JP2017199724A - 積層体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】簡易な方法で導通させることができる積層体の製造方法を提供する。【解決手段】積層体２１の製造方法は、基板１の第１の電極３上に、ヴィアポスト５を形成し、前記ヴィアポストが形成された基板上に、樹脂組成物を塗布し、前記ヴィアポストの一部又は全部を覆うように樹脂膜７を形成し、乾燥前かつ硬化前に、前記ヴィアポストを覆う樹脂膜をエアブロー装置９を用いて除去し、前記ヴィアポスト表面を露出させ、前記樹脂膜を、乾燥及び硬化、又は硬化させ、絶縁膜１１を形成し、前記絶縁膜上及び前記ヴィアポスト上に、第２の電極１３を形成する。【選択図】図１

Description

本発明は、積層体の製造方法に関する。

複数の配線基板（片面板、両面板、多層板、フレキシブル基板等）を一体化して多層化するために、従来の一般的な方法では、接着性を有する絶縁層を用い、多層間の、つまり各層間の電気的接合を形成していた。例えば、プリブレグ、接着剤を介して重ね合わせた複数の基板を加圧・加熱して機械的に一体化し、穴明け・めっきのいわゆるＰＴＨ（Ｐｌａｔｅｄ Ｔｈｒｏｕｇｈ ｈａｌｌ：メッキスルーホール）により電気的に接続する。

従来のフレキシブル基板の多層化は、例えば片面に銅箔等の導電層が配設されたポリイミドフィルム等のフレキシブルな基板材料に、フィルム側からレーザ照射、フォトエッチング工程等により孔を形成し、この孔に導電性ペーストを埋め込んだり、メッキを行う等して導電性物質を充填し、これを１単位として接着剤等により貼り合わせて多層化している。

特許文献１には、絶縁性樹脂層側に突出して配設された第１のビアランドを有する第１の配線層上の導電性ピラーに圧力をかけ塑性変形させ、対向する絶縁性樹脂層側に突出して配設された第２のビアランドに加熱しながら圧着させる方法が示されている。

特開平１１−５４９２７号公報

本発明の目的は、簡易な方法で導通させることができる積層体の製造方法を提供することである。

特許文献１の方法では導電性ピラーに圧力をかけ塑性変形させる際に微細なクラックが生じたり、変形の不均一さにより、導電性が変化し、各ピラー間での導電性の不均一さが生じる場合がある。また、張り合わせを行うことで位置合わせの精度を加味した導電性ピラー径より大きな径のビアランドを必要とする為、ビアランドは配線の高密度化の妨げとなる。
そこで本発明者らが鋭意研究を行った結果、導電性ピラー（ヴィアポスト）に圧力をかけず、簡易な方法で、層間を電気的に接続するため、硬化前の絶縁膜に着目し、本発明に至った。

本発明によれば、以下の積層体の製造方法等が提供される。
１．基板の第１の電極上に、ヴィアポストを形成し、
前記ヴィアポストが形成された基板上に、樹脂組成物を塗布し、前記ヴィアポストの一部又は全部を覆うように樹脂膜を形成し、
乾燥前かつ硬化前に、前記ヴィアポストを覆う樹脂膜を除去し、前記ヴィアポスト表面を露出させ、
前記樹脂膜を、乾燥及び硬化、又は硬化させ、絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上及び前記ヴィアポスト上に、第２の電極を形成する積層体の製造方法。
２．前記除去が、気体の噴射による圧力を用いて行われる１に記載の積層体の製造方法。
３．前記気体の噴射が、前記ヴィアポストの大きさの１〜５倍の直径のノズルにより行われる２に記載の積層体の製造方法。
４．前記樹脂組成物の粘度が０．０１Ｐａ・ｓ以上１００Ｐａ・ｓ以下である１〜３のいずれかに記載の積層体の製造方法。
５．前記ヴィアポストの高さが、前記樹脂膜の膜厚より大きい１〜４のいずれかに記載の積層体の製造方法。
６．前記露出させるヴィアポスト表面が、ヴィアポストの、樹脂膜の膜厚より高い部分である５に記載の積層体の製造方法。
７．１〜６のいずれかに記載の方法で積層体を製造し、前記積層体を用いて、積層回路を製造する、積層回路の製造方法。
８．１〜６のいずれかに記載の方法で積層体を製造し、前記積層体を用いて、半導体チップ又は発光ダイオードチップを配線上に接続する回路基板の製造方法。
９．１〜６のいずれかに記載の方法で積層体を製造し、前記積層体を用いて、フレキシブルプリント基板を製造する、フレキシブルプリント基板の製造方法。
１０．１〜６のいずれかに記載の方法で積層体を製造し、前記積層体を用いて、配線基板を製造する、配線基板の製造方法。
１１．１〜６のいずれかに記載の方法で積層体を製造し、前記積層体を用いて、タッチパネルモジュールを製造する、タッチパネルモジュールの製造方法。
１２．１〜６のいずれかに記載の方法で積層体を製造し、前記積層体を用いて、電子機器を製造する、電子機器の製造方法。
１３．プリント配線板、液晶ディスプレイ、自動車、ロボット、テレビ、カーナビゲーション、携帯電話、ゲーム機、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、プリンタ、発光ダイオード照明又はウェアラブルデバイスである１２に記載の電子機器の製造方法。
１４．１〜６のいずれかに記載の方法で積層体を製造し、前記積層体を用いて、表示装置を製造する、表示装置の製造方法。
１５．前記表示装置が、液晶表示装置、電気泳動表示装置又は有機ＥＬ表示装置である、１４に記載の表示装置の製造方法。

本発明によれば、簡易な方法で導通させることができる積層体の製造方法が提供できる。

図１は、本発明の一実施形態にかかる積層体の製造方法を示す図である。 図２Ａは、導体組成物インクの塗布位置について説明する説明図である。 図２Ｂは、導体組成物インクの塗布位置について説明する説明図である。 図３Ａは、本発明の一実施形態にかかる方法におけるヴィアポストの縦断面形状についての説明図である。 図３Ｂは、本発明の一実施形態にかかる方法におけるヴィアポストの縦断面形状についての説明図である。 図３Ｃは、本発明の一実施形態にかかる方法におけるヴィアポストの縦断面形状についての説明図である。 図４は、ヴィアポスト及び電極を示す図である。

本発明の積層体の製造方法では、基板の第１の電極上に、ヴィアポストを形成し、ヴィアポストが形成された基板上に、樹脂組成物を塗布し、ヴィアポストの一部又は全部を覆うように樹脂膜を形成し、乾燥前かつ硬化前に、ヴィアポストを覆う樹脂膜を除去し、ヴィアポスト表面を露出させ、樹脂膜を、乾燥及び硬化、又は硬化させ、絶縁膜を形成し、絶縁膜上及び前記ヴィアポスト上に、第２の電極を形成する。

これにより、ヴィアポストのクラックや変形なく、均一な導電性のヴィアポストを有する積層体を形成することができる。また、厚膜な絶縁膜を用いたとしても、簡易な方法で導通させることができる。また、貼り合わせを行わないため、ヴィアポストや電極を高密度化することができる。

図１は、本発明の一実施形態にかかる積層体の製造方法を示す図である。
図１（ａ）に示すように、第１の電極３を形成した基板１を用意する。
図１（ｂ）に示すように、第１の電極３上に、ヴィアポスト５を形成する。

基板１上に、樹脂膜７を形成し（図１（ｃ））、エアブロー装置９で、ヴィアポスト５を覆う、樹脂膜７に気体を噴射する（図１（ｄ））。
押しのけられた樹脂膜７が流動、回復し、安定した後、樹脂膜７を硬化し、絶縁膜１１とする（図１（ｅ））。
図１（ｆ）に示すように、第２の電極１３を形成することで、積層体２１を形成することができる。

第１の基板としては、例えば、ガラス基板、シリコンウェハー、セラミック基板等の可撓性を有さないリジット基材、及びプラスチック樹脂からなるフィルム等の可撓性を有するフレキシブル基材が挙げられる。
プラスチック樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）及びポリエーテルイミド（ＰＥＩ）等が挙げられる。

第１の基板は、単層であってもよく、積層体であってもよい。形成する層としては、酸化膜、窒化膜等の絶縁膜、半導体膜、導電膜、硬化性樹脂を含む平坦化層、バリア層等が挙げられる。これらを、単独でも用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

また、基板が透明性を有する場合、可視光領域における透過率は８０％以上であることが好ましい。ここで、透過率は、ＪＩＳ Ｋ７３６１−１（プラスチック−透明材料の全光透過率の試験方法）により測定することができる。

第１の電極は、基板上に形成される。第１の電極は、通常、基板上にパターン状に形成される。パターンとしては、例えば、ライン形状や電極パッドに用いられるパッド形状等が挙げられる。
第１の電極上の所望の位置に、ヴィアポストが形成されるが、第１の電極には、ヴィアポストが形成されていない部分があってもよい。

第１の電極の材料としては、所望の導電性を有していれば特に限定されず、例えば、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｍｏ−Ｔａ合金、Ａｇ合金、Ｃｕ合金、Ａｌ合金等の金属や、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の導電性無機材料、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、の導電性有機材料を用いることができる。第１の電極は、透明電極であってもよい。

また、第１の電極には、金属材料、カーボンナノチューブ、グラフェン等の導電性材料等を含んでもよい。これにより、第１の電極の印刷が可能となる。
金属材料としては、金属マイクロ粒子、金属ナノ粒子、金属ナノワイヤー、及びこれらの組み合わせ等が挙げられる。金属ナノ粒子及び金属ナノワイヤーが好ましい。
金属材料の金属は、銀、銅、水銀、スズ、インジウム、ニッケル、パラジウム、白金及び金等が挙げられる。また、これらの合金でもよい。金、銀、銅及びそれらの合金が好ましく、銀、銅及びこれらの合金が特に好ましい。これらは、１種単独でも用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

金属ナノ粒子は、平均直径１００ｎｍ以下が好ましく、３〜５０ｎｍがより好ましく、５〜４５ｎｍがさらに好ましい。
金属ナノワイヤーは、平均直径５０ｎｍ以下が好ましく、３〜３０ｎｍがより好ましく、５〜２８ｎｍがさらに好ましい。また、金属ナノワイヤーの平均長さは、１００μｍ以下が好ましく、５〜５０μｍがより好ましく、８〜３０μｍがさらに好ましい。

金属マイクロ粒子は、メジアン径（Ｄ５０）が１μｍ以上であることが好ましく、１〜１００μｍがより好ましく、１．２〜８０μｍがさらに好ましく、１．３〜５０μｍが特に好ましい。また、最大粒径（Ｄ１００）は、２００μｍ以下が好ましく、より好ましくは１００μｍ以下であり、さらに好ましくは５０μｍ以下である。
メジアン径とは、粉体をある粒子径から２つに分けたとき、大きい側と小さい側が等量になる径をいう。

カーボンナノチューブは、厚さ数原子層のグラファイト状炭素原子面（グラフェンシート）が筒形に巻かれた形状からなる炭素系繊維材料であり、単層ナノチューブ（ＳＷＮＴ）、多層ナノチューブ（ＭＷＮＴ）等が挙げられる。単層カーボンナノチューブは、グラフェンシートの構造の違いからカイラル（らせん）型、ジグザグ型、アームチェア型等が挙げられる。これらは、１種単独でも用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

カーボンナノチューブは、アスペクト比が大きい、即ち細くて長い単層ナノチューブを用いることが好ましい。例えば、アスペクト比が１０^２以上、好ましくは１０^３以上のカーボンナノチューブが挙げられる。
カーボンナノチューブの平均長さは、通常１μｍ以上、好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上であり、平均長さの上限は特に限定されないが、例えば１０ｍｍ程度である。外径としてはｎｍオーダーの極めて微小なカーボンナノチューブが知られている。カーボンナノチューブが有機化合物によって表面処理されていることが好ましく、具体的には、界面活性剤を使用して分散性を向上させることが好ましい。

上記の直径、長さ、長径、厚さ等については、例えば、透過型電子顕微鏡を用いて、１００個以上の導電性材料の直径、長さ、長径、厚さ等を測定して、それらを平均して求めることができる。特に、粒子径の場合、例えば、粒子の投影面積円相当径を測定し、その平均を算出することができる。

また、金属マイクロ材料のメジアン径（Ｄ５０）及び最大粒径（Ｄ１００）は、例えばレーザー回折式粒度分布測定装置ＳＡＬＤ−３００Ｖ（島津製作所製）で測定できる。

導電性材料は、１種単独でも用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

第１の電極の厚みとしては、所望の導電性を有することができれば特に限定されないが、３０ｎｍ以上５０μｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以上４０μｍ以下がより好ましく、１００ｎｍ以上４０μｍ以下が特に好ましい。
上記範囲内の場合、第１の電極を良好に形成でき、良好な導電性を示しやすい。

厚みとは、一般的な測定方法によって得られる厚みをいう。厚みの測定方法としては、例えば、触針で表面をなぞり凹凸を検出することによって厚みを算出する触針式の方法や、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等による観察像を測定する方法、分光反射スペクトルに基づいて厚みを算出する光学式の方法等が挙げられる。尚、対象となる構成の複数箇所における厚み測定結果の平均値を用いてもよい。

第１の電極の表面の濡れ性については、所望のヴィアポストを形成することができれば特に限定されない。第１の電極の表面の濡れ性としては、例えば、第１の電極の表面と水との接触角が、２５℃において、３０°以上９５°以下であることが好ましく、４０°以上９０°以下がより好ましく、４０°以上８０°以下が特に好ましい。
上記範囲内である場合、導通不良なしに、良好なヴィアポストを形成しやすくなる。

接触角は、例えば、測定対象上に１マイクロリットルの液体を滴下し、滴下した液滴の形状を側面より観測し、液滴と測定対象とのなす角を計測することにより測定することができる。接触角は、例えば、井元製作所製接触角測定装置、接触角計ＤＭ−９０１（協和界面科学製）を用いて測定することができる。

第１の電極の形成方法としては、一般的な電極の形成方法と同様とすることができる。具体的には、基板上に、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法、ＣＶＤ法等で行うことができる。全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いて所定のパターンにエッチングしてもよく、所定のパターンで開孔を持つメタルマスクを固定して、形成してもよい。
また、上述の金属材料、カーボンナノチューブ、グラフェン等を含む導電性ペーストを用いた印刷方法により形成してもよい。印刷法としては、例えば、インクジェット法、ディスペンサ法、スクリーン印刷法、グラビアオフセット印刷法、反転オフセット印刷法等を挙げることができる。また、導電性ペーストには、例えば後述する導体組成物インクで用いる溶剤、任意の成分等を適宜選択して用いてもよい。

ヴィアポストは、導電性材料を含むことが好ましい。導電性材料は、上記第１の電極で挙げた導電性材料と同様のものが挙げられる。１種単独でも用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。
ヴィアポストは、複数形成されていてもよい。

ヴィアポストは、さらに、撥液剤を含むことが好ましく、撥液性を有することが好ましい。これにより、ヴィアポストとして良好に機能しやすくなる。

撥液剤としては、例えば、フッ素含有チオール化合物、フッ素含有ジスルフィド化合物等のフッ素含有化合物が挙げられる。自己組織化単分子膜を形成し、特に導電性材料として金属粒子を用いた場合に、導電性と撥液性を両立できることから、フッ素含有チオール化合物が好ましい。

フッ素含有チオール化合物としては、芳香環を有するフッ素含有チオール化合物、フッ化部を持つアルカンチオール等が挙げられる。これらの中でも、金属粒子の表面修飾性から、芳香環（好ましくは、ベンゼン環）を有する炭素数６〜２０のフッ素含有チオールからなる群から選ばれる少なくとも１つの化合物が好ましい。

芳香環を有する炭素数６〜２０のフッ素含有チオールとしては、具体的には、トリフルオロメチルベンゼンチオール（例えば、４−トリフルオロメチルベンゼンチオール、３−トリフルオロメチルベンゼンチオール）、ペンタフルオロベンゼンチオール、２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンチオール、２，３，５，６−テトラフルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンゼンチオール、２，３，５，６−テトラフルオロ−４−メルカプト安息香酸メチルエステル、３，５−ビストリフルオロメチルベンゼンチオール、4−フルオロベンゼンチオール及び１１−（２，３，４，５，６−ペンタフルオロベン
ジルオキシ）−１−ウンデカンチオール等が挙げられる。これらの中でも、撥液性の観点からトリフルオロメチルベンゼンチオール、２，３，５，６−テトラフルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンゼンチオールが特に好ましい。

フッ素含有ジスルフィド化合物としては、芳香環を有するフッ素含有ジスルフィド化合物、フッ化部を持つ炭素鎖を有するジスルフィド化合物等が挙げられる。
芳香環を有するフッ素含有ジスルフィド化合物としては、具体的には、上述のフッ素含有チオール化合物が二量化した化合物が挙げられ、撥液性の観点から、トリフルオロメチルベンゼンチオール又は２，３，５，６−テトラフルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンゼンチオールが二量化した化合物が特に好ましい。

また、フッ素含有化合物として、フッ素含有カルボン酸化合物を用いてもよい。
フッ素含有カルボン酸化合物の具体例としては、２，３，４，５，６−ペンタフルオロ安息香酸、２，３，４，６−テトラフルオロ安息香酸、２，４，５−トリフルオロ安息香酸、２，３，４−トリフルオロ安息香酸、２−エチル−テトラフルオロ安息香酸、２−イソプロピル−テトラフルオロ安息香酸、３−シクロプロピル−２，４，５−トリフルオロ安息香酸、２−ブチル−テトラフルオロ安息香酸、ウンデカフルオロヘキサン酸、ノナデカフルオロデカン酸が挙げられる。

ヴィアポストは、さらに、樹脂を含んでもよい。
樹脂は、特に限定されず、熱硬化性樹脂の硬化物であっても、熱可塑性樹脂であってもよい。

熱硬化性樹脂の硬化物としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、シリコーン変成樹脂、ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ポリウレタン樹脂、熱硬化性ポリイミド、架橋型アクリル樹脂（例えば、架橋型ポリメチルメタクリレート樹脂）、架橋型ポリスチレン樹脂、及び、ポリアミック酸樹脂（加熱によりイミド化させポリイミド構造をつくる樹脂）等の硬化物が挙げられる。それぞれの樹脂に好ましい硬化剤を用いてもよい。
熱硬化性樹脂の硬化物を用いることで、耐熱性と導電性のバランスをとることができる。

エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が挙げられる。

熱可塑性樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、テフロン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン（ＡＢＳ）樹脂、アクリロニトリル・スチレン（ＡＳ）樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド、ナイロン、ポリアセタール、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、グラスファイバー強化ポリエチレンテレフタレート、環状ポリオレフィン、ポリフェニレンスルファイド、ポリテトラフロロエチレン、ポリスルホン、ポリエーテルサルホン、非晶ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン、熱可塑性ポリイミド、ポリアミドイミド及びこれらの共重合体等が挙げられる。

共重合体は、ブロック共重合体でも、ランダム共重合体でもよい。

熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、１０００〜５０００００が好ましく、２０００〜４０００００がより好ましい。
重量平均分子量は、例えばゲルパーミェションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）によりポリスチレン換算で測定することができる。

樹脂は、１種単独でも用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

樹脂が熱硬化性樹脂の場合、硬化剤を含んでもよい。硬化剤は、それぞれの熱硬化性樹脂に好ましい硬化剤を使用できる。

硬化剤としては、脂肪族ポリアミン、ポリアミノアミド、ポリメルカプタン類、芳香族ポリアミン、芳香族アミン、酸無水物、フェノールノボラック樹脂、ジシアンジアミド等が挙げられる。硬化剤にはさらに、硬化促進剤として、三級アミン、三級アミン塩、イミダゾール、ホスフォン、ホスホニウム塩を含んでもよい。
硬化剤は、１種単独でも用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

導電性材料の含有量は、ヴィアポスト全量に対して、２５重量％以上９９重量％以下が好ましく、３０重量％以上９９重量％以下がより好ましい。また、１００重量％でもよい。
撥液剤を含む場合、撥液剤の含有量は、ヴィアポスト全量に対して、０．０１重量％以上２重量％以下が好ましく、０．１重量％以上１．８重量％以下がより好ましい。上記範囲内であることにより、導電性と撥液性を両立しやすくなる。

樹脂を含む場合、樹脂の含有量は、ヴィアポスト全量に対して、０．１〜３０重量％が好ましく、０．３〜２０重量％がより好ましく、０.５〜１０重量％がさらに好ましい。
上記範囲内の場合、金属材料組成物の固化後、導電性の低下を抑え、密着性を向上させることができる。
硬化剤を含む場合、硬化剤の含有量は、金属材料組成物全量に対して、１０重量％以下であることが好ましく、５重量％以下であることがより好ましい。また、硬化剤の含有量の下限は特に制限されないが、０．１重量％以上であることが好ましい。

また、ヴィアポストは、重合性モノマー、及びその重合体を含んでもよい。
重合性モノマーとしては、エステル系モノマー、アクリレートモノマー等が挙げられる。
エステル系モノマーとしては、フェノキシポリエチレングリコール（好ましくはジエチレングリコール）アクリレート、ノナンジオールアクリレート等が挙げられる。
アクリレートモノマーとしては、フェノキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート等が挙げられる。
１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。

重合性モノマー及びその重合体を含む場合、その含有量は、ヴィアポスト全量に対して、１０重量％以下が好ましく、８重量％以下が好ましい。

ヴィアポストは、分散剤等の任意成分、後述の導体組成物インクの溶剤を含んでもよい。

ヴィアポストは、また、溶剤を除いて、後述の導体組成物インクは、例えば、９０重量％以上、９５重量％以上、９８重量％以上、９９重量％以上、１００重量％が、
導電性材料、
導電性材料及び撥液剤、
導電性材料及び樹脂、
導電性材料、樹脂及び硬化剤、
導電性材料、樹脂及び撥液剤、
導電性材料、樹脂、硬化剤及び撥液剤からなってもよい。
また、重合性モノマー及び／又は重合性モノマーの重合体を含んで、上記の含有量となってもよい。

ヴィアポストの表面エネルギーは、２０ｍＮ／ｍ超８０ｍＮ／ｍ以下であることが好ましい。２３ｍＮ／ｍ以上５０ｍＮ／ｍ以下がより好ましく、２３ｍＮ／ｍ以上４０ｍＮ／ｍ以下がさらに好ましく、２３ｍＮ／ｍ以上３８ｍＮ／ｍ以下が特に好ましい。
２０ｍＮ／ｍ以下の場合、撥液剤の量が多くなり、導体組成物インク中の導電性材料が凝集し、インク状態を保持できなくなるおそれがある。８０ｍＮ／ｍを超える場合、撥液性が低下し、絶縁膜を開孔することができなくなるおそれがある。

表面エネルギー及び導電性の観点から、ヴィアポストの表面に、導電性材料、又は導電性材料及び撥液剤が露出していることが好ましい。
表面エネルギーを調整する手段としては、撥液剤の種類や配合量を調整すること等が挙げられる。

表面エネルギーは、例えば各溶剤にて測定した接触角の値から、北崎、畑の拡張Ｆｏｗｋｅｓ式に基づく幾何学平均法による解析（北崎寧昭、畑敏雄ら、日本接着協会誌、第８巻（３）１３１−１４１頁（１９７２年））で求めることができる。

ヴィアポストの撥液性としては、ヴィアポストが絶縁膜に侵入する場合に、絶縁膜を弾き、ヴィアポストが、ヴィアポストとして機能することができれば特に限定されない。ヴィアポストの表面と水との接触角としては、８０°以上であることが好ましく、９０°以上１２０°以下がより好ましい。８０°未満の場合、ヴィアポストの維持が困難となるおそれがある。

「ヴィアポストが撥液性を有する」とは、ヴィアポストの表面と水との接触角が、第２の基板上の絶縁膜の表面と水との接触角よりも大きいことをいう。
具体的には、ヴィアポストの表面と水との接触角と、絶縁膜の表面と水との接触角との差が、５°以上であることが好ましく、より好ましくは２０°以上である。両者の接触角の差が５°未満の場合、ヴィアポストが、絶縁膜を弾くことが困難となるおそれがある。
また、上記接触角の差の上限値としては、ヴィアポストの材料、絶縁膜の材料等に応じて適宜決定され、特に限定されないが、例えば、１００°である。

ヴィアポストは、例えば導体組成物インクを第１の電極上に、塗布し、形成する。導体組成物インクは、パターン状に塗布することが好ましい。
「導体組成物インクをパターン状に塗布する」とは、第１の電極上に所定の平面視形状を有するように導体組成物インクを塗布することをいい、第１の電極が形成された電極上の全面に導体組成物インクを塗布する場合を含まないことをいう。

導体組成物インクは、導電性材料及び溶剤を含むことが好ましい。
導体組成物インクは、さらに撥液剤を含むことが好ましい。
また、導体組成物インクは、樹脂を含んでもよい。樹脂が熱硬化性樹脂の場合、硬化剤を含むことが好ましい。

また、導体組成物インクは、さらに重合性モノマーを含んでもよい。
導電性材料、撥液剤、樹脂、硬化剤及び重合性モノマーは、ヴィアポストで挙げた導電性材料、撥液剤、樹脂、硬化剤及び重合性モノマーと同様のものが挙げられる。

樹脂として、市販の、溶剤が含まれている樹脂を用いてもよい。市販の樹脂に含まれる溶剤としては、後述の溶剤と同様のものが挙げられる。
導体組成物インク中、導電性材料が、溶剤中に分散したナノコロイドであってもよい。

溶剤は、導電性材料及び撥液剤を分散又は溶解させるものであれば、特に限定されない。
溶剤としては、水、アルコール系溶剤（モノアルコール系溶剤、ジオール系溶剤、多価アルコール系溶剤等）、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、エーテル系溶剤、グライム系溶剤、ハロゲン系溶剤等が挙げられる。これらの溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
これらの中でも、印刷性の観点から、アルコール系溶剤が好ましい。アルコール系溶剤としては、イソプロピルアルコール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、トリデカノール、テトラデカノール、ペンタデカノール、ヘキサデカノール、シクロヘキサノール、１−メトキシ−２−プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、１，３−プロパンジオールが挙げられる。

ケトン系溶剤としては、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等が挙げられる。

溶剤の表面張力は、２５℃において２０ｍＮ／ｍ以上６５ｍＮ／ｍ以下であることが好ましい。溶剤の表面張力が上記範囲内であれば、導体組成物インクを下地に十分に付着させることができる。
表面張力は、ペンダントドロップ法により測定できる。

表面張力が２５℃において２０ｍＮ／ｍ以上６５ｍＮ／ｍ以下のアルコール系溶剤としては、エチレングリコール、グリセリン、１，３−プロパンジオール等が挙げられる。これらの中でも、１，３−プロパンジオールが特に好ましい。

溶剤を除いた場合の、導電性材料、撥液剤、樹脂及び硬化剤の含有量は、上述の、ヴィアポスト全量に対する、導電性材料、撥液剤、樹脂及び硬化剤含有量と同様である。
溶剤を除いた場合の、重合性モノマーの含有量は、上述の、ヴィアポスト全量に対する、重合性モノマー及びその重合体の含有量と同様である。

溶剤の含有量は、導体組成物インク全量に対して、１０重量％以上８５重量％以下が好ましく、１５重量％以上８０重量％以下がより好ましい。溶剤の含有量が上記範囲内であれば、導体組成物インクを適正に塗布できる。

導体組成物インクは、分散剤等の任意の成分を含んでいてもよい。
任意成分は、導体組成物インク全量に対して、１０重量％以下であることが好ましい。

上記金属ナノ材料溶液は、撥液剤を含んでもよい。金属ナノ材料溶液は、例えば溶剤に金属ナノ材料を添加することで得ることができる。
金属ナノ材料溶液全体中、金属ナノ材料の含有量は、５０〜７０重量％が好ましい。
金属ナノ材料溶液全体中、溶剤の含有量は、３０〜５０重量％が好ましい。

導体組成物インクの塗布方法としては、特に限定されず、例えば、インクジェット法、ディスペンサ法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、反転オフセット印刷法、凸版印刷法等が挙げられる。中でもインクジェット法、ディスペンサ法、スクリーン印刷法を用いることが好ましい。

導体組成物インクを、塗布後、焼成してもよい。
焼成方法としては、塗布した導体組成物インクに含まれる溶剤を除去し、電気的接続を可能にすることができれば特に限定されず、一般的な焼成方法を用いることができる。具体的には、ホットプレート、乾燥炉、光焼成等を用いて焼成することができる。

焼成温度及び焼成時間については、導体組成物インクに含まれる溶剤、撥液剤等の種類に応じて適宜調整される。

焼成温度としては、特に限定されないが、１００℃以上２２０℃以下が好ましく、１１０℃以上１８０℃以下がより好ましい。
２２０℃を超える場合、撥液剤が劣化して所望の撥液性を示すことが困難となるおそれがある。また、１００℃未満の場合、ヴィアポストでの溶剤の残存量が多くなり、導電性を得ることが困難となるおそれがある。

焼成時間としては、導体組成物インクに含まれる溶剤を除去し、導体化することが可能な時間であれば特に限定されないが、１分間以上６０分間以下であることが好ましく、３分間以上３０分間以下がより好ましく、５分間以上２０分間以下が特に好ましい。

１分間未満の場合、ヴィアポストでの溶剤の残存量が多くなり所望の導電性を示すことが困難となるおそれがある。６０分間を超える場合、撥液剤が劣化して所望の撥液性を示すことが困難となるおそれがある。また、生産性が低下するおそれがある。

図２Ａ及びＢは、導体組成物インクの塗布位置について説明する説明図である。
図２Ａに示すように、第１の電極上にのみ導体組成物インクを塗布し、付着物５Ａを形成してもよく、図２Ｂに示すように第１の電極上及びその近傍に導体組成物インクを塗布し、付着物５Ａを形成してもよい。この場合、導体組成物インクは、通常、第１の電極上に塗布され、かつ上記第１の電極に隣接する他の電極３ａと導通しないように塗布される。
第１の電極の表面の濡れ性及び導体組成物インクの物性を調整し、ヴィアポストの形状を調整しやすくし、導体組成物インクを第１の電極上にのみ塗布することが好ましい。

ヴィアポストの平面視形状としては、ヴィアポストとして機能できれば特に限定されず、例えば、円形状、楕円形状、四角形状、多角形状等が挙げられる。中でも、ヴィアポストの平面視形状が、円形状、楕円形状が好ましい。

図３Ａ〜Ｃは、本発明の一実施形態にかかる方法におけるヴィアポストの縦断面形状についての説明図である。
ヴィアポストの縦断面形状とは、基板に対して垂直方向のヴィアポストの断面形状をいう。
ヴィアポスト５の縦断面形状としては、図３Ａに示すような半円形状、図３Ｂに示すような半楕円形状、図示はしないが台形状、四角形状等が挙げられる。また、これらの形状は中央に平坦部又は窪みを有していてもよい。尚、図３Ｃにおいては、半楕円形状の中央に平坦部を有する形状を示している。

ヴィアポストの大きさとしては、ヴィアポストを介して第１の電極及び第２の電極を導通させることが可能なヴィアポストを形成することができれば特に限定されず、例えば、１μｍ以上５０００μｍ以下が好ましく、５μｍ以上１０００μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上１００μｍ以下が特に好ましい。
５０００μｍを超える場合には、製造される積層体の高精細化、高集積化が困難となるおそれがある。また、１μｍ未満の場合には、ヴィアポストと第１の電極とを良好に導通させることが困難となるおそれがある。
「ヴィアポストの大きさ」とは、ヴィアポストの平面視形状の大きさをいい、例えば、平面視形状が円形状の場合は直径をいい、平面視形状が四角形状の場合は、一辺の幅をいう。また、平面視形状が長方形、楕円形等の短辺及び長辺を有する形状の場合は長辺の幅をいう。また、平面視形状が多角形状の場合は、外接円の直径をいう。
具体的にヴィアポストの大きさとは、図４においてｕで示される距離をいう。図４は、ヴィアポスト５及び第１の電極３を示す図である。

ヴィアポストの高さとしては、第２の電極と導通させることができれば特に限定されないが、１００ｎｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上６０μｍ以下がより好ましい。
１００μｍを超える場合には、製造される積層体の第２の電極側表面の平坦性を良好とすることが困難となるおそれがある。１００ｎｍ未満の場合には、ヴィアポストが所望の導電性を示すことが困難となるおそれがある。
「ヴィアポストの高さ」とは、ヴィアポストの縦断面形状において基材と垂直方向の距離が最大となる部分の値をいう。

ヴィアポストのアスペクト比（高さ／大きさ）としては、ヴィアポストを形成することができれば、特に限定されないが、０．００１以上１以下であることが好ましく、０．０１以上０．８以下がより好ましく、０．０３以上０．８以下が特に好ましい。
１を超える場合、ヴィアポスト自体を形成することが困難となるおそれがあり、ヴィアポストに破損等を生じやすくなるおそれがある。０．００１未満の場合、ヴィアポストが十分な導電性、撥液性を示すことが困難となるおそれがある。

樹脂組成物は、基板上に塗布され、樹脂膜を形成する。

樹脂組成物は、樹脂を含有することが好ましい。必要に応じて重合開始剤等その他の成分を含有してもよい。樹脂は、ポリマー等が挙げられる。モノマー、オリゴマーでもよい。単独でも用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。
また、樹脂組成物は、上述の導体組成物インクと同様の硬化剤を含んでもよい。

樹脂としては、上述の導体組成物インクの樹脂と同様のものが挙げられる。
また、アクリレート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂等の電離放射線硬化性樹脂、ポリアミック酸樹脂、アクリレート系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリシロキサン系樹脂、フッ素系樹脂等の熱硬化性樹脂等が挙げられる。中でも、絶縁性をより良好なものとすることができるため、熱硬化性樹脂であることが好ましい。

電離放射線とは、光硬化に用いられ、分子を重合させて硬化させ得るエネルギーを有する電磁波又は荷電粒子を意味する。例えば、すべての紫外線（ＵＶ−Ａ、ＵＶ−Ｂ、ＵＶ−Ｃ）、可視光線、ガンマー線、Ｘ線、電子線等が挙げられる。

フッ素系樹脂としては、フッ素が添加されたポリイミド、フッ素が添加されたポリパラキシレン、ポリスチレン、サイトップ（登録商標）、テフロン（登録商標）、テフロン（登録商標）ＡＦ、フルオロポリアリールエーテル、サイトップ（旭硝子社製）等が挙げられる。

樹脂組成物は、溶剤を含有してもよい。
樹脂組成物に含有される溶剤としては、ヴィアポストの撥液性、絶縁膜が形成される下地の濡れ性、粘度等に応じて適宜選択することができ、一般的な樹脂組成物に用いられるものと同様とすることができる。

また、樹脂がフッ素系樹脂である場合、通常、フッ素系溶剤を用いることが好ましい。

樹脂組成物は、さらに必要に応じて、重合開始剤、光増感剤、酸化防止剤、重合禁止剤、架橋剤、赤外線吸収剤、帯電防止剤、粘度調整剤、密着性向上剤等を含有することもできる。

樹脂組成物の粘度は、所定の塗布性を有すれば特に限定されない。
具体的な樹脂組成物の粘度としては、２５℃において、０．０１Ｐａ・ｓ以上１００Ｐａ・ｓ以下が好ましく、０．０５Ｐａ・ｓ以上４０Ｐａ・ｓ以下がより好ましく、０．１Ｐａ・ｓ以上３０Ｐａ・ｓ以下が特に好ましい。
０．０１Ｐａ・ｓ未満の場合、樹脂組成物の塗膜を形成することが困難となるおそれがある。１００Ｐａ・ｓを超える場合、表面の濡れ性の差の効果を得ることが困難になるおそれがある。

粘度の測定方法については、粘度を精度良く測定できる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、レオメーター、Ｂ型粘度計、キャピラリー式粘度計等の粘度測定装置を用いる方法が挙げられる。また、粘度の測定方法としては、デジタル粘度計ＴＶ−３５（東機産業株式会社製）を用いてもよい。
また、導電性組成物インクと同様の方法を用いてもよい。

樹脂組成物の表面張力としては、所定の塗布性を有すれば特に限定されない。
具体的な樹脂組成物の表面張力としては、２５℃において、５ｍＮ／ｍ以上７０ｍＮ／ｍ以下が好ましく、１０ｍＮ／ｍ以上５０ｍＮ／ｍ以下がより好ましい。
５ｍＮ／ｍ未満の場合、接合の際、ヴィアポストを弾きにくくなる傾向があり、７０ｍＮ／ｍを超える場合は、絶縁膜を形成することが困難となる可能性があるからである。

表面張力の測定方法については、表面張力を精度良く測定できる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、Ｗｉｌｈｅｌｍｙ法（プレート法）、懸滴法（ペンダント・ドロップ法）、Ｙｏｕｎｇ−Ｌａｐｌａｃｅ法、ｄｕ Ｎｏｕｙ法等が挙げられる。
また、表面張力の測定には、例えば高精度表面張力計（協和界面科学社 ＤＹ−７００）を用いることができる。

塗布方法としては、所望の厚みを有する絶縁膜を形成することができれば特に限定されず、一般的な塗布法を用いることができる。
具体的には、スリットコート法、スピンコート法、スクリーン印刷法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、ＬＢ（ラングミュア-ブロジェット）法、ディップコート法、スプレーコート法、ブレードコート法、及びキャスト法等が挙げられる。
中でも、絶縁膜の平坦性を良好にできるため、スクリーン印刷法、及びスリットコート法が好ましい。

樹脂膜は、ヴィアポストの一部又は全部を覆うように形成される。ヴィアポストの全部を覆うように形成されることが好ましい。

樹脂膜及び後述の絶縁膜の厚みは、積層体の用途に応じて適宜選択することができるが９０ｎｍ以上９０μｍ以下であることが好ましく、５００ｎｍ以上６０μｍ以下がより好ましい。
９０μｍを超える場合、ヴィアポストを機能させることが困難となるおそれがある。９０ｎｍ未満である場合、十分な保護性を示すことが困難となるおそれがある。

ヴィアポストの高さが、樹脂膜及び後述の絶縁膜の膜厚より大きいことが好ましい。これにより、絶縁膜を貫通し、第１の電極及び第２の電極を導通することができる。
樹脂膜及び後述の絶縁膜の厚みは、上述のヴィアポストの高さの６０〜１００％であることが好ましく、７０〜９５％がより好ましい。

樹脂膜がヴィアポストの一部を覆う場合、ヴィアポストの、樹脂膜の膜厚より高い部分の一部を覆うことが好ましく、ヴィアポストの、樹脂膜の膜厚より高い部分の６０％以上１００％未満を覆うことがより好ましく、７０〜９５％を覆うことがさらに好ましい。

ヴィアポストを覆う樹脂膜を、乾燥前かつ硬化前に除去し、ヴィアポスト表面を露出させる。露出させるヴィアポスト表面が、ヴィアポストの、樹脂膜の膜厚より高い部分であることが好ましい。
これにより、絶縁膜を貫通し、第１の電極及び第２の電極を導通することができる。

ヴィアポストの、樹脂膜の膜厚より高い部分の７０％以上を露出させることが好ましく、９０〜１００％露出させることがより好ましい。また、９５〜１１０％でもよい。

一旦、ヴィアポスト全体を露出させ、樹脂膜の流動性により、樹脂膜の膜厚高さまで、ヴィアポストが埋まり、ヴィアポスト表面が露出してもよい。

除去の方法としては、気体の噴射による圧力を用いることが挙げられる。
気体の噴射は、例えば、ディスペンサ、エアーガン等のエアブロー装置等を用いて行う。

気体としては、空気、窒素、アルゴン、それらの混合ガス等が挙げられる。
噴射の圧は、０．１〜０．５ＭＰａであることが好ましい。
噴射の流量は、１０〜１００ｍｌ／秒であることが好ましい。
噴射時間は、０．０５〜３秒間が好ましく、０．１〜２秒間がより好ましい。
噴射の回数は、１〜５回が好ましく、１〜３回がより好ましい。
噴射のノズルの直径は、ヴィアポストの大きさの１〜５倍であることが好ましく、２〜４倍であることがより好ましい。これにより、ヴィアポスト上の樹脂膜を除去することができる。
噴射のノズルの直径は、例えば、２０〜２００μｍである。噴射のノズルの直径は内径であることが好ましい。

樹脂膜を、乾燥及び硬化、又は硬化させ、絶縁膜（樹脂膜及び樹脂組成物の硬化物）を形成することができる。
絶縁膜は、１層でもよく、複数の膜から形成されてもよい。

乾燥は、例えばホットプレートにより行うことができる。乾燥温度は、例えば９０〜２００℃である。乾燥時間は、例えば１〜２０分間である。

硬化としては、熱硬化、上述の光硬化等が挙げられる。熱硬化が好ましい。
熱硬化は、例えばホットプレート、乾燥炉により行うことができる。熱硬化の温度は、例えば１００〜３５０℃である。熱硬化の時間は、例えば５分間〜２時間である。

第２の電極の材料、物性、形成方法等は、上述の第１の電極と同様のものが挙げられる。

第２の電極の厚みについては、ヴィアポスト及び第１の電極との間での導通を得ることができれば特に限定されない。具体的には、３０ｎｍ以上５０μｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以上４０μｍ以下がより好ましく、２００ｎｍ以上２０μｍ以下が特に好ましい。
上述の第１の電極の厚みと同様に測定できる。

本発明の方法により製造される積層体は、ヴィアポストを介して２つの電極が導通する積層構造を有するデバイスに適用でき、積層回路、薄膜で高密度なフレキシブルプリント基板、配線基板及びタッチパネルモジュール等に利用できる。
また、集積度の高い半導体素子、タッチパネルセンサ、ＲＦ−ＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）デバイス等に適用できる。半導体素子は、温度センサーや圧力センサー等に用いることもできる。
また、プリント配線板、液晶ディスプレイ、自動車、ロボット、テレビ、カーナビゲーション、携帯電話、ゲーム機、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、プリンタ、発光ダイオード（ＬＥＤ）照明、ウェアラブルデバイス等の電子機器、液晶表示装置、電気泳動表示装置、有機ＥＬ表示装置等の表示装置に使用できる。

本発明の回路基板は、上述の方法で製造された積層体を用いて、半導体チップ又はＬＥＤチップを配線上に接続することができる。
例えば、ＬＥＤの電極上に、上述の方法で製造された積層体を用いて、ＬＥＤチップをプリント基板等へ接続することができる。

製造例１
銀ナノ粒子（ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社製、平均粒径２０ｎｍ、球状）０．７ｇを、水１．８ｇ及びイソプロピルアルコール１．８ｍｌに添加し、１分間撹拌した。
得られた銀ナノ粒子溶液を、ＡＳＵ−６Ｄ（アズワン株式会社製）を用いて、周波数４３ｋＨｚの条件で、１時間超音波処理した。

処理後の銀ナノ粒子溶液を、高速遠心機Ｈ−２０００Ｂ（株式会社コクサン製）を用いて、以下の条件で、３５００ｒｐｍで３０秒間、遠心分離した。遠心分離後の銀ナノ粒子溶液の液成分を、容器を傾けることで除去した。遠心分離から液成分の除去について、追加で、２回繰り返し、ペースト１を得た。

銀ナノ粒子の平均粒径については、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、１００個以上の銀ナノ粒子の粒径（直径）を測定して、それらを平均して求めた。

得られたペースト１について、電子天秤を用いて秤量した。その後、２００℃１５分間加熱し、ペースト１を再度秤量した。加熱後のペースト１の重量を、加熱前のペースト１の重量で割ることで、固形分濃度を求めた。固形分濃度は、５８．０重量％であった。

得られたペースト１について、デジタル粘度計ＴＶ−３５（東機産業株式会社）を用いて、２５℃で測定した。粘度は、１６１０Ｐａ・ｓであった。

得られたペースト１について、２５℃で、ＭＣＲ３０１レオメータ（アントンパール社製）の測定から以下のＣａｓｓｏｎの式を用いて降伏応力（Ｃａｓｓｏｎ降伏値）を求めた。降伏応力は、１５１０Ｐａであった。

１ｇの上述のペースト１に、ペンタフルオロ安息香酸０．００６ｇを加えて撹拌し、印刷ペースト１を得た。

実施例１
ガラス基板（Ｃｏｒｎｉｎｇ社製のＥａｇｌｅ ＸＧ、大きさ：４０ｍｍ×４０ｍｍ、厚み：０．７ｍｍ）の表面に所定のパターンで開孔を持つメタルマスクを固定し、スパッタ法でＩＴＯの薄膜（厚み１５０ｎｍ）を成膜し、第１の電極を形成した。
ＩＴＯパターンの、所望の箇所に、スクリーン印刷法により、製造例１で得られた印刷ペースト１を印刷し、１６０℃１５分間焼成することで、高さ３．２μｍ、直径５０μｍのヴィアポストを形成した。ヴィアポストの断面形状は、触針式段差計ＥＴ４０００（株式会社小坂研究所製）で測定した。

次いで、ヴィアポスト形成後の基板上に、パイヤーＭ.Ｌ.（株式会社アイ．エス．テイ製、２５℃での粘度５Ｐａ・ｓ、製造例１のペースト１と同様に測定）を、後述の絶縁膜が膜厚３μｍとなるようにスピンコートし、樹脂膜を形成した。光学顕微鏡ＭＸ６１（オリンパス株式会社製）にて確認したところヴィアポストは、樹脂膜に覆われていた。
ディスペンサー装置ＡＣＣＵＲＡ ９（岩下エンジニアリング株式会社製、ノズル内径サイズ：１５０μm、）を用いて、ヴィアポストが形成された樹脂膜上に位置を合わせ、０．１秒間、２ショット、圧０．２ＭＰａでエアブローした。
その後、樹脂膜を、１８０℃１５分間加熱し溶剤を乾燥させた後、３００℃１時間加熱し硬化させ、絶縁膜を形成した。光学顕微鏡ＭＸ６１（オリンパス株式会社製）にて確認したところヴィアポストの、絶縁膜の膜厚より高い部分は、絶縁膜に覆われていなかった。

ヴィアポスト部分に開孔を持つメタルマスクを固定し、真空蒸着法で銅の薄膜（３００ｎｍ）を成膜して、第２の電極を形成し、積層体を得た。
得られた積層体の導通を確認したところ、導通したことが確認できた。

比較例１
エアブローを行わなかった以外、実施例１と同様に、ヴィアポスト、樹脂膜及び絶縁膜を形成していき、積層体を製造し、評価した。
ヴィアポストの高さは３．２μｍ、直径は５０μｍであった。
スピンコート後、ヴィアポストは樹脂膜に覆われていた。
得られた積層体について、導通しなかった。

本発明の方法で製造される積層体は、エレクトロニクス分野に利用でき、半導体チップ（ＬＥＤチップを含む）の接合バンプ、及び、基板の微細なプリント配線、伝導性の配線、ヴィア等の層間接続体等の形成に利用できる。
本発明の方法で製造される積層回路及び回路基板を、プリント配線板、携帯端末、自動車、ロボット、パソコン、プリンタ、カメラ、ＬＥＤ照明、ウェアラブルデバイス等の電子機器等に用いることができる。

１ 基板
３ 第１の電極
３ａ 隣接する他の電極
５ ヴィアポスト
５Ａ 付着物
７ 樹脂膜
９ エアブロー装置
１１ 絶縁膜
１３ 第２の電極
２１ 積層体

Claims (15)

1. 基板の第１の電極上に、ヴィアポストを形成し、
   前記ヴィアポストが形成された基板上に、樹脂組成物を塗布し、前記ヴィアポストの一部又は全部を覆うように樹脂膜を形成し、
   乾燥前かつ硬化前に、前記ヴィアポストを覆う樹脂膜を除去し、前記ヴィアポスト表面を露出させ、
   前記樹脂膜を、乾燥及び硬化、又は硬化させ、絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜上及び前記ヴィアポスト上に、第２の電極を形成する積層体の製造方法。
2. 前記除去が、気体の噴射による圧力を用いて行われる請求項１に記載の積層体の製造方法。
3. 前記気体の噴射が、前記ヴィアポストの大きさの１〜５倍の直径のノズルにより行われる請求項２に記載の積層体の製造方法。
4. 前記樹脂組成物の粘度が０．０１Ｐａ・ｓ以上１００Ｐａ・ｓ以下である請求項１〜３のいずれかに記載の積層体の製造方法。
5. 前記ヴィアポストの高さが、前記樹脂膜の膜厚より大きい請求項１〜４のいずれかに記載の積層体の製造方法。
6. 前記露出させるヴィアポスト表面が、ヴィアポストの、樹脂膜の膜厚より高い部分である請求項５に記載の積層体の製造方法。
7. 請求項１〜６のいずれかに記載の方法で積層体を製造し、前記積層体を用いて、積層回路を製造する、積層回路の製造方法。
8. 請求項１〜６のいずれかに記載の方法で積層体を製造し、前記積層体を用いて、半導体チップ又は発光ダイオードチップを配線上に接続する回路基板の製造方法。
9. 請求項１〜６のいずれかに記載の方法で積層体を製造し、前記積層体を用いて、フレキシブルプリント基板を製造する、フレキシブルプリント基板の製造方法。
10. 請求項１〜６のいずれかに記載の方法で積層体を製造し、前記積層体を用いて、配線基板を製造する、配線基板の製造方法。
11. 請求項１〜６のいずれかに記載の方法で積層体を製造し、前記積層体を用いて、タッチパネルモジュールを製造する、タッチパネルモジュールの製造方法。
12. 請求項１〜６のいずれかに記載の方法で積層体を製造し、前記積層体を用いて、電子機器を製造する、電子機器の製造方法。
13. プリント配線板、液晶ディスプレイ、自動車、ロボット、テレビ、カーナビゲーション、携帯電話、ゲーム機、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、プリンタ、発光ダイオード照明又はウェアラブルデバイスである請求項１２に記載の電子機器の製造方法。
14. 請求項１〜６のいずれかに記載の方法で積層体を製造し、前記積層体を用いて、表示装置を製造する、表示装置の製造方法。
15. 前記表示装置が、液晶表示装置、電気泳動表示装置又は有機ＥＬ表示装置である、請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
    

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