TW201418000A - 防污體、顯示裝置、輸入裝置、電子機器及防污性物品 - Google Patents

Abstract

一種防污體，其具有於指紋附著於表面之情形時，即便不進行任何操作，指紋之圖案亦會潤濕擴散而變得不易看到之表面，且具有設置有複數個突起之表面。突起含有下述第1化合物及第2化合物中之至少一者，該第1化合物於末端以外之部分具有酯鍵，該第2化合物具有環狀烴基。

Description

防污體、顯示裝置、輸入裝置、電子機器及防污性物品

本技術係關於一種防污體、具備其之顯示裝置、輸入裝置、電子機器及防污性物品。詳細而言，係關於一種抑制表面之污垢之防污體。

近年來，搭載觸控面板作為用戶介面(UI)之資訊顯示裝置正迅速地普及。觸控面板具有可藉由直接用手指觸摸顯示畫面而直觀地操作機器之優點，另一方面，有因指紋之附著而使畫面之視認性變差之問題。因此，業界要求指紋即便附著亦不易看到之耐指紋表面。

先前以來，含有觸控面板之顯示器表面係使用設計為氟系化合物或矽系化合物等形成於最表面之防污層(例如參照專利文獻1)。該防污層之最表面為撥水撥油表面，因此構成指紋之油脂成分之附著力減弱，容易用布等拭去指紋。

又，業界提出不排斥油脂成分之撥水親油表面(例如參照專利文獻2)。若指紋附著於該表面，則附著之指紋之油脂成分未形成液滴而擴散，因此不易看到指紋。

專利文獻1：日本專利第4666667號公報

專利文獻2：日本特開2010-128363號公報

業界期待如上所述般不易看到附著之指紋之表面，但若考慮到靜電電容觸控面板等之用途，則認為重要的是即便不進行任何操作，指紋之圖案亦會潤濕擴散而變得不易看到之表面(耐指紋表面)。

因此，本技術之目的在於提供一種具有於指紋附著於表面之情形時，即便不進行任何操作，指紋之圖案亦會潤濕擴散而變得不易看到之表面的防污體、具備其之顯示裝置、輸入裝置、電子機器及防污性物品。

為解決上述課題，第1技術係一種防污體，其具有設置有複數個突起之表面，該突起含有下述第1化合物及第2化合物中之至少一者，該第1化合物於末端以外之部分具有酯鍵，該第2化合物具有環狀烴基。

第2技術係一種輸入裝置，其具有設置有複數個突起之輸入面，該突起含有下述第1化合物及第2化合物中之至少一者，該第1化合物於末端以外之部分具有酯鍵，該第2化合物具有環狀烴基。

第3技術係一種顯示裝置，其具有設置有複數個突起之顯示面，該突起含有下述第1化合物及第2化合物中之至少一者，該第1化合物於末端以外之部分具有酯鍵，該第2化合物具有環狀烴基。

第4技術係一種電子機器，其具有設置有複數個突起之表面，該突起含有下述第1化合物及第2化合物中之至少一者，該第1化合物於末端以外之部分具有酯鍵，該第2化合物具有環狀烴基。

第5技術係一種防污性物品，其具有設置有複數個突起之表面，該突起含有下述第1化合物及第2化合物中之至少一者，該第1化合 物於末端以外之部分具有酯鍵，該第2化合物具有環狀烴基。

第6技術係一種防污體，其具有設置有複數個突起之防污性表面。

於本技術中，防污體較佳為防污層、防污結構層或防污性基材。此處，所謂防污結構層，意指具備複數個突起、及以仿照該等突起之表面之方式設置之防污層的結構層。

於本技術中，於表面設置有複數個突起，於該突起含有末端以外之部分具有酯鍵之第1化合物、及具有環狀烴基之第2化合物中的至少一者。因此，於指紋附著於表面之情形時，即便不進行任何操作，指紋之圖案亦會潤濕擴散而變得不易看到。

如以上說明般，根據本技術，於指紋附著於防污體之表面之情形時，即便不進行任何操作，指紋之圖案亦會潤濕擴散而變得不易看到。

11、21‧‧‧基材

12、25‧‧‧防污層

12a、22‧‧‧突起

12b、24b‧‧‧基底層

13‧‧‧錨固層

14‧‧‧硬塗層

15‧‧‧透明導電層

23‧‧‧防污結構層

23a‧‧‧表面突起(第1突起)

24‧‧‧微細結構層

24a‧‧‧內部突起(第2突起)

25a‧‧‧吸附化合物

31‧‧‧輥式母盤

32‧‧‧結構體

101、113、125、133、143‧‧‧顯示裝置

102‧‧‧輸入裝置

103‧‧‧前面板

111‧‧‧電視裝置

112、124、132、142‧‧‧殼體

121‧‧‧筆記型個人電腦

131‧‧‧行動電話

141‧‧‧平板型電腦

S‧‧‧耐指紋表面(防污性表面)

S₁‧‧‧顯示面

S₂‧‧‧輸入面

圖1A係表示本技術之第1實施形態之防污性基材之一構成例的剖面圖。圖1B係表示本技術之第1實施形態之防污性基材之一構成例的俯視圖。

圖2A係表示輥式母盤之構成之一例之立體圖。圖2B係將圖2A所示之輥式母盤之一部分放大表示之俯視圖。圖2C係圖2B之軌道T之剖面圖。

圖3係表示用以製作輥式母盤之輥式母盤曝光裝置之構成之一例的概略圖。

圖4A~圖4C係用以說明本技術之第1實施形態之防污性基材的製造方法之一例的步驟圖。

圖5A、圖5B係用以說明本技術之第1實施形態之防污性基材的製造方法之一例的步驟圖。

圖6A~圖6C係用以說明使用能量線硬化性樹脂或熱硬化性樹脂之結構形成步驟之一例的步驟圖。

圖7A~圖7C係用以說明使用有熱塑性樹脂組成物之結構構成步驟之一例的步驟圖。

圖8A係表示第1變形例之防污性基材之一構成例的剖面圖。圖8B係表示第2變形例之防污性基材之一構成例的剖面圖。圖8C係表示第3變形例之防污性基材之一構成例的剖面圖。

圖9A係表示第4變形例之防污性基材之一構成例的剖面圖。圖9B係表示第5變形例之防污性基材之一構成例的剖面圖。圖9C係表示第6變形例之防污性基材之一構成例的剖面圖。

圖10係表示本技術之第2實施形態之防污性基材之一構成例的剖面圖。

圖11A係表示本技術之第3實施形態之防污性基材之一構成例的剖面圖。圖11B係將圖11A之一部分放大表示之剖面圖。

圖12A係表示防污層之第1構成例之剖面圖。圖12B係表示防污層之第2構成例之剖面圖。圖12C係表示防污層之第3構成例之剖面圖。

圖13係表示本技術之第4實施形態之顯示裝置之一構成例的分解立體圖。

圖14A係表示本技術之第5實施形態之輸入裝置之一構成例的分解立體圖。圖14B係表示本技術之第5實施形態之輸入裝置之變形例的分解立體圖。

圖15A係表示作為電子機器之電視裝置之例之外觀圖。圖15B係表示作為電子機器之筆記型個人電腦之例之外觀圖。

圖16A係表示作為電子機器之行動電話之一例之外觀圖。圖16B係表示作為電子機器之平板型電腦之一例之外觀圖。

圖17A係表示實施例1之防污性膜表面之AFM圖像之圖。圖17B係表示圖17A所示之a-a線之剖面輪廓之圖。

圖18A係表示實施例2之防污性膜表面之AFM圖像之圖。圖18B係表示圖18A所示之a-a線之剖面輪廓之圖。

圖19A係表示實施例8之防污性膜表面之AFM圖像之圖。圖19B係表示圖19A所示之a-a線之剖面輪廓之圖。

按照以下之順序對本技術之實施形態進行說明。

1.第1實施形態(具有耐指紋表面之防污性基材之例)

2.第2實施形態(具有耐指紋表面之防污性基材之例)

3.第3實施形態(具有耐指紋表面之防污性基材之例)

4.第4實施形態(具有耐指紋表面之防污性基材之例)

5.第5實施形態(具有耐指紋表面之顯示裝置之例)

6.第6實施形態(具有耐指紋表面之輸入裝置之例)

7.第7實施形態(具有耐指紋表面之電子機器之例)

<1.第1實施形態>

[防污性基材之構成]

圖1A係表示本技術之第1實施形態之防污性基材之一構成例之剖面圖。防污性基材(防污體)如圖1A所示，含有具有耐指紋功能之耐指紋表面(防污性表面)S。該耐指紋表面S含有下述含有特定分子結構之化合物，進而於表面具有突起狀之微細結構。因此，即便不進行任何操作，附著於耐指紋表面S之指紋亦會潤濕擴散，容易變得不易看到。又，於將突起狀之微細結構設定為特定高度之情形時，亦可獲得優異之擦拭性。

防污性基材具備基材11、及設置於該基材11之表面之防污 層12。此處，將具備基材11及防污層12之防污性基材作為防污體之一例進行說明，但防污體並不限定於該例，亦可將防污層12單獨作為防污體。

第1實施形態之防污性基材係較佳應用於有用手或手指等觸摸之情況的裝置之表面者。作為該裝置之表面，例如可列舉顯示面、輸入面及殼體表面等中之至少一個部位。又，亦較佳為無基材11而直接將防污層12應用於裝置之表面。作為有用手或手指等觸摸之情況之具體之裝置，例如可列舉：顯示裝置、輸入裝置及電子機器。

作為顯示裝置，例如可列舉：液晶顯示器、CRT(Cathode Ray Tube，陰極射線管)顯示器、電漿顯示器(Plasma Display Panel：PDP)、電致發光(Electro Luminescence：EL)顯示器、及表面傳導型電子發射元件顯示器(Surface-conduction Electron-emitter Display：SED)等各種顯示裝置。

作為輸入裝置，例如可列舉：觸控面板、滑鼠及鍵盤等，但並不限定於此。作為觸控面板，例如可列舉設置於電視裝置、電腦、移動機器(例如，智慧型手機、平板PC等)及相框等之觸控面板，但並不限定於此。

作為電子機器，較佳為具有顯示裝置、輸入裝置及殼體等中之至少一種者。作為此種電子機器，例如可列舉：電視裝置、個人電腦(PC)、移動機器(例如，智慧型手機、平板PC等)及相框等，但並不限定於此。

可應用防污性基材或防污層12之對象並不限定於上述裝置，只要為具有用手或手指觸摸之表面者，則可較佳地應用。作為上述裝置以外之物品(防污性物品)之例，例如可列舉：紙、塑膠、玻璃、金屬製品(具體而言，例如照片、相框、塑膠殼、金屬殼、玻璃窗、塑膠窗、邊框、透鏡、傢俱、電器)等，但並不限定於此。

(基材)

基材11例如為具有透明性之無機基材或塑膠基材。作為基材11之形 狀，例如可使用膜狀、片狀、板狀、塊狀等。作為無機基材之材料，例如可列舉：石英、藍寶石、玻璃等。作為塑膠基材之材料，例如可使用公知之高分子材料。作為公知之高分子材料，具體而言，例如可列舉：三乙醯纖維素(TAC)、聚酯(TPEE)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醯亞胺(PI)、聚醯胺(PA)、芳族聚醯胺、聚乙烯(PE)、聚丙烯酸酯、聚醚碸、聚碸、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯、二乙醯纖維素、聚氯乙烯、丙烯酸樹脂(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、環氧樹脂、脲樹脂、胺酯樹脂(urethane resin)、三聚氰胺樹脂、酚樹脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、環烯烴聚合物(COP)、環烯烴共聚物(COC)、PC/PMMA積層體、添加橡膠之PMMA等。亦可於基材上印刷或蒸鍍圖案或花紋。於用於外裝用途之情形時，基材11亦可不具有透明性。作為材料，例如可列舉：不鏽鋼、鎂合金、鋁、鋁合金、鈦合金、鋁鋅合金鍍層鋼、碳纖維強化塑膠等。

亦可將基材11加工成電子機器等之外裝或顯示器之一部分。又，基材11之表面形狀並不限定於平面，亦可為凹凸面、多邊形面、曲面或該等形狀之組合。作為曲面，例如可列舉：球面、橢圓面、抛物面、自由曲面等。可藉由例如模內成型製程將防污性基材成型為上述曲面。模內成型係將防污性基材設置於模具內，射出塑膠等樹脂，將成型與表面加飾同時進行之方法。或者亦可使用壓模對防污性基材自身進行壓力加工而成型為上述曲面。為了保護防污性基材之表面之突起免受損傷，亦可利用如該等般之成型製程於防污性基材之防污層上設置保護膜。又，亦可藉由例如UV轉印、熱轉印、壓力轉印、熔融擠出等對基材11之表面賦予特定結構。

(防污層)

防污層12係於耐指紋表面S具備複數個突起12a。防污層12亦可於基 材11與複數個突起12a之間進而具備基底層12b。基底層12b係於突起12a之底面側與突起12a一體成形之層，利用與突起12a相同之材料來構成。防污層12為下述表面改質層，該表面改質層含有於末端以外之部分具有酯鍵之第1化合物、及具有環狀烴基之第2化合物中之至少一者。藉由使防污層12含有第1化合物及第2化合物中之至少一者，可提昇指紋擦拭性。此處，所謂末端，表示主鏈及側鏈之末端。防污層12例如為藉由濕式處理或乾式處理所形成之塗佈層。

於防污層12含有第2化合物之情形時，防污層12較佳為含有第2化合物，且進而含有於末端具有鏈狀烴基之第3化合物。藉此，可進一步提昇指紋擦拭性。此處，所謂末端，表示主鏈及側鏈之末端。防污層12中之第2化合物與第3化合物之含有比率並無特別限定，但第3化合物具有相對容易聚集在耐指紋性表面S之性質，因此考慮到該性質，較佳為選擇上述含有比率。

防污層12例如含有選自由能量線硬化性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物及熱塑性樹脂組成物所組成之群中之至少一種。該等樹脂組成物例如含有第1化合物及第2化合物中之至少一者。於該等樹脂組成物含有第2化合物之情形時，較佳為含有該第2化合物，且進而含有第3化合物。

防污層12視需要亦可進而含有聚合起始劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、觸媒、著色劑、抗靜電劑、潤滑劑、調平劑、消泡劑、聚合促進劑、抗氧化劑、難燃劑、紅外線吸收劑、界面活性劑、表面改質劑、觸變劑、塑化劑等添加劑。又，為了對耐指紋表面S賦予AG(Anti-Glare，防眩光)功能，防污層12亦可進而含有使光散射之有機樹脂填料等光散射粒子。於賦予AG功能之情形時，光散射粒子即便自防污層12之耐指紋表面S突出，亦可被防污層12所含之樹脂等覆蓋。又，光散射粒子可與作為 底層之基材11接觸，亦可不與作為底層之基材11接觸。防污層12之平均膜厚例如在單分子厚度以上且1mm以下、較佳為單分子厚度以上且100μm以下、尤佳為單分子厚度以上且10μm以下之範圍內。

第1化合物及/或第2化合物例如為防污層12之構成材料之主成分及副成分中之至少一者。此處，於防污層12為藉由濕式處理所形成之層之情形時，所謂主成分，例如係指基礎樹脂，所謂副成分，例如係指上述調平劑等添加劑等。第1化合物、第2化合物及第3化合物較佳為添加劑。其原因在於藉此可抑制基礎樹脂之硬度劣化等。如此，於化合物為添加劑之情形時，添加劑較佳為調平劑。於第1化合物、第2化合物及第3化合物為調平劑等添加劑之情形時，較佳為第1化合物、第2化合物及第3化合物藉由聚合反應等與基礎樹脂結合。其原因在於可提昇耐指紋性表面S之耐久性。

(突起)

圖1B係表示設置於基材11之表面之複數個突起之排列之一例的俯視圖。如圖1B所示，複數個突起12a係於基材11之表面二維地排列。排列可為規則排列及隨機排列中之任一者，但於利用後述製造方法製作防污性基材之情形時，較佳為規則排列。

複數個突起12a具有如分別於基材11之表面構成複數列軌道T之配置形態。於本技術中，所謂軌道，意指複數個突起12a連接而成之列。作為軌道T之形狀，可使用直線狀、圓形狀、圓弧狀等，亦可使該等形狀之軌道T抖動(蜿蜒)。如此，藉由使軌道T抖動，可抑制外觀上之不均之產生。

於使軌道T抖動之情形時，基材11上之各軌道T之抖動較佳為同步。即，抖動較佳為同步抖動。如此，藉由使抖動同步，可保持單位格子Uc之形狀，較高地保持填充率。作為抖動之軌道T之波形，例如可 列舉：正弦波、三角波等。抖動之軌道T之波形並不限定於週期性波形，亦可設為非週期性波形。抖動之軌道T之抖動振幅例如可於±10nm左右選擇。

以構成複數列軌道T之方式配置之複數個突起12a亦可形成規則性週期圖案。就提昇填充率之觀點而言，該等複數個突起12a較佳為以規則性週期圖案之最密填充結構排列。作為規則性週期圖案，例如可使用單位格子Uc之圖案。作為單位格子Uc，例如可列舉：四方格子狀、六方格子狀等格子狀圖案，該等格子狀圖案亦可具有變形。亦可使突起12a之高度於基材11之表面規則地或不規則地變化。

作為突起12a之形狀，例如可列舉：錐體狀、柱狀、針狀、球體之一部分之形狀(例如半球體狀)、橢圓體之一部分之形狀(例如半橢圓體狀)、多角形狀等，但並不限定於該等形狀，亦可採用其他形狀。作為錐體狀，例如可列舉：頂部尖銳之錐體形狀、頂部平坦之錐體形狀(錐台狀)、於頂部具有凸狀或凹狀之曲面之錐體形狀，但並不限定於該等形狀。作為頂部尖銳之錐體形狀，例如可列舉：圓錐、多角錐等。作為多角錐，例如可列舉：三角錐、四角錐、五角錐、六角錐、其他多角錐。作為頂部平坦之錐體形狀(錐台狀)，例如可列舉：圓錐台、多角錐台等。作為多角錐台，例如可列舉：三角錐台、四角錐台、五角錐台、六角錐台、其他多角錐台。作為於頂部具有凸狀之曲面之錐體形狀，例如可列舉：頂部之傾斜緩慢且自中央部向底部緩慢地急劇傾斜之錐體形狀(例如抛物面狀)、中央部之傾斜較底部及頂部急劇之錐體形狀等二次曲面狀等。又，亦可使錐體狀之錐面凹狀或凸狀地彎曲。作為柱狀，例如可列舉：圓柱、多角柱等。作為多角柱，例如可列舉：四角柱、五角柱、六角柱、其他多角柱。

於使用後述輥式母盤曝光裝置(參照圖3)製作輥式母盤之情形時，較佳為採用於頂部具有凸狀之曲面之橢圓錐形狀或頂部平坦之橢 圓錐台形狀作為突起12a之形狀，且使該等之形成底面之橢圓形的長軸方向與軌道T之延伸方向一致。此處，圓、橢圓、圓錐、橢圓錐、球體、橢圓體及抛物面等形狀不僅包含數學上定義之完整之圓、橢圓、圓錐、橢圓錐、球體、橢圓體及抛物面等形狀，亦包含經賦予稍許變形之圓、橢圓、圓錐、橢圓錐、球體、橢圓體及抛物面等形狀。

再者，於圖1A及圖1B中，各突起12a分別具有相同之大小、形狀、配置間距、高度及縱橫比，但突起12a之構成並不限定於此，亦可於基材表面設置具有兩種以上之大小、形狀、配置間距、高度及縱橫比之突起12a。此處，所謂縱橫比，意指突起12a之高度H相對於突起12a之配置間距P之比率(H/P)。突起12a之配置間距P、高度H及/或縱橫比(H/P)可根據基材表面之面內方向而不同。相鄰之突起12a彼此之位置關係並無特別限定，相鄰之突起12a彼此例如可構成為相互隔開、接觸、或部分重合。

各突起12a亦可構成為具有一定之高度分佈。此處，所謂高度分佈，意指於基材11表面設置有具有兩種以上高度之突起12a。例如可使具有成為基準之高度之突起12a、及具有與該突起12a不同之高度的突起12a設置於基材11之表面。於該情形時，具有與基準不同之高度之突起12a例如週期性地或非週期性(隨機)地設置於基材11之表面。作為該週期性之方向，例如可列舉相對於軌道T之延伸方向及軌道T成特定角度之方向(列間方向)等。

突起12a之平均配置間距Pm在較佳為1nm以上且1mm以下、更佳為10nm以上且1μm以下、進而較佳為100nm以上且500nm以下之範圍內。若平均配置間距Pm為1nm以上、1mm以下，則指紋之圖案有效地潤濕擴散。再者，各個突起12a之間距亦可具有差異。

突起12a之平均高度H在較佳為1nm以上且1mm以下、 更佳為5nm以上且300nm以下、進而較佳為10nm以上且150nm以下、最佳為10nm以上且100nm以下之範圍內。若平均高度H為1nm以上、1mm以下，則指紋之圖案會有效地潤濕擴散。若平均高度H為100nm以下，則可用手指等擦拭附著於防污性基材之耐指紋表面S之指紋而使指紋較淡地濡濕擴散，可使其不明顯。因此，可提昇藉由手指等之指紋擦拭性。再者，各個突起12a之高度亦可具有差異。

突起12a之平均縱橫比(平均高度Hm/平均配置間距Pm)在較佳為0.000001以上且1000000以下、更佳為0.005以上且300以下、進而較佳為0.02以上且1以下之範圍內。若平均縱橫比(平均高度Hm/平均配置間距Pm)為0.000001以上、1000000以下，則指紋之圖案會有效地潤濕擴散。

此處，突起12a之平均配置間距Pm、平均高度Hm及平均縱橫比(Hm/Pm)係按照以下之方式求出。

首先，利用原子力顯微鏡(AFM：Atomic Force Microscope)觀察具有突起12a之耐指紋表面S，根據AFM之剖面輪廓求出突起12a之間距及高度。於自耐指紋表面隨意選出之10個部位反覆進行上述操作，求出配置間距P1、P2、…、P10、及高度H1、H2、…、H10。此處，突起12a之間距為突起12a之頂點間之距離，突起12a之高度為以突起間之凹部(谷部)之最低點作為基準的突起12a之高度。繼而，對該等間距P1、P2、…、P10及高度H1、H2、…、H10分別單純地進行平均(算術平均)，求出突起之平均配置間距Pm及平均高度Hm。繼而，根據求出之平均配置間距Pm及平均高度Hm求出平均縱橫比Hm/Pm。再者，於突起12a之間距具有面內異向性之情形時，應該使用配置間距為最大之方向之配置間距求出平均配置間距Pm。又，於突起12a之高度具有面內異向性之情形時，應該使用高度為最大之方向的高度求出平均高度Hm。

耐指紋表面S側之防污性基材之反射率(5°反射率)較佳為在1%以上且10%以下之範圍內。若反射率為1%以上，則於指紋附著部與非附著部不易看到指紋之圖案。

反射率係按照以下方式求出者。

首先，藉由對防污性基材之背面側(與形成有突起12a之側成相反側之表面)貼合黑色膠帶，而實施截斷來自防污性基材之背面之反射之處理。繼而，使用紫外光可見分光光度計(日本分光股份有限公司製造，商品名：V-500)測定反射率。於測定時，使用正反射5°單元。此處，反射率為波長550nm下之反射率。

於在耐指紋表面S有液體之情形時，較佳為突起12a間之凹部對該液體表現正毛細管壓力。藉由正毛細管壓力對位於耐指紋表面S上之液滴發揮作用，可使液滴較薄地濡濕擴散。較佳為施加正毛細管壓力進而使毛細管壓力亦於深度方向上發揮作用，其原因在於藉此可使液滴進一步較薄地濡濕擴散。此處，將作用於遠離位於耐指紋表面S上之液滴之方向的毛細管壓力定義為正毛細管壓力。

(第1化合物)

第1化合物只要於末端以外之部分具有酯鍵即可。可為有機材料，亦可為有機-無機之複合材料，又，可為高分子材料，亦可為單分子材料。又，第1化合物只要具有酯鍵，則對其以外之分子結構無特別限定，亦可具有任何官能基、鍵結部位、雜原子、鹵素原子及金屬原子等。作為第1化合物，例如可使用於分子內具有下述式(1)或式(2)所示之結構之化合物。

式中，R₁為含有C、N、S、O、Si、P或Ti等原子之基。含有該等原子 之基例如為烴基、磺基(包含磺酸鹽)、磺醯基、磺醯胺基、羧酸基(包含羧酸鹽)、胺基、醯胺基、磷酸基(包含磷酸鹽、磷酸酯)、膦基、矽烷醇基、環氧基、異氰酸酯基、氰基、硫醇基或羥基等。R₂為碳數為2個以上之基，例如為含有C、N、S、O、Si、P或Ti等原子之基。含有該等原子之基例如為烴基、磺基(包含磺酸鹽)、磺醯基、磺醯胺基、羧酸基(包含羧酸鹽)、胺基、醯胺基、磷酸基(包含磷酸鹽、磷酸酯)、膦基、矽烷醇基、環氧基、異氰酸酯基、氰基、硫醇基或羥基等。

式中，R₁、R₂為分別獨立地含有C、N、S、O、Si、P或Ti等原子之基。含有該等原子之基例如為烴基、磺基(包含磺酸鹽)、磺醯基、磺醯胺基、羧酸基(包含羧酸鹽)、胺基、醯胺基、磷酸基(包含磷酸鹽、磷酸酯)、膦基、矽烷醇基、環氧基、異氰酸酯基、氰基、硫醇基或羥基等。

(第2化合物)

第2化合物具有環狀烴基。環狀烴基例如可為不飽和環狀烴基及飽和環狀烴基中之任一者，亦可於分子內具有不飽和環狀烴基及飽和環狀烴基兩者。防污層12亦可含有具有不飽和環狀烴基之第2化合物與具有飽和環狀烴基之第2化合物兩者。環狀烴基可為單環式及多環式中之任一者。又，該等環狀烴基亦可具有其他取代基。作為其他取代基，例如為烴基、磺基(包含磺酸鹽)、磺醯基、磺醯胺基、羧酸基(包含羧酸鹽)、胺基、醯胺基、磷酸基(包含磷酸鹽、磷酸酯)、膦基、矽烷醇基、環氧基、異氰酸酯基、氰基、硫醇基或羥基等。第2化合物只要含有環狀烴基，可為有機材料，亦可為有機-無機之複合材料，又，可為高分子材料，亦可為單分子材料。第2化合物只要具有環狀烴基，則對其以外之分子結構無特別限定，亦可 具有任何官能基、鍵結部位、雜原子、鹵素原子及金屬原子等。作為飽和環狀烴基，例如可列舉碳數5以上之具有單環、雙環、三環、四環結構等之基。更具體而言，可列舉：環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基、環癸基、環十二烷基、金剛烷基、降金剛烷基、三環癸基、四環十二烷基、降莰基、異莰基、類固醇基等。作為不飽和環狀烴基，例如可列舉：苯基、萘基、芘基、稠五苯基、蒽基等。

作為有機材料，例如可使用於分子內具有下述式(3)所示之結構之化合物。

作為有機-無機之複合材料，例如可使用於分子內具有下述式(4)所示之結構之化合物。

(第3化合物)

第3化合物於末端具有鏈狀烴基(非環系烴基)。鏈狀烴基例如可為不飽和鏈狀烴基及飽和鏈狀烴基中之任一者，亦可於分子內具有不飽和鏈狀烴基及飽和鏈狀烴基兩者。鏈狀烴基可為直鏈及支鏈中之任一者，亦可於分子內具有直鏈烴基及支鏈烴基兩者。又，鏈狀烴基亦可具有其他取代基。作為其他取代基，例如可列舉：烴基、磺基(包含磺酸鹽)、磺醯基、磺醯胺基、羧酸基(包含羧酸鹽)、胺基、醯胺基、磷酸基(包含磷酸鹽、磷酸酯)、膦基、矽烷醇基、環氧基、異氰酸酯基、氰基、硫醇基或羥基等。

作為第3化合物，只要為於末端具有鏈狀烴基之化合物，則可使用有機材料，亦可使用有機-無機之複合材料，又，可使用高分子材 料，亦可使用單分子材料。第3化合物只要於末端具有鏈狀烴基，則對其以外之分子結構無特別限定，亦可具有任何官能基、鍵結部位、雜原子、鹵素原子及金屬原子等。作為不飽和鏈狀烴基，例如可列舉碳數2以上之不飽和鏈狀烴基。更具體而言，可列舉：丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基、十二烯基、十四烯基、十六烯基、十八烯基、二十二烯基等。作為飽和鏈狀烴基，例如可列舉碳數2以上之飽和鏈狀烴基。更具體而言，可列舉：乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、異己基、庚基、異庚基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十二烷基、異十二烷基、月桂基、十三烷基、異十三烷基、肉豆蔻基、異肉豆蔻基、鯨蠟基、異鯨蠟基、硬脂基、異硬脂基、花生基、異花生基、山榆基、異山榆基、膽固醇基等。

作為有機材料，例如可使用於分子內具有下述式(5)所示之結構之化合物。

作為有機-無機之複合材料，例如可使用於分子內具有下述式(6)所示之結構之化合物。

(耐指紋表面之確認方法)

防污性基材是否具有耐指紋表面S例如可按照以下之方式進行確認。首先，測定防污性基材之表面之動態接觸角，確認油酸之前進接觸角是否為15°以下，油酸之後退接觸角是否在10°以下之範圍內。而且，若油酸之前進接觸角及油酸之後退接觸角在上述範圍內，則可判斷防污性基材具有耐 指紋表面S。又，耐指紋表面S之表面形狀可藉由利用掃描式電子顯微鏡或原子力顯微鏡等之表面觀察而確認。

又，亦可按照以下之方式進行確認。

首先，利用溶劑萃取防污性基材之表面之材料後，利用氣相層析質譜分析法(Gas Chromatograph-Mass Spectrometry：GC-MASS)進行組成分析。而且，只要檢測出上述第1化合物及第2化合物中之至少一者，即可判斷防污性基材具有耐指紋表面S。

亦可組合上述兩種確認方法確認防污性基材是否具有耐指紋表面S。

[母盤之構成]

圖2A係表示輥式母盤之構成之一例之立體圖。圖2B係將圖2A所示之輥式母盤之一部分放大表示之俯視圖。圖2C係圖2B之軌道T之剖面圖。輥式母盤31係用以製作具有上述構成之防污性基材之母盤，更具體而言，為用以於上述基材表面成形複數個突起12a之母盤。輥式母盤31例如具有圓柱狀或圓筒狀之形狀，該圓柱面或圓筒面設為用以於基材表面成形複數個突起12a之成形面。於該成形面中例如複數個結構體32二維地排列。結構體32相對於成形面具有凹狀。作為輥式母盤31之材料，例如可使用玻璃，但並不特別限定於該材料。

配置於輥式母盤31之成形面之複數個結構體32與配置於上述基材11之表面之複數個突起12a存在反轉之凹凸關係。即，輥式母盤31之結構體32之排列、大小、形狀、配置間距、高度及縱橫比等與基材11之突起12a相同。

[曝光裝置之構成]

圖3係表示用以製作輥式母盤之輥式母盤曝光裝置之構成之一例的概略圖。該輥式母盤曝光裝置係以光碟記錄裝置為基礎而構成。

雷射光源41係用以將成膜於作為記錄媒體之輥式母盤31之 表面之光阻曝光之光源，例如為使波長λ=266nm之記錄用之雷射光34振動者。自雷射光源41射出之雷射光34直接以平行光束之方式一直前進，並入射至光電元件(EOM：Electro Optical Modulator)42。穿透光電元件42之雷射光34於鏡面43反射而導入至調變光學體系45。

鏡面43係由偏振分光器構成，具有使一方之偏光成分反射且使另一方之偏光成分穿透之功能。穿透鏡面43之偏光成分係於光電二極體44處進行光接收，基於該光接收信號控制光電元件42而進行雷射光34之相位調變。

於調變光學體系45中，雷射光34係被聚光透鏡46聚集於由玻璃(SiO₂)等構成之聲光元件(AOM：Acousto-Optic Modulator)47。雷射光34被聲光元件47調變強度並發散後，被透鏡48平行束化。自調變光學體系45射出之雷射光34被鏡面51反射，而被水平且平行地導入至移動光學台52上。

移動光學台52具備擴束器53、及物鏡54。導入至移動光學台52之雷射光34被擴束器53整形為所需之光束形狀後，經由物鏡54向輥式母盤31上之光阻層照射。輥式母盤31係載置於與轉軸馬達55連接之轉盤56之上。而且，使輥式母盤31旋轉，並且一面使雷射光34於輥式母盤31之高度方向上移動，一面向光阻層間歇地照射雷射光34，藉此進行光阻層之曝光步驟。所形成之潛像成為於圓周方向上具有長軸之大致橢圓形。雷射光34之移動係藉由移動光學台52向箭頭R方向移動而進行。

曝光裝置具備用以將與上述複數個突起12a之二維圖案對應之潛像形成光阻層之控制機構57。控制機構57具備格式器49及驅動器50。格式器49具備極性反轉部，該極性反轉部控制雷射光34對光阻層之照射時機。驅動器50接受極性反轉部之輸出而控制聲光元件47。

於該輥式母盤曝光裝置中，以二維圖案於空間上進行鏈接之 方式於每一個軌道使極性反轉格式器信號與旋轉控制器同步並產生信號，並藉由聲光元件47調變強度。藉由利用恆定角速度(CAV)並利用適當之轉數、適當之調變頻率及適當之移行間距來圖案化，可記錄六方格子圖案等二維圖案。

[防污性基材之製造方法]

圖4A~圖7C係用以說明本技術之第1實施形態之防污性基材之製造方法之一例的步驟圖。

(光阻成膜步驟)

首先，如圖4A所示，準備圓柱狀或圓筒狀之輥式母盤31。該輥式母盤31例如為玻璃母盤。繼而，如圖4B所示，於輥式母盤31之表面形成光阻層33。作為光阻層33之材料，例如可使用有機系光阻、及無機系光阻中之任一者。作為有機系光阻，例如可使用酚醛清漆系光阻或化學增幅型光阻。又，作為無機系光阻，例如可使用金屬化合物。

(曝光步驟)

繼而，如圖4C所示，對形成於輥式母盤31之表面之光阻層33照射雷射光(曝光束)34。具體而言，將圖3所示之輥式母盤曝光裝置載置於轉盤56上，使輥式母盤31旋轉，並且將雷射光(曝光束)34照射至光阻層33。此時，一面使雷射光34於輥式母盤31之高度方向(與圓柱狀或圓筒狀之輥式母盤31之中心軸平行之方向)上移動，一面間歇地照射雷射光34，藉此使光阻層33整個面曝光。藉此，與雷射光34之軌跡對應之潛像35會形成於光阻層33之整個面。

潛像35例如係以於輥式母盤表面構成複數列軌道T之方式配置，並且以特定之單位格子Uc之規則性週期圖案來形成。潛像35例如為圓形狀或橢圓形狀。於潛像35具有橢圓形狀之情形時，該橢圓形狀較佳為於軌道T之延伸方向上具有長軸方向。

(顯影步驟)

繼而，例如一面使輥式母盤31旋轉，一面於光阻層33上滴加顯影液，而對光阻層33進行顯影處理。藉此，如圖5A所示，於光阻層33形成有複數個開口部。於利用正型光阻形成光阻層33之情形時，利用雷射光34進行曝光之曝光部與非曝光部相比，對顯影液之溶解速度增加，因此如圖5A所示，於光阻層33形成與潛像(曝光部)相應之圖案。開口部之圖案例如為特定之單位格子Uc之規則性週期圖案。

(蝕刻步驟)

繼而，將形成於輥式母盤31上之光阻層33之圖案(光阻圖案)作為光罩而對輥式母盤31之表面進行蝕刻處理。藉此，可獲得如圖5B所示具有錐體形狀之結構體(凹部)32。錐體形狀較佳為例如於軌道T之延伸方向上具有長軸方向之橢圓錐形狀或橢圓錐台形狀。作為蝕刻，例如可使用乾式蝕刻、濕式蝕刻。此時，藉由交替進行蝕刻處理與灰化處理，可形成例如錐體狀之結構體32之圖案。根據以上可獲得作為目標之輥式母盤31。

(結構形成步驟)

繼而，使用以上述方式獲得之輥式母盤31對樹脂材料進行形狀轉印，於基材11之表面形成複數個突起12a，藉此製作上述第1實施形態之防污性基材。作為形狀轉印之方法，例如可使用利用能量線硬化性樹脂之轉印法(以下稱作「能量線轉印法」)、使用熱硬化性樹脂之轉印法(以下稱作「熱硬化轉印法」)、或使用熱塑性樹脂組成物之轉印法(以下稱作「熱轉印法」)。此處，能量線轉印法亦包含2P轉印法(Photo Polymerization：利用光硬化之形狀賦予法)。以下，將結構形成步驟分為使用能量線轉印法或熱硬化轉印法之結構形成步驟、與使用熱轉印法之結構形成步驟進行說明。

[使用能量線轉印法或熱硬化轉印法之結構形成步驟]

(樹脂組成物之製備步驟)

圖6A~圖6C係用以說明使用能量線轉印法或熱硬化轉印法之結構形成步驟之一例之步驟圖。首先，視需要將樹脂組成物溶解於溶劑中並進行稀釋。此時，視需要亦可於樹脂組成物中添加各種添加劑。藉由溶劑之稀釋可視需要而進行，於不需要稀釋之情形時，亦可不用溶劑而使用樹脂組成物。

樹脂組成物至少含有能量線硬化性樹脂組成物及熱硬化性樹脂組成物中之至少一者。所謂能量線硬化性樹脂組成物，意指可藉由照射能量線而進行硬化之樹脂組成物。所謂能量線，表示電子束、紫外線、紅外線、雷射光線、可見光線、離子化輻射線(X射線、α射線、β射線、γ射線等)、微波、高頻等且可構成自由基、陽離子、陰離子等之聚合反應之誘因的能量線。能量線硬化性樹脂組成物視需要亦可與其他樹脂組成物混合使用，例如亦可與熱硬化性樹脂組成物等其他硬化性樹脂組成物混合使用。又，能量線硬化性樹脂組成物亦可為有機無機混合材料。又，亦可將兩種以上之能量線硬化性樹脂組成物混合使用。作為能量線硬化性樹脂組成物，較佳為使用藉由紫外線進行硬化之紫外線硬化樹脂組成物。

能量線硬化性樹脂組成物及熱硬化性樹脂例如含有於末端以外之部分具有酯鍵之第1化合物、及具有環狀烴基之第2化合物中之至少一者。就指紋擦拭性提昇之觀點而言，能量線硬化性樹脂組成物及/或熱硬化性樹脂較佳為除第2化合物以外進而含有於末端具有鏈狀烴基之第3化合物。

於樹脂組成物除基礎樹脂以外進而含有添加劑(包含起始劑)之情形時，第1化合物、第2化合物及第3化合物可為添加劑。於該情形時，添加劑較佳為調平劑。

紫外線硬化性樹脂組成物例如含有具有(甲基)丙烯醯基之(甲基)丙烯酸酯及起始劑。此處，(甲基)丙烯醯基意指丙烯醯基或甲基丙烯 醯基。又，(甲基)丙烯酸酯意指丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。紫外線硬化性樹脂組成物例如含有單官能單體、二官能單體、多官能單體等，具體而言，為將以下所示之材料單獨混合而成或混合複數種而成者。

作為單官能單體，例如可列舉：羧酸類(丙烯酸)、羥基類(丙烯酸2-羥乙酯、丙烯酸2-羥丙酯、丙烯酸4-羥丁酯)、烷基、脂環類(丙烯酸異丁酯、丙烯酸第三丁酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸硬脂酯、丙烯酸異莰酯、丙烯酸環己酯)、其他功能性單體(丙烯酸2-甲氧基乙酯、甲氧基乙二醇丙烯酸酯、丙烯酸2-乙氧基乙酯、丙烯酸四氫糠酯、丙烯酸苄酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、丙烯酸苯氧基乙酯、N,N-二甲基胺基乙基丙烯酸酯、N,N-二甲基胺基丙基丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、丙烯醯嗎福啉、N-異丙基丙烯醯胺、N,N-二乙基丙烯醯胺、N-乙烯基吡咯啶酮、丙烯酸2-(全氟辛基)乙酯、丙烯酸3-全氟己基-2-羥基丙酯、丙烯酸3-全氟辛基-2-羥基丙酯、丙烯酸2-(全氟癸基)乙酯、丙烯酸2-(全氟-3-甲基丁基)乙酯、2,4,6-三溴苯酚丙烯酸酯、2,4,6-三溴苯酚甲基丙烯酸酯、丙烯酸2-(2,4,6-三溴苯氧基)乙酯)、丙烯酸2-乙基己酯等。

作為二官能單體，例如可列舉：三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二烯丙醚、丙烯酸胺酯等。

作為多官能單體，例如可列舉：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二新戊四醇五及六丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯等。

作為起始劑，例如可列舉：2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、1-羥基-環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮等。

就樹脂成分之塗敷性、穩定性、及塗膜之平滑性等觀點而言，溶劑例如可摻合至樹脂組成物中而使用。作為溶劑，例如可使用水或 有機溶劑。具體而言，例如可將如下物質中之一種或兩種以上混合使用：甲苯、二甲苯等芳香族系溶劑；甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、丙二醇單甲基醚等醇系溶劑；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸賽路蘇等酯系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮系溶劑；2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、二乙二醇二甲基醚、丙二醇甲基醚等二醇醚類；乙酸2-甲氧基乙酯、乙酸2-乙氧基乙酯、乙酸2-丁氧基乙酯、丙二醇甲基醚乙酸酯等二醇醚酯類；氯仿、二氯甲烷(dichloromethane)、三氯甲烷、二氯甲烷(methylene chloride)等氯系溶劑；四氫呋喃、二乙基醚、1,4-二烷、1,3-二氧戊環等醚系溶劑；N-甲基吡咯啶酮、二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、二甲基乙醯胺等。為抑制塗佈面上之乾燥不均或裂痕，亦可進而添加高沸點溶劑，控制溶劑之蒸發速度。例如可列舉：丁基賽路蘇、二丙酮醇、三甘醇單丁醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單丙基醚、乙二醇單異丙基醚、二乙二醇單丁基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇二乙基醚、二丙二醇單甲基醚、三丙二醇單甲基醚、丙二醇單丁基醚、丙二醇異丙基醚、二丙二醇異丙基醚、三丙二醇異丙基醚、甲甘醇。該等溶劑可單獨使用，又，亦可組合複數種。

(塗佈步驟)

繼而，如圖6A所示，將所製備之樹脂組成物36塗佈或印刷至基材之表面。作為塗佈方法，例如可使用線棒塗佈、刮刀塗佈、旋轉塗佈、逆輥塗佈、模具塗佈、噴塗、輥塗、凹版塗佈、微凹版塗佈、模唇塗佈、氣刀塗佈、簾幕式塗佈、缺角輪塗佈(comma coat)法、浸漬法等。作為印刷方式，例如可使用凸版印刷法、平版印刷法、凹版印刷法、凹版印刷法、橡膠版印刷法、噴墨法、網版印刷法等。

(乾燥步驟)

繼而，於樹脂組成物36含有溶劑之情形時，視需要藉由使樹脂組成物乾燥，而使溶劑揮發。乾燥條件並無特別限定，可為自然乾燥，亦可為調整乾燥溫度或乾燥時間等之人工乾燥。然而，於乾燥時對塗料表面吹風之情形時，較佳為使塗膜表面不產生風成波痕。又，乾燥溫度及乾燥時間可根據塗料中所含之溶劑之沸點而適當決定。於該情形時，乾燥溫度及乾燥時間較佳為考慮到基材11之耐熱性而於不因熱收縮而產生基材11之變形之範圍內選定。

(硬化步驟)

繼而，如圖6B所示，使輥式母盤31與塗佈於基材11之表面之樹脂組成物36密合，使樹脂組成物36硬化後，剝離與經硬化之樹脂組成物36成為一體之基材11。藉此，可獲得如圖6C所示於基材11之表面上形成有複數個突起12a之防污性基材。此時，視需要亦可於突起12a與基材11之間進而形成基底層12b。

此處，硬化方法根據樹脂組成物36之種類而不同。於使用能量線硬化性樹脂組成物作為樹脂組成物36之情形時，藉由將輥式母盤31壓抵於樹脂組成物36而使兩者密合，並且自能量線源37對樹脂組成物36照射紫外線(紫外光)等能量線，而將樹脂組成物36硬化。

作為能量線源37，只要為電子束、紫外線、紅外線、雷射光線、可見光線、伽馬射線、離子化輻射線(X射線、α射線、β射線、γ射線等)、微波或可釋放高頻等能量線者，則並無特別限定，就生產設備之觀點而言，較佳為可釋放紫外線者。累積照射量較佳為考慮到樹脂組成物之硬化特性、樹脂組成物及基材11之黃變抑制等而進行適當選擇。又，作為照射之環境，較佳為根據樹脂組成物之種類進行適當選擇，例如可列舉空氣、氮氣、氬氣等惰性氣體之環境。

再者，於基材11由紫外線等能量線不會穿透之材料構成之情形時，亦可利用可使能量線穿透之材料(例如石英)構成輥式母盤31而自輥式母盤31之內部對樹脂組成物36照射能量線。再者，轉印用之母盤並不限定於上述輥式母盤31，亦可使用平板狀之母盤。然而，就提高量產性之觀點而言，較佳為使用上述輥式母盤31作為轉印用之母盤。

於使用熱硬化性樹脂組成物作為樹脂組成物36之情形時，將輥式母盤31壓抵於樹脂組成物36而使兩者密合，並且利用輥式母盤31將樹脂組成物36加熱至硬化溫度，使其硬化。此時，亦可將冷卻輥抵接於與塗佈或印刷有樹脂組成物36之側成相反側之基材11的表面而防止基材11之溫度降低。此處，輥式母盤31於該內部具備加熱器等熱源，以可對與輥式母盤31之成形面密合之樹脂組成物36進行加熱之方式而構成。

[使用熱轉印法之結構形成步驟]

圖7A~圖7C係用以說明使用熱轉印法之結構形成步驟之一例之步驟圖。首先，如圖7A所示，形成於表面設置有作為轉印層之樹脂層37之基材11。樹脂層37例如含有熱塑性樹脂組成物。熱塑性樹脂組成物含有第1化合物及第2化合物中之至少一者。於熱塑性樹脂組成物含有第2化合物之情形時，較佳為含有該第2化合物，且進而含有第3化合物。

繼而，如圖7B所示，將輥式母盤31壓抵於樹脂層37而使兩者密合，並且將例如樹脂層37加熱至其玻璃轉移點附近或玻璃轉移點以上，藉此使輥式母盤31之成形面之形狀進行形狀轉印。繼而，將經形狀轉印之樹脂層37與基材11自輥式母盤31剝離。藉此，可獲得如圖7C所示於基材11之表面形成有複數個突起12a之防污性基材。此時，視需要亦可於突起12a與基材11之間進而形成基底層12b。又，亦可將冷卻輥抵接於與設置有樹脂層37之側成相反側之基材11的表面而防止基材11之溫度降低。

[效果]

根據第1實施形態，防污層12含有於末端以外之部分具有酯鍵之第1化合物、及具有環狀烴基之第2化合物中之至少一者，於防污層12之耐指紋表面S設置有複數個突起12a。因此，於使指紋附著於防污性基材之耐指紋表面S之情形時，即便不進行任何操作指紋之圖案亦潤濕擴散而變得不易看到。

又，於使突起12a之平均高度Hm為100nm以下之情形時，可用手指等擦拭附著於防污性基材之耐指紋表面S之指紋使其較薄地濡濕擴散而使其不明顯。因此，可提昇藉由手指等之指紋擦拭性。於將該防污性基材或該防污層12應用於輸入裝置或顯示裝置等電子機器中之情形時，可於使用該等機器時進一步使指紋不明顯。因此，可提供耐指紋性優異之電子機器。

[變形例]

於上述第1實施形態中，以防污層12含有具有環狀烴基之第2化合物與於末端具有鏈狀烴基之第3化合物兩者之化合物的構成為例進行了說明，但本技術並不限定於該例。亦可採用防污層12含有具有環狀烴基且於末端具有鏈狀烴基之第4化合物之構成。於該情形時，亦可獲得與上述第1實施形態相同之指紋擦拭性。

又，於上述第1實施形態中，以與基材11之表面鄰接地設置防污層12之構成為例進行了說明，但防污性基材之構成並不限定於該例。以下，對防污性基材之變形例進行說明。

(第1變形例)

圖8A係表示第1變形例之防污性基材之一構成例之剖面圖。該防污性基材係如圖8A所示進而具備設置於基材11與防污層12之間之錨固層13(anchor layer)，於該方面與第1實施形態之防污性基材不同。藉由以此種方 式具備設置於基材11與防污層12之間之錨固層13，可提昇基材11與防污層12之密合性。亦可藉由於錨固層13之表面設置突起狀之微細結構，並以仿照該微細結構之方式設置防污層12，而構成複數個突起12a。

作為錨固層13之材料，例如可自先前公知之天然高分子樹脂及合成高分子樹脂中廣泛地選擇使用。作為該等樹脂，例如可使用透明之熱塑性樹脂組成物、經離子化輻射線照射之組成物或利用熱進行硬化之透明硬化性樹脂組成物。作為熱塑性樹脂組成物，例如可使用聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯、硝基纖維素、氯化聚乙烯、氯化聚丙烯、乙基纖維素、羥基丙基甲基纖維素等。作為透明硬化性樹脂，例如可使用甲基丙烯酸酯、三聚氰胺丙烯酸酯、丙烯酸胺酯、異氰酸酯、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂等。作為離子化輻射線，例如可使用電子束、光(例如紫外線、可見光線等)、伽馬射線、X射線等，就生產設備之觀點而言，較佳為紫外線。

錨固層13之材料亦可進而含有添加劑。作為添加劑，例如可列舉：界面活性劑、黏度調整劑、分散劑、硬化促進觸媒、塑化劑、抗氧化劑或抗硫化劑等穩定劑等。

(第2變形例)

圖8B係表示第2變形例之防污性基材之一構成例之剖面圖。該防污性基材係如圖8B所示進而具備設置於基材11與防污層12之間之硬塗層14，於該方面與第1實施形態之防污性基材不同。於使用塑膠膜等樹脂基材作為基材11之情形時，尤佳為以此種方式設置硬塗層14。藉由以上述方式於基材11與防污層12之間具備硬塗層14，可提昇實用特性(例如耐久性或鉛筆硬度等)。亦可藉由於硬塗層14之表面設置突起狀之微細結構，並以仿照該微細結構之方式設置防污層12，而構成複數個突起12a。

作為硬塗層14之材料，例如可自先前公知之天然高分子樹 脂及合成高分子樹脂中廣泛地選擇使用。作為該等樹脂，例如可使用透明之熱塑性樹脂組成物、利用離子化輻射線或熱進行硬化之透明硬化性樹脂。作為熱塑性樹脂組成物，例如可使用聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯、硝基纖維素、氯化聚乙烯、氯化聚丙烯、乙基纖維素、羥基丙基甲基纖維素等。作為透明硬化性樹脂，例如可使用甲基丙烯酸酯、三聚氰胺丙烯酸酯、丙烯酸胺酯、異氰酸酯、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂等。作為離子化輻射線，例如可使用電子束、光(例如紫外線、可見光線等)、伽馬射線、X射線等，就生產設備之觀點而言，較佳為紫外線。

硬塗層14之材料亦可進而含有添加劑。作為添加劑，例如可列舉：界面活性劑、黏度調整劑、分散劑、硬化促進觸媒、塑化劑、抗氧化劑或抗硫化劑等穩定劑等。又，硬塗層14對耐指紋表面S賦予AG(Anti -Glare)功能，因此亦可進而含有使光散射之有機樹脂填料等光散射粒子。於該情形時，光散射粒子即便自硬塗層14之表面或防污層12之耐指紋表面S突出，亦可被硬塗層14或防污層12所含之樹脂覆蓋。光散射粒子可與作為底層之基材11接觸，亦可不與作為底層之基材11接觸。硬塗層14及防污層12之兩層亦可進而含有光散射粒子。又，亦可對防污性基材賦予AR(Anti-Reflection，抗反射)功能替代AG(Anti-Glare)功能，或者除AG(Anti-Glare)功能以外，亦可對防污性基材賦予AR(Anti-Reflection)功能。AR(Anti-Reflection)功能例如可於硬塗層14上形成AR層而賦予。作為AR層，例如可使用低折射率層之單層膜、將低折射率層與高折射率層交替積層而成之多層膜。

(第3變形例)

圖8C係表示第3變形例之防污性基材之一構成例之剖面圖。該防污性基材係如圖8C所示進而具備設置於基材11與防污層12之間之硬塗層14、 及設置於基材11與硬塗層14之間之錨固層13，於該方面與第1實施形態之防污性基材不同。於使用塑膠膜等樹脂基材作為基材11之情形時，尤佳為以此種方式設置硬塗層14。

(第4變形例)

圖9A係表示第4變形例之防污性基材之一構成例之剖面圖。該防污性基材係如圖9A所示於基材11之兩面進而具備硬塗層14，於該方面與第1實施形態之防污性基材不同。防污層12係設置於下述硬塗層14中之一個表面上，該硬塗層14係設置於基材11之兩面。於使用塑膠膜等樹脂基材作為基材11之情形時，尤佳為以此種方式設置硬塗層14。

(第5變形例)

圖9B係表示第5變形例之防污性基材之一構成例之剖面圖。該防污性基材係如圖9B所示於基材11之兩面進而具備錨固層13及硬塗層14，於該方面與第1實施形態之防污性基材不同。錨固層13係設置於基材11與硬塗層14之間。防污層12係設置於下述硬塗層14中之一個表面上，該硬塗層14係設置於基材11之兩面。於使用塑膠膜等樹脂基材作為基材11之情形時，尤佳為以此種方式設置硬塗層14。

(第6變形例)

圖9C係表示第6變形例之防污性基材之一構成例之剖面圖。該防污性基材為具有防污性之透明導電性基材，如圖9C所示，於與防污層12之側成相反側之基材11之表面進而具備透明導電層15，於該方面與第1實施形態之防污性基材不同。透明導電層15亦可為具有特定電極圖案之透明電極。作為電極圖案，可列舉條紋狀等，但並不限定於此。於透明導電層15之表面視需要亦可進而具備保護層。於基材11與透明導電層15之間視需要亦可進而具備硬塗層及/或錨固層。

作為透明導電層15之材料，例如可使用選自由具有電氣導 電性之金屬氧化物材料、金屬材料、碳材料及導電性聚合物等所構成之群中之一種以上。作為金屬氧化物材料，例如可列舉：銦錫氧化物(ITO)、氧化鋅、氧化銦、添加銻之氧化錫、添加氟之氧化錫、添加鋁之氧化鋅、添加鎵之氧化鋅、添加矽之氧化鋅、氧化鋅-氧化錫系、氧化銦-氧化錫系、氧化鋅-氧化銦-氧化鎂系等。作為金屬材料，例如可使用金屬奈米粒子、金屬奈米線等金屬奈米填料。作為該等之具體的材料，例如可列舉：銅、銀、金、鉑、鈀、鎳、錫、鈷、銠、銥、鐵、釕、鋨、錳、鉬、鎢、鈮、鉭、鈦、鉍、銻、鉛等金屬或該等之合金等。作為碳材料，例如可列舉：碳黑、碳纖維、富勒烯、石墨烯、奈米碳管、螺旋碳纖維及碳奈米角等。作為導電性聚合物，例如可使用經取代或未經取代之聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、及由選自該等中之一種或兩種構成之(共)聚合體等。

作為透明導電層15之形成方法，例如可使用濺鍍法、真空蒸鍍法、離子鍍法等PVD法、或CVD法、塗敷法、印刷法等，但並不限定於此。

<2.第2實施形態>

圖10係表示本技術之第2實施形態之防污性基材之一構成例的剖面圖。該防污性基材係如圖10所示一體地形成基材21與複數個突起22，於該方面與第1實施形態不同。作為基材21與突起22之材料，可使用與上述第1實施形態中之防污層12相同之材料。具體而言，作為基材21與突起22之材料，較佳為含有熱塑性樹脂組成物者。於該情形時，熱塑性樹脂組成物較佳為含有第1化合物及第2化合物中之至少一者。於除構成材料以外之方面，基材21及突起22分別與上述第1實施形態中之基材11及突起12a相同。

作為防污性基材之製作方法，例如可使用熔融擠出法或轉印法等。作為熔融擠出法，例如可使用下述方法：將熱塑性樹脂組成物自模 具中以膜狀等流出後，馬上用兩個輥夾持而將輥表面之形狀轉印至樹脂材料上。此處，作為兩個輥中之一者，可使用上述第1實施形態中之輥式母盤31。作為轉印法，例如可使用藉由將母盤之成形面與基材抵接並加熱至該玻璃轉移點附近或其以上而轉印母盤之成形面形狀的熱轉印方法。作為母盤，可使用上述第1實施形態中之輥式母盤31。

[效果]

於第2實施形態中，由於一體地形成基材21與複數個突起22，因此可簡化防污性基材之構成。又，於基材21與複數個突起22具有透明性之情形時，可抑制基材21與複數個突起22之間之界面反射。

<3.第3實施形態>

[防污性基材之構成]

圖11A係表示本技術之第3實施形態之防污性基材之一構成例的剖面圖。圖11B係將圖11A之一部分放大表示之剖面圖。該防污性基材具備基材11、及設置於該基材11之表面之防污結構層23。防污結構層23具備設置於基材11之表面之微細結構層24、及設置於該微細結構層24之微細結構面之防污層25。再者，於第3實施形態中對與第1實施形態相同之部位附上相同之符號並省略說明。

於防污層25之耐指紋表面S設置有複數個表面突起(第1突起)23a。於微細結構層24之表面設置有複數個內部突起(第2突起)24a。表面突起23a係以藉由仿照內部突起24a之方式設置防污層25而構成。表面突起23a之配置、形狀、配置間距(平均配置間距)、高度(平均高度)及縱橫比(平均縱橫比)等與上述第1實施形態中之突起12a相同。微細結構層24視需要亦可於基材11之表面與內部突起24a之間進而具備基底層24b。亦可具有基材11與微細結構層24成形為一體之構成。

作為防污層25之材料，與第1實施形態中之防污層12之材 料相同。微細結構層24亦可為錨固層或硬塗層等功能層。作為微細結構層24之材料，可使用能量線硬化性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物及熱塑性樹脂組成物中之至少一種。防污層12之膜厚例如可以於將防污層25形成於微細結構層24之表面時內部突起24a之形狀不埋於微細結構層24內之方式選擇。具體而言，防污層25之膜厚例如在單分子厚度以上且10μm以下、較佳為單分子厚度以上且1μm以下、尤佳為單分子厚度以上且100nm以下之範圍內。

[防污性基材之製造方法]

繼而，對具有上述構成之防污性基材之製造方法進行說明。

首先，除使用均不含上述第1化合物及第2化合物中之任一材料之先前公知之能量線硬化性樹脂或熱硬化性樹脂以外，以與上述第1實施形態相同之方式於基材11之表面形成內部突起24a。然而，內部突起24a之高度及縱橫比等，可以後續步驟中所形成之表面突起23a之高度及縱橫比等與上述第1實施形態中之突起12a相同的方式來進行設定。於該步驟中，視需要亦可於基材11之表面與內部突起24a之間設置基底層24b。

繼而，製備含有於末端以外之部分具有酯鍵之第1化合物、及具有環狀烴基之第2化合物中之至少一者的樹脂組成物。作為該樹脂組成物，可使用與於上述第1實施形態中用於形成防污層12之樹脂組成物相同者。

繼而，將所製備之樹脂組成物塗佈或印刷於設置有複數個內部突起24a之基材11之表面。此時，以仿照內部突起24a之表面形狀之方式塗佈或印刷樹脂組成物。再者，於在接下來之步驟中設置有乾燥步驟之情形時，亦可於乾燥步驟後使樹脂組成物仿照內部突起24a之表面形狀。繼而，視需要於使樹脂組成物乾燥後使其硬化。藉此，可於複數個內部突起24a上以仿照該等內部突起24a之表面之方式形成防污層25。即，於基材11 之表面上形成有具有複數個表面突起23a之耐指紋表面S。根據以上可獲得作為目標之防污性基材。

[效果]

於第3實施形態中，以仿照微細結構層24之複數個內部突起24a之方式設置防污層25，於耐指紋表面S構成複數個表面突起23a，因此可獲得與上述第1實施形態相同之效果。

<4.第4實施形態>

圖12A~圖12C係表示本技術之第4實施形態之防污性基材之構成例之模式圖。第4實施形態之防污性基材係於內部突起24a之表面吸附有吸附化合物25a而形成防污層25，於該方面與第3實施形態之防污性基材不同。此處，亦可於基材11之表面進而設置除防污層25以外之功能層(錨固層、硬塗層等)。防污層25例如為由吸附化合物25a形成之單分子層。吸附有吸附化合物25a之區域並不限定於設置有內部突起24a之基材11之一個表面，亦可為基材11之兩個表面或該等之一部分之區域，亦可使吸附化合物25a選擇性地僅吸附至用手或手指等頻繁地接觸之表面或特定區域。

吸附化合物25a相對於內部突起24a之表面之吸附位置可為吸附化合物25a之側鏈及主鏈之末端之任一者，亦可兩者吸附於基材11之表面。圖12A表示吸附化合物25a之主鏈之單末端吸附於內部突起24a之表面之構成。圖12B表示吸附化合物25a之側鏈之末端吸附於內部突起24a之表面之構成。圖12C表示吸附化合物25a之主鏈吸附於內部突起24a之表面之構成。吸附可為物理吸附及化學吸附中之任一者，就耐久性之觀點而言，較佳為化學吸附。作為吸附，具體而言，例如可列舉藉由酸鹼反應、共價鍵、離子鍵、氫鍵等之吸附。

作為吸附化合物25a，例如可使用對上述第1實施形態中之第1化合物及第2化合物進而賦予吸附於基材11之表面之吸附基者。設置 吸附基之位置可為吸附化合物25a之末端及側鏈之任一者，亦可使複數個吸附基賦予至一個吸附化合物25a中。

作為吸附基，只要與內部突起24a吸附即可。具體而言，為磺基(包含磺酸鹽)、磺醯基、羧酸基(包含羧酸鹽)、胺基、磷酸基(包含磷酸鹽、磷酸酯)、膦基、環氧基、異氰酸酯基、硫醇基等。此種吸附基只要於吸附化合物25a中存在至少一個即可。

作為具有吸附基之第1化合物，例如可使用於分子內具有下述式(7)所示之結構之化合物。

式中，X例如為磺基(包含磺酸鹽)、磺醯基、羧酸基(包含羧酸鹽)、胺基、磷酸基(包含磷酸鹽、磷酸酯)、膦基、環氧基、異氰酸酯基或硫醇基等。

作為具有吸附基之第2化合物，例如可使用於分子內具有下述式(8)所示之結構之化合物。

式中，X例如為磺基(包含磺酸鹽)、磺醯基、羧酸基(包含羧酸鹽)、胺基、磷酸基(包含磷酸鹽、磷酸酯)、膦基、環氧基、異氰酸酯基或硫醇基等。

作為具有吸附基之第3化合物，例如可使用於分子內具有下述式(9)所示之結構之化合物。

式中，X例如為磺基(包含磺酸鹽)、磺醯基、羧酸基(包含羧酸鹽)、胺基、磷酸基(包含磷酸鹽、磷酸酯)、膦基、環氧基、異氰酸酯基或硫醇基等。

[防污性基材之製造方法]

以下，對使用濕式處理之防污性基材之製造方法之一例進行說明。

(處理溶液之製備)

首先，將吸附化合物25a溶解於溶劑中而製備處理溶液。於吸附化合物25a在常溫下為液體之情形或實施加熱處理等使其成為液體狀態之情形時，亦可不將吸附化合物25a溶解於溶劑中而直接使用。藉由使該處理溶液接近內部突起24a之表面而吸附吸附化合物25a。越增加處理溶液中之吸附化合物之量，越提昇吸附速度，因此化合物濃度越大越佳，具體而言，較佳為0.01質量%以上。

溶劑可適當地選擇使用可使吸附化合物25a溶解成特定濃度者。具體而言，例如可將如下物質中之一種或兩種以上混合使用：甲苯、二甲苯等芳香族系溶劑；甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、丙二醇單甲基醚等醇系溶劑；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸賽路蘇等酯系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮系溶劑；2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、二乙二醇二甲基醚、丙二醇甲基醚等二醇醚類；乙酸2-甲氧基乙酯、乙酸2-乙氧基乙酯、乙酸2-丁氧基乙酯、丙二醇甲基醚乙酸酯等二醇醚酯類；氯仿、二氯甲烷(dichloromethane)、三氯甲烷、二氯甲烷 (methylene chloride)等氯系溶劑；四氫呋喃、二乙基醚、1,4-二烷、1,3-二氧戊環等醚系溶劑；N-甲基吡咯啶酮、二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、二甲基乙醯胺等。

(吸附)

繼而，例如將作為處理對象物之基材11浸漬於處理溶液中，或於作為處理對象物之基材11之一個或兩個表面塗佈或印刷一定量之處理溶液。

作為塗佈法，例如可使用線棒塗佈、刮刀塗佈、旋轉塗佈、逆輥塗佈、模具塗佈、噴塗、輥塗佈、凹版塗佈、微凹版塗佈、模唇塗佈、氣刀塗佈、簾幕式塗佈、缺角輪塗佈法、浸漬法等。作為印刷法，例如可使用凸版印刷法、平版印刷法、凹版印刷法、凹版印刷法、橡膠版印刷法、噴墨法、網版印刷法等。

於使用浸漬法之情形時，較佳為準備能充分地浸漬作為處理對象物之基材11之量的處理溶液，並將基材11浸漬0.1秒~48小時。於浸漬後，視需要亦可用吸附化合物25a之良溶劑將基材11洗淨，沖走未吸附之吸附化合物25a。其後，視需要藉由使其乾燥而完成吸附處理。作為乾燥方法，例如可使用自然乾燥、及藉由加熱裝置等之人工乾燥中之任一者。又，藉由於浸漬作為處理對象物之基材11時進行加熱處理及/或超音波處理等，可加快吸附化合物25a之吸附速度。

於使用塗佈法之情形時，亦可於將處理溶液塗佈於基材11時併用對基材11之加熱處理及/或超音波處理等。塗佈後，視需要亦可用吸附化合物25a之良溶劑將基材11洗淨，沖走未吸附之吸附化合物25a。其後，視需要藉由使其乾燥而結束吸附處理。作為乾燥方法，例如可使用自然乾燥、及藉由加熱裝置等之人工乾燥中之任一者。所期望之處理溶液之塗佈量無需由一次之塗佈來達成，亦可藉由反覆進行複數次上述塗佈及洗淨步驟來達成處理溶液之塗佈量。

(效果)

根據第4實施形態，使吸附化合物25a吸附於內部突起24a之表面，並將防污層25形成於內部突起24a之表面，因此可獲得與上述第1實施形態相同之效果。

[變形例]

於上述第3實施形態及第4實施形態中，以使用濕式處理作為防污性基材之製造方法之方法為例進行了說明，但防污性基材之製造方法並不限定於該例，亦可使用乾式處理。即，亦可藉由乾式處理而將上述第3實施形態或第4實施形態之防污層12直接成膜於內部突起24a之表面。

作為乾式處理，例如可使用濺鍍法、熱CVD(Chemical Vapor Deposition)法、電漿CVD法、ALD(Atomic Layer Deposition，原子層沈積)法、離子鍍法等。

<5.第5實施形態>

圖13係表示本技術之第5實施形態之顯示裝置之一構成例的立體圖。如圖13所示，於顯示裝置101之顯示面S設置有防污體100。作為防污體100，例如可使用防污層、防污結構層或防污性基材。作為防污層，例如可使用第1實施形態之防污層12。作為防污結構層，例如可使用第3或第4實施形態之防污結構層23。作為防污性基材，例如可使用第1~第4實施形態之防污性基材之任一者。於使用防污性基材作為防污體之情形時，可採用將防污性基材經由貼合層而貼合於顯示裝置101之顯示面S₁之構成。於採用該構成之情形時，作為防污性基材之基材11，較佳為使用具有透明性及可撓性之片材等。

作為顯示裝置101，例如可使用液晶顯示器、CRT(Cathode Ray Tube)顯示器、電漿顯示器(Plasma Display Panel：PDP)、電致發光(EL：Electro Luminescence)顯示器、表面傳導型電子放出元件顯示器(Surface- conduction Electron-emitter Display：SED)等各種顯示裝置。

[效果]

根據第5實施形態，可將顯示裝置101之顯示面S₁作為耐指紋表面S，於指紋附著於顯示裝置101之顯示面S₁之情形時，即便不進行任何操作，指紋之圖案亦潤濕擴散而變得不易看到。因此，可提昇顯示裝置101之視認性。

又，於使突起12a之平均高度Hm為100nm以下之情形時，可用手指等擦拭附著於顯示裝置101之顯示面S₁之指紋，使其較薄地濡濕擴散而使其不明顯。因此，可進一步提昇顯示裝置101之視認性。

<6.第6實施形態>

圖14A係表示本技術之第6實施形態之顯示裝置之一構成例的立體圖。如圖14A所示，於顯示裝置101之顯示面S₁上設置有輸入裝置102。而且，於輸入裝置102之輸入面S₂上設置有防污體100。顯示裝置101與輸入裝置102係經由例如由黏著劑等所構成之貼合層而貼合。作為防污體100，例如可使用防污層、防污結構層或防污性基材。作為防污層，例如可使用第1實施形態之防污層12。作為防污結構層，例如可使用第3或第4實施形態之防污結構層23。作為防污性基材，例如可使用第1~第4實施形態之防污性基材中之任一者。於使用防污性基材作為防污體之情形時，可採用將防污性基材經由貼合層貼合於輸入裝置102之輸入面S₂的構成。於採用該構成之情形時，作為防污性基材之基材11，較佳為使用具有透明性及可撓性之片材等。

作為輸入裝置102，例如可使用電阻膜方式或靜電電容方式之觸控面板，但觸控面板之方式並不限定於此。作為電阻膜方式之觸控面板，例如可列舉矩陣電阻膜方式之觸控面板。作為靜電電容方式之觸控面板，例如可列舉Wire Sensor方式或ITO Grid方式之投影型靜電電容方式觸 控面板。

[效果]

根據第6實施形態，可將輸入裝置102之輸入面S₂作為耐指紋表面S，因此於指紋附著於輸入裝置102之輸入面S₂之情形時，即便不進行任何操作，指紋之圖案亦潤濕擴散，而變得不易看到。因此，可提昇設置有輸入裝置102之顯示裝置101之視認性。

又，於使突起12a之平均高度Hm為100nm以下之情形時，可用手指等擦拭附著於輸入裝置102之輸入面S₂上之指紋，使其較薄地濡濕擴散而使其不明顯。因此，可進一步提昇設置於輸入裝置102之顯示裝置101之視認性。

[變形例]

圖14B係表示本技術之第6實施形態之輸入裝置之變形例的分解立體圖。亦可如圖14B所示於輸入裝置102之輸入面S₂進而具備前面板(表面構件)103。於該情形時，於前面板103之面板表面S3設置有防污體100。輸入裝置102與前面板(表面構件)103係由例如由黏著劑等所構成之貼合層貼合。

<7.第7實施形態>

本技術之第7實施形態之電子機器具備第5實施形態、或第6實施形態或其變形例之顯示裝置101。於該電子機器之殼體之表面視需要而設置防污體。作為防污體，可使用防污層、防污結構層或防污性基材。作為防污層，例如可使用第1實施形態之防污層12。作為防污結構層，例如可使用第3或第4實施形態之防污結構層23。作為防污性基材，例如可使用第1~第4實施形態之防污性基材中之任一者。亦可利用防污性基材自身構成電子機器之殼體。

以下，對本技術之第7實施形態之電子機器之例進行說明。

圖15A係表示作為電子機器之電視裝置之例之外觀圖。電視裝置111具備殼體112、及收容於該殼體112中之顯示裝置113。此處，顯示裝置113為第5實施形態、或第6實施形態或其變形例之顯示裝置101。可於殼體112之表面視需要而設置防污體，或者亦可視需要利用防污性基材構成殼體112自身。

圖15B係表示作為電子機器之筆記型個人電腦之例之外觀圖。筆記型個人電腦121具備電腦主體122、及顯示裝置125。電腦主體122及顯示裝置125分別收容於殼體123及殼體124。此處，顯示裝置125為第5實施形態、或第6實施形態或其變形例之顯示裝置101。可於殼體123及殼體124之表面視需要而設置防污體，或亦可視需要利用防污性基材構成殼體123及殼體124自身。

圖16A係表示作為電子機器之行動電話之一例之外觀圖。行動電話131係所謂的智慧型手機，具備殼體132、及收容於該殼體132中之顯示裝置133。此處，顯示裝置133為第6實施形態或該變形例之顯示裝置101。可於殼體132之表面視需要而設置防污體，或亦可視需要利用防污性基材構成殼體132自身。

圖16B係表示作為電子機器之平板型電腦之一例之外觀圖。平板型電腦141具備殼體142、及收容於該殼體142中之顯示裝置143。此處，顯示裝置143為第6實施形態或該變形例之顯示裝置101。可於殼體142之表面視需要而設置防污體，或亦可視需要利用防污性基材構成殼體142自身。

[效果]

根據第7實施形態，電子機器具備第5實施形態、或第6實施形態或其變形例之顯示裝置101，因此可提昇電子機器之顯示裝置101之視認性。於使突起12a之平均高度Hm為100nm以下之情形時，可進一步提昇電子 機器之顯示裝置101之視認性。

於在電子機器之殼體表面設置防污體之情形時，於指紋附著於電子機器之殼體表面之情形時，即便不進行任何操作，指紋之圖案亦潤濕擴散而不易看到。因此，可使殼體表面之污垢不明顯。於使突起12a之平均高度Hm為100nm以下之情形時，用手指等擦拭附著於電子機器之殼體表面之指紋，使其較薄地濡濕擴散而使其不明顯。因此，可進一步使殼體表面之污垢不明顯。

實施例

以下，藉由實施例對本技術具體地進行說明，但本技術並非僅限定於該等實施例。

於以下之實施例中，突起之平均配置間距、平均高度及平均縱橫比係按照以下之方式而求出。

首先，利用原子力顯微鏡(AFM：Atomic Force Microscope)觀察具有突起之耐指紋表面，根據AFM之剖面輪廓求出突起之間距及高度。於自耐指紋表面隨意選出之10個部位反覆進行上述操作，求出間距P1、P2、…、P10、及高度H1、H2、…、H10。此處，突起之間距為突起之頂點間之距離，突起之高度為以突起間之凹部(谷部)之最低點為基準的突起之高度。繼而，對該等間距及高度分別單純地進行平均(算術平均)，求出突起之平均配置間距Pm及平均高度Hm。繼而，根據所求出之平均配置間距Pm及平均高度Hm求出平均縱橫比Hm/Pm。

(實施例1)

首先，準備外徑126mm之玻璃輥式母盤，按照以下方式將光阻層成膜於該玻璃輥式母盤之表面。即，利用稀釋劑將光阻稀釋成1/10，利用浸漬法將該稀釋光阻以厚度70nm左右塗佈於玻璃輥式母盤之圓柱面上，藉此將光阻層成膜。繼而，將作為記錄媒體之玻璃輥式母盤搬送至圖3所示之 輥式母盤曝光裝置，並將光阻層曝光，藉此將光阻層連接成一個螺旋狀，並且將於鄰接之3行軌道間構成六方格子圖案之潛像圖案化於光阻層。具體而言，對應該形成六方格子狀之曝光圖案區域照射於上述玻璃輥式母盤表面之前曝光之功率0.50mW/m之雷射光，從而形成六方格子狀之曝光圖案。

繼而，對玻璃輥式母盤上之光阻層實施顯影處理，使曝光之部分之光阻層溶解並進行顯影。具體而言，於未圖示之顯影機之轉盤上載置未顯影之玻璃輥式母盤，一面使每個轉盤旋轉一面向玻璃輥式母盤之表面滴加顯影液使該表面之光阻層進行顯影。藉此，獲得光阻層朝六方格子圖案開口之光阻玻璃母盤。

繼而，使用輥蝕刻裝置進行CHF₃氣體環境中之電漿蝕刻。藉此，於玻璃輥式母盤之表面，僅有自光阻層露出之六方格子圖案之部分進行蝕刻，於其他區域光阻層成為光罩而未被蝕刻，於玻璃輥式母盤形成橢圓錐形狀之凹部。此時，蝕刻量(深度)係根據蝕刻時間來調整。最後，藉由利用O₂灰化完全去除光阻層，而獲得具有凹形狀之六方格子圖案之玻璃輥式母盤。於該玻璃輥式母盤中，列間方向中之凹部的深度較軌道之延伸方向中之凹部的深度深。

繼而，使用以上述方式獲得之輥式母盤，藉由UV壓印將複數個突起二維地形成於非晶型聚烯烴膜(日本ZEON股份有限公司製造，註冊商標)之表面。具體而言，使以上述方式獲得之輥式母盤與塗佈有具有下述組成之紫外線硬化性樹脂組成物(以下稱作「UV硬化性樹脂」)之非晶型聚烯烴膜密合，一面照射紫外線使其硬化一面進行剝離。藉此，可獲得於表面複數列地排列有具有下述構成之複數個突起(內部突起)之光學膜。

(UV硬化性樹脂之組成)

聚酯丙烯酸酯低聚物(Sartomer公司製造，商品名：CN2302)：95質量%

光聚合起始劑(BASF Japan股份有限公司製造，商品名：Irgacure-184)：5質量%

(突起之構成)

突起之排列：最密填充(六方格子)

突起之形狀：懸鐘型(大致抛物面狀)

突起之平均配置間距Pm：250nm

突起之平均高度Hm：150nm

突起之平均縱橫比(Hm/Pm)：0.6

繼而，將所得之光學膜切割成特定大小。繼而，藉由利用旋轉塗佈於經切割之光學膜之形狀轉印面塗佈具有下述組成之防污性之紫外線硬化性樹脂組成物(以下稱作「UV硬化性防污樹脂」)，並使其乾燥，而形成仿照光學膜表面之複數個突起之塗膜。繼而，藉由對該塗膜照射紫外線並進行硬化，而於防污層表面形成具有以下之構成之複數個突起(表面突起)。該突起之高度及縱橫比係根據UV硬化性防污樹脂之旋轉塗佈條件而調整。根據以上，可獲得作為目標之防污性膜。將實施例1之防污性膜表面之AFM圖像示於圖17A。將圖17A所示之a-a線中之剖面輪廓示於圖17B。

(UV硬化性防污樹脂之組成)

具有下述式(10)所示之結構之化合物：3.5質量%

光聚合起始劑(BASF Japan股份有限公司製造，商品名：Irgacure-184)：0.175質量%

環己酮：96.325質量%

(突起之構成)

突起之排列：最密填充(六方格子)

突起之形狀：懸鐘型(大致抛物面狀)

突起之平均配置間距Pm：250nm

突起之平均高度Hm：60nm

突起之平均縱橫比(Hm/Pm)：0.24

根據以上，可獲得作為目標之防污性膜。

(實施例2)

除調整UV硬化性防污樹脂之旋轉塗佈條件，並變更為突起之高度40nm、縱橫比0.16以外，以與實施例1相同之方式獲得防污性膜。將實施例2之防污性膜表面之AFM圖像示於圖18A。圖18B表示圖18A所示之α-a線中之剖面輪廓。

(實施例3)

除使用具有下述組成之紫外線硬化性樹脂組成物，將複數個突起二維地形成於非晶型聚烯烴膜之表面以外，以與實施例1相同之方式獲得防污性膜。

(樹脂組成物之組成)

丙烯酸胺酯低聚物(Sartomer公司製造，商品名：CN9006)：64質量%

聚酯丙烯酸酯低聚物(Sartomer公司製造，商品名：CN2302)：31質量%

光聚合起始劑(BASF Japan股份有限公司製造，商品名：Irgacure-184)：5質量%

(實施例4)

除使用具有以下之組成之UV硬化性防污樹脂以外，以與實施例1相同之方式獲得防污性膜。

(UV硬化性防污樹脂)

具有下述式(11)所示之結構之化合物：3.5質量%

光聚合起始劑(BASF Japan股份有限公司製造，商品名：Irgacure-184)：0.175質量%

環己酮：96.325質量%

(實施例5)

除使用具有以下之組成之UV硬化性防污樹脂以外，以與實施例1相同之方式獲得防污性膜。

(UV硬化性防污樹脂)

具有下述式(12)所示之結構之化合物：3.5質量%

光聚合起始劑(BASF Japan股份有限公司製造，商品名：Irgacure-184)：0.175質量%

環己酮：96.325質量%

(實施例6)

除使用具有以下之組成之UV硬化性防污樹脂以外，以與實施例1相同之方式獲得防污性膜。

(UV硬化性防污樹脂)

具有下述式(13)所示之結構之化合物(調平劑)：0.3質量%

丙烯酸胺酯(Sartomer公司製造，商品名：CN9006)：3.2質量%

光聚合起始劑(BASF Japan股份有限公司製造，商品名：Irgacure-184)：0.175質量%

環己酮：96.325質量%

(實施例7)

首先，以與實施例1相同之方式獲得於表面形成有複數個突起之光學膜。繼而，利用旋轉塗佈將具有下述組成之防污性之熱硬化性樹脂組成物(以下稱作「熱硬化性防污樹脂」)塗佈於光學膜之形狀轉印面上後，藉由在150℃下加熱2小時而進行熱硬化，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得防污性膜。

(熱硬化性防污樹脂之組成)

具有下述式(14)所示之結構之化合物：3.5質量%

溶劑(丙酮)：96.5質量%

(實施例8)

除使用具有下述組成之UV硬化性防污樹脂替代UV硬化性樹脂以外，以與實施例1相同之方式於非晶型聚烯烴膜之表面二維地形成複數個突起，藉此獲得防污性膜。再者，於本實施例中，由於利用UV硬化性防污樹脂形成複數個突起自身，因此省略下述步驟：藉由在光學膜之形狀轉印面塗佈UV硬化性防污樹脂並硬化，使防污層仿照複數個突起表面地形成。圖19A為表示實施例8之防污性膜表面之AFM圖像之圖。圖19B表示圖19A所示之a-a線之剖面輪廓。

(UV硬化性防污樹脂之組成)

具有下述式(10)所示之結構之化合物：95質量%

光聚合起始劑(BASF Japan股份有限公司製造，商品名：Irgacure-184)：5質量%

(突起之構成)

突起之排列：最密填充(六方格子)

突起之形狀：懸鐘型(大致抛物面狀)

突起之平均配置間距Pm：250nm

突起之平均高度Hm：150nm

突起之平均縱橫比(Hm/Pm)：0.6

(實施例9)

除使用具有以下之組成之UV硬化性防污樹脂以外，以與實施例1相同之方式獲得防污性膜。

(UV硬化性防污樹脂)

具有氟原子及矽氧烷部位之丙烯酸酯低聚物：1.75質量%

二新戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)：1.75質量%

光聚合起始劑(BASF Japan股份有限公司製造，商品名：Irgacure-184)：0.175質量%

環己酮：96.325質量%

(比較例1)

除未於非晶型聚烯烴膜之表面形成複數個突起，利用旋轉塗佈將UV硬化性防污樹脂塗佈於該平坦之表面以外，以與實施例1相同之方式獲得防污性膜。

[評價]

對以上述方式獲得之實施例1~8、比較例1之防污性膜之耐指紋性(指紋之圖案可見性、無塵布擦拭性及手指擦拭性)、及鉛筆硬度進行評價。

(耐指紋性)

首先，使用雙面黏著片材(日東電工股份有限公司製造，商品名：LUCIACS CS9621T)將防污性膜以其評價面(耐指紋表面)朝上之方式貼合於黑色丙烯酸板(三菱麗陽股份有限公司製造，商品名：ACRYLITE)。繼而，將指紋附於評價面並依照下述基準對(a)指紋之圖案可見性、(b)無塵布擦拭性及(c)手指擦拭性進行評價。將其結果示於表1中。

(a)指紋之圖案可見性

使指紋附著於耐指紋表面，於1分鐘後照射螢光燈，以目視觀察表面，並利用以下之基準進行評價。

◎：指紋之圖案消失，且變得不易看到之情形

○：指紋之圖案消失，但能看到附著處之情形

×：指紋之圖案未消失之情形

(b)無塵布擦拭性

故意使液量較通常更多之指紋附著於耐指紋表面，使用KURAFLEX CLEAN WIPER FF-390C以畫圓之方式擦拭10次後，照射螢光燈，以目視觀察表面，並利用以下之基準進行評價。

◎：油污消失之情形

○：油污殘留稍許之程度之情形

×：油污相當多地殘留之情形

(c)手指擦拭性

故意使液量較通常更多之指紋附著於耐指紋表面，用手指擦拭10個往返後照射螢光燈，以目視觀察表面，並利用以下之基準進行評價。

◎：油污消失之情形

○：油污殘留稍許之程度之情形

×：油污相當多地殘留之情形

(鉛筆硬度)

鉛筆硬度係依照JIS K5600 5-4進行評價。

表1表示實施例1~9、比較例1之防污性膜之構成及評價結果。

根據表1可知以下之情形。

實施例1：於防污層中含有具有環狀烴基之第2化合物，並且於耐指紋表面設置平均高度Hm：60nm之複數個突起，因此可抑制指紋之圖案可見性，並且可獲得優異之擦拭性。

實施例2：於將耐指紋表面之複數個突起之平均高度Hm設為40nm之情形時，亦可抑制指紋之圖案可見性，並且可獲得優異之擦拭性。

實施例3：藉由製備UV硬化性樹脂組成物之組成，而除上述實施例1、2之效果以外，可對耐指紋表面進而賦予硬塗層功能。

實施例4：於防污層中含有與實施例1不同之第2化合物，可獲得與實施例1相同之效果。

實施例5：由於於防污層中含有末端以外之部分具有酯鍵之第1化合物，並且於耐指紋表面設置平均高度Hm：60nm之複數個突起，因此可與實施例1同樣地抑制指紋之圖案可見性，並且可獲得優異之擦拭性。

實施例6：於防污層中含有與實施例5不同之第1化合物，可獲得與實施例5相同之效果。

實施例7：即便為使用含有第2化合物之熱硬化性防污樹脂之情形，亦可與使用含有第2化合物之UV硬化性防污樹脂之情形(實施例1)同樣地抑制指紋之圖案可見性，並且可獲得優異之擦拭性。

實施例8：由於於複數個突起中含有具有環狀烴基之第2化合物，並且於耐指紋表面設置平均高度Hm：150nm之複數個突起，因此可抑制指紋之圖案可見性，但擦拭性下降。

實施例9：在防污層中含有與實施例5不同之第1化合物，可獲得與實施例5相同之效果。

比較例1：由於於基材表面未設置複數個突起而直接設置防污層，因此可獲得優異之擦拭性，但無法抑制指紋之圖案可見性。

綜合以上之方面可知，藉由在防污層中含有第1化合物及第2化合物中之至少一者，並且於耐指紋表面設置複數個突起，可抑制指紋之圖案可見性。

為了抑制指紋之圖案可見性且獲得優異之擦拭性，較佳為於防污層中含有第1化合物及第2化合物中之至少一者，並且於耐指紋表面設置平均高度Hm為100nm以下、較佳為60nm以下之複數個突起。

以上，對本技術之實施形態地進行了具體說明，但本技術並不限定於上述實施形態，可進行基於本技術之技術思想之各種變形。

例如，上述實施形態中列舉之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等僅為例示，視需要可使用與其不同之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等。

又，上述實施形態之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等只要不脫離本技術之主旨即可互相組合。

又，本技術亦可採用以下之構成。

(1)

一種防污體，其具有設置有複數個突起之表面，該突起含有下述第1化合物及第2化合物中之至少一者，該第1化合物於末端以外之部分具有酯鍵，該第2化合物具有環狀烴基。

(2)

如(1)中記載之防污體，其中，上述突起之平均高度為10nm以上且150nm以下之範圍內，上述突起之平均間距為100nm以上且500nm以下之範圍內。

(3)

如(2)中記載之防污體，其中，上述突起之平均高度為10nm以上且100nm以下之範圍內。

(4)

如(1)至(3)中任一項記載之防污體，其具備：具有表面之基材、及設置於上述基材之表面的防污層，上述防污層具有設置有上述複數個突起之上述表面。

(5)

如(4)中記載之防污體，其中，上述防污層含有能量線硬化性樹脂組成物及熱硬化性樹脂組成物中之至少一種樹脂組成物，上述樹脂組成物含有上述第1化合物及上述第2化合物中之至少一者。

(6)

如(1)至(5)中任一項記載之防污體，其中，上述第1化合物及上述第2化合物為添加劑。

(7)

如(6)中記載之防污體，其中，上述添加劑為調平劑。

(8)

如(4)至(7)中任一項記載之防污體，其中，於上述基材之表面設置有複數個突起，以仿照上述基材之複數個突起之表面的方式設置有上述防污層。

(9)

如(8)中記載之防污體，其中，上述第1化合物及上述第2化合物中之至少一者被吸附於上述基材之複數個突起之表面。

(10)

如(9)中記載之防污體，其中，上述防污層為含有上述第1化合物及上述第2化合物中之至少一者的單分子層。

(11)

如(1)至(3)中任一項記載之防污體，其中上述突起含有熱塑性樹脂組成物，上述熱塑性樹脂組成物含有上述第1化合物及上述第2化合物中之至少一者。

(12)

如(1)至(11)中任一項記載之防污體，其中，上述第1化合物係以下述式(1)或式(2)表示，上述第2化合物係以下述式(3)或式(4)表示。

式中，R₁為含有C、N、S、O、Si、P或Ti之基，R₂為碳數為2個以上之基。

式中，R₁、R₂係分別獨立地含有C、N、S、O、Si、P或Ti之基。

(13)

如(12)中記載之防污體，其中，上述式(1)及式(2)之R₁、R₂係分別獨立地為烴基、磺基、磺醯基、磺醯胺基、羧酸基、胺基、醯胺基、磷酸基、膦基、矽烷醇基、環氧基、異氰酸酯基、氰基、硫醇基、或羥基。

(14)

如(1)至(13)中任一項記載之防污體，其中，上述防污層含有上述第2化合物，並進一步含有末端具有鏈狀烴基之第3化合物。

(15)

如(14)中記載之防污體，其中，上述第3化合物係以下述式(5)或式(6)表示。

(16)

如(1)至(15)中任一項記載之防污體，其中，上述複數個突起係二維地排列。

(17)

如(1)至(16)中任一項記載之防污體，其中，上述突起間之凹部對在上述表面之液體產生正毛細管壓力。

(18)

一種輸入裝置，其具有設置有複數個突起之輸入面，該突起含有下述第1化合物及第2化合物中之至少一者，該第1化合物於末端以外之部分具有酯鍵，該第2化合物具有環狀烴基。

(19)

一種顯示裝置，其具有設置有複數個突起之顯示面，該突起含有下述第1化合物及第2化合物中之至少一者，該第1化合物於末端以外之部分具有酯鍵，該第2化合物具有環狀烴基。

(20)

一種電子機器，其具有設置有複數個突起之表面，該突起含有下述第1化合物及第2化合物中之至少一者，該第1化合物於末端以外之部分具有酯鍵，該第2化合物具有環狀烴基。

(21)

一種防污性物品，其具有設置有複數個突起之表面，該突起含有下述第1化合物及第2化合物中之至少一者，該第1化合物於末端以外之部分具有酯鍵，該第2化合物具有環狀烴基。

(22)

一種防污體，其具有設置有複數個突起之防污性表面。

11‧‧‧基材

12‧‧‧防污層

12a‧‧‧突起

12b‧‧‧基底層

S‧‧‧耐指紋表面(防污性表面)

T‧‧‧軌道

Uc‧‧‧單位格子

Claims (22)

1. 一種防污體，其具有設置有複數個突起之表面，該突起含有下述第1化合物及第2化合物中之至少一者，該第1化合物於末端以外之部分具有酯鍵，該第2化合物具有環狀烴基。
2. 如申請專利範圍第1項之防污體，其中，該突起之平均高度在10nm以上且150nm以下之範圍內，該突起之平均間距在100nm以上且500nm以下之範圍內。
3. 如申請專利範圍第2項之防污體，其中，該突起之平均高度在10nm以上且100nm以下之範圍內。
4. 如申請專利範圍第1項之防污體，其具備具有表面之基材、及設置於該基材之表面的防污層，該防污層具有設置有該複數個突起之該表面。
5. 如申請專利範圍第4項之防污體，其中，該防污層含有能量線硬化性樹脂組成物及熱硬化性樹脂組成物中之至少一種樹脂組成物，該樹脂組成物含有該第1化合物及該第2化合物中之至少一者。
6. 如申請專利範圍第1項之防污體，其中，該第1化合物及該第2化合物為添加劑。
7. 如申請專利範圍第6項之防污體，其中，該添加劑為調平劑。
8. 如申請專利範圍第4項之防污體，其中，於該基材之表面設置有複數個突起，以仿照該基材之複數個突起之表面的方式設置有該防污層。
9. 如申請專利範圍第8項之防污體，其中，該第1化合物及該第2化合物中之至少一者被吸附於該基材之複數個突起之表面。
10. 如申請專利範圍第9項之防污體，其中，該防污層為含有該第1化 合物及該第2化合物中之至少一者的單分子層。
11. 如申請專利範圍第1項之防污體，其中，該突起含有熱塑性樹脂組成物，該熱塑性樹脂組成物含有該第1化合物及該第2化合物中之至少一者。
12. 如申請專利範圍第1項之防污體，其中，該第1化合物係以下述式(1)或式(2)表示，該第2化合物係以下述式(3)或式(4)表示， (式中，R₁為含有C、N、S、O、Si、P或Ti之基，R₂為碳數為2個以上之基) (式中，R₁、R₂係分別獨立地含有C、N、S、O、Si、P或Ti之基)
13. 如申請專利範圍第12項之防污體，其中，該式(1)及式(2)之R₁、R₂係分別獨立地為烴基、磺基、磺醯基、磺醯胺基、羧酸基、胺基、醯胺基、磷酸基、膦基、矽烷醇基、環氧基、異氰酸酯基、氰基、硫醇基或羥基。
14. 如申請專利範圍第1項之防污體，其中，該防污層含有該第2化合物，並進一步含有末端具有鏈狀烴基之第3化合物。
15. 如申請專利範圍第14項之防污體，其中，該第3化合物係以下述式 (5)或式(6)表示，
16. 如申請專利範圍第1項之防污體，其中，該複數個突起係二維地排列。
17. 如申請專利範圍第1項之防污體，其中，該突起間之凹部對在該表面之液體產生正毛細管壓力。
18. 一種輸入裝置，其具有設置有複數個突起之輸入面，該突起含有下述第1化合物及第2化合物中之至少一者，該第1化合物於末端以外之部分具有酯鍵，該第2化合物具有環狀烴基。
19. 一種顯示裝置，其具有設置有複數個突起之顯示面，該突起含有下述第1化合物及第2化合物中之至少一者，該第1化合物於末端以外之部分具有酯鍵，該第2化合物具有環狀烴基。
20. 一種電子機器，其具有設置有複數個突起之表面，該突起含有下述第1化合物及第2化合物中之至少一者，該第1化合物於末端以外之部分具有酯鍵，該第2化合物具有環狀烴基。
21. 一種防污性物品，其具有設置有複數個突起之表面，該突起含有下述第1化合物及第2化合物中之至少一者，該第1化合物於末端以外之部分具有酯鍵，該第2化合物具有環狀烴基。
22. 一種防污體，其具有設置有複數個突起之防污性表面。