JP5891952B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置の形成方法に係わり、特に、基板面から突出して形成される壁状の電極を有する表示装置に適用可能な形成方法に関する。

近年、液晶表示装置の性能が向上しており、３〜４インチサイズの中小型の液晶表示装置においても８００×４８０画素のＷＶＧＡ表示が可能な製品が要望されている。しかしながら、ＷＶＧＡ表示が可能な中小型の液晶表示パネルでは、限られた表示領域内に複数の表示画素（以下、画素と記す。）を形成する必要があるために、１つの画素幅が３０μｍ程度となる。このために、さらなる開口率の向上や表示モード効率の向上が要望されている。

この表示モード効率を向上させた液晶表示装置として、例えば、特許文献１に記載の液晶表示装置がある。この特許文献１に記載の液晶表示装置では、画素領域の両端に対となる電極を形成し、一方の電極（画素電極，ソース電極）に映像信号を供給し、他方の電極（共通電極）に基準となる共通信号を供給することにより、液晶表示パネルの主面と平行な電界（いわゆる横電界）を生じさせ、液晶分子を駆動する構成となっている。特に、特許文献１に記載の液晶表示装置は、画素電極及び共通電極が第１基板の主面から第２基板に向かって突出して形成されるために、その延在方向が第１基板の主面に対して垂直となるように形成される壁状の電極形状となっている。このような構成とすることにより、特許文献１の液晶表示装置では、第１基板に近い領域から遠い領域（第２基板に近い領域）においても、電気力線の密度が同じとなるようにして、表示モード効率を向上させる構成となっている。

特開平６−２１４２４４号公報

しかしながら、特許文献１に記載の液晶表示装置では、画素境界に配置した壁電極と壁電極間に配置した一対の共通電極(以下、擬似壁電極とする)との間に電極が存在しない領域が形成されることとなる。すなわち、画素境界部分には隣接画素のそれぞれに対応した２つの壁電極（例えば、共通電極）が並設される構成となるので、この画素境界に形成される２つの壁電極間には他の電極が形成されないこととなる。

これに対して、例えば、画素境界に配置した壁電極と壁電極との間の領域に、一対の壁電極の延在方向に沿って形成される壁状の共通電極を形成した液晶表示装置がある。この液晶表示装置では、画素境界に形成される壁電極から壁状の共通電極との間の領域にも壁電極から延在した平板状の電極（透明電極）が形成されている。さらには、壁状の共通電極の側壁面に沿って、壁電極から延在した電極が壁状の共通電極と絶縁膜を介して形成されている。この構成では、壁状の共通電極は画素の長手方向に延在する柱状体の頭頂面及び側壁面を覆うようにして導電膜が形成されており、特に、液晶層を介して柱状体の頭頂面に形成される導電膜に至る電気力線が形成され、液晶分子を駆動する構成となっている。このために、この画素構造では、柱状体の頭頂面に形成される導電膜を露出させつつ、柱状体の側壁面に形成される導電膜は壁状電極から延在される導電膜で覆う必要があった。

一方、液晶表示装置を形成する薄膜トランジスタや画素電極等の薄膜は、周知のフォトリソグラフィ技術で形成されることが一般的である。例えば、壁電極から延在する導電膜から露出するように形成される壁状の共通電極の形成では、直方体を覆う導電膜及び該導電膜を覆う絶縁膜を形成し、その上層に導電膜を形成する。次に、光硬化性樹脂等からなるレジスト材料を塗布した後に、レジスト表面に所望パターンの光を照射した後に、現像して所望の形状のレジストを形成する。この後に、このレジストをエッチングマスク（保護膜）として当該レジストから露出される導電膜をエッチングすることによって、直方体の頭頂面の導電膜のみが壁状電極を形成する導電膜から露出される構成としていた。

しかしながら、フォトリソグラフィを用いた薄膜層の形成では、レジストを露光する際に、周知のフォトマスクを用いてレジストを露光することとなるが、このとき、フォトマスクと第１基板との位置合わせ精度が非常に重要となる。例えば、柱状体の頭頂面部分のみをエッチングする場合すなわち壁状の画素電極を形成する場合には、直方体の頭頂面の部分のみが露出されるエッチングマスクを形成する必要がある。この場合、光が照射された部分が現像処理により除去されるポジ型のレジストを用いた場合、柱状体の頭頂面のみに光が照射されるフォトマスクを用いて露光を行うこととなるが、柱状体の側壁面部分には、当該側壁面に沿った導電膜を形成する必要があるので、柱状体の側壁面方向の位置合わせ精度は導電膜の膜厚よりも高い位置合わせ精度が必要となる。

特に、断面形状が矩形となる柱状体の側壁面や頭頂面を覆うようにして形成される透明導電膜やその下層の絶縁膜等の膜厚は非常に薄い構成となっている。このために、フォトマスクと第１基板との位置合わせ精度も非常に高い位置合わせ精度が必要であると共に、形成精度の非常に高いフォトマスクを用いる必要があり、第１基板の面内方向に形成される薄膜層と同程度の精度で壁状の共通電極を形成する技術が切望されている。

本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、画素内での電界分布を均一にすることにより、表示モード効率を向上させることが可能な表示装置の形成方法を提供することにある。

（１）前記課題を解決すべく、本発明の表示装置の製造方法は、少なくとも第１基板の法線方向に突出するように形成される構造体と、前記構造体の側壁面に形成される電極と、を備える表示装置の製造方法であって、
前記電極となる透明導電膜を形成する工程と、
前記構造体の頭頂面に形成される前記透明導電膜の上面に、レジスト膜に対する濡れ性が低い低親和性材料を形成する工程と、
前記透明導電膜の上層に液体状のレジスト材料を塗布した後に固化し、レジスト膜を形成する工程と、
前記低親和性材料を除去し、前記レジスト膜に前記透明導電膜が露出する開口部を形成する工程と、
前記レジスト膜を保護膜として下層の前記透明導電膜をエッチングする工程と、
前記レジスト膜を除去する工程と、
を有し、
前記構造体は、少なくとも長手方向の画素境界部分に形成される第１構造体からなり、
前記電極は、前記第１構造体の側壁面に形成される一対の第１壁状電極からなる第１電極と、前記一対の第１壁状電極に挟まれる画素表示領域に形成され、前記第１電極の延在方向に沿って形成される第２電極とからなり、
前記低親和性材料の塗布位置は、少なくとも前記第１構造体の頭頂面を含むことを特徴とする。

本発明によれば、画素内での電界分布を均一にすることにより、表示モード効率を向上させることができる。

本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。

本発明の実施形態１の表示装置である液晶表示装置の全体構成を説明するための平面図である。 本発明の実施形態１の表示装置である液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。 本発明の実施形態１の表示装置である液晶表示装置における壁画素電極の形成工程を説明するための図である。 本発明の実施形態１の表示装置である液晶表示装置における壁画素電極の形成工程を説明するための図である。 本発明の実施形態１の表示装置である液晶表示装置の製造方法で形成された画素構造を説明するための断面図である。 本発明の実施形態１の表示装置である液晶表示装置における他の画素構成を説明するための断面図である。 本発明の実施形態２の表示装置である液晶表示装置における壁画素電極の形成工程を説明するための図である。 フォトリソグラフィ技術を用いた従来の製造方法を用いた壁画素電極の形成工程を説明するための図である。 従来の製造方法を用いた壁画素電極の露光工程においてフォトマスクと第１基板とに位置合わせずれが生じた場合を説明するための図である。

以下、本発明が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明は省略する。また、Ｘ，Ｙ，ＺはそれぞれＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を示す。

《実施形態１》
図１は本発明の実施形態１の表示装置である液晶表示装置の全体構成を説明するための平面図であり、以下、図１に基づいて、本発明の液晶表示装置の全体構成を説明する。なお、本願明細中においては、カラーフィルタＣＦや偏光板などによる吸収の影響や開口率の影響を除いた透過率を表示モード効率とする。従って、バックライトユニット側の偏光板から出射した直線偏光の振動方向が表示面側の偏光板に入射する際に、９０度回転している場合の表示モード効率は１００％となる。

図１に示すように、本発明の液晶表示装置は、画素電極ＰＸや薄膜トランジスタＴＦＴ等が形成される第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向して配置されカラーフィルタ等が形成される第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とで挟持される液晶層とで構成される液晶表示パネルＰＮＬを有する。また、液晶表示パネルＰＮＬと光源となる図示しないバックライトユニット（バックライト装置）とを組み合わせることにより、液晶表示装置が構成されている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との固定及び液晶の封止は、第２基板の周辺部に環状に塗布されたシール材ＳＬで固定され、液晶も封止される構成となっている。ただし、実施形態１の液晶表示装置では、液晶が封入された領域の内で表示画素（以下、画素と略記する）の形成される領域が表示領域ＡＲとなる。従って、液晶が封入されている領域内であっても、画素が形成されておらず表示に係わらない領域は表示領域ＡＲとはならない。

また、第２基板ＳＵＢ２は第１基板ＳＵＢ１よりも小さな面積となっており、第１基板ＳＵＢ１の図中下側の辺部を露出させるようになっている。この第１基板ＳＵＢ１の辺部には、半導体チップで構成される駆動回路ＤＲが搭載されている。この駆動回路ＤＲは、表示領域ＡＲに配置される各画素を駆動する。なお、以下の説明では、液晶表示パネルＰＮＬの説明においても、液晶表示装置と記すことがある。また、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２としては、例えば周知のガラス基板が基材として用いられるのが一般的であるが、樹脂性の透明絶縁基板であってもよい。

実施形態１の液晶表示装置では、第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面であって表示領域ＡＲには、図１中Ｘ方向に延在しＹ方向に並設され、駆動回路ＤＲからの走査信号が供給される走査信号線（ゲート線）ＧＬが形成されている。また、図１中Ｙ方向に延在しＸ方向に並設され、駆動回路ＤＲからの映像信号（階調信号）が供給される映像信号線（ドレイン線）ＤＬが形成されている。隣接する２本のドレイン線ＤＬと隣接する２本のゲート線ＧＬとで囲まれる領域が画素を構成し、複数の画素がドレイン線ＤＬ及びゲート線ＧＬに沿って、表示領域ＡＲ内においてマトリックス状に配置されている。

各画素は、例えば、図１中丸印Ａの等価回路図Ａ’に示すように、ゲート線ＧＬからの走査信号によってオン／オフ駆動される薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介してドレイン線ＤＬからの映像信号が供給される壁状の画素電極ＰＸと、コモン線ＣＬを介して映像信号の電位に対して基準となる電位を有する共通信号が供給される壁状の共通電極ＣＴとを備えている。図１中丸印Ａの等価回路図Ａ’においては、画素電極ＰＸ及び共通電極ＣＴを模式的に線状に記しているが、実施形態１の壁画素電極ＰＸ及び壁共通電極ＣＴの構成については、後に詳述する。なお、実施形態１の薄膜トランジスタＴＦＴは、そのバイアスの印加によってドレイン電極とソース電極が入れ替わるように駆動するが、本明細書中においては、便宜上、ドレイン線ＤＬと接続される側をドレイン電極、壁画素電極ＰＸと接続される側をソース電極と記す。

壁画素電極ＰＸと壁共通電極ＣＴとの間には、第１基板ＳＵＢ１の主面に平行な成分を有する電界が生じ、この電界によって液晶の分子を駆動させるようになっている。このような液晶表示装置は、いわゆる広視野角表示ができるものとして知られ、液晶への電界の印加の特異性から横電界方式と称される。また、実施形態１の液晶表示装置においては、液晶に電界が印加されていない場合に光透過率を最小（黒表示）とし、電界を印加することにより光透過率を向上させていくノーマリブラック表示形態で表示を行うようになっている。

各ドレイン線ＤＬ及び各ゲート線ＧＬはその端部においてシール材ＳＬを越えてそれぞれ延在され、外部システムからフレキシブルプリント基板ＦＰＣを介して入力される入力信号に基づいて、映像信号や走査信号等の駆動信号を生成する駆動回路ＤＲに接続される。ただし、実施形態１の液晶表示装置では、駆動回路ＤＲを半導体チップで形成し第１基板ＳＵＢ１に搭載する構成としているが、映像信号を出力する映像信号駆動回路と走査信号を出力する走査信号駆動回路との何れか一方又はその両方の駆動回路をフレキシブルプリント基板ＦＰＣにテープキャリア方式やＣＯＦ（Chip On Film）方式で搭載し、第１基板ＳＵＢ１に接続させる構成であってもよい。

〈画素の詳細構成〉
図２は本発明の実施形態１の表示装置である液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図であり、特に、画素の短手方向の断面図である。ただし、図２に示す断面図では、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の液晶層ＬＣと対向する側の面（液晶表示装置の表示面側及び裏面側）に配置される周知の偏光板、及び第２基板ＳＵＢ２の液晶層ＬＣの側の面に形成される配向膜は省略する。また、偏光板については、周知の技術を用いて、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の液晶層ＬＣの側の面に形成する構成であってもよい。

図２に示すように、実施形態１の液晶表示装置では、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが液晶層ＬＣを介して対向配置される構成となっている。このとき、実施形態１の画素では、第１基板ＳＵＢ１の上面（液晶側面）にはドレイン線ＤＬが形成され、このドレイン線ＤＬをも覆うようにして、絶縁膜ＰＡＳ１が形成されている。この絶縁膜ＰＡＳ１の液晶側面には、大きな凸状をなし、その断面形状がほぼ矩形状をなすと共に、Ｙ方向に延在する柱状形状の絶縁膜(以下、壁電極絶縁膜と記す)ＰＡＳ３が形成されている。また、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３は画素のＸ方向の配置に対しては、画素の辺縁部となる隣接画素との境界部分（画素境界部分）に形成されている。この壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の側面（側壁面） には、その側面（側壁面）を覆うようにして、周知のＩＴＯ（tin-doped indium oxide），ＧＺＯ，ＡＺＯ等からなる透明導電膜が形成され、第１壁状電極ＰＸ１を構成している。また、第１壁状電極ＰＸ１の基板側の辺縁部からは平面方向（第１基板ＳＵＢ１の面内方向）に伸びた透明導電膜が形成され、平面電極ＰＸＣを構成している。さらには、平面電極ＰＸＣの共通電極ＣＴ１側の辺縁部から第２基板ＳＵＢ２の方向に伸びた透明導電膜が形成され、第２壁状電極ＰＸ２を構成している。このとき、第１壁状電極ＰＸ１、平面電極ＰＸＣ及び第２壁状電極ＰＸ２は電気的に接続されており、壁状電極ＰＸ１、平面電極ＰＸＣ及び第２壁状電極ＰＸ２を併せて壁画素電極（第１電極）ＰＸが構成されている。特に、実施形態１においては、平面電極ＰＸＣと液晶層ＬＣとの間には絶縁膜ＰＡＳ５が形成され、画素境界に第１壁状電極ＰＸ１が配置され、一対の壁画素電極ＰＸで１つの画素ＰＸＬが構成されている。

実施形態１の画素を構成する一対の壁画素電極ＰＸ（第１壁状電極ＰＸ１）間には、液晶層ＬＣを介して一対の電極（共通電極）ＣＴ１，ＣＴ２が対向して配置される構成となっている。すなわち、第２基板ＳＵＢ２の側に共通電極ＣＴ２が形成され、第１基板ＳＵＢ１の側に共通電極ＣＴ１が形成され、２つの共通電極ＣＴ１，ＣＴ２により擬似的な壁状の共通電極（以下、擬似壁共通電極と記す）ＣＴが構成されている。なお、実施形態１の画素構成では画素の両端から延在する一対の壁画素電極ＰＸを映像信号が供給されるソース電極とし、一対の壁画素電極ＰＸの間に配置される擬似壁共通電極ＣＴを共通信号が供給されるコモン電極とするが、画素両端の壁画素電極ＰＸに共通信号を供給し、擬似壁共通電極ＣＴに映像信号を供給する構成としてもよい。ただし、この場合には、共通電極ＣＴ２を設けない構成とする。

また、図２中の丸印Ｂの拡大図Ｂ’に示すように、絶縁膜ＰＡＳ１の液晶側面には、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３よりも小さな凸状をなし、その断面形状がほぼ矩形状をなすと共に、Ｙ方向に延在する柱状形状の絶縁膜(以下、擬似壁電極絶縁膜と記す)ＰＡＳ４が形成されている。この擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４は、少なくとも画素の短手方向（画素のＸ方向）に対して形成される一対の壁電極絶縁膜ＰＡＳ３との間の領域に形成されている。擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４には、その側壁面に沿って画素保持電極ＰＸＣの端部が液晶層ＬＣの側すなわち第２基板ＳＵＢ２の側に突出（延在）するように形成され、壁状の電極となる第２壁状電極ＰＸ２を形成している。すなわち、実施形態１の画素構成においては、壁状の電極を形成するための壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の側壁面に沿った壁状電極ＰＸ１，ＰＸ２を備えると共に、共通電極ＣＴ１は擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂面に形成される部分のみが、液晶層ＬＣの側すなわち第２基板ＳＵＢ２の側に露出される構成となっている。

すなわち、共通電極ＣＴ１を形成する透明導電膜の内で、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂面に形成される部分を除く他の部分の透明導電膜は、絶縁膜ＰＡＳ２を介して壁画素電極ＰＸを形成する透明導電膜と対向配置される構成となっている。この構成では、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂面に形成される共通電極ＣＴ１の部分のみが壁画素電極ＰＸよりも液晶層ＬＣの側に配置され、他の電極部分は平面電極ＰＸＣよりも第１基板ＳＵＢ１の側に配置されることとなる。従って、図２に示すように、第２壁状電極ＰＸ２は薄い層間絶縁膜である絶縁膜ＰＡＳ２から膜厚分だけ離れて共通電極ＣＴ１が配置されることとなるので、第２壁状電極ＰＸ２と共通電極ＣＴ１との間には非常に密な電気力線が生じる。その結果、第２壁状電極ＰＸ２と共通電極ＣＴ１との間に強い電界を得ることができ、この強い電界により擬似壁共通電極ＣＴ上の液晶ＬＣが動きやすくなることから、実施形態１の画素構成は従来の壁状電極を有する画素構成よりも高い表示モード効率を得ることができる。このとき、第２壁状電極ＰＸ２の下層に絶縁膜ＰＡＳ２を介して共通電極ＣＴ１が形成される構成となっているので、絶縁膜ＰＡＳ２の膜厚すなわち第２壁状電極ＰＸ２と共通電極ＣＴ１との層間距離を小さくすることにより、２つの電極間にはより強い電界を生じさせることができる。

また、実施形態１の画素構成では、画素境界の壁電極絶縁膜（第１構造体）ＰＡＳ３間には、該壁電極絶縁膜ＰＡＳ３よりも低い壁状構造を実現するために、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３と同様の方向（Ｙ方向）に延在する柱状の絶縁膜(以下、擬似壁電極絶縁膜と記す)ＰＡＳ４が形成されている。擬似壁共通電極ＣＴの第１基板ＳＵＢ１側の電極である共通電極（第２電極）ＣＴ１は擬似壁電極絶縁膜（第２構造体）ＰＡＳ４を覆うように形成されると共に、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の基板に接する面から平面方向（第１基板ＳＵＢ１の面内方向）に延在する構成となっている。この共通電極ＣＴ１の内で、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４を覆う電極（以下、壁状共通電極と記す）ＣＴＷから延在する平面共通電極（第２平面電極）ＣＴＣは、壁画素電極ＰＸを構成する平面電極ＰＸＣと層間絶縁膜ＰＡＳ２を介して重畳配置され、保持容量Ｃｓｔを形成している。このとき、壁状共通電極ＣＴＷの内で擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の側壁面部分と第２壁状電極ＰＸ２とも層間絶縁膜ＰＡＳ２を介して重畳する構成となっているので、この重畳部分も保持容量Ｃｓｔの形成に寄与することとなる。このように、実施形態１の画素構成では、壁画素電極ＰＸと共通電極ＣＴ１とで保持容量Ｃｓｔを形成する構成となっているので、各画素内に保持容量Ｃｓｔを形成するための電極を形成することが不要となる。その結果、バックライト光が通過する画素の領域を大きくすることが可能となり、開口率を向上することができるので、表示品質を向上できる。

また、実施形態１の画素構成では、黒表示時における隣接画素やドレイン線ＤＬから第１基板を介して回り込む電気力線を第２平面電極ＣＴＣで遮蔽することができる。従って、第１基板ＳＵＢ１の側に配置される共通電極ＣＴ１と、第２基板ＳＵＢ２の側に配置される共通電極ＣＴ２とによって擬似壁電極を形成する構成であっても、黒表示時の画素ＰＸＬの擬似壁電極ＣＴと、この画素ＰＸＬに隣接する画素ＰＸＬやドレイン線ＤＬとの間に生じる電界（電気力線）が液晶層ＬＣに到達することを防止でき、黒表示時の表示モード効率を低減（向上）させることができる。

さらには、実施形態１の画素構成では、白表示時においては、壁画素電極ＰＸを形成する平面電極ＰＸＣが、当該画素電極ＰＸからの隣接する画素ＰＸＬへの電界を遮蔽する遮蔽電極として機能する。従って、第１基板ＳＵＢ１の側に配置される共通電極ＣＴ１と第２基板ＳＵＢ２の側に配置される共通電極ＣＴ２とによって擬似壁電極ＣＴを形成すると共に、該擬似壁共通電極ＣＴを介して一対の画素電極ＰＸを形成する構成であっても、隣接画素や近傍の信号線等からの電界が第１基板ＳＵＢ１側から回り込んで画素ＰＸＬ内の液晶分子に印加されることを防止できる。

すなわち、実施形態１の画素構造では、壁画素電極ＰＸの下端側から延在する平面電極ＰＸＣの他端が擬似壁共通電極ＣＴを形成する擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の側壁面に形成される第２壁状電極ＰＸ２に接続されるように形成されるため、平面電極ＰＸＣから発生した電気力線はほとんど擬似壁共通電極ＣＴに向かうこととなる。従って、壁画素電極ＰＸと擬似壁共通電極ＣＴとの間の電界強度を均一化でき、白表示モード効率を向上することができる。

一方、液晶層ＬＣを介して対向配置される第２基板ＳＵＢ２の液晶面側には、遮光層となるブラックマトリクスＢＭ、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）に対応したカラーフィルタＣＦ、共通電極（第３電極）ＣＴ２、及びその上面を覆うオーバーコート層ＯＣが形成されている。

〈製造方法（形成方法）の詳細説明〉
次に、図３及び図４に本発明の実施形態１の表示装置である液晶表示装置における壁画素電極の形成工程を説明するための図を示し、以下、図３及び図４に基づいて、壁状共通電極ＣＴＷと絶縁膜ＰＡＳ２を介して重畳される第２壁状電極ＰＸ２部分の形成方法について詳細に説明する。ただし、実施形態１の液晶表示装置は、第１基板ＳＵＢ１に形成される第２壁状電極ＰＸ２の形成工程を除く他の薄膜層の形成工程は従来と同様となる。また、以下の説明では、第２壁状電極ＰＸ２の形成工程について詳細に説明するが、第１壁状電極ＰＸ１の形成も第２壁状電極ＰＸ２の形成工程と同様の工程となる。また、実施形態１の液晶表示装置では、レジストＲＥＧに形成する開口部の全てを低親和性材料ＬＡＦで形成するので、感光性を有しない親水性のレジスト材料を用いることも可能である。

ａ）透明導電膜の形成工程
第１基板ＳＵＢ１の液晶面側に順次、ゲート線ＧＬ等を含む薄膜トランジスタＴＦＴ、ドレイン線ＤＬ、層間絶縁膜ＰＡＳ１、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３、共通電極ＣＴ１、及び層間絶縁膜ＰＡＳ２が形成される。この後に、図３（ａ）に示すように、層間絶縁膜ＰＡＳ２の上層に、少なくとも第１基板ＳＵＢ１の画素領域ＡＲの全面を覆うようにして、壁画素電極ＰＸとなる透明導電膜を形成する。

ｂ）低親和性材料ＬＡＦの塗布工程
壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂部分を覆う透明導電膜の上層部分の領域に、疎水性を有する材料すなわちレジスト（第１のレジスト）ＲＥＧに対する親和性が低い材料（以下、低親和性材料と記す）ＬＡＦを塗布し、固定化する（図３（ｂ））。このときの低親和性材料（第２のレジスト）ＬＡＦを塗布する領域としては、後述の工程においてレジストＲＥＧの開口部となる部分すなわちレジストＲＥＧの下層に形成される透明導電膜をエッチングする部分に相当する領域である。なお、低親和性材料ＬＡＦとしてはレジストＲＥＧを形成するためのレジスト材料に対して濡れ性が低い性質を有し、液体状のレジストＲＥＧをはじく性質を有する材料であり、例えば、ポリビニルアルコール（polyvinyl alcohol，ＰＶＡ）や尿素樹脂等の親水性を有する材料、さらには周知の親水性のレジスト等を用いる構成であってもよい。また、低親和性材料ＬＡＦを塗布する領域は、後述のエッチング工程において第２壁状電極ＰＸ２がエッチングされてしまうような開口部が形成されない範囲であるならば、必要に応じて頭頂部分の周辺も含める構成であってもよい。

このとき、実施形態１の低親和性材料ＬＡＦの塗布工程では、レジストＲＥＧに開口部を形成するための全ての領域に低親和性材料ＬＡＦを塗布する構成としたが、これに限定されることはない。例えば、後述するように、低親和性材料ＬＡＦの塗布方法に応じて、レジストＲＥＧに形成する開口部を低親和性材料ＬＡＦの塗布のみで行う場合と、少なくとも壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂部分に低親和性材料ＬＡＦを塗布し、他の領域の開口部は従来と同様のレジストＲＥＧの露光・現像とによって行う場合とのいずれであってもよい。

低親和性材料ＬＡＦの塗布は、例えば、インクジェット方式で第１基板ＳＵＢ１の表面に低親和性材料ＬＡＦを直接印刷する方法や、転写方式で低親和性材料ＬＡＦを転写する方法等の種々の方式を適用可能である。

インクジェット方式で低親和性材料ＬＡＦを第１基板ＳＵＢ１の表面に直接印刷する場合、印刷直後には液体状の親和性材料ＬＡＦにはその表面張力により壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂部分に留まろうとする力が作用するので、いわゆるセルフアライメント効果を得られることとなる。その結果、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂面に、精度よく正確に低親和性材料ＬＡＦを印刷（塗布）することが可能となる。特に、インクジェット方式は任意の位置に低親和性材料ＬＡＦを塗布することができるので、低親和性材料ＬＡＦの塗布のみで、後に詳述するレジストＲＥＧの開口部を形成できるという格別の効果を得ることができる。

また、インクジェット方式での塗布では、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂部への低親和性材料ＬＡＦの塗布をそれぞれ個別に制御することが可能となる。従って、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂部の内で、何れか一方の頭頂部のみに低親和性材料ＬＡＦを塗布し、他方の頭頂部には塗布しないことも可能である。ただし、この場合には次の工程における液体状のレジストＲＥＧの塗布の後に、周知の露光・現像処理により薄膜状のレジストＲＥＧに開口部を形成する必要がある。

一方、転写方式による低親和性材料ＬＡＦの塗布では、フィルム上の薄膜シートの表面に第２のレジスト材料である低親和性材料ＬＡＦが配置され、第１基板ＳＵＢ１の表面に低親和性材料ＬＡＦを転写させる転写フィルムを用いる。ただし、この転写フィルムを用いる場合には、フィルム表面の転写用の低親和性材料ＬＡＦとして、親水性の材料が配置される転写フィルムを用いる。

この転写フィルムを用いた低親和性材料ＬＡＦの塗布では、第１基板ＳＵＢ１の表面に凸状に突出する壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４のそれぞれに低親和性材料ＬＡＦを塗布する構成となる。もしくは、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４よりも大きい壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の頭頂部のみに低親和性材料ＬＡＦを塗布する構成となる。例えば、低親和性材料ＬＡＦとして親水性の材料を転写させる転写フィルムを用い、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂面に親水性材料を転写する。このとき、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂部は他の部分よりも第１基板ＳＵＢ１の表面側に大きく突出して形成されているので、正確かつ容易に頭頂部のみに低親和性材料ＬＡＦを塗布することが可能となる。すなわち、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４を形成する工程においてもリソグラフィ技術を用いて形成されることとなるので、その形成位置も第１基板ＳＵＢ１とフォトマスクとの位置合わせ精度に起因する誤差を有することとなる。しかしながら、転写フィルムを用いた場合には、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４が第１基板ＳＵＢ１の表面から突出した部分のみに低親和性材料ＬＡＦが転写されることとなるので、いわゆるセルフアライメント効果を得られることとなる。その結果、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂面に精度よく低親和性材料ＬＡＦを塗布することができるという格別の効果を得られる。

なお、転写方式では、凸状に形成される部分の頭頂部への低親和性材料ＬＡＦの塗布（転写）には好適であるが、凸状部分に近接する領域への低親和性材料ＬＡＦの塗布は困難な場合がある。従って、壁画素電極ＰＸとなる透明導電膜をドレイン線ＤＬの延在方向（Ｙ方向）に分離するためにレジストＲＥＧに設ける開口部の形成においては、従来と同様に、感光性のレジストＲＥＧを用いると共に、露光・現像処理によって開口部を形成する構成であってもよい。

また、インクジェット方式で低親和性材料ＬＡＦを塗布する場合と同様に、転写フィルムで塗布する低親和性材料ＬＡＦは周知のレジスト材料に限定されることはない。例えば、後に詳述する低親和性材料ＬＡＦの剥離工程において、容易に剥離可能な材料であるならば、光硬化性樹脂等の他の用途の合成樹脂等を低親和性材料ＬＡＦとして用いる構成であってもよい。

ｃ）レジストＲＥＧの塗布工程
図３（ｃ）に示すように、第１基板ＳＵＢ１の液晶層ＬＣの側の全面に液体状のレジストＲＥＧをスピンコーター法やスリットコーター法等の周知の方法で塗布した後に、このレジストＲＥＧを硬化させ薄膜状のレジストＲＥＧを形成する。このとき、実施形態１の構成では、低親和性材料ＬＡＦに対して濡れ性が低い反濡れ性の性質を有するレジスト材料、すなわち低親和性材料ＬＡＦに対して親和性が低いレジスト材料を用いる。このようなレジスト材料としては、例えば、フッ素樹脂等の疎水性を有するレジスト材料がある。

この液体状のレジストＲＥＧを第１基板ＳＵＢ１の表面に塗布した時、レジストＲＥＧに対して親和性の低い材料である低親和性材料ＬＡＦが少なくとも壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂部分を覆う透明導電膜の上層に予め塗布されているので、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂部分を覆う透明導電膜の上層には液体状のレジストＲＥＧは塗布されないこととなる。すなわち、第１基板ＳＵＢ１の表面に塗布された液体状のレジストＲＥＧは、親水性の低親和性材料ＬＡＦとの相互作用によって、低親和性材料ＬＡＦが塗布された部分では液体状のレジストＲＥＧがはじかれることとなる。

その結果、図３（ｃ）に示すように、塗布後のレジストＲＥＧを硬化する硬化処理においても、この壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂部分を覆う透明導電膜の上層にはレジストＲＥＧが形成されない構成となる。

ｄ）低親和性材料ＬＡＦの除去
例えば、周知のドライプロセスやウェットプロセス等で低親和性材料ＬＡＦのみを選択的に除去（剥離）する。このとき、低親和性材料ＬＡＦとして周知の親水性のレジスト材料を用いた場合には、この親水性のレジスト材料に対応した周知の光励起アッシング装置やプラズマアッシング装置を用いることにより、低親和性材料ＬＡＦのみの選択的な除去（剥離，第１のアッシャ処理）が可能である。なお、低親和性材料ＬＡＦとして他の親水性の材料を用いた場合は、その低親和性材料ＬＡＦに対応した第１のアッシャ処理を行うことにより、低親和性材料ＬＡＦを除去する。

この低親和性材料ＬＡＦの除去処理（第１のアッシャ処理）によって、図４（ｄ）に示すように、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂部分に形成される透明導電膜がレジストＲＥＧから露出されることとなる。すなわち、レジストＲＥＧの下層側に形成された透明導電膜をパターンニングする際の保護膜となるレジストＲＥＧが形成されることとなる。この場合、低親和性材料ＬＡＦの塗布とその除去のみでレジストＲＥＧに開口部を形成することができレジストＲＥＧの露光・現像処理が不要となるので、第１基板ＳＵＢ１を製造するためのスループットを大きく向上することができるという格別の効果を得ることができる。また、低親和性材料ＬＡＦはセルフアライメント効果によって壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂部分に高精度で形成されるので、当該低親和性材料ＬＡＦの除去で形成されるレジストＲＥＧの開口部も製造装置の位置合わせ精度以上の精度で形成できる。その結果、共通電極ＣＴ１と共通電極ＣＴ２とで形成される擬似壁共通電極ＣＴと壁画素電極ＰＸとの間に生じる電気力線が所望の電気力線となるので、表示モード効率を向上させることができ、表示品質を向上できる。

ただし、前述した「ｂ）低親和性材料ＬＡＦの塗布工程」において、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂面にのみ低親和性材料ＬＡＦを塗布した場合、当該工程では壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂面にのみレジストＲＥＧの開口部が形成されることとなる。このため、レジストＲＥＧに他の開口部を形成する必要がある場合には、低親和性材料ＬＡＦの除去前あるいは除去後に、従来と同様に、フォトマスクＰＭを用いた露光・現像処理により、レジストＲＥＧに他の開口部を形成する。

ｅ）透明導電膜のエッチング工程
次に、周知のエッチング処理により、レジストＲＥＧから露出される部分の透明導電膜をエッチングし、その下層に形成される層間絶縁膜ＰＡＳ２を露出させる。すなわち、レジストＲＥＧをエッチングマスクとしたウェットエッチングによって、レジストＲＥＧの開口部から露出される透明導電膜を除去する。このエッチング処理によって、図４（ｅ）に示すように、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂部分の透明導電膜のみが除去される。このとき、図示しない壁電極絶縁膜ＰＡＳ３においても、頭頂部分の透明導電膜のみが除去されることとなる。なお、エッチング方法はウェットエッチングに限定されることはなく、周知のドライエッチングであってもよい。

ｆ）レジストＲＥＧの除去工程
次に、周知の光励起アッシング装置やプラズマアッシング装置を用いて、レジスト材料に対応した除去（剥離）処理（第２のアッシャ処理）を行う。このレジストＲＥＧの除去により、図４（ｆ）に示すように、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４のＸ１側とＸ２側の側壁面に第２壁状電極ＰＸ２が形成される。同様にして、図示しない壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の側壁面には第１壁状電極ＰＸ１が形成される。

この後に、周知の薄膜形成によって絶縁膜ＰＡＳ５を形成した後に、その上層に配向膜ＯＲＩを形成し、ラビング処理等の周知の配向処理を行うことによって、第１基板ＳＵＢ１が形成される。このように、実施形態１の製造方法（形成方法）においては、レジストＲＥＧを塗布する前に低親和性材料ＬＡＦによって開口部すなわちエッチングマスクパターンを形成しておき、レジストＲＥＧの塗布・固化及び低親和性材料ＬＡＦの除去（剥離）によって、レジストＲＥＧからなるエッチングマスクを形成する。

図５は本発明の実施形態１の表示装置である液晶表示装置の製造方法で形成された画素構造を説明するための断面図である。図５から明らかなように、前述する製造方法では、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の側壁面側に形成される透明導電膜がエッチングされることなく、当該壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の上部の透明導電膜のみがエッチングされた透明電極（壁画素電極ＰＸ）を形成することができる。その結果、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の図５中の左右（図４（ｆ）のＸ１側とＸ２側に相当）に形成される第２壁状電極ＰＸ２の形状を略同一形状とすることが可能となる。さらには、同一画素内の辺縁部に形成される第１壁状電極ＰＸ１も対称な形状で形成でき、特に、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４を画素の短手方向（Ｘ方向）の中央部に形成する構成では、同一の画素内において、壁画素電極ＰＸを短手方向に対して対称な形状で形成することができる。すなわち、同一の画素内において、第１基板ＳＵＢ１を用いる液晶表示装置における擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４のＸ１側とＸ２側とで、壁画素電極ＰＸを対称な構成で形成することができる。その結果、液晶表示装置の表示モード効率を向上させることができるので、さらに表示品質を大幅に向上させることが可能となる。

また、レジストＲＥＧを形成するための液体状のレジストＲＥＧの塗布工程においては、低親和性材料ＬＡＦが形成される壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂部では、塗布したレジストＲＥＧが低親和性材料ＬＡＦにより反発されてレジストＲＥＧが塗布されない領域が形成されると共に、低親和性材料ＬＡＦが塗布されていない領域には従来と同様にレジストＲＥＧが塗布されることとなるので、次の工程において、低親和性材料ＬＡＦのみを選択的に除去することによって、低親和性材料ＬＡＦが形成された領域を開口部とするレジストＲＥＧすなわち壁画素電極ＰＸの形成パターンに対応したエッチングマスクをセルフアライメント効果により高精度の位置合わせ精度で形成することができ、レジストＲＥＧの開口部の形成位置のずれに伴う壁画素電極ＰＸを形成する第２壁状電極ＰＸ２や第１壁状電極ＰＸ１の形成不良を防止することができる。

さらには、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４を画素の短手方向（Ｘ方向）の中央部に形成する構成では、同一の画素内において、短手方向に対して対称な形状で壁画素電極ＰＸを形成することができる。その結果、液晶表示装置の表示モード効率を向上させることができ、さらに表示品質を大幅に向上させることができる。

また、本願発明の液晶表示装置の製造方法は、第１壁状電極ＰＸ１、平面電極ＰＸＣ及び第２壁状電極ＰＸ２で壁画素電極ＰＸが形成される場合に限定されることはなく、例えば、図６に示すように、第１壁状電極ＰＸ１及び平面電極ＰＸＣにより壁画素電極ＰＸが形成される液晶表示装置にも適用可能である。この図６に示す液晶表示装置は、壁画素電極ＰＸが図１に示す液晶表示装置と異なるのみで、他の構成は図１に示す液晶表示装置と同様の構成となっている。従って、本願発明の液晶表示装置の製造方法を適用する場合には、前述する「ｂ）低親和性材料ＬＡＦの塗布工程」において、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の頭頂面にのみ低親和性材料ＬＡＦを塗布する、又は壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂面、並びに擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の側壁面とその近傍に低親和性材料ＬＡＦを塗布することにより、レジストＲＥＧに所望の開口部を形成することができるので、前述する効果を得られる。

これに対して、フォトリソグラフィ技術を用いた従来の製造方法で壁画素電極を形成する場合には、フォトマスクと第１基板ＳＵＢ１との位置合わせずれが生じることとなるので、壁画素電極ＰＸを構成する第１壁状電極ＰＸ１及び第２壁状電極ＰＸ２の形成が非常に困難となる。

図８にフォトリソグラフィ技術を用いた従来の製造方法を用いた壁画素電極の形成工程を説明するための図、図９に従来の製造方法を用いた壁画素電極の露光工程においてフォトマスクと第１基板とに位置合わせずれが生じた場合を説明するための図を示し、以下、フォトリソグラフィ技術を用いた従来の製造方法でのレジストパターン転写時における位置合わせずれについて詳細に説明する。ただし、図８は感光性のレジストを用いて第２壁状電極ＰＸ２を形成する工程を説明するための拡大図であり、実施形態１の図３及び図４に対応する図である。また、以下の説明では、ポジ型のレジストを用いる場合について説明する。

フォトリソグラフィ技術を用いた壁画素電極ＰＸの従来の形成工程では、図８（ａ）に示すように、まず第１基板ＳＵＢ１の液晶層ＬＣの側の面に液体状のレジストを、例えば周知のスピンコーターやスリットコーター等により塗布する。次に、塗布されたレジストを予備乾燥（プリベーク）することによって、第１基板ＳＵＢ１の液晶層ＬＣの側を覆う薄膜状のレジストＲＥＧを形成する。

次に、壁画素電極ＰＸの形成パターンに対応した露光用のフォトマスクＰＭを用いて、図８（ｂ）に示すように、レジストＲＥＧの上方から露光光ＬＧを照射し、レジストＲＥＧに壁画素電極ＰＸの形成パターンを転写する。

次に、レジストＲＥＧを現像・焼成処理して、図８（ｃ）に示すように、壁画素電極ＰＸの形成パターンに対応した開口部が形成されるレジストＲＥＧすなわち保護膜を形成する。このとき、レジストＲＥＧの開口部から露出される透明導電膜が後の工程でエッチングされる領域となる。

次に、ウェットエッチング等により透明導電膜をエッチング処理することにより、レジストＲＥＧの開口部から露出される透明導電膜を除去し、この後に、レジストＲＥＧも除去（剥離）する。その結果、図８（ｄ）に示すように、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４のＸ１側及びＸ２側の側壁面に第２壁状電極ＰＸ２が形成される壁画素電極ＰＸが形成されることとなる。

しかしながら、図８（ｄ）に示す第２壁状電極ＰＸ２を形成するためには、図８（ｂ）に示すレジストＲＥＧの露光工程において、特に、Ｘ方向に対する第１基板ＳＵＢ１とフォトマスクＰＭとの位置合わせ精度が少なくとも透明導電膜の膜厚に対して高い精度が必要となる。

例えば、図９（ａ）に示すように、第１基板ＳＵＢ１に対してフォトマスクＰＭがＸ２側に、第２壁状電極ＰＸ２となる透明導電膜の膜厚以上のずれが生じた場合、レジストＲＥＧの露光個所もＸ２側にずれてしまうこととなる。この場合、レジストＲＥＧの現像処理によって形成される当該レジストＲＥＧの開口部も、図９（ｂ）に示すように、Ｘ２側にずれて形成されることとなる。

このためにエッチング工程では、レジストＲＥＧの開口部に対応した領域の透明導電膜がエッチングされることとなる。その結果、図９（ｃ）に示すように、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４のＸ１側では、第２壁状電極ＰＸ２は、その先端部分が擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の上方を覆う形状で形成されることとなる。一方、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４のＸ２側では、第２壁状電極ＰＸ２を形成する透明導電膜がエッチング工程でエッチング（除去）されてしまうので、第２壁状電極ＰＸ２が形成されないこととなる。すなわち、同一の画素内において、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４のＸ２側では、壁画素電極ＰＸは第１壁状電極ＰＸ１と平面電極ＰＸＣとのみで形成され、第２壁状電極ＰＸ２を有しない電極構造となってしまう。

このように、周知のフォトリソグラフィ技術を用いて実施形態１の画素構造を形成する場合には、露光装置の位置合わせ精度が透明導電膜の膜厚以下の場合には、前述するように、同一の画素内において、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４のＸ１側とＸ２側とで壁画素電極ＰＸの構成が大きく異なることとなり、非対称な構成となってしまうので、表示モード効率及び表示品質が大きく低下してしまうこととなる。

以上説明したように、本願発明の実施形態１の表示装置である液晶表示装置の製造方法では、第１基板ＳＵＢ１の法線方向に突出するように形成される構造体である壁電極絶縁膜ＰＡＳ３又は／及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４と、該壁電極絶縁膜ＰＡＳ３又は／及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の側壁面に形成される壁画素電極ＰＸとを備える液晶表示装置の壁画素電極ＰＸを製造する際に、壁画素電極ＰＸとなる透明導電膜を形成した後に、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３又は／及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂面に形成される透明導電膜の上面に、レジストＲＥＧに対する親和性が低い低親和性材料ＬＡＦを形成する。その後に、第１基板ＳＵＢ１の上面すなわち透明導電膜の上層に液体状のレジストを塗布する。このとき、低親和性材料ＬＡＦはレジストＲＥＧに対して親和性が低いすなわち濡れ性が低い材料を用いているので、塗布された液体状のレジストＲＥＧは低親和性材料ＬＡＦが形成される個所でははじかれた状態となる。次に、液体状のレジストＲＥＧを固化する固化することにより、レジスト膜ＲＥＧが形成される。次に、低親和性材料ＬＡＦを除去することにより、低親和性材料ＬＡＦが塗布されていた個所にはレジスト膜ＲＥＧが形成されていなかったので、低親和性材料ＬＡＦが塗布されていた個所である壁電極絶縁膜ＰＡＳ３又は／及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂面にはレジスト膜ＲＥＧの開口部が形成され、この開口部から透明導電膜が露出される。これにより、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３又は／及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂面に形成される透明導電膜をエッチングするためのレジストマスクが形成されることとなる。次に、このレジスト膜ＲＥＧを保護膜として下層の透明導電膜をエッチングすることにより、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３又は／及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂面に形成される透明導電膜がパターンニングされ、レジスト膜ＲＥＧを除去することにより、壁画素電極ＰＸが形成されることとなる。

すなわち、実施形態１の液晶表示装置では、レジストに対して親和性が低い低親和性材料ＬＡＦを予め塗布することによって、低親和性材料ＬＡＦと液体状のレジスト材料との相互作用により、レジストが塗布されない領域を形成し、このレジストが塗布されないすなわちエッチングの際の保護マスクが形成されない領域を形成する。これによって、液体状のレジストＲＥＧの塗布の後の露光・現像処理によるレジスト（保護膜）の形成によって形成されるレジストとは異なる開孔部分（レジストがない部分）を形成し、エッチング工程でこの開孔部分の透明導電膜をエッチングする構成となっている。

特に、実施形態１の製造方法では、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂部分を覆うようにして形成される透明導電膜をエッチングするための開口部の形成において、レジストＲＥＧの露光・現像処理によらない構成としている。すなわち、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂部分を覆う透明導電膜の上層に、レジスト材料に対する親和性が低い材料（低親和性材料）ＬＡＦを塗布した後にレジストＲＥＧを塗布することにより、低親和性材料ＬＡＦが塗布される領域にはレジストＲＥＧが塗布されない構成としている。この構成では、エッチングマスクとなるレジストに開口部を形成する構成となっているので、露光に伴う位置合わせ精度によらない低親和性材料ＬＡＦの塗布精度のみの向上によって、第１壁状電極ＰＸ１及び第２壁状電極ＰＸ２の形成不良を抑制（防止）することが可能となる。その結果、第２壁状電極ＰＸ２を正確に形成することが可能となるので、表示モード効率を向上させることができ、液晶表示装置の表示品質を大幅に向上させることが可能となる。

また、実施形態１の画素構成では、平面電極ＰＸＣと第２平面電極ＣＴＣとが層間絶縁膜ＰＡＳ２を介して対向配置される構成となっているので、保持容量を形成することが可能となる。その結果、保持容量を形成するための領域を不要とすることができ、バックライト光が通過する領域を大きくすることが可能となり、各画素の透過率を向上させることが可能となり、さらに表示品質を向上させることができる。

また、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂部分に低親和性材料ＬＡＦを塗布するのみでレジストＲＥＧが塗布されない領域を形成する構成となっているので、低親和性材料ＬＡＦの塗布装置と第１基板ＳＵＢ１との位置合わせ精度を向上させるのみで、露光装置は従来の位置合わせ精度のものを用いることができる。従って、露光装置の位置合わせ精度の向上させることに伴うスループットの低下や製造コストの上昇を抑えることができるという格別の効果を得ることができる。

なお、実施形態１の液晶表示装置の製造方法では、疎水性のレジスト（親油性のレジストを含む）ＲＥＧを用いると共に、該疎水性のレジストＲＥＧに対して親和性が低い親水性の材料である低親和性材料ＬＡＦを擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂面に形成した後に液体状のレジストＲＥＧを塗布する構成としたが、レジスト材料は疎水性限定されることはない。例えば、親水性のレジストＲＥＧを用いる場合には、この親水性のレジストＲＥＧに対して親和性が低い材料である疎水性の材料を用いて擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂面に低親和性材料ＬＡＦの層を形成した後に、この親水性のレジストＲＥＧを塗布する構成であっても、前述する効果と同様の効果を得ることができる。さらには、親水性のレジストに撥水性を示すと共に、親油性のレジストには撥油性を示す材料（例えば、フッ素化合物等）を低親和性材料ＬＡＦとして用いてもよい。

また、実施形態１の液晶表示装置における画素構成では、第２基板ＳＵＢ２にも線状の共通電極ＣＴ２を配置し、共通電極ＣＴ１と共通電極ＣＴ２とにより擬似的な壁画素電極である擬似壁共通電極ＣＴを形成する構成としたが、これに限定されることはない。例えば、第２基板ＳＵＢ２には共通電極ＣＴ２を設けることなく、第１基板ＳＵＢ１に共通電極ＣＴ１のみを設けた構成であってもよい。

《実施形態２》
図７は本発明の実施形態２の表示装置である液晶表示装置における壁画素電極の形成工程を説明するための図であり、実施形態１と同様に、壁状共通電極ＣＴＷと絶縁膜ＰＡＳ２を介して重畳される第２壁状電極ＰＸ２の形成に本願発明を適用した場合を示している。特に、実施形態２の製造方法では、第２壁状電極ＰＸ２を形成する透明導電膜のパターニングをいわゆるリフトオフ法で行う場合を示している。また、実施形態２においては、低親和性材料ＬＡＦは導電膜材料に対して親和性の低い材料を用いる。

なお、以下の説明では、壁状共通電極ＣＴＷと絶縁膜ＰＡＳ２を介して重畳される第２壁状電極ＰＸ２を形成する場合について説明するが、本願発明の適用範囲はこれに限定されることはなく、平坦な領域にも適用可能である。さらには、液晶表示装置の壁状電極ＰＸの形成に限定されることはなく、他の表示装置の導電膜の形成や他の薄膜層の形成にも適用可能である。

以下、図７に基づいて、第２壁状電極ＰＸ２の形成方法を詳細に説明する。

ａ）層間絶縁膜ＰＡＳ２までの形成工程
図７（ａ）に示すように、第１基板ＳＵＢ１の液晶面側（上面側）に順次、ゲート線ＧＬ等を含む薄膜トランジスタＴＦＴ(図示せず)、ドレイン線ＤＬ(図示せず)、層間絶縁膜ＰＡＳ１、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３(図示せず)、共通電極ＣＴ１、及び層間絶縁膜ＰＡＳ２が形成される。

ｂ）低親和性材料ＬＡＦの塗布工程
壁電極絶縁膜ＰＡＳ３及び擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４の頭頂部分を覆う層間絶縁膜ＰＡＳ２の上面部分の領域に、後の工程で形成される透明導電膜材料に対して親和性が低い低親和性材料ＬＡＦを塗布し、固定化する（図７（ｂ））。このときの低親和性材料ＬＡＦを塗布する領域としては、実施形態１と同様に、後述の工程において透明導電膜を取り除く部分に相当する領域である。また、低親和性材料ＬＡＦの塗布は、実施形態１と同様に、インクジェット方式で第１基板ＳＵＢ１の表面に低親和性材料ＬＡＦを直接印刷する方法や、転写方式で低親和性材料ＬＡＦを転写する方法等の種々の方式を適用可能である。

ｃ）透明導電膜材料の形成工程
図７（ｃ）に示すように、第１基板ＳＵＢ１の液晶層ＬＣの側の面に、例えば周知のスパッタリングによって形成する、又は液体状のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の塗布型の透明導電膜材料を塗布し硬化させて形成する等の方法によって、薄膜状の透明導電膜（図７（ｃ）中に便宜上、ＰＸで示す）を形成する。

特に、実施形態２において、透明導電膜の形成に、塗布型のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）に代表される塗布型の透明導電膜材料を用いる場合、低親和性材料ＬＡＦの上面部分にも透明導電膜材料が塗布されることとなる。このとき、実施形態２の低親和性材料ＬＡＦは、この透明導電膜材料に対して親和性が低い材料を用いる構成となっている。従って、低親和性材料ＬＡＦの上面部分では透明導電膜材料の一部もしくは全部が塗布型の透明導電膜材料に覆われない、又は透明導電膜材料で低親和性材料ＬＡＦが覆われる場合であっても、低親和性材料ＬＡＦの上面部分では膜厚が薄く形成されることとなる。その結果、実施形態２の製造方法では、次の工程において、低親和性材料ＬＡＦと共にその上部の透明導電膜ＰＸを取り去る場合に、ポジ型レジスト材料を用いた場合に透明導電膜材料の端部に生じる電極パターンの端部が上面方向に突出するように残ってしまうことを抑制できるという格別の効果を得ることが可能となる。ただし、低親和性材料ＬＡＦの膜厚と塗布型の透明導電膜の膜厚とを適宜選択することにより、低親和性材料ＬＡＦの上面部分に形成される透明導電膜の一部に、低親和性材料ＬＡＦが露出される開口部を形成させることができる。この構成により、低親和性材料ＬＡＦが透明導電膜に安全に覆われてしまうことを防止できるので、後述する低親和性材料ＬＡＦのアッシャ処理を行う際の剥離成分の透明導電膜の裏面側への侵入すなわち低親和性材料ＬＡＦと剥離剤との接触を容易に行わせることができるという格別の効果を得ることが可能となる。

ｄ）低親和性材料ＬＡＦの除去
周知の低親和性材料ＬＡＦに対応した周知のアッシャ処理により、この低親和性材料ＬＡＦを除去（剥離）する。このとき、実施形態２の構成であっても、低親和性材料ＬＡＦの上面部分の一部もしくは全部を覆うようにして透明導電膜が形成されている。従って、図７（ｄ）に示すように、低親和性材料ＬＡＦの剥離に伴って、第１基板ＳＵＢ１の表面を覆うように形成される透明導電膜の内で、低親和性材料ＬＡＦの上面部分に形成される透明導電膜のみが、図中の白抜きの矢印で示すように選択的に除去（剥離）されることとなる。その結果、実施形態１の図４（ｆ）に示すように、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４のＸ１側とＸ２側の側壁面に第２壁状電極ＰＸ２が形成される。同様にして、図示しない壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の側壁面には第１壁状電極ＰＸ１が形成される。

この後に、周知の薄膜形成によって絶縁膜ＰＡＳ５を形成した後に、その上層に配向膜ＯＲＩを形成し、ラビング処理等の周知の配向処理を行うことによって、第１基板ＳＵＢ１が形成される。

このように、実施形態２の液晶表示装置の形成方法においては、低親和性材料ＬＡＦを用い、まず、転写方式又はインクジェット方式で層間絶縁膜ＰＡＳ２の表面に低親和性材料ＬＡＦで所望のパターンを形成する。次に、その上面を含む第１基板ＳＵＢ１の上面に透明導電膜を形成した後に、アッシング処理によって低親和性材料ＬＡＦと共にその上面部分の透明導電膜が選択的に除去（剥離）されるので、実施形態１と同様の効果を得ることができる。

例えば、露光に伴う位置合わせ精度によらない低親和性材料ＬＡＦの塗布精度のみの向上によって、第１壁状電極ＰＸ１及び第２壁状電極ＰＸ２の形成不良を抑制（防止）することが可能となる。その結果、第２壁状電極ＰＸ２を正確に形成することが可能となるので、表示モード効率を向上させることができ、液晶表示装置の表示品質を大幅に向上させることが可能となる。

また、リフトオフ法を用いる実施形態２の薄膜層の形成方法では、露光装置を用いることなく 各薄膜層のパターニングが可能となるので、レジスト材料の塗布工程、露光工程及び現像工程を含むいわゆるフォト工程並びにレジストをエッチングマスクとするエッチング工程も不要となるので、スループットをさらに向上することができ、さらに生産効率を向上させることができる。

以上、本発明者によってなされた発明を、前記発明の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。

ＰＮＬ……液晶表示パネル、ＳＵＢ１……第１基板、ＳＵＢ２……第２基板
ＡＲ……表示領域、ＳＬ……シール材、ＤＲ……駆動回路、ＣＬ……コモン線
ＦＰＣ……フレキシブルプリント基板、ＧＬ……ゲート線、ＤＬ……ドレイン線
ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＣＴ１，ＣＴ２……共通電極、ＲＥＧ……レジスト
ＢＭ……ブラックマトリクス、ＰＸＬ……画素、ＬＣ……液晶層、Ｃｓｔ……保持容量
ＰＸ……壁画素電極、ＰＸ１……第１壁状電極、ＰＸＣ……平面電極、ＯＲＩ……配向膜
ＰＸ１……第１壁状電極、ＣＴＣ……第２平面電極、ＣＴＷ……壁状共通電極
ＰＸ２……第２壁状電極、ＯＣ……オーバーコート層、ＰＡＳ３……壁電極絶縁膜
ＰＡＳ１，ＰＡＳ２，ＰＡＳ５……絶縁膜、ＰＸ……画素電極、ＣＦ……カラーフィルタ
ＰＡＳ４……擬似壁電極絶縁膜、ＬＡＦ……低親和性材料、ＰＭ……フォトマスク

Claims (4)

1. 少なくとも第１基板の法線方向に突出するように形成される構造体と、前記構造体の側壁面に形成される電極と、を備える表示装置の製造方法であって、
   前記電極となる透明導電膜を形成する工程と、
   前記構造体の頭頂面に形成される前記透明導電膜の上面に、レジスト膜に対する濡れ性が低い低親和性材料を形成する工程と、
   前記透明導電膜の上層に液体状のレジスト材料を塗布した後に固化し、レジスト膜を形成する工程と、
   前記低親和性材料を除去し、前記レジスト膜に前記透明導電膜が露出する開口部を形成する工程と、
   前記レジスト膜を保護膜として下層の前記透明導電膜をエッチングする工程と、
   前記レジスト膜を除去する工程と、
   を有し、
   前記構造体は、少なくとも長手方向の画素境界部分に形成される第１構造体からなり、
   前記電極は、前記第１構造体の側壁面に形成される一対の第１壁状電極からなる第１電極と、前記一対の第１壁状電極に挟まれる画素表示領域に形成され、前記第１電極の延在方向に沿って形成される第２電極とからなり、
   前記低親和性材料の塗布位置は、少なくとも前記第１構造体の頭頂面を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
2. 前記構造体は、少なくとも長手方向の画素境界部分に形成される第１構造体と、前記第１構造体に挟まれる画素表示領域に形成され、少なくとも前記第１構造体の延在方向に沿い形成される第２構造体とからなり、
   前記電極は、前記第１構造体の側壁面に形成される一対の第１壁状電極からなる第１電極と、前記第２構造体の頭頂面及び側壁面を覆うようにして形成される壁状の第２電極とからなり、
   前記低親和性材料の塗布位置は、少なくとも前記第２構造体の頭頂面を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
3. 前記第１電極は、前記第１壁状電極の下端側から前記画素表示領域に延在される平面電極と、前記平面電極の端部から延在し前記第２構造体の側壁面に形成され、絶縁膜を介して前記第２電極と重畳配置される第２壁状電極とを備えることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の形成方法。
4. 前記第２構造体は、前記第１基板からの突出量が前記第１構造体よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の形成方法。

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