JP2008209797A - レーザ照射装置、及び、露光方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 出射光を高いコントラストで切り替えることのできるレーザ照射装置を提供する。
【解決手段】 入射するレーザビームを、第１の方向に出射させる透過状態と、第１の方向には出射させない非透過状態とが切り替わるが、非透過状態においても、一部の漏れ光が第１の方向に出射される第１の光学素子と、第１の方向に出射されたレーザビームを、第２の方向に出射させる透過状態と、第２の方向には出射させない非透過状態とが切り替わるが、非透過状態においても、一部の漏れ光が第２の方向に出射される第２の光学素子と、第２の光学素子から第２の方向に出射されたレーザビームが照射される位置に被照射物を保持する保持手段と、第１の光学素子及び第２の光学素子の各々の透過状態と非透過状態とを切り替える制御を行う制御装置とを有するレーザ照射装置を提供する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、照射対象物にレーザビームを照射することのできるレーザ照射装置に関する。また、レジスト膜にビームを照射する露光方法に関する。

連続発振またはパルス発振するレーザのビームを照射面に照射する／しない（オン／オフ）の切り替えは、通常、レーザ発振器外部に設置したメカシャッタでビームを透過／遮断することで行う。メカシャッタを使用するのは、レーザ発振器自体のオン／オフで切り替えを行った場合、レーザエネルギが不安定になるためである。しかしメカシャッタを用いた場合、オン／オフの切り替え時間はたとえば１ｍｓｅｃであり、切り替えを高速で行うことは困難である。

音響光学変調器（Acousto-Optic Modulator: AOM）を用いてレーザビームのオン／オフを切り替えることもできる。

図３（Ａ）は、音響光学変調器（ＡＯＭ）を用いた従来のレーザ加工装置を示す概略図であり、図３（Ｂ）〜（Ｄ）は、従来の電極形成時の問題点を説明するための概略図である。

図３（Ａ）を参照する。レーザ加工装置は、レーザ光源１０、音響光学変調器（ＡＯＭ）１２、制御装置１５、照射光学系１８、ビームダンパ２０及びステージ１３を含んで構成される。

レーザ光源１０から、パルスレーザビーム１１が出射する。パルスレーザビーム１１は、音響光学変調器（ＡＯＭ）１２に入射する。

制御装置１５は、レーザ光源１０にトリガ信号を印加してパルスレーザビーム１１の出射を制御するとともに、音響光学変調器（ＡＯＭ）１２に高周波の電気信号ＲＦを印加することができる。音響光学変調器（ＡＯＭ）１２に電気信号ＲＦが印加されると、音響光学変調器（ＡＯＭ）１２の音響光学媒体内に電気信号ＲＦに同期した超音波が発生する。この超音波が回折格子として作用し、入射するレーザビームは、一部（たとえば約９０％）がブラッグ反射され（音響光学効果）、偏向されてレーザビームＬｂｂとして出射する。残余の部分（たとえば約１０％）は偏向されず、レーザビームＬｂａとして出射する。

音響光学変調器（ＡＯＭ）１２に電気信号ＲＦが印加されない場合は、レーザビームの回折は起こらず、レーザビームＬｂａとして出射される。

音響光学変調器（ＡＯＭ）１２から出射したレーザビームＬｂｂはビームダンパ２０に入射する。また、レーザビームＬｂａは、照射光学系１８を経て、ステージ１３に保持された加工対象物１４に入射する。照射光学系１８は、たとえばガルバノスキャナ及びｆθレンズを含み、加工対象物に入射するレーザビームＬｂａを走査することができる。

音響光学変調器（ＡＯＭ）１２に電気信号ＲＦが印加されたとき、加工対象物１４には、電気信号ＲＦが印加されないときのたとえば約１０％のエネルギのレーザビームが入射する。

図３（Ｂ）〜（Ｄ）を参照して、電極形成時の問題点を説明する。

図３（Ｂ）を参照する。ガラス基板１６上にネガ型レジスト膜１７を塗布する。ネガ型レジスト膜１７に、図３（Ａ）に示したレーザ加工装置を用いて、パルスレーザビーム１１（Ｌｂａ）を照射する。パルスレーザビーム１１（Ｌｂａ）は、音響光学変調器（ＡＯＭ）１２に電気信号ＲＦが印加されないときに、音響光学変調器（ＡＯＭ）１２を出射したレーザビーム１１（Ｌｂａ）が、ガラス基板１６上に形成される回路以外の領域に入射するようにネガ型レジスト膜１７に照射される。

図３（Ｃ）を参照する。前述のように、音響光学変調器（ＡＯＭ）１２に電気信号ＲＦが印加されたときも、加工対象物１４には、電気信号ＲＦが印加されないときのたとえば約１０％のエネルギのレーザビームが入射する。

このため現像を行うと、電気信号ＲＦが印加されないときにパルスレーザビーム１１（Ｌｂａ）が照射された領域のネガ型レジスト膜１７は厚く残り、電気信号ＲＦが印加されたときにパルスレーザビーム１１（Ｌｂａ）が照射された領域のネガ型レジスト膜１７は薄く残る。

図３（Ｄ）を参照する。たとえば電極形成のためＩＴＯ（IndiumTin Oxide）を蒸着した場合、ＩＴＯ膜１９は、ネガ型レジスト膜１７上に形成され、ガラス基板１６上には形成されないという問題が生じる。

なお、図３（Ａ）に示したレーザ加工装置は、音響光学変調器（ＡＯＭ）１２に電気信号ＲＦが印加されないときに音響光学変調器（ＡＯＭ）１２を出射するレーザビームＬｂａ（直進光）を加工に用いる。音響光学変調器（ＡＯＭ）１２に電気信号ＲＦが印加されたときに音響光学変調器（ＡＯＭ）１２を出射するレーザビームＬｂｂ（回折光）を加工に用いる場合には、加工対象物に照射されるレーザビームのエネルギが小さくなる（たとえば直進光の場合の約９０％となる）という問題点が生じる。

光学変調器の寿命を長くし、レーザ加工装置の稼働率を向上させるために、２つ以上の光学変調器を継続して配置することを特徴とするレーザ加工装置の発明が開示されている（たとえば、特許文献１参照）。

特開２００４−２９１０１０号公報

本発明の目的は、出射光を高いコントラストで切り替えることのできるレーザ照射装置を提供することである。

また、本発明の他の目的は、高い信頼性でネガ型レジスト膜を除去することのできる露光方法を提供することである。

本発明の一観点によれば、入射するレーザビームを、第１の方向に出射させる透過状態と、前記第１の方向には出射させない非透過状態とが切り替わるが、該非透過状態においても、一部の漏れ光が前記第１の方向に出射される第１の光学素子と、前記第１の方向に出射されたレーザビームを、第２の方向に出射させる透過状態と、前記第２の方向には出射させない非透過状態とが切り替わるが、該非透過状態においても、一部の漏れ光が前記第２の方向に出射される第２の光学素子と、前記第２の光学素子から前記第２の方向に出射されたレーザビームが照射される位置に被照射物を保持する保持手段と、前記第１の光学素子及び第２の光学素子の各々の透過状態と非透過状態とを切り替える制御を行う制御装置とを有するレーザ照射装置が提供される。

また、本発明の他の観点によれば、入射するレーザビームを、第１の方向に出射させる透過状態と、前記第１の方向には出射させない非透過状態とが切り替わるが、該非透過状態においても、一部の漏れ光が前記第１の方向に出射される第１の光学素子と、前記第１の方向に出射されたレーザビームを、第２の方向に出射させる透過状態と、前記第２の方向には出射させない非透過状態とが切り替わるが、該非透過状態においても、一部の漏れ光が前記第２の方向に出射される第２の光学素子と、前記第２の光学素子から前記第２の方向に出射されたレーザビームが照射される位置に被照射物を保持する保持手段と、前記第１の光学素子及び第２の光学素子の各々の透過状態と非透過状態とを切り替える制御を行う制御装置とを有するレーザ照射装置の前記保持手段に、表面にネガ型レジスト膜が形成された被照射物を保持する工程と、前記第１及び第２の光学素子の両方を透過状態にして、前記ネガ型レジスト膜の露光すべき領域を露光する工程と、前記第１及び第２の光学素子の両方を非透過状態にして、前記ネガ型レジスト膜の露光すべきでない領域には、漏れ光のみを照射する工程とを有する露光方法が提供される。

本発明によれば、出射光を高いコントラストで切り替えることのできるレーザ照射装置を提供することができる。

また、本発明によれば、高い信頼性でネガ型レジスト膜を除去することのできる露光方法を提供することができる。

図１（Ａ）は、第１の実施例によるレーザ加工装置を示す概略図であり、図１（Ｂ）〜（Ｅ）は、実施例によるレジスト膜露光方法を説明するための概略的な断面図である。

図１（Ａ）を参照する。レーザ加工装置は、レーザ光源１０、音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ａ〜１２ｃ、制御装置１５、照射光学系１８、ビームダンパ２０ａ〜２０ｃ及びステージ１３を含んで構成される。

図３（Ａ）に示したレーザ加工装置とは、３つの音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ａ〜１２ｃがレーザビームの光路上に直列に多段に配置されている点、制御装置１５が３つの音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ａ〜１２ｃに電気信号ＲＦを印加することができる点、音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ａ〜１２ｃで偏向されたレーザビームがそれぞれ入射するビームダンパ２０ａ〜２０ｃを備える点において異なる。なお、第１の実施例によるレーザ加工装置は、３つのビームダンパ２０ａ〜２０ｃを有するが、３つの音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ａ〜１２ｃで偏向されたレーザビームをすべて入射させるビームダンパを１つ備える構成を採用することもできる。

制御装置１５からレーザ光源１０にトリガ信号が印加され、レーザ光源１０から、パルスレーザビーム１１が出射する。パルスレーザビーム１１は、音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ａに入射する。

制御装置１５による、音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ａ〜１２ｃへの電気信号ＲＦの印加、及び印加の解除は、たとえば同時に行われる。また、各音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ａ〜１２ｃに印加される電気信号ＲＦの振幅及び周波数は、たとえばすべて等しい。

電気信号ＲＦが印加されていない時間に音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ａに入射したレーザビーム１１は、偏向されず直進して、音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ｂ、続いて音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ｃに入射する。レーザビームは、音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ｃによっても偏向されず、レーザビームＬｂａとして出射し、たとえばガルバノスキャナ及びｆθレンズを含む照射光学系１８を経て、ステージ１３に保持された加工対象物１４に入射する。照射光学系１８により、レーザビームＬｂａは加工対象物上を走査する。

電気信号ＲＦが印加されている時間に音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ａに入射したレーザビームは、その約９０％が偏向されてビームダンパ２０ａに入射する。残りの約１０％は偏向されず直進して、音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ｂに入射する。

音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ｂに入射したレーザビームの約９０％は偏向されてビームダンパ２０ｂに入射し、残りの約１０％は偏向されず直進して、音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ｃに入射する。

音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ｃに入射するレーザビームのエネルギは、レーザ光源１０を出射したレーザビームのエネルギの約１％である。その約９０％が偏向されてビームダンパ２０ｃに入射し、残りの約１０％は偏向されず直進し、レーザビームＬｂａとして出射する。レーザビームＬｂａのエネルギは、レーザ光源１０を出射したレーザビームのエネルギの約０．１％である。

３つの音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ａ〜１２ｃを直列に配置することで、音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ｃを出射するレーザビーム（漏れ光）のエネルギを、音響光学変調器（ＡＯＭ）が１つの場合に出射されるレーザビーム（漏れ光）のエネルギの約１％にすることができる。

音響光学変調器（ＡＯＭ）を直列に、多段に配置することで、電気信号ＲＦが印加されている状態における音響光学変調器（ＡＯＭ）の漏れ光（直進光）を徐々に減衰させ、コントラストの高いビームのスイッチングを行うことができる。

図１（Ｂ）〜（Ｅ）を参照して、実施例によるレジスト膜露光方法を説明する。

図１（Ｂ）を参照する。ガラス基板１６上にネガ型レジスト膜１７を塗布する。ネガ型レジスト膜１７に、図１（Ａ）に示したレーザ加工装置を用いて、パルスレーザビーム１１（Ｌｂａ）を照射する。パルスレーザビーム１１（Ｌｂａ）は、音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ａ〜１２ｃに電気信号ＲＦが印加されないときに、音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ｃを出射したパルスレーザビーム１１（Ｌｂａ）が、ガラス基板１６上に形成される回路以外の領域に入射するようにネガ型レジスト膜１７に照射される。

図１（Ｃ）を参照する。図１（Ａ）に示す第１の実施例によるレーザ加工装置を用いた場合、音響光学変調器（ＡＯＭ）１２ａ〜１２ｃに電気信号ＲＦが印加されたとき、加工対象物１４には、電気信号ＲＦが印加されないときのたとえば約０．１％のエネルギのレーザビームしか入射しない。

このため現像を行うと、電気信号ＲＦが印加されないときにレーザビーム１１（Ｌｂａ）が照射された領域のネガ型レジスト膜１７は残り、電気信号ＲＦが印加されたときにレーザビーム１１（Ｌｂａ）が照射された領域のネガ型レジスト膜１７は残らない。

図１（Ｄ）を参照する。ＩＴＯを蒸着し、電極を形成する。ＩＴＯ膜１９は、ガラス基板１６上、及び、ネガ型レジスト膜１７上に形成される。

図１（Ｅ）を参照する。ネガ型レジスト膜１７を除去することで、ガラス基板１６上にＩＴＯ膜１９による電極が形成される。

音響光学変調器（ＡＯＭ）を直列に、多段に配置することにより、高い信頼性でネガ型レジスト膜１７を除去することができるため、ガラス基板１６上に電極を形成することができる。

図２（Ａ）は、第２の実施例によるレーザ加工装置を示す概略図であり、図２（Ｂ）は、実施例の変形例を説明するための概略図である。

図２（Ａ）を参照する。図１（Ａ）に示した第１の実施例によるレーザ加工装置においては、スイッチング素子（ビーム偏向器）として音響光学変調器（ＡＯＭ）を用いたが、第２の実施例によるレーザ加工装置においては、１つの音響光学変調器（ＡＯＭ）の代わりに、電気光学変調器(Electro-Optic Modulator: EOM)とその下流（ビームの進行方向）に配置された偏光ビームスプリッタを用いる。

また、第１の実施例においては、制御装置は、レーザ光源にトリガ信号を印加してパルスレーザビームの出射を制御するとともに、音響光学変調器（ＡＯＭ）に高周波の電気信号ＲＦを印加して音響光学変調器（ＡＯＭ）に入射するレーザビームの進行方向を変化させたが、第２の実施例においては、制御装置は、レーザ光源にトリガ信号を印加してパルスレーザビームの出射を制御するとともに、電気光学変調器（ＥＯＭ）に電気信号ＤＣを印加する。

電気信号ＤＣを印加された電気光学変調器（ＥＯＭ）は入射する光の偏光状態を変化させて出射する。たとえば制御装置により電気信号ＤＣが印加された状態の電気光学変調器（ＥＯＭ）に入射したＰ偏光はＳ偏光に変換されて出射する。またＳ偏光が入射した場合、Ｐ偏光に変換されて出射する。ただし、Ｐ偏光とＳ偏光との間の偏光状態の変換は完全に行われるわけではなく、たとえばほぼＰ偏光成分のみで構成されるレーザビームが入射した場合、出射されるレーザビームの約９０％はＳ偏光成分で構成され、約１０％はＰ偏光成分で構成される。

偏光ビームスプリッタは、入射するビームのＰ偏光成分を透過し、Ｓ偏光成分を反射する。第２の実施例によるレーザ加工装置においては、偏光ビームスプリッタで反射されたＳ偏光成分は、ビームダンパに入射する。

制御装置１５からレーザ光源１０にトリガ信号が印加され、レーザ光源１０から、たとえばほぼＰ偏光成分のみで構成されるパルスレーザビーム１１が出射する。パルスレーザビーム１１は、電気光学変調器（ＥＯＭ）３０ａに入射する。

制御装置１５による、電気光学変調器（ＥＯＭ）３０ａ〜３０ｃへの電気信号ＤＣの印加、及び印加の解除は、たとえば同時に行われる。

電気信号ＤＣが印加されていない時間に電気光学変調器（ＥＯＭ）３０ａに入射したパルスレーザビーム１１は、偏光状態に変化を与えられず出射され、偏光ビームスプリッタ３１ａに入射する。パルスレーザビーム１１のＰ偏光成分は、偏光ビームスプリッタ３１ａを透過する。パルスレーザビーム１１にわずかに含まれていたＳ偏光成分は、偏光ビームスプリッタ３１ａで反射され、ビームダンパ２０ａに入射する。

偏光ビームスプリッタ３１ａを出射したパルスレーザビーム１１は、電気光学変調器３０ｂに入射し、偏光状態に変化を与えられず出射されて、偏光ビームスプリッタ３１ｂに入射する。パルスレーザビーム１１のＰ偏光成分は、偏光ビームスプリッタ３１ｂを透過し、パルスレーザビーム１１にわずかに含まれているＳ偏光成分は、偏光ビームスプリッタ３１ｂで反射され、ビームダンパ２０ｂに入射する。

偏光ビームスプリッタ３１ｂを出射したパルスレーザビーム１１は、電気光学変調器３０ｃに入射し、偏光状態に変化を与えられず出射されて、偏光ビームスプリッタ３１ｃに入射する。パルスレーザビーム１１にわずかに含まれているＳ偏光成分は、偏光ビームスプリッタ３１ｃで反射され、ビームダンパ２０ｃに入射する。パルスレーザビーム１１のＰ偏光成分は、偏光ビームスプリッタ３１ｃを透過し、レーザビームＬｂａとして出射される。電気光学変調器（ＥＯＭ）に電気信号ＤＣが印加されていないとき、偏光ビームスプリッタ３１ｃを出射するレーザビームＬｂａのエネルギは、レーザ光源１０を出射したレーザビームのエネルギとほぼ等しい。

レーザビームＬｂａは、たとえばガルバノスキャナ及びｆθレンズを含む照射光学系１８を経て、ステージ１３に保持された加工対象物１４に入射する。照射光学系１８により、レーザビームＬｂａは加工対象物上を走査する。

電気信号ＤＣが印加されている時間に電気光学変調器（ＥＯＭ）３０ａに入射する、ほぼＰ偏光成分のみで構成されるパルスレーザビーム１１は、電気光学変調器（ＥＯＭ）３０ａによって、たとえば約９０％のＳ偏光成分と約１０％のＰ偏光成分とを含んで構成されるパルスレーザビームに変換されて、電気光学変調器（ＥＯＭ）３０ａを出射し、偏光ビームスプリッタ３１ａに入射する。

パルスレーザビーム１１のＳ偏光成分は偏光ビームスプリッタ３１ａで反射され、ビームダンパ２０ａに入射する。Ｐ偏光成分は、偏光ビームスプリッタ３１ａを透過し、電気光学変調器（ＥＯＭ）３０ｂに入射する。

電気光学変調器（ＥＯＭ）３０ｂに入射したパルスレーザビーム１１は、たとえば約９０％のＳ偏光成分と約１０％のＰ偏光成分とを含んで構成されるパルスレーザビームに変換されて、電気光学変調器（ＥＯＭ）３０ｂを出射し、偏光ビームスプリッタ３１ｂに入射する。

偏光ビームスプリッタ３１ｂは、入射するパルスレーザビーム１１に含まれるＳ偏光成分を反射して、ビームダンパ２０ｂに入射させる。また、Ｐ偏光成分を透過して、電気光学変調器（ＥＯＭ）３０ｃに入射させる。

電気光学変調器（ＥＯＭ）３０ｃに入射するパルスレーザビーム１１は、たとえば約９０％のＳ偏光成分と約１０％のＰ偏光成分とを含んで構成されるパルスレーザビームに変換されて、電気光学変調器（ＥＯＭ）３０ｃを出射し、偏光ビームスプリッタ３１ｃに入射する。

偏光ビームスプリッタ３１ｃにおいて、Ｓ偏光成分は反射されてビームダンパ２０ｃに入射する。Ｐ偏光成分は透過されて、レーザビームＬｂａとして偏光ビームスプリッタ３１ｃを出射し、照射光学系１８を経て、ステージ１３に保持された加工対象物１４に入射する。電気光学変調器（ＥＯＭ）３０ａ〜３０ｃに電気信号ＤＣが印加されているとき、偏光ビームスプリッタ３１ｃを出射するレーザビームＬｂａのエネルギは、レーザ光源１０を出射したレーザビームのエネルギの約０．１％である。また、電気光学変調器（ＥＯＭ）と偏光ビームスプリッタとの組を３組直列に配置することで、電気信号ＤＣ印加時に、偏光ビームスプリッタ３１ｃを出射するレーザビームＬｂａのエネルギを、電気光学変調器（ＥＯＭ）と偏光ビームスプリッタとの組が１組である場合に出射されるレーザビームＬｂａのエネルギの約１％にすることができる。

電気光学変調器（ＥＯＭ）と偏光ビームスプリッタとの組を直列に、多段に配置することで、電気光学変調器（ＥＯＭ）に電気信号ＤＣが印加されている状態において、偏光ビームスプリッタを透過するレーザビームのＰ偏光成分を徐々に減衰させ、コントラストの高いビームのスイッチングを行うことができる。

図２（Ｂ）を参照する。オン時とオフ時とで、出射する光量をスイッチする手段として、第１の実施例においては音響光学変調器（ＡＯＭ）、第２の実施例においては電気光学変調器（ＥＯＭ）と偏光ビームスプリッタの組を用いた。ファラデーローテータと偏光板とを組み合わせて、スイッチング手段とすることも可能である。

図２（Ｂ）には、レーザビームの進行方向に沿って（上流から下流に向かって）、偏光子３２、ファラデーローテータ３３、検光子３４をこの順に配置する構成を示した。

偏光子３２及び検光子３４は、たとえばそれぞれの面内方向に透過軸を有し、透過軸の方向に偏光する光を透過する。ファラデーローテータ３３は、ファラデー効果により、入射するレーザビームの偏光面を回転させることができる。

光スイッチとして、図２（Ｂ）に示すような構成を含む構成を採用することも可能である。なお、ファラデーローテータとその下流の検光子を備えれば、偏光子は必須ではない。

以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。

たとえば、実施例によるレジスト膜露光方法においてはパルスレーザビームを用いたが、連続波のレーザビームを用いることもできる。

その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。

レーザ照射装置は様々なレーザ加工に利用することができる。殊にレジスト膜の露光に好適に用いることが可能である。

レジスト膜の露光方法は、半導体装置、液晶表示装置等様々な装置の製造に好適に用いられる。

（Ａ）は、第１の実施例によるレーザ加工装置を示す概略図であり、（Ｂ）〜（Ｅ）は、実施例によるレジスト膜露光方法を説明するための概略的な断面図である。 （Ａ）は、第２の実施例によるレーザ加工装置を示す概略図であり、（Ｂ）は、実施例の変形例を説明するための概略図である。 （Ａ）は、音響光学変調器（ＡＯＭ）を用いた従来のレーザ加工装置を示す概略図であり、（Ｂ）〜（Ｄ）は、従来の電極形成時の問題点を説明するための概略図である。

符号の説明

１０ レーザ光源
１１ レーザビーム
１２、１２ａ〜１２ｃ 音響光学変調器（ＡＯＭ）
１３ ステージ
１４ 加工対象物
１５ 制御装置
１６ ガラス基板
１７ ネガ型レジスト膜
１８ 照射光学系
１９ ＩＴＯ膜
２０、２０ａ〜２０ｃ ビームダンパ
３０ａ〜３０ｃ 電気光学変調器（ＥＯＭ）
３１ａ〜３１ｃ 偏光ビームスプリッタ
３２ 偏光子
３３ ファラデーローテータ
３４ 検光子

Claims (4)

1. 入射するレーザビームを、第１の方向に出射させる透過状態と、前記第１の方向には出射させない非透過状態とが切り替わるが、該非透過状態においても、一部の漏れ光が前記第１の方向に出射される第１の光学素子と、
   前記第１の方向に出射されたレーザビームを、第２の方向に出射させる透過状態と、前記第２の方向には出射させない非透過状態とが切り替わるが、該非透過状態においても、一部の漏れ光が前記第２の方向に出射される第２の光学素子と、
   前記第２の光学素子から前記第２の方向に出射されたレーザビームが照射される位置に被照射物を保持する保持手段と、
   前記第１の光学素子及び第２の光学素子の各々の透過状態と非透過状態とを切り替える制御を行う制御装置と
   を有するレーザ照射装置。
2. 前記第１及び第２の光学素子の少なくとも一方が、前記制御装置から制御を受けて、入射するレーザビームを偏向させる音響光学変調器を含む請求項１に記載のレーザ照射装置。
3. 前記第１及び第２の光学素子の少なくとも一方が、
   前記制御装置から制御を受けてレーザビームの偏光方向を変化させる偏光方向制御素子と、
   該偏光方向制御素子によって偏光方向が制御されたレーザビームが入射し、偏光方向によって透過率を変化させる素子と
   を含む請求項１または２に記載のレーザ照射装置。
4. 入射するレーザビームを、第１の方向に出射させる透過状態と、前記第１の方向には出射させない非透過状態とが切り替わるが、該非透過状態においても、一部の漏れ光が前記第１の方向に出射される第１の光学素子と、前記第１の方向に出射されたレーザビームを、第２の方向に出射させる透過状態と、前記第２の方向には出射させない非透過状態とが切り替わるが、該非透過状態においても、一部の漏れ光が前記第２の方向に出射される第２の光学素子と、前記第２の光学素子から前記第２の方向に出射されたレーザビームが照射される位置に被照射物を保持する保持手段と、前記第１の光学素子及び第２の光学素子の各々の透過状態と非透過状態とを切り替える制御を行う制御装置とを有するレーザ照射装置の前記保持手段に、表面にネガ型レジスト膜が形成された被照射物を保持する工程と、
   前記第１及び第２の光学素子の両方を透過状態にして、前記ネガ型レジスト膜の露光すべき領域を露光する工程と、
   前記第１及び第２の光学素子の両方を非透過状態にして、前記ネガ型レジスト膜の露光すべきでない領域には、漏れ光のみを照射する工程と
   を有する露光方法。

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