JP2013528938A - 途切れ途切れの半導体部分を有するマイクロエレクトロニックデバイスおよびかかるデバイスを製造するための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
−同等の寸法LSC、WSCおよび同等の形状を有し、互いに電気的に分離され、且つ半導体層を形成する複数の途切れ途切れの半導体部分であって、半導体部分の各々が、隣接する半導体部分からほぼ一定の距離ESCH、ESCVだけ間隔を空けたところにある、複数の途切れ途切れの半導体部分と、
−2つの電極を隔てる最大距離Lchannelが半導体部分のうちの1つの最大寸法LSCよりも小さくなるように半導体層と接触してまたは隣接して設置された少なくとも2つの電極と
を備え、
半導体部分の形状および寸法LSC、WSC、半導体部分間の間隔ESCH、ESCV、電極の形状および寸法LSD、WSD、ならびに半導体部分に対する電極のレイアウトは、半導体部分のうちの少なくとも1つが2つの電極を互いに電気的に接続するようになされている、
マイクロエレクトロニックデバイスを提案する。
−トランジスタのうちの1つの2つの電極を隔てる最大距離Lchannelが半導体部分のうちの1つのほぼ最大寸法LSCよりも小さくなるように半導体層と接触して配置されたソース電極およびドレイン電極を形成する少なくとも2つの電極と、
−前記トランジスタの2つの電極を一緒に電気的に接続する半導体部分のうちの少なくとも1つによって形成される能動ゾーンと
を備え、
−半導体部分の最大寸法LSCを、電極の最大寸法WSDに対してほぼ垂直にすることができ、電極がおそらく同等の形状および寸法WSD、LSDを有し、
−距離ETRが、半導体部分の最大寸法LSCに平行な方向に沿って、2つのトランジスタの電極を隔て、距離ETRを半導体部分のほぼ最大寸法LSCよりも大きくすることができ、
−2つのトランジスタの電極を、電極の最大寸法WSDにほぼ平行な方向に沿って、半導体部分のほぼ最小寸法WSCよりも大きな距離ECOだけオフセットすることができる。
−同等の寸法LSC、WSCおよび形状を有し、互いに電気的に分離され、且つ半導体層を形成する複数の途切れ途切れの半導体部分を作るステップであって、各半導体部分が、隣接する半導体部分からほぼ一定の距離ESCH、ESCVだけ間隔を空けて設けられ、
−2つの電極を隔てる最大距離Lchannelが半導体部分のうちの1つのほぼ最大寸法LSCよりも小さくなるように半導体層と接触する少なくとも2つの電極を作るステップと
を少なくとも含み、
半導体部分の形状および寸法LSC、WSC、半導体部分間のスペースESCH、ESCV、電極の形状および寸法LSD、WSD、ならびに半導体部分に対する電極の配置は、半導体部分の少なくとも1つが2つの電極を互いに電気的に接続するようになされている。
LSC+ESCH=n*D
ここでは、LSCは、半導体部分104の長さ(より一般的には最大寸法)であり、
ESCHは、2つの半導体部分104間の水平方向のスペース、言い換えると、同じライン内の2つの隣接する半導体部分104を隔てる距離であり、
nは、繰返しステップを形成する半導体部分104の数であり、1よりも大きい。
102 半導体層
104 途切れ途切れの半導体部分
106a、106b トランジスタ
108、108a、108b、108c、108d 電極
110 配線
112 基板
114a、114b 能動ゾーン
115 誘電体層
116a、116b ゲート
118a、118b 誘電体層の部分
D オフセット距離
ECO 2つのトランジスタの電極間のオフセット距離
ESCH 半導体部分間の間隔
ESCV 半導体部分間の間隔
ETR 最も近い電極間の距離
Lchannel チャネル長
LSC 半導体部分の寸法
LSD 電極の寸法
WSC 半導体部分の寸法
WSD 電極の寸法
X X軸
Y Y軸
Z Z軸
Claims (11)
- −同等の寸法LSC、WSCおよび同等の形状を有し、互いに電気的に分離され、且つ半導体層(102)を形成する複数の途切れ途切れの半導体部分(104)であって、前記半導体部分(104)の各々が、隣接する半導体部分(104)からほぼ一定の距離ESCH、ESCVだけ間隔を空けたところにあり、最大寸法LSCが別の半導体部分(104)の最大寸法LSCにほぼ平行である細長い形状を有する、複数の途切れ途切れの半導体部分(104)と、
−2つの電極(108a、108b、108c、108d)を隔てる最大距離Lchannelが前記半導体部分(104)のうちの1つの前記最大寸法LSCよりも小さくなるように前記半導体層(102)と接触して配置された少なくとも2つの電極(108a、108b、108c、108d)と
を備え、
前記半導体部分(104)の前記形状および寸法LSC、WSC、前記半導体部分(104)間の間隔ESCH、ESCV、前記電極(108a、108b、108c、108d)の前記形状および寸法LSD、WSD、ならびに前記半導体部分(104)に対する前記電極(108a、108b、108c、108d)のレイアウトは、前記半導体部分(104)のうちの少なくとも1つが前記2つの電極(108a、108b、108c、108d)を互いに電気的に接続するようになされており、
前記半導体部分(104)の前記最大寸法LSCが、前記電極(108a、108b、108c、108d)の前記最大寸法WSDに対してほぼ垂直であり、前記電極(108a、108b、108c、108d)が同等の形状および寸法WSD、LSDを有する、
マイクロエレクトロニックデバイス(100)。 - 前記半導体部分(104)の各々がほぼ長方形の形状を有する、請求項1に記載のデバイス(100)。
- 前記半導体部分(104)は、前記電極(108a、108b、108c、108d)が平行ラインの規則的なパターンに従って配置され接触する前記半導体層(102)の主面に平行な面内に配置される、請求項1または2に記載のデバイス(100)。
- 1つのライン上の前記半導体部分(104)間のスペースESCHが、隣接するラインの前記半導体部分(104)間の前記スペースに対して且つ前記ラインに平行な方向に沿って、nで割り算した前記半導体部分(104)のほぼ前記最大寸法LSCに等しい距離Dだけオフセットされ、ここでは、nが1よりも大きな実数である、請求項3に記載のデバイス(100)。
- 前記半導体部分(104)の前記最大寸法LSCが、前記2つの電極(108a、108b、108c、108d)を隔てる前記最大距離Lchannelのn倍にほぼ等しく、および/または前記電極(108a、108b、108c、108d)の前記最大寸法WSDが、前記半導体部分(104)の前記最小寸法WSCの約n倍よりも大きい、請求項4に記載のデバイス(100)。
- 少なくとも1つのトランジスタ(106a、106b)を備え、前記トランジスタ(106a、106b)の能動ゾーン(114a、114b)が、前記2つの電極(108a、108b、108c、108d)を互いに電気的に接続する前記半導体部分(104)のうちの前記少なくとも1つによって形成され、前記電極(108a、108b、108c、108d)が前記トランジスタ(106a、106b)のソース電極およびドレイン電極を形成する、請求項1から5のいずれか一項に記載のデバイス(100)。
- 複数のトランジスタ(106a、106b)を備え、各トランジスタ(106a、106b)が、
−前記トランジスタ(106a、106b)のうちの1つの前記2つの電極(108a、108b、108c、108d)を隔てる前記最大距離Lchannelが前記半導体部分(104)のうちの1つのほぼ前記最大寸法LSCよりも小さくなるように、前記半導体層(102)と接触して配置されたソース電極およびドレイン電極を形成する少なくとも2つの電極(108a、108b、108c、108d)と、
−前記トランジスタ(106a、106b)の前記2つの電極(108a、108b、108c、108d)を一緒に電気的に接続する前記半導体部分(104)のうちの少なくとも1つによって形成される能動ゾーン(114a、114b)と
を備えたトランジスタ(106a、106b)であり、
−前記半導体部分(104)の前記最大寸法LSCが、前記電極(108a、108b、108c、108d)の前記最大寸法WSDに対してほぼ垂直であり、前記電極(108a、108b、108c、108d)が同等の形状および寸法WSD、LSDを有し、
−距離ETRが、前記半導体部分(104)の前記最大寸法LSCに平行な方向に沿って、2つのトランジスタ(106a、106b)の前記電極(108b、108c)を隔て、前記距離ETRが前記半導体部分(104)のほぼ前記最大寸法LSCよりも大きいことが可能であり、
−2つのトランジスタ(106a、106b)の前記電極(108a、108b、108c、108d)が、前記電極(108a、108b、108c、108d)の前記最大寸法WSDにほぼ平行な方向に沿って、前記半導体部分(104)のほぼ前記最小寸法WSCよりも大きな距離ECOだけオフセットされる、
請求項1から6のいずれか一項に記載のデバイス(100)。 - 前記トランジスタまたは各トランジスタ(106a、106b)は同様に、前記トランジスタ(106a、106b)の前記能動ゾーン(114a、114b)に面して配置されたゲート絶縁膜(118a、118b)およびゲート(116a、116b)を含む、請求項6または7に記載のデバイス(100)。
- マイクロエレクトロニックデバイス(100)を作成する方法であって、
−同等の寸法LSC、WSCおよび形状を有し、互いに電気的に分離され、且つ半導体層(102)を形成する複数の途切れ途切れの半導体部分(104)を作るステップであり、各半導体部分(104)が、隣接する半導体部分(104)からほぼ一定の距離ESCH、ESCVだけ間隔を空けられ、最大寸法LSCが別の半導体部分(104)の最大寸法LSCにほぼ平行である細長い形状を有する、複数の途切れ途切れの半導体部分(104)を作るステップと、
−2つの電極(108a、108b、108c、108d)を隔てる最大距離Lchannelが前記半導体部分(104)のうちの1つの前記最大寸法LSCよりも小さくなるように前記半導体層(102)と接触して配置された少なくとも2つの電極(108a、108b、108c、108d)を作るステップと
を少なくとも含み、
前記半導体部分(104)の前記形状および寸法LSC、WSC、前記半導体部分(104)間の間隔ESCH、ESCV、前記電極(108a、108b、108c、108d)の前記形状および寸法LSD、WSD、ならびに前記半導体部分(104)に対する前記電極(108a、108b、108c、108d)のレイアウトは、前記半導体部分(104)のうちの少なくとも1つが前記2つの電極(108a、108b、108c、108d)を互いに電気的に接続するようになされており、
前記半導体部分(104)の前記最大寸法LSCが、前記電極(108a、108b、108c、108d)の前記最大寸法WSDに対してほぼ垂直であり、前記電極(108a、108b、108c、108d)が同等の形状および寸法WSDを有する、
方法。 - 前記半導体部分(104)が、スクリーンプリンティング、スタンピングもしくはヘリオグラフィタイプの半導体堆積ステップを使用して、または前記半導体の層を堆積するステップに続いて前記半導体層のレーザによるもしくはフォトリソグラフィによるもしくはスタンピングによるアブレーションステップを使用して作られる、請求項9に記載の方法。
- 半導体部分(104)が基板(112)上に最初に作られ、前記電極(108a、108b、108c、108d)が前記半導体部分(104)上に次に作られる、または前記電極(108a、108b、108c、108d)が基板(112)上に最初に作られ、前記半導体部分(104)が前記電極(108a、108b、108c、108d)上に次に作られる、請求項9または10に記載の方法。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7135728B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-11-14 | Nanosys, Inc. | Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor |
EP1727219B1 (en) * | 2005-05-25 | 2014-05-07 | Samsung SDI Germany GmbH | Organic thin film transistor and method for producing the same |
KR100787438B1 (ko) * | 2005-12-12 | 2007-12-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 구비한 유기발광 디스플레이 장치 |
US8030648B2 (en) | 2007-02-23 | 2011-10-04 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic thin film transistor and organic thin film transistor manufacturing process |
JP5376287B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2013-12-25 | セイコーエプソン株式会社 | 回路基板、電気光学装置、電子機器 |
ATE515798T1 (de) * | 2008-08-19 | 2011-07-15 | St Microelectronics Rousset | Speicherung eines bildes in einem integrierten schaltkreis |
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Patent Citations (3)
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---|---|---|---|---|
JP2006507692A (ja) * | 2002-09-30 | 2006-03-02 | ナノシス・インコーポレイテッド | 大面積ナノ可能マクロエレクトロニクス基板およびその使用 |
JP2006332644A (ja) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機薄膜トランジスタ、それを備えた平板ディスプレイ装置、該有機薄膜トランジスタの製造方法及びその製造に使われるシャドーマスク |
JP2010010296A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Ricoh Co Ltd | 有機トランジスタアレイ及び表示装置 |
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