JP2017157835A - 積層配線部材、積層配線部材の製造方法、半導体素子及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】高いアスペクト比を有する接続用導体を備える積層配線部材、及び当該積層配線部材の製造方法を提供する。【解決手段】対向する第１電極と第２電極と、前記第１電極と前記第２電極の間を電気的に接続する接続用導体とを含む積層配線部材であって、前記接続用導体の高さ及び前記第１電極に接する面の長軸長の比（接続用導体の高さ／接続用導体の第１電極に接する面の長軸長）が０．１以上５以下であり、前記接続用導体の前記第１電極に接する面の長軸長が１００μｍ以下である積層配線部材。【選択図】図２

Description

本発明は、積層配線部材、積層配線部材の製造方法、半導体素子及び電子機器に関する。

近年、プラスチック基板上に低コストプロセスで複数の有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）を備えるトランジスタアレイを形成し、電子ペーパー、液晶ディスプレイ等のバックプレーンとして応用することが検討されている。この有機薄膜トランジスタの製造方法では、従来のシリコンＴＦＴと差別化するために、真空プロセスや、フォトリソグラフィー技術を行うことなく、印刷プロセスのみで各構成要素をパターン形成することで低コスト化することが強く望まれている。

このような背景から、トランジスタアレイと配線パターン等との導体同士を電気的に接続するためのヴィアを、印刷法を用いて形成する方法が検討されている。例えば、基板上に設けられた配線パターンを覆う状態で、基板上に絶縁膜を形成した後、インクジェット法により絶縁膜を溶かす溶媒を配線パターン上の絶縁膜に向けて飛ばす工程と、乾燥工程とを繰り返すことで、これらの配線パターンに達するヴィアホールを形成し、このヴィアホールを導電材料で埋め込む方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、基板上の配線パターン上に設けられたヴィアポストに対して、ヴィアポスト位置にマスクを設けたスクリーン版で印刷する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。

特開２０１２−２０４６５８号公報 特開２００６−２９５１１６号公報

しかしながら、特許文献１に記載された方法では、確実にヴィアホールを形成するために、絶縁膜の同一箇所に何度も溶媒を飛ばす工程を行うとともに、上記工程と乾燥工程を繰り返すため、時間を要するという問題がある。また、この方法により形成されるヴィアの径は、上記溶媒の体積及び吐出回数である程度の制御は可能であるものの、ヴィア径を精度よく制御することは難しいという問題がある。
また、特許文献２に記載された方法では、スクリーン版とヴィアポストの位置ずれが生じるという問題がある。

本発明は、高いアスペクト比を有する接続用導体を備える積層配線部材、及び当該積層配線部材の製造方法を提供することを目的とする。

本発明によれば、以下の積層配線部材等が提供される。
１．対向する第１電極と第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間を電気的に接続する接続用導体とを含む積層配線部材であって、
前記接続用導体の高さ及び前記第１電極に接する面の長軸長の比（接続用導体の高さ／接続用導体の第１電極に接する面の長軸長）が０．１以上５以下であり、前記接続用導体の前記第１電極に接する面の長軸長が１００μｍ以下である積層配線部材。
２．前記接続用導体を複数含む１に記載の積層配線部材。
３．前記接続用導体が、金、銀及び銅からなる群から選択される１以上の金属元素を含む１又は２に記載の積層配線部材。
４．前記接続用導体が、撥液剤を含む１〜３のいずれかに記載の積層配線部材。
５．前記撥液剤が、自己組織化単分子膜を形成するフッ素含有化合物である４に記載の積層配線部材。
６．前記撥液剤が、フッ素含有チオール化合物である４又は５に記載の積層配線部材。
７．前記撥液剤が、前記接続用導体の表面に露出している４〜６のいずれかに記載の積層配線部材。
８．前記接続用導体が、樹脂組成物からなる絶縁層を貫いて、前記第１電極と前記第２電極の間を電気的に接続する１〜７のいずれかに記載の積層配線部材。
９．前記絶縁層の樹脂組成物が、フッ素系樹脂組成物である８に記載の積層配線部材。
１０．前記絶縁層の厚みが、１μｍ〜５０μｍであり、前記接続用導体の高さが、前記絶縁層の厚みの１倍を超え１０倍以下である８又は９に記載の積層配線部材。
１１．第１電極上に溶媒層を形成する工程と、
前記溶媒層に導体組成物インクの液滴を滴下し、前記第１電極上に前記導体組成物インクの凸型液滴を形成して、加熱することで、接続用導体を形成する工程を含み、
前記溶媒層を構成する溶媒が、前記導体組成物インクより２．５ｍＮ/ｍ以上小さい表面張力を有する積層配線部材の製造方法。
１２．前記溶媒層の厚みを、前記導体組成物インクの液滴の前記滴下時の直径の０．１倍〜２倍とする１１に記載の積層配線部材の製造方法。
１３．前記溶媒層を構成する溶媒が、水、アルコール系溶媒及びテトラデカンから選択される１種以上を含む１１又は１２に記載の積層配線部材の製造方法。
１４．前記導体組成物インクの溶媒が、水、アルコール系溶媒及びテトラデカンから選択される１種以上を含む１１〜１３のいずれかに記載の積層配線部材の製造方法。
１５．前記溶媒層の溶媒と前記導体組成物インクの溶媒が互いに混和しない１１〜１４のいずれかに記載の積層配線部材の製造方法。
１６．前記導体組成物インクの液滴の滴下を、インクジェット法又はディスペンサ法を用いて行う１１〜１５のいずれかに記載の積層配線部材の製造方法。
１７．前記加熱の温度が、１００〜２００℃である１１〜１６のいずれかに記載の積層配線部材の製造方法。
１８．前記導体組成物インクが、金、銀及び銅からなる群から選択される１以上の金属の粒子を含む１１〜１７のいずれかに記載の積層配線部材の製造方法。
１９．前記導体組成物インクが、撥液剤を含む１１〜１８のいずれかに記載の積層配線部材の製造方法。
２０．前記撥液剤が、自己組織化単分子膜を形成するフッ素含有化合物である１９に記載の積層配線部材の製造方法。
２１．前記撥液剤が、フッ素含有チオール化合物である１９又は２０に記載の積層配線部材の製造方法。
２２．前記接続用導体を形成した第１電極上に樹脂組成物の塗膜を形成し、硬化させて絶縁層を形成する工程であって、前記接続用導体の高さが前記絶縁層の厚みよりも大きくなるようにすることで、前記接続用導体が前記絶縁層から突出するように絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層から突出した接続用導体と電気的に接続するように、前記絶縁層上に第２電極を形成する工程を含む１１〜２１のいずれかに記載の積層配線部材の製造方法。
２３．前記樹脂組成物の粘度が、２５℃において、５ｍＰａ・Ｓ以上５００ｍＰａ・Ｓ以下である２２に記載の積層配線部材の製造方法。
２４．１〜１０のいずれかに記載の積層配線部材を備える半導体素子であって、
前記第１電極が、ソース電極、ドレイン電極又は中間電極であり、前記第２電極が、ゲート電極、中間電極又は外部入出力電極である半導体素子。
２５．１〜１０のいずれかに記載の積層配線部材を備える電子機器。
２６．携帯端末、自動車、ロボット、パソコン、プリンタ、カメラ、又はウェアラブルデバイスである２５に記載の電子機器。

本発明によれば、高いアスペクト比を有する接続用導体を備える積層配線部材、及び当該積層配線部材の製造方法が提供できる。

本発明の積層配線部材の製造方法の一実施形態を示す図である 本実施形態における接続用導体形成工程を示す図である。 導体組成物インクの塗布位置について説明する図である。 本実施形態における接続用導体の縦断面形状について説明する図である。 本実施形態における接続用導体について説明する図である。 本実施形態における絶縁層について説明する図である。 本発明の積層配線部材の一実施形態を示す概略断面図である。 ボトムゲートボトムコンタクト型の半導体トランジスタを有する半導体素子の一実施形態を示す概略断面図である。 ボトムゲートトップコンタクト型の半導体トランジスタを有する半導体素子の他の実施形態を示す概略断面図である。 トップゲートボトムコンタクト型の半導体トランジスタを有する半導体素子の一実施形態を示す概略断面図である。 トップゲート型の半導体トランジスタを有する半導体素子の一実施形態を示す概略断面図である。

本発明は、高いアスペクト比を有する接続用導体を備える積層配線部材、当該積層配線部材の製造方法、半導体素子及び電子機器を提供するものである。

以下、本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。尚、各図においては、本発明を理解しやすくするために適宜各構成の形状等を誇張して示している。
また、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。

＜積層配線部材の製造方法＞
本発明の積層配線部材の製造方法は、第１電極上に溶媒層を形成する工程と、溶媒層に導体組成物インクの液滴を滴下し、第１電極上に導体組成物インクの凸型液滴を形成して加熱する工程を含む。当該加熱により溶媒層及び導体組成物インクの凸型液滴中の溶媒を除去し、導体組成物インクの凸型液滴を、電気的に接続可能な接続用導体とすることができる。
ここで溶媒層は、導体組成物インクの表面張力より２．５ｍＮ/ｍ以上小さい表面張力を有する溶媒からなり、これら工程により第１電極上に接続用導体を形成する。

図１は本発明の積層配線部材の製造方法の一実施形態を示す図である。
本実施形態において、図１（Ａ）に示すように、基材２１及び基材２１上に形成された第１電極２２を有する配線部材２を準備する。次に、図１（Ｂ）に示すように、第１電極２２と導通する接続用導体３を形成する（接続用導体形成工程）。次に、図１（Ｃ）に示すように、接続用導体３が形成された配線部材２上に樹脂組成物の塗膜４Ａを形成する。次に、樹脂組成物の塗膜４Ａを硬化させることにより、図１（Ｄ）に示すように、接続用導体３がヴィアポストとして機能し、接続用導体３以外の部分に絶縁層４を形成する（絶縁層形成工程）。次に、図１（Ｅ）に示すように、ヴィアポストとして機能する接続用導体３と導通するように、絶縁層４上に第２電極６を形成する（第２電極形成工程）。以上により積層配線部材１を製造することができる。
本実施形態では、図１（Ｂ）に示す接続用導体形成工程において、別途に溶媒層を形成することにより高いアスペクト比を有する接続用導体を形成することができる。

［接続用導体形成工程］
図２は本実施形態における接続用導体形成工程を示す図である。
図２において、第１電極２２上に形成された溶媒層５０上に導体組成物インクの液滴６０を滴下すると（図２（Ａ））、溶媒層５０中で導体組成物インクの液滴６０の着弾速度が緩和され（図２（Ｂ））、第１電極２２上に着弾する。着弾した第１電極２２上のインク液滴は、インクが含む溶媒と溶媒層の溶媒との液液間の界面張力によって、水平方向への広がりが抑制され、第１電極２２上に導体組成物インクの凸型液滴３Ａが形成される（図２（Ｃ））。導体組成物インクの凸型液滴を形成後、加熱することで、溶媒層５０とインク中の溶媒がそれぞれ除去され、第１電極２２上にヴィアポストとして機能する接続用導体３が形成される（図２（Ｄ））。
尚、図２では本実施形態を説明するための便宜上、導体組成物インクの液滴６０は１滴であるが、導体組成物インクの液滴６０は、通常、第１電極２２上にパターン状に複数滴下される。また、同一ヶ所に液滴が積層される場合もある。

本発明の積層配線部材の製造方法では、溶媒層を形成することによって、液液間の界面張力及び溶媒層の溶媒吸収によって、導体組成物インクの液滴１ショットで、高いアスペクト比を有する接続用導体を形成することができる。また、溶媒層の厚みを調整することによって、接続用導体の高さをコントロールすることもできる。
接続用導体が高いアスペクト比を有することで、第１電極上に絶縁層を形成する際に、絶縁層の上部に接続用導体を突出させることができるため、次に形成する第２電極と第１電極との接続が容易となる。

（溶媒層）
溶媒層を形成する溶媒は、導体組成物インクの表面張力より２．５ｍＮ/ｍ以上小さい表面張力を有する溶媒である。従って、溶媒層の溶媒は導体組成物インクが含む溶媒によって適宜選択されるが、例えば２５℃での導体組成物インクの表面張力が６５ｍＮ／ｍであれば、６２ｍＮ／ｍ以下の表面張力を有する溶媒から選択される１種以上であると好ましい。溶媒層を形成する溶媒は、導体組成物インクの表面張力より３ｍＮ/ｍ以上小さい表面張力を有する溶媒としてもよい。
尚、導体組成物インク及び溶媒層の溶媒の表面張力は、ペンダントドロップ法により確認できる。

溶媒層の溶媒と導体組成物インクが含む溶媒は、好ましくは互いに混和しない。ここで「混和」とは、任意の割合で混合することができることを意味する。
混和しない溶媒の組み合わせ（溶媒層の溶媒：導体組成物インクの溶媒）としては、（ヘキサン：水）、（テトラデカン：水）、（油：水）、（テトラデカン：アルコール類）等が挙げられる。

溶媒層の厚みは、導体組成物インクの液滴の直径の０．１〜２．０倍であると好ましく、例えば、導体組成物インクの液滴の直径が２０μｍであれば、溶媒層の厚みは２μｍ〜４０μｍの範囲である。
溶媒層の厚みが導体組成物インク液滴の直径の０．１倍未満の場合、得られる接続用導体のアスペクト比を所望とできないおそれがある。一方、溶媒層の厚みを大きくするほど背の高い接続用導体が得られるが、溶媒層の厚みが導体組成物インク液滴の直径の２．０倍超の場合、第１電極着弾前に導体組成物インク液滴が溶媒層中で流されて、所望の位置に接続用導体が形成できないおそれがある。
尚、導体組成物インクの液滴の直径は、塗布量を真球と仮定した場合に算出される直径である。

第１電極上の溶媒層の形成は、例えば、インクジェット、スクリーン印刷、ディスペンサー等により、例えば導体組成物インクの液滴の直径の２倍以上で、所望の厚みで印刷することで形成できる。例えば導体組成物インクの液滴の直径が２０μｍである場合、直径６０μｍ程度の溶媒層の液だまりを形成すれば十分である。もちろんそれ以上の大きさでもよい。

（導体組成物インク）
導体組成物インクは、導電性材料及び溶媒を含む。また、形成される接続用導体に撥液性を付与させたい場合には、さらに撥液剤を含む。
導電性材料は、接続用導体３の導電性発現の起源となるものである。
導電性材料は、接続用導体３に所望の導電性を付与することができるものであり、具体的には金属粒子である。導電性材料は、金属粒子が溶媒中に分散したナノコロイドであってもよい。
金属粒子の金属種としては、銀、銅、水銀、スズ、インジウム、ニッケル、パラジウム、白金、及び金等が挙げられる。尚、これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、上述の撥液剤との親和性の観点から、金、銀及び銅からなる群から選択される１以上がさらに好ましい。
金属粒子は、その平均粒子径が５ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。また、直径５０ｎｍ以下の金属ナノワイヤーを含んでもよい。金属粒子の平均粒子径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察により測定できる。具体的には、５０個程度の粒子を含む視野において、全ての粒子の投影面積円相当径を測定し、その平均を算出する方法が挙げられる。

導電性材料の含有量は、導体組成物インク全量に対して、１５質量％以上７５質量％以下であることが好ましく、２０質量％以上５０質量％以下であることがより好ましい。導電性材料の含有量が上記範囲内であれば、より効率よく接続用導体が形成できる。

撥液剤は、接続用導体３に撥液性を付与するものである。導体組成物インクが撥液剤を含むことにより、絶縁層形成工程において、配線部材２上に樹脂組成物を塗布した場合に、接続用導体３の表面において樹脂組成物を弾くことができ、接続用導体３を絶縁層上に露出することができる。これにより第２電極との導通が容易となる。

撥液剤としては、自己組織化単分子膜を形成するフッ素含有化合物が好ましく、自己組織化単分子膜を形成するフッ素含有チオール化合物がより好ましい。
自己組織化単分子膜とは、基板表面に吸着又は化学結合した分子間の相互作用により形成された単分子の層（膜）である。

自己組織化単分子膜を形成するフッ素含有チオール化合物は、導電性材料として金属粒子を用いた場合に、導電性を確保しつつ、金属粒子に撥液性をもたらすことができる。その結果、導体組成物インクで得られる接続用導体は導電性と撥液性を両立できる。
尚、撥液剤は、フッ素含有チオール化合物に限定されるものではなく、フッ素を含む組成物（フッ素含有化合物）であればよい。このようなフッ素含有化合物としては、例えば、フッ素含有ジスルフィド化合物が挙げられる。

自己組織化単分子膜を形成するフッ素含有チオール化合物としては、芳香環を有するフッ素含有チオール化合物、フッ化部を有するアルカンチオール等が挙げられる。これらの中でも、金属粒子の表面修飾性から、芳香環（好ましくは、ベンゼン環）を有する炭素数６〜２０の範囲内のフッ素含有チオールからなる群から選ばれる少なくとも１つの化合物が好ましい。

芳香環を有する炭素数６〜２０の範囲内のフッ素含有チオールとしては、具体的には、トリフルオロメチルベンゼンチオール（例えば、４−トリフルオロメチルベンゼンチオール、３−トリフルオロメチルベンゼンチオール）、ペンタフルオロベンゼンチオール、２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンチオール、２，３，５，６−テトラフルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンゼンチオール、２，３，５，６−テトラフルオロ−４−メルカプト安息香酸メチルエステル、３，５−ビストリフルオロメチルベンゼンチオール、4−フルオロベンゼンチオール及び１１−（２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンジルオキシ）−１−ウンデカンチオール等が挙げられる。
これらの中でも、撥液性の観点からトリフルオロメチルベンゼンチオール、２，３，５，６−テトラフルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンゼンチオールが特に好ましい。

フッ素含有ジスルフィド化合物としては、芳香環を有するフッ素含有ジスルフィド化合物、フッ化部を持つ炭素鎖を有するジスルフィド化合物等が挙げられる。
芳香環を有するフッ素含有ジスルフィド化合物としては、上述のフッ素含有チオール化合物が二量化した化合物が挙げられ、撥液性の観点から、トリフルオロメチルベンゼンチオール又は２，３，５，６−テトラフルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンゼンチオールが二量化した化合物が特に好ましい。

撥液剤の含有量は、導体組成物インク全量に対して、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。
撥液剤の含有量が前記上限以下であれば、導体組成物インク中の導電性材料の分散性を阻害しない。また、撥液剤の含有量の下限は、導体組成物インクで得られる導電性凸部の撥液性の観点から、０．１質量％以上であることが好ましい。

溶媒は、導電性材料及び撥液剤を分散又は溶解させるものである。
導体組成物インクの溶媒は、例えば溶媒層を形成する溶媒が導体組成物インクより２．５ｍＮ/ｍ以上小さい表面張力となるように選択する。導体組成物インクの溶媒としては、水、アルコール系溶媒（モノアルコール系溶媒、ジオール系溶媒、多価アルコール系溶媒等）、炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒、グライム系溶媒、ハロゲン系溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
これらの中でも、印刷性の観点から、アルコール系溶媒が好ましい。アルコール系溶媒としては、イソプロピルアルコール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、トリデカノール、テトラデカノール、ペンタデカノール、ヘキサデカノール、シクロヘキサノール、１−メトキシ−２−プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、１，３−プロパンジオール等が挙げられる。また、ケトン系溶媒としては、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等が挙げられる。また、炭化水素系溶媒であるテトラデカン及び水も好ましい。

溶媒の表面張力は、２５℃において２０ｍＮ／ｍ以上６５ｍＮ／ｍ以下であることが好ましい。溶媒の表面張力が上記範囲内であれば、導体組成物インクを下地に十分に付着させることができる。尚、表面張力は、ペンダントドロップ法により測定できる。
尚、導体組成物インク全体の表面張力は、好ましくは２５℃において２５ｍＮ／ｍ以上７０ｍＮ／ｍ以下である。

表面張力が２５℃において２０ｍＮ／ｍ以上６５ｍＮ／ｍ以下のアルコール系溶媒としては、エチレングリコール、グリセリン、１，３−プロパンジオール等が挙げられる。これらの中でも、１，３−プロパンジオールが特に好ましい。

溶媒の含有量は、導体組成物インク全量に対して、２５質量％以上８５質量％以下であることが好ましく、５０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましい。溶媒の含有量が上記範囲内であれば、導体組成物インクを適正に塗布できる。

導体組成物インクの、例えば、７０質量％以上、８０質量％以上、９０質量％以上、９８質量％以上、９９質量％以上、又は９９．９質量％以上が、導電性材料、溶媒及び撥液剤であってもよい。導体組成物インクは、本質的に導電性材料、溶媒及び撥液剤からなってもよい。この場合、不可避不純物を含んでもよい。導体組成物インクは、導電性材料、溶媒及び撥液剤のみからなってもよい。
また、導体組成物インクは、上述した各成分の他に、任意の成分を含んでいてもよい。各種任意成分としては、分散剤等が挙げられる。これらの任意成分は、導体組成物インク全量に対して、１０質量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは５質量％以下、特に好ましくは３質量％以下である。

導体組成物インクは、導体組成物インクをガラス基板上にスピンコートにより成膜し、１８０℃で３０分間加熱した固化膜の表面エネルギーが、２０ｍＮ／ｍより大きく８０ｍＮ／ｍ以下であると好ましい。
尚、表面エネルギーは、各溶媒にて測定した接触角の値から、北崎、畑の拡張Ｆｏｗｋｅｓ式に基づく幾何学平均法による解析（北崎寧昭、畑敏雄ら、日本接着協会誌、第８巻（３）１３１−１４１頁（１９７２年））で求めた値を言う。
導体組成物インクをスピンコートし加熱した固化膜の表面エネルギーを調整する手段としては、撥液剤の種類や配合量を調整すること等が挙げられる。
固化膜の表面エネルギーが前記下限値よりも小さくなると、撥液剤の量が多くなり、導体組成物インク中の導電性材料が凝集し、インク状態を保持できなくなるおそれがある。また、固化膜の表面エネルギーが前記上限値よりも大きくなると、撥液性が低下し、絶縁層を開孔することができなくなるおそれがある。また、同様の観点から、固化膜の表面エネルギーは、２２ｍＮ／ｍ以上７０ｍＮ／ｍ以下であることがより好ましく、２５ｍＮ／ｍ以上６０ｍＮ／ｍ以下であることがさらに好ましく、３０ｍＮ／ｍ以上５０ｍＮ／ｍ以下であることが特に好ましい。

（導体組成物インクの滴下方法及び加熱方法）
本工程においては、上述した導体組成物インクの液滴５０が第１電極２２上にパターン状に滴下される。
ここで、「導体組成物インク液滴をパターン状に滴下する」とは、第１電極２２上に所定の平面視形状を有するように導体組成物インクを滴下することをいい、第１電極２２が形成された配線部材２上の全面に導体組成物インクを塗布する場合を含まないことをいう。
本工程においては、導体組成物インク液滴６０を第１電極２２上に滴下することができればよい。図３は、導体組成物インクの滴下位置について説明する説明図（第１電極２２の上方から見た図）であり、図３（Ａ）に示すように、溶媒層を形成した第１電極２２上にのみ導体組成物インク液滴６０を滴下して導体組成物インクの凸型液滴３Ａを形成してもよく、図３（Ｂ）に示すように第１電極２２上及びその近傍に導体組成物インクを滴下し、導体組成物インクの凸型液滴３Ａを形成してもよい。この場合、導体組成物インクは、通常、第１電極２２上に滴下され、かつ上記第１電極２２に隣接する他の電極２２ａと導通しないように滴下される。本実施形態においては導体組成物インクを第１電極２２上にのみ滴下することがより好ましい。第１電極２２の表面の濡れ性及び導体組成物インクの物性を調整して接続用導体３の形状を調整しやすくなるからである。

導体組成物インクの滴下方法（塗布方法）としては、第１電極２２上に所定のパターン状に導体組成物インクを塗布することができる方法であれば特に限定されず、例えば、インクジェット法、ディスペンサ法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、反転オフセット印刷法、凸版印刷法等が挙げられる。本実施形態においては、インクジェット法又はディスペンサ法を用いることが好ましい。導体組成物インクの液滴を第１電極２２上に塗布することが容易であるためである。
導体組成物インク液滴の１滴の滴下量としては、０．５ｐＬ〜１ｎＬが好ましく、１ｐＬ〜１ｎＬとしてもよい。
また、導体組成物インクの液滴の滴数は特に制限はないが、例えば１〜１５滴であり、５〜１５滴としてもよい。滴数を多くすると、よりアスペクト比の高い接続用導体３とすることができる場合がある。

第１電極２２上に塗布された導体組成物インク凸型液滴の加熱方法としては、導体組成物インクに含まれる溶媒及び溶媒層の溶媒を除去し、導体組成物インクの凸型液滴を固化、加熱することができれば特に限定されず、一般的な加熱方法を用いることができる。具体的には、ホットプレート等を用いて加熱することができる。
本工程においては、加熱前又は加熱中に超音波等を照射して撥液剤の移行を促進させる処理を行なってもよい。
また、本工程における加熱温度及び加熱時間については、導体組成物インクに含まれる溶媒、撥液剤等の種類に応じて適宜調整される。

本工程における加熱温度としては、導体組成物インクに含まれる溶媒及び溶媒層の溶媒を除去及び導体組成物インクを導電接続体化することが可能な温度であれば特に限定されないが、１００℃以上２２０℃以下であることが好ましく、１００℃以上２００℃以下であることがより好ましく、１２０℃以上２００℃以下であることがさらに好ましい。
加熱温度が高すぎる場合は、急激な突沸現象により導電性材料が劣化して所望の導電性を示すことが困難となる可能性があるからである。また、加熱温度が低すぎる場合は、導電率が低く、接続用導体化が困難となるおそれがある。

本工程における加熱時間としては、導体組成物インクに含まれる溶媒及び溶媒層の溶媒を除去、並びに導体組成物インクを導電接続体化することが可能な時間であれば特に限定されないが、１０分間以上６０分間以下であることが好ましい。
加熱時間が短すぎる場合は、導体電率が低く、接続用導体化が困難となるおそれがある。また、加熱時間が長すぎる場合は、生産性が低下する可能性があるからである。

（接続用導体）
本工程により形成される接続用導体３は、第１電極２２上に形成されるものである。接続用導体３は、複数形成されていてもよい。また、接続用導体３は、ヴィアポストとして機能し、好ましくはさらに撥液性を有する。
接続用導体３は、好ましくは前記導電性材料及び前記撥液剤を含み、且つ表面エネルギーが２０ｍＮ／ｍより大きく８０ｍＮ／ｍ以下である導電体である。また、導電体は、表面エネルギー及び導電性の観点から、表面に前記導電性材料及び／又は前記撥液剤が露出していることが好ましい。
「接続用導体が撥液性を有する」とは、接続用導体３の表面と水との接触角が、第１電極２２の表面と水との接触角及び基材２１の表面と水との接触角よりも大きいことをいう。
具体的には、接続用導体３の表面と水との接触角と、第１電極２２の表面と水との接触角との差が、５°以上であることをいい、好ましくは２０°以上であることをいう。両者の接触角の差が小さいと、接続用導体３が形成された配線部材２上に樹脂組成物を塗布した場合に濡れ性の差を利用して、樹脂組成物を弾くことが困難となる可能性があるからである。
上記接触角の差の上限値としては、接続用導体３の材料、第１電極２２の材料等に応じて適宜決定され、特に限定されないが、例えば、１００°程度である。

接続用導体３が撥液性を有する場合の当該撥液性は、後述する絶縁層形成工程において用いられる樹脂組成物を弾くことにより、接続用導体３がヴィアポストとして機能することができれば特に限定されない。接続用導体３の表面と水との接触角としては、９０°以上であることが好ましく、１００°以上１２０°以下であることがより好ましい。上記接触角が小さすぎると、接続用導体３上に塗布された樹脂組成物を弾くことが困難となり、ヴィアポストを形成することが困難となる可能性があるからである。

接続用導体３の平面視形状としては、ヴィアポストを形成することができれば特に限定されず、例えば、円形状、楕円形状、四角形状、多角形状等が挙げられる。なかでも、接続用導体３の平面視形状が、円形状、楕円形状であることが好ましい。

図４は、本実施形態における接続用導体３の縦断面形状について説明する説明図である。接続用導体３の縦断面形状とは、基材２１に対して垂直方向の接続用導体３の断面形状をいう。
接続用導体３の縦断面形状としては、図４（Ａ）に示すような半円形状、図４（Ｂ）に示すような半楕円形状、図示はしないが台形状、四角形状等の凸型形状が挙げられる。また、これらの形状は中央に平坦部又は窪みを有していてもよい。図４（Ｃ）は、半楕円形状の中央に平坦部を有する形状を示している。

接続用導体３の大きさとしては、接続用導体３を介して第１電極２２及び後述する第２電極６を導通させることが可能なヴィアポストを形成することができれば特に限定されないが、例えば１００μｍ以下であり、１０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、６０μｍ以下であることがより好ましい。尚、下限は特に限定されないが、例えば５μｍである。接続用導体３が大きすぎる場合は、本実施形態により製造される積層配線部材１の高精細化、高集積化が困難となるおそれがあるからである。また、接続用導体３が小さすぎる場合は、接続用導体３と後述する第２電極６とを良好に導通させることが困難となるおそれがあるからである。
ここで「接続用導体３の大きさ」とは、接続用導体３の第１電極に接する面の長軸長をいう。また、平面視形状が長方形、楕円形等の短辺及び長辺を有する形状の場合は長辺の幅をいう。また、平面視形状が多角形状の場合は、内接円の直径をいう。具体的に接続用導体３の大きさとは、図５においてｕで示される距離をいう。

接続用導体３の高さとしては、後述する第２電極６と導通させることができる高さであって、（接続用導体３の高さ）／（接続用導体３の第１電極２２に接する面の長軸長）＝０．１〜５となる高さとする。接続用導体３の高さ及び第１電極２２に接する面の長軸長の比が当該範囲にあることは、接続用導体３の凸型形状を表している。長軸長は、断面ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）やＴＥＭにより確認できる。
接続用導体３の高さが高すぎる場合は、接続用導体３自体を形成することが困難となる可能性や、接続用導体３に破損等を生じやすくなる可能性があり、また、本実施形態により製造される積層配線部材１の第２電極６側表面の平坦性を良好なものとすることが困難となる可能性があるからであり、接続用導体３の高さが低すぎる場合は、接続用導体３が所望の導電性及び撥液性を示すことが困難となる可能性があるからである。
尚、「接続用導体３の高さ」とは、接続用導体３の縦断面形状において基材と垂直方向の距離が最大となる部分の値をいい、後述する図６においてｘで示される距離をいう。

接続用導体３のアスペクト比（高さ／大きさ）としては、ヴィアポストを形成することができれば、特に限定されないが、０．１以上５以下であることが好ましく、０．３以上５以下であることがより好ましく、０．３以上４．８以下であることがさらに好ましく、０．６以上４．５以下、又は１．０以上４．５以下としてもよい。

（第１電極）
第１電極２２は基材２１上に形成されており、第１電極２２及び基材２１とで配線部材２を形成する。
基材２１は、第１電極２２を支持するものである。また、基材２１は、通常、耐熱性を有するものである。基材２１の耐熱性としては、積層配線部材の製造工程における加熱に対して変形等を生じない程度であれば特に限定されない。

基材２１としては所定の自己支持性を備えるものであれば特に限定されるものではなく、本実施形態により製造される積層配線部材１の用途等に応じて任意の機能を有する基材２１を用いることができる。
基材２１としては、ガラス基材等の可撓性を有さないリジット基材、及び、プラスチック樹脂からなるフィルム等の可撓性を有するフレキシブル基材が挙げられる。プラスチック樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）及びポリエーテルイミド（ＰＥＩ）等が挙げられる。

基材２１は、単層であってもよく、積層体であってもよい。基材２１が積層体である場合は、例えば、基材２１上に形成された硬化性樹脂を含む平坦化層等を有していてもよい。また、基材２１上に形成されたバリア層を有していてもよい。
基材２１が透明性を有する場合、可視光領域における透過率は８０％以上であることが好ましい。ここで、透過率は、ＪＩＳ Ｋ７３６１−１（プラスチック−透明材料の全光透過率の試験方法）により測定することができる。

第１電極２２は基材２１上に形成されていればよく、基材２１上に直接形成されていてもよく、基材２１上に他の層を介して形成されていてもよい。尚、以下の説明においては、配線部材２において第１電極２２が形成された構成の表面を、絶縁層の形成面と称して説明する場合がある。

第１電極２２は、通常、基材２１上にパターン状に形成される。第１電極２２の平面視形状としては、本実施形態の製造方法により製造される積層配線部材１の種類に応じて適宜選択することができる。第１電極２２の平面視形状としては、例えば、ライン形状や電極パッドに用いられるパッド形状等が挙げられる。

第１電極２２に用いられる材料としては、所望の導電性を有していれば特に限定されず、例えば、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｍｏ−Ｔａ合金、Ａｇ合金、Ｃｕ合金、Ａｌ合金等の金属材料や、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等の透明導電性無機材料等の導電性無機材料や、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸）等の導電性有機材料を用いることができる。
また、導電性微粒子を含む導電性ペーストを用いることもできる。導電性微粒子については、上述した導体組成物インクで用いる導電性微粒子を適宜選択して用いることができる。導電性ペーストに用いられる他の成分については、一般的なものと同様とすることができ、例えば上述した導体組成物インクで用いる溶媒、任意の成分等を適宜選択して用いることができる。

第１電極２２の厚みとしては、所望の導電性を有することができれば特に限定されないが、例えば、３０ｎｍ以上５００００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以上３５０００ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以上３５０００ｎｍ以下としてもよい。
第１電極２２の厚みが厚すぎると、第１電極２２による段差が大きくなるため、絶縁層を良好に形成することが困難となる可能性があるからである。また、第１電極２２の厚みが薄すぎると良好な導電性を示すことが困難となる可能性があるからである。

本実施形態において、「厚み」は、一般的な測定方法によって得られる厚みをいう。厚みの測定方法としては、例えば、触針で表面をなぞり凹凸を検出することによって厚みを算出する触針式の方法が挙げられる。尚、厚みとして、対象となる構成の複数箇所における厚み測定結果の平均値が用いられてもよい。

第１電極２２の表面の濡れ性については、導体組成物インクをパターン状に塗布又は印刷することにより、所望の導電性凸部を形成することができれば特に限定されない。
第１電極２２の表面の濡れ性としては、例えば、第１電極２２の表面と水との接触角が、１°以上９５°以下であることが好ましく、１°以上９０°以下であることがより好ましく、２０°以上９０°以下であることが特に好ましい。
上記接触角が大きすぎると、後から形成する接続用導体３の撥液性と濡れ性差が形成できなくなるからである。また、上記接触角が小さすぎると導体組成物インクが濡れ広がりやすくなり、第１電極２２に隣接する他の電極等に接続用導体３が形成されて導通不良が生じやすくなる可能性があるからである。
尚、「水との接触角」は、２５℃における水との接触角をいう。

本実施形態における上記接触角は、例えば、測定対象上に１マイクロリットルの液体を滴下し、滴下した液滴の形状を側面より観測し、液滴と測定対象とのなす角を計測することにより測定することができる。本実施形態における接触角は、例えば、井元製作所製接触角測定装置を用いて測定することができる。

第１電極２２の形成方法としては、一般的な電極の形成方法と同様とすることができる。具体的には、基材２１上の全面に導電層を形成した後、フォトリソグラフィー法を用いて所定のパターンにエッチングする方法が挙げられる。また、基材２１上の全面に導電層を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法、ＣＶＤ法等が挙げられる。
第１電極２２の他の形成方法としては、導電性ペーストを用いた印刷方法により形成することができる。印刷法としては、例えば、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビアオフセット印刷法、反転オフセット印刷法等が挙げることができる。
本実施形態においては、第１電極２２の形成方法として、印刷法を用いた方法を採用することが好ましい。印刷法により形成された導電層は、蒸着法等により形成された導電層に比べて導電層の表面の濡れ性を調整しやすく、接続用導体３の形状を制御しやすいからである。

配線部材２は、上述した基材２１及び第１電極２２を有していれば特に限定されず、必要な構成を適宜選択して追加することができる。例えば、配線部材２は、基材２１上に形成された配線部材用電極（図示なし）及び配線部材用電極（図示なし）を覆うように形成された配線部材用絶縁層（図示なし）を有していてもよい。この場合、第１電極２２は、配線部材用絶縁層上に形成される。また、第１電極２２と同一平面上に、第１電極２２以外の他の電極が形成されていてもよい。
配線部材用電極及び第１電極２２以外の他の電極の平面視形状については、本実施形態により製造される積層配線部材１の種類等に応じて適宜選択することができる。また、配線部材用電極及び第１電極２２以外の他の電極の材料、厚み及び形成方法については、第１電極２２と同様であるため、ここでの説明は省略する。

配線部材用絶縁層の材料としては、絶縁性を有していれば特に限定されず、例えば、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、カルド系樹脂、ビニル系樹脂、イミド系樹脂、ノボラック系樹脂等の有機材料や、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ_ｘ、Ａｌ_２Ｏ_３等の無機材料が挙げられる。配線部材用絶縁層の材料は、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。尚、配線部材用絶縁層の材料としては、後述する絶縁層形成工程で用いる樹脂組成物を用いることができる。
配線部材用絶縁層の厚みについては、本実施形態により製造される積層配線部材１の用途等に応じて適宜選択することができる。
配線部材用絶縁層の形成方法としては、後述する絶縁層４の形成方法を用いることができる。また、配線部材用絶縁層が無機材料である場合は、例えば、ＣＶＤ法等を採用することができる。

本発明の積層配線部材の製造方法は、好ましくは接続用導体を形成し、硬化させて絶縁層を形成する工程であって、接続用導体の高さが絶縁層の厚みよりも大きくなるようにすることで、接続用導体が前記絶縁層から突出するように絶縁層を形成する工程（絶縁層形成工程）、及び絶縁層から突出した接続用導体と電気的に接続するように絶縁層上に第２電極を形成する工程（第２電極形成工程）を含む。

［絶縁層形成工程］
絶縁層形成工程において、図１（Ｃ）に示すように、接続用導体３が形成された配線部材２上に樹脂組成物の塗膜４Ａを形成して、硬化させることにより、ヴィアポストとして機能する接続用導体３を有する絶縁層４を形成する（図１（Ｄ）参照）。

（樹脂組成物）
本工程に用いられる樹脂組成物は、樹脂を含有し、必要に応じて重合開始剤等のその他の成分を含有する。ここで「樹脂」とは、モノマーやオリゴマーの他、ポリマーを含む。
樹脂組成物が含む樹脂としては、例えば、アクリレート系、エポキシ系、ポリエステル系等の電離放射線硬化性樹脂、アクリレート系、ウレタン系、エポキシ系、ポリシロキサン系等の熱硬化性樹脂、並びにポリイミド等の熱重合性樹脂が挙げられる。尚、電離放射線とは、分子を重合させて硬化させ得るエネルギーを有する電磁波又は荷電粒子を意味し、例えば、すべての紫外線（ＵＶ−Ａ、ＵＶ−Ｂ、ＵＶ−Ｃ）、可視光線、ガンマー線、Ｘ線、電子線等が挙げられる。
樹脂組成物が含む樹脂としては、熱硬化性樹脂であることが好ましい。熱硬化性樹脂を用いることにより、絶縁層４の絶縁性をより良好なものとすることができるからである。

本工程に用いられる樹脂組成物として、フッ素系樹脂組成物を用いてもよい。フッ素系樹脂組成物とは、樹脂としてフッ素系樹脂を含有し、必要に応じて重合開始剤等のその他の成分を含有する。
フッ素系樹脂組成物が含むフッ素系樹脂としては、フッ素が添加されたポリイミド、フッ素が添加されたポリパラキシレン、ポリスチレン、サイトップ（登録商標）、テフロン（登録商標）、テフロン（登録商標）ＡＦ、フルオロポリアリールエーテル等が挙げられる。また、代表的な例としては、サイトップ（旭硝子株式会社製）が挙げられるが、これに限定されるものではない。
このようなフッ素系樹脂としては、なかでも、熱硬化性樹脂であることが好ましい。熱硬化性樹脂を用いることにより、絶縁層４の絶縁性をより良好なものとすることができるからである。

樹脂組成物は、通常、溶媒を含有する。樹脂組成物が含有する溶媒としては、接続用導体３の撥液性、絶縁層４が形成される下地の濡れ性、粘度等に応じて適宜選択することができ、一般的な樹脂組成物に用いられるものと同様とすることができる。
また、樹脂組成物がフッ素系樹脂組成物である場合には、通常、フッ素系溶媒を含有する。但し、フッ素系樹脂組成物をパッシベーション層として用いる場合には、下地の半導体層等の、溶剤への耐性が低い下地層に対して、ダメージを与えないフッ素系溶媒を選択するとよい。

樹脂組成物は、さらに必要に応じて、重合開始剤、光増感剤、酸化防止剤、重合禁止剤、架橋剤、赤外線吸収剤、帯電防止剤、粘度調整剤、密着性向上剤等を含有してもよい。

樹脂組成物の粘度としては、所定の塗布性を有し、接続用導体３の撥液性により弾くことが可能な程度であれば特に限定されない。具体的な樹脂組成物の粘度としては、２５℃において、１．０ｍＰａ・ｓ以上１００００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、５ｍＰａ・ｓ以上１０００ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましく、５ｍＰａ・ｓ以上５００ｍＰａ・ｓ以下であることが特に好ましい。樹脂組成物の粘度が低すぎる場合は、樹脂組成物の塗膜４Ａを形成することが困難となり、樹脂組成物の粘度が高すぎる場合は表面の濡れ性の差の効果を得ることが困難になる可能性があるからである。
尚、粘度の測定方法については、粘度を精度良く測定できる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、レオメーター、Ｂ型粘度計、キャピラリー式粘度計等の粘度測定装置を用いる方法が挙げられる。また、粘度の測定方法としては、デジタル粘度計（東機産業株式会社 ＴＶ−３５）を用いることができる。

樹脂組成物の表面張力としては、所定の塗布性を有し、接続用導体３の撥液性によって弾くことが可能な程度であれば特に限定されない。具体的な樹脂組成物の表面張力としては、２５℃において、５ｍＮ／ｍ以上７０ｍＮ／ｍ以下であることが好ましく、１０ｍＮ／ｍ以上５０ｍＮ／ｍ以下であることがより好ましく、２０ｍＮ／ｍ以上５０ｍＮ／ｍ以下であることがさらに好ましい。樹脂組成物の表面張力が低すぎる場合、接続用導体３上の樹脂組成物を弾きにくくなる傾向にあり、樹脂組成物の表面張力が高すぎる場合は、絶縁層４を形成することが困難となる可能性があるからである。
尚、表面張力の測定方法については、表面張力を精度良く測定できる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、高精度表面張力計（協和界面科学社 ＤＹ−７００）を用いて測定することができる。

（絶縁層の形成方法）
本工程において、絶縁層４は、上述した樹脂組成物を接続用導体３が形成された配線部材２上に塗布することにより形成される。
塗布方法としては、所望の厚みを有する絶縁層４を形成することができれば特に限定されず、一般的な塗布法を用いることができる。具体的には、スリットコート法、スピンコート法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、ＬＢ法、ディップコート法、スプレーコート法、ブレードコート法、及びキャスト法等が挙げられる。本実施形態においては、なかでも、スピンコート法、及びスリットコート法を用いることが好ましい。絶縁層４の平坦性を良好なものとすることができるからである。

樹脂組成物の塗膜４Ａの厚みは、ヴィアポストとして機能する接続用導体３を有する絶縁層４を形成することができれば特に限定されず、接続用導体３の高さよりも樹脂組成物の塗膜４Ａの厚みが大きくてもよく、同等であってもよく、小さくてもよい。
また、接続用導体３の高さよりも樹脂組成物の塗膜４Ａの厚みが厚い場合、塗膜４Ａは接続用導体３を覆うように形成されていてもよい。樹脂組成物の粘度及び表面張力等を調整することにより、接続用導体３上に塗布された樹脂組成物を時間経過とともに弾くようにすることができる。

樹脂組成物の塗膜４Ａの硬化方法としては、樹脂組成物の種類に応じて適宜選択され、一般的な硬化方法を適用できる。一般的な硬化方法を用いることができるため、ここでの説明は省略する。

（絶縁層）
絶縁層４は、第１電極２２と後述する第２電極６とを絶縁するために形成されるものである。ヴィアポストとして機能する接続用導体３は絶縁層４を貫通し、接続用導体３の一部が、絶縁層４から突出している。

絶縁層４の厚みは、第１電極２２及び後述する第２電極６を絶縁することができれば特に限定されない。
図６は、本実施形態における絶縁層４について説明する説明図であり、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、接続用導体３の高さをｘとし、第１電極２２上における絶縁層４の厚みをｙとした場合に、接続用導体３の高さｘが、第１電極２２上における絶縁層４の厚みｙよりも大きくする。これにより、ヴィアポストとして機能する接続用導体３が第１電極２２及び第２電極６を良好に導通させることができる。
「第１電極２２上における絶縁層４の厚み」とは、第１電極２２の表面からの絶縁層の厚さ方向の距離をいい、図６においてｙで示される距離をいう。

接続用導体３の高さｘは、第１電極２２上における絶縁層４の厚みｙに対して１倍を超え１０倍以下であることが好ましい（１＜ｘ／ｙ≦１０）。ｘ及びｙの比率を上記範囲内とすることにより、接続用導体３及び後述する第２電極６をより導通させやすくすることができる。

第１電極２２上における絶縁層４の厚みｙとしては、半導体層等の下地層を保護する役割を有していれば、特に限定されず、本実施形態により製造される積層配線部材１の用途に応じて適宜選択することができるが、０．１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。また、０．５μｍ以上１３μｍ以下としてもよい。絶縁層４の厚みが厚すぎると接続用導体３をヴィアポストとして機能させることが困難となるおそれがある。また、絶縁層４の厚みが薄すぎると十分な保護性を示すことが困難となるおそれがある。

また、本工程においては、少なくとも１層の絶縁層４を形成することができればよく、複数の絶縁層を形成してもよい。

［第２電極形成工程］
第２電極形成工程においては、図１（Ｅ）に示すように、ヴィアポストとして機能する接続用導体３と導通するように、絶縁層４上に第２電極６を形成する。この場合、絶縁層４から突出した接続用導体３の少なくとも一部と、第２電極６とが接触し、導通する。

第２電極６に用いられる材料としては、所望の導電性を有していれば特に限定されず、上述した第１電極２２に用いられる材料から適宜選択することができる。
第２電極６は、通常、絶縁層４上にパターン状に形成される。第２電極６の平面視形状としては、本実施形態の製造方法により製造される積層配線部材１の種類に応じて適宜選択することができる。

第２電極６の形成方法については、上述した第１電極２２の形成方法と同様とすることができる。第２電極６の厚みについては、接続用導体３及び第１電極２２との間での導通を得ることができれば特に限定されない。但し、絶縁層４の厚みと接続用導体３の高さの差以下であると導通を得るのが困難となる場合がある。
第２電極６の厚みは、具体的には、３０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以上４０００ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることが特に好ましい。

また、本工程においては、第２電極６の形成前に接続用導体３に親水化処理を行なってもよい。親水化処理としては、接続用導体３の導電性の低下を抑制することができ、接続用導体３の表面と水との接触角を小さくすることができれば特に限定されない。例えば、水素プラズマを用いた親水化処理等が挙げられる。

［その他の工程］
本実施形態の積層配線部材の製造方法は、さらに必要な構成を適宜選択して追加してもよい。例えば、上述した配線部材２を形成する工程等が挙げられる。

本発明の積層配線部材の製造方法は、ヴィアポストを介して２つの電極が導通する積層構造を有するデバイスの製造方法に適用できる。具体的には、例えば、半導体素子、タッチパネルセンサ、ＲＦ−ＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）、有機エレクトロルミネッセンス素子、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）等の製造方法に適用できる。

＜積層配線部材＞
本発明の積層配線部材は、対向する第１電極と第２電極と、第１電極と第２電極の間を電気的に接続する接続用導体を含み、接続用導体の高さ及び第１電極に接する面の長軸長の比（接続用導体の高さ／接続用導体の第１電極に接する面の長軸長）が０．１以上５以下であり、接続用導体の前記第１電極に接する面の長軸長が１００μｍ以下である。
本発明の積層配線部材は、接続用導体が高いアスペクト比を有している積層配線部材であり、本発明の積層配線部材の製造方法により得られる。

図７は、本発明の積層配線部材の一実施形態を示す概略断面図である。
図７の積層配線部材１００では、基材２１及び第１電極２２の積層体である配線部材の第１電極２２上に接続用導体３が形成されており、当該接続用導体３は、第１電極２２及び第２電極６を絶縁している絶縁層４を貫いて第２電極６と接続している。尚、接続用導体３は複数形成されていてもよい。

本実施形態の積層配線部材１００の基材２１、第１電極２２、第２電極６、絶縁層４、接続用導体３の好ましい実施形態は、それぞれ積層配線部材の製造方法で説明したものと同じである。

本発明の積層配線部材を１単位として、その単位を繰り返し複数積層させて積層配線基板とすることができる。また、本発明の積層配線部材と、ビアランドを用いた接続部材を含む積層体を積層させて、積層配線基板を製造することもできる。
本発明の積層配線部材や積層配線基板を用いて半導体素子を製造することができる。図８、９、１０、１１は、それぞれ本発明の積層配線部材を用いた半導体素子の実施形態を示す概略断面図である。

図８は、ボトムゲートボトムコンタクト型の半導体トランジスタを有する半導体素子の一実施形態を示す概略断面図である。図８に示すように、半導体素子３０では、基材３１上にゲート電極３２が形成され、ゲート電極３２を覆うように、ゲート絶縁層３３が形成されている。ゲート絶縁層３３上に、ソース電極３４及びドレイン電極３５が形成され、ソース電極３４及びドレイン電極３５の間のチャネル領域に半導体層３６が形成されている。
ドレイン電極３５は本発明の第１電極に、外部入出力電極３８は本発明の第２電極にそれぞれ対応し、これら電極に介在するパッシベーション層３７（絶縁層）を貫いて接続用導体３で接続されている。

図９は、ボトムゲートトップコンタクト型の半導体トランジスタを有する半導体素子の他の実施形態を示す概略断面図である。図８とはパッシベーション層３７（絶縁層）及び外部入出力電極３８の間にさらに遮光層３９を有し、接続用導体３がパッシベーション層３７及び遮光層３９を貫通してヴィアポストとして機能している点で異なる。

図１０は、トップゲートボトムコンタクト型の半導体トランジスタを有する半導体素子の一実施形態を示す概略断面図である。図８と同じ部材には同じ符号を付して説明を省略する。この半導体素子３０では、ドレイン電極３５ａ（第１電極）と、中間電極３５ｂ（第２電極）は、介在するゲート絶縁層３３（絶縁層）を貫いて接続用導体３ａで接続されている。さらに、中間電極３５ｂ（第１電極）と、外部入出力電極３８（第２電極）は、介在するパッシベーション層３７（絶縁層）を貫いて接続用導体３ｂで接続されている。

図１１は、トップゲート型の半導体トランジスタを有する半導体素子の一実施形態を示す概略断面図である。図１０と同じ部材には同じ符号を付して説明を省略する。この半導体素子３０では、ドレイン電極３５ａ（第１電極）と、外部入出力電極３８（第２電極）は、介在するゲート絶縁層３３（絶縁層）とパッシベーション層３７（絶縁層）を貫いて接続用導体３ｂで接続されている。

本発明の積層配線部材、積層配線基板及び半導体素子は、フレキシブルプリント配線板、携帯端末、自動車、ロボット、パソコン、プリンタ、カメラ等の電子機器等に好適に用いることができる。

実施例１
ＰＥＮ基板上に、金電極（第１電極、厚み：１００ｎｍ）を、Ｌ／Ｓ（ラインアンドスペース）＝５０μｍ／２０μｍの短冊状のパターンで成膜した。
当該金電極上において、インクジェット法により、テトラデカン（２５℃における表面張力：２６．１ｍＮ／ｍ）を、ヴィアポストを形成したい部分に１０ｐＬずつ２滴滴下した。これにより、直径１１０μｍ、高さ５２μｍのテトラデカン溶媒層を形成した。
その後、Ａｇ含有インク（銀ナノコロイド（平均粒子径：１０ｎｍ）と、２，３，５，６−テトラフルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンゼンチオールと、溶媒（水と、エチレングリコールと、１，３−プロパンジオールと、グリセリンとの混合溶媒）とを、質量比３９．４：１．５：５９．１の割合で混ぜたもの。２５℃における表面張力：３０ｍＮ／ｍ）をインクジェット法により１０ｐＬ（液滴の直径：８０μｍ）で１滴滴下した。次いで、１８０℃で１５分間加熱したところ、第１電極に接する底面の長軸長が２０μｍで高さが８μｍの山形形状（半円形状、凸型形状）のヴィアポスト（接続用導体）が得られた。（ヴィアポストの高さ）／（ヴィアポストの底面の長軸長）は０．４となった。
さらに、スリットコート法によってシリカ系のフィラーを含有する絶縁インク（２５℃における粘度：５０ｍＰａ・ｓ）を印刷し、１２０℃で熱硬化して、層間絶縁膜（絶縁層）とした。層間絶縁膜の膜厚は４μｍであり、ヴィアポストの高さは層間絶縁膜の膜厚の２倍であった。ヴィアポストが撥液性であり、層間絶縁膜より高さが高いためヴィアポストの上には層間絶縁膜は形成されなかった。
この後、層間絶縁膜とヴィアポストの上に、真空蒸着法で金電極（第２電極）を成膜し、積層配線部材を形成した。下部の金電極と上部の金電極の電気的接続を確認したところ、ヴィアポストによる導通を確認できた。また、断面ＴＥＭによる観察により、ヴィアポストの頂上部に層間絶縁膜が無く、金電極と接続していることが確認された。また、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光分析）によるヴィアポストの分析では、フッ素原子及び硫黄原子がともに確認され、製造後１６８時間経過後観察したところ、Ａｇ起因のマイグレーションは観察されず、隣接する短冊状のパターン間で導通は確認されなかった。

実施例２
テトラデカンの代わりにヘキサン（２５℃における表面張力：１８．４ｍＮ／ｍ）を用い、ディスペンサーにより幅２００μｍ、高さ４０μｍのヘキサン溶媒層を形成した他は、実施例１と同様にしてヴィアポストを形成した。形成したヴィアポストは、第１電極に接する底面の長軸長が２１μｍで高さが７．５μｍの、山形形状（半円形状、凸型形状）であった。（ヴィアポストの高さ）／（ヴィアポストの底面の長軸長）は０．３６となった。
また、スピンコーターによりフッ素系樹脂組成物（旭硝子株式会社製「サイトップ ＣＴＸ １００ＡＥ」、２５℃における粘度：２５ｍＰａ・ｓ）を成膜して、厚さ４μｍの層間絶縁膜（絶縁層）を形成した。ヴィアポストが撥液性であり、層間絶縁膜より高さが高いため、ヴィアポストの上には層間絶縁膜は形成されなかった。
この後、実施例１と同様にして金電極（第２電極）を成膜し、積層配線部材を形成した。下部の金電極と上部の金電極の電気的接続を確認したところ、ヴィアポストによる導通を確認できた。また、断面ＴＥＭによる観察により、ヴィアポストの頂上部に層間絶縁膜が無く、金電極と接続していることが確認された。ＸＰＳによるヴィアポストの分析ではフッ素原子及び硫黄原子がともに確認され、製造後１６８時間経過後観察したところ、Ａｇ起因のマイグレーションは観察されず、隣接する短冊状のパターン間で導通は確認されなかった。

実施例３
ＰＥＮ基板上に、銅電極（第１電極、厚み：２００ｎｍ）をＬ／Ｓ＝５０μｍ／２０μｍの短冊状のパターンで成膜した。
当該銅電極上において、スクリーン印刷によって、ヴィアポストを形成したい部分に直径１４０μｍ、高さ４５μｍのテトラデカン溶媒層を形成した。
その後、実施例１で用いたＡｇ含有インクをインクジェット法により１０ｐＬ（液滴の直径：８０μｍ）ずつ７滴滴下した。次いで、１２０℃で１５分加熱したところ、第１電極に接する底面の長軸長が２０μｍで高さが５４μｍの山形形状（半楕円形状、凸型形状）のヴィアポスト（接続用導体）が得られた。（ヴィアポストの高さ）／（ヴィアポストの底面の長軸長）は２．７となった。
さらに、スリットコート法によって、シリカ系のフィラーを含有する絶縁インク（２５℃における粘度：７２ｍＰａ・ｓ）を印刷し、１２０℃で熱硬化して層間絶縁膜（絶縁層）とした。層間絶縁膜の膜厚は４０μｍであリ、ヴィアポストの高さは層間絶縁膜の膜厚の１．３５倍であった。ヴィアポストが撥液性であり、層間絶縁膜より高さが高いため、ヴィアポストの上には層間絶縁膜は形成されなかった。
この後、層間絶縁膜とヴィアポストの上に真空蒸着法で銅電極（第２電極）を成膜して積層配線部材を形成した。下部の銅電極と上部の銅電極の電気的接続を確認したところ、ヴィアポストによる導通を確認できた。また、断面ＴＥＭによる観察により、ヴィアポストの頂上部に層間絶縁膜が無く、銅電極と接続していることが確認された。ＸＰＳによるヴィアポストの分析ではフッ素原子及び硫黄原子がともに確認され、製造後１６８時間経過後観察したところ、Ａｇ起因のマイグレーションは観察されず、隣接する短冊状のパターン間で導通は確認されなかった。

実施例４
ＰＥＮ基板上に、銅電極（第１電極、厚み：１５０ｎｍ）をＬ／Ｓ＝３０μｍ／２０μｍの短冊状のパターンで成膜した。
当該銅電極上において、スクリーン印刷によって、ヴィアポストを形成したい部分に直径５０μｍ、高さ１５μｍのテトラデカン溶媒層を形成した。
その後、Ａｇ含有インク（銀ナノコロイド（平均粒子径：１０ｎｍ）と、２，３，５，６−テトラフルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンゼンチオールと、溶媒（水と、エチレングリコールと、１，３−プロパンジオールと、グリセリンとの混合溶媒）とを、質量比４３：１．５：５５．５の割合で混ぜたもの（２５℃における表面張力：２９ｍＮ／ｍ）を、インクジェット法により１ｐＬ（液滴の直径：２０μｍ）ずつ１０滴滴下した。次いで、１２０℃で１５分加熱したところ、第１電極に接する底面の長軸長が１２μｍで高さが５１μｍの山形形状（半楕円形状、凸型形状）のヴィアポスト（接続用導体）が得られた。（ヴィアポストの高さ）／（ヴィアポストの底面の長軸長）は４．２５となった。
さらに、スクリーン印刷によって、シリカ系のフィラーを含有する絶縁インク（２５℃における粘度：４５０ｍＰａ・ｓ）を印刷し、１２０℃で熱硬化して層間絶縁膜（絶縁層）とした。層間絶縁膜の膜厚は３０μｍであリ、ヴィアポストの高さは層間絶縁膜の膜厚の１．７倍であった。ヴィアポストが撥液性であり、層間絶縁膜より高さが高いため、ヴィアポストの上には層間絶縁膜は形成されなかった。
この後、層間絶縁膜とピアポストの上に真空蒸着法で銅電極（第２電極、厚み：１５０ｎｍ）を成膜し積層配線部材を形成した。下部の銅電極と上部の銅電極の電気的接続を確認したところ、ヴィアポストによる導通を確認できた。また、断面ＴＥＭによる観察により、ヴィアポストの頂上部に層間絶縁膜が無く、銅電極と接続していることが確認された。ＸＰＳによるヴィアポストの分析ではフッ素原子及び硫黄原子がともに確認され、製造後１６８時間経過後観察したところ、Ａｇ起因のマイグレーションは観察されず、隣接する短冊状のパターン間で導通は確認されなかった。

比較例１
溶媒層を形成しなかった他は実施例１と同様にしてヴィアポストを形成した。
形成したヴィアポストは、第１電極に接する底面の長軸長が４０μｍで高さが１．６μｍの山形形状であった。（ヴィアポストの高さ）／（底面の直径）は０．０４となった。また、実施例１と同様に厚さ４μｍの層間絶縁膜を形成した結果、ヴィアポスト上が絶縁材料で塗れてしまい、導通しなかった。

比較例２
テトラデカンの代わりに水（２５℃における表面張力７６ｍＮ／ｍ）で溶媒層を形成した他は実施例１と同様にしてヴィアポストの形成を試みたが、Ａｇ含有インクが水に溶けてしまい、ヴィアポストを形成することができなかった。

１，１００ 積層配線部材
２ 配線部材
２１ 基材
２２ 第１電極
３ 接続性導体
３Ａ 導体組成物インク凸型液滴
４ 絶縁層
４Ａ 樹脂組成物の塗膜
６ 第２電極
３０ 半導体素子
３１ 基材
３２ ゲート電極
３３ ゲート絶縁層
３４ ソース電極
３５，３５ａ ドレイン電極
３５ｂ 中間電極
３６ 半導体層
３７ パッシベーション層
３８ 外部入出力電極
５０ 溶媒層
６０ 導体組成物インク液滴

Claims (26)

1. 対向する第１電極と第２電極と、
   前記第１電極と前記第２電極の間を電気的に接続する接続用導体とを含む積層配線部材であって、
   前記接続用導体の高さ及び前記第１電極に接する面の長軸長の比（接続用導体の高さ／接続用導体の第１電極に接する面の長軸長）が０．１以上５以下であり、前記接続用導体の前記第１電極に接する面の長軸長が１００μｍ以下である積層配線部材。
2. 前記接続用導体を複数含む請求項１に記載の積層配線部材。
3. 前記接続用導体が、金、銀及び銅からなる群から選択される１以上の金属元素を含む請求項１又は２に記載の積層配線部材。
4. 前記接続用導体が、撥液剤を含む請求項１〜３のいずれかに記載の積層配線部材。
5. 前記撥液剤が、自己組織化単分子膜を形成するフッ素含有化合物である請求項４に記載の積層配線部材。
6. 前記撥液剤が、フッ素含有チオール化合物である請求項４又は５に記載の積層配線部材。
7. 前記撥液剤が、前記接続用導体の表面に露出している請求項４〜６のいずれかに記載の積層配線部材。
8. 前記接続用導体が、樹脂組成物からなる絶縁層を貫いて、前記第１電極と前記第２電極の間を電気的に接続する請求項１〜７のいずれかに記載の積層配線部材。
9. 前記絶縁層の樹脂組成物が、フッ素系樹脂組成物である請求項８に記載の積層配線部材。
10. 前記絶縁層の厚みが、１μｍ〜５０μｍであり、前記接続用導体の高さが、前記絶縁層の厚みの１倍を超え１０倍以下である請求項８又は９に記載の積層配線部材。
11. 第１電極上に溶媒層を形成する工程と、
    前記溶媒層に導体組成物インクの液滴を滴下し、前記第１電極上に前記導体組成物インクの凸型液滴を形成して、加熱することで、接続用導体を形成する工程を含み、
    前記溶媒層を構成する溶媒が、前記導体組成物インクより２．５ｍＮ/ｍ以上小さい表面張力を有する積層配線部材の製造方法。
12. 前記溶媒層の厚みを、前記導体組成物インクの液滴の前記滴下時の直径の０．１倍〜２倍とする請求項１１に記載の積層配線部材の製造方法。
13. 前記溶媒層を構成する溶媒が、水、アルコール系溶媒及びテトラデカンから選択される１種以上を含む請求項１１又は１２に記載の積層配線部材の製造方法。
14. 前記導体組成物インクの溶媒が、水、アルコール系溶媒及びテトラデカンから選択される１種以上を含む請求項１１〜１３のいずれかに記載の積層配線部材の製造方法。
15. 前記溶媒層の溶媒と前記導体組成物インクの溶媒が互いに混和しない請求項１１〜１４のいずれかに記載の積層配線部材の製造方法。
16. 前記導体組成物インクの液滴の滴下を、インクジェット法又はディスペンサ法を用いて行う請求項１１〜１５のいずれかに記載の積層配線部材の製造方法。
17. 前記加熱の温度が、１００〜２００℃である請求項１１〜１６のいずれかに記載の積層配線部材の製造方法。
18. 前記導体組成物インクが、金、銀及び銅からなる群から選択される１以上の金属の粒子を含む請求項１１〜１７のいずれかに記載の積層配線部材の製造方法。
19. 前記導体組成物インクが、撥液剤を含む請求項１１〜１８のいずれかに記載の積層配線部材の製造方法。
20. 前記撥液剤が、自己組織化単分子膜を形成するフッ素含有化合物である請求項１９に記載の積層配線部材の製造方法。
21. 前記撥液剤が、フッ素含有チオール化合物である請求項１９又は２０に記載の積層配線部材の製造方法。
22. 前記接続用導体を形成した第１電極上に樹脂組成物の塗膜を形成し、硬化させて絶縁層を形成する工程であって、前記接続用導体の高さが前記絶縁層の厚みよりも大きくなるようにすることで、前記接続用導体が前記絶縁層から突出するように絶縁層を形成する工程と、
    前記絶縁層から突出した接続用導体と電気的に接続するように、前記絶縁層上に第２電極を形成する工程を含む請求項１１〜２１のいずれかに記載の積層配線部材の製造方法。
23. 前記樹脂組成物の粘度が、２５℃において、５ｍＰａ・Ｓ以上５００ｍＰａ・Ｓ以下である請求項２２に記載の積層配線部材の製造方法。
24. 請求項１〜１０のいずれかに記載の積層配線部材を備える半導体素子であって、
    前記第１電極が、ソース電極、ドレイン電極又は中間電極であり、前記第２電極が、ゲート電極、中間電極又は外部入出力電極である半導体素子。
25. 請求項１〜１０のいずれかに記載の積層配線部材を備える電子機器。
26. 携帯端末、自動車、ロボット、パソコン、プリンタ、カメラ、又はウェアラブルデバイスである請求項２５に記載の電子機器。

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