
81 対向基板
82 透明導電膜
83 ウレタン樹脂溶液
84 マイクロカプセル
84a 酸化チタン
84b カーボンブラック
A,B,C,D パターンピッチ
La,Lb 成膜間隔
φa,φb 最大径
Claims (16)
- 基板上に設けられた複数のゲート電極と、
前記複数のゲート電極の上層又は下層にゲート絶縁膜を介して設けられた複数のソース電極及び複数のドレイン電極と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に対向して配置され、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にチャネル領域を形成する有機半導体層と、を有する有機トランジスタアレイであって、
前記有機トランジスタアレイは、平面視において、単一画素を構成する複数の区画に区分され、
前記区画は、最密充填構造を有することを特徴とする有機トランジスタアレイ。 - 前記最密充填構造は、平面視六角形であることを特徴とする請求項1記載の有機トランジスタアレイ。
- 前記区画は、平面視ちどり状に設けられていることを特徴とする請求項1又は2記載の有機トランジスタアレイ。
- 前記有機半導体層は、印刷法で形成されていることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項記載の有機トランジスタアレイ。
- 前記印刷法は、インクジェット法であることを特徴とする請求項4記載の有機トランジスタアレイ。
- 前記有機半導体層は、有機溶剤に可溶な有機半導体材料を含有することを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項記載の有機トランジスタアレイ。
- 前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極のうちの少なくとも一つは、印刷法により形成されていることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項記載の有機トランジスタアレイ。
- 前記ゲート絶縁膜上には、エネルギーの付与によって表面エネルギーが変化する材料を含有する濡れ性変化層が形成されており、
前記濡れ性変化層は、第1の表面エネルギー部と、所定のエネルギーが付与されて前記第1の表面エネルギー部よりも表面エネルギーが高くなった第2の表面エネルギー部とを有し、
前記第2の表面エネルギー部上には、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が形成されていることを特徴とする請求項1乃至7の何れか一項記載の有機トランジスタアレイ。 - 前記ゲート絶縁膜は、エネルギーの付与によって表面エネルギーが変化する材料を含有する濡れ性変化層から構成され、
前記濡れ性変化層は、第1の表面エネルギー部と、所定のエネルギーが付与されて前記第1の表面エネルギー部よりも表面エネルギーが高くなった第2の表面エネルギー部とを有し、
前記第2の表面エネルギー部上には、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が形成されていることを特徴とする請求項1乃至7の何れか一項記載の有機トランジスタアレイ。 - 前記濡れ性変化層は、第1の材料と第2の材料とを有し、
前記第1の材料は、前記第2の材料よりも電気絶縁性に優れ、
前記第2の材料は、前記第1の材料よりもエネルギーの付与によって表面エネルギーが高くなる割合が大きいことを特徴とする請求項8又は9記載の有機トランジスタアレイ。 - 前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極のうちの少なくとも一つは、金属粒子又は金属錯体を含有するインクを用いて形成されていることを特徴とする請求項1乃至10の何れか一項記載の有機トランジスタアレイ。
- 前記金属粒子は、Au、Ag、Cu又はNiであることを特徴とする請求項11記載の有機トランジスタアレイ。
- 前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極のうちの少なくとも一つは、導電性高分子を含有することを特徴とする請求項1乃至12の何れか一項記載の有機トランジスタアレイ。
- 前記導電性高分子は、ポリエチレンジオキシチオフェンを含有することを特徴とする請求項13記載の有機トランジスタアレイ。
- 前記ゲート絶縁膜は高分子材料を含むことを特徴とする請求項1乃至14の何れか一項記載の有機トランジスタアレイ。
- 請求項1乃至15の何れか一項記載の有機トランジスタアレイ、対向基板及び表示素子を有する表示装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008166329A JP2010010296A (ja) | 2008-06-25 | 2008-06-25 | 有機トランジスタアレイ及び表示装置 |
EP09251639.2A EP2139040B1 (en) | 2008-06-25 | 2009-06-24 | Organic transistor array, display device and method of fabricating display device |
US12/490,641 US8598570B2 (en) | 2008-06-25 | 2009-06-24 | Organic transistor array, display device and method of fabricating display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008166329A JP2010010296A (ja) | 2008-06-25 | 2008-06-25 | 有機トランジスタアレイ及び表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010010296A true JP2010010296A (ja) | 2010-01-14 |
Family
ID=41151799
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008166329A Pending JP2010010296A (ja) | 2008-06-25 | 2008-06-25 | 有機トランジスタアレイ及び表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8598570B2 (ja) |
EP (1) | EP2139040B1 (ja) |
JP (1) | JP2010010296A (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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