JP2007142382A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 絶縁表面上に第１の導電膜を形成し、
   前記第１の導電膜上に前記第１の導電膜と接する第２の導電膜を形成し、
   前記第２の導電膜上に、回折格子パターンもしくは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを含むフォトマスクまたはレチクルで、膜厚を一部薄くしたレジストパターンを形成し、
   前記レジストパターンを用いて前記第１の導電膜および前記第２の導電膜をエッチングして第１の配線と、前記第１の配線上の前記第１の配線より幅が狭い部分を有する第２の配線とを形成し、
   前記第１の配線及び前記第２の配線を覆う絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜上に前記第１の配線及び前記第２の配線と交差する第３の配線を形成し、
   前記第３の配線は、前記第１の配線において前記第２の配線よりも幅が広い部分と重なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 絶縁表面上に第１の導電膜を形成し、
   前記第１の導電膜上に前記第１の導電膜と接する第２の導電膜を形成し、
   前記第２の導電膜上に、回折格子パターンもしくは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを含むフォトマスクまたはレチクルで、２段階以上の膜厚を有するレジストパターンを形成し、
   前記レジストパターンを用いて前記第１の導電膜および前記第２の導電膜をエッチングして第１の配線と、前記第１の配線上の前記第１の配線より幅が狭い部分を有する第２の配線とを形成し、
   前記第１の配線及び前記第２の配線を覆う絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜上に前記第１の配線及び前記第２の配線と交差する第３の配線を形成し、
   前記第３の配線は、前記第１の配線において前記第２の配線よりも幅が広い部分と重なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記エッチングにより前記第１の配線の上底の幅と前記第２の配線の下底の幅とを一致させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 絶縁表面上に第１の導電膜を形成し、
   前記第１の導電膜上に前記第１の導電膜と接する第２の導電膜を形成し、
   前記第２の導電膜上に、回折格子パターンもしくは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを含むフォトマスクまたはレチクルで、膜厚を一部薄くしたレジストパターンを形成し、
   前記レジストパターンを用いて前記第１の導電膜および前記第２の導電膜をエッチングして第１の配線と、前記第１の配線上の前記第１の配線より幅が狭い部分を有する第２の配線とを形成し、
   前記第１の配線及び前記第２の配線を覆う絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜に少なくとも前記第１の配線上面及び前記第２の配線上面を露呈させる開口部を形成し、
   前記絶縁膜上に前記開口部を介して前記第１の配線及び前記第２の配線と電気的に接続する第３の配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 絶縁表面上に第１の導電膜を形成し、
   前記第１の導電膜上に前記第１の導電膜と接する第２の導電膜を形成し、
   前記第２の導電膜上に、回折格子パターンもしくは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを含むフォトマスクまたはレチクルで、２段階以上の膜厚を有するレジストパターンを形成し、
   前記レジストパターンを用いて前記第１の導電膜および前記第２の導電膜をエッチングして第１の配線と、前記第１の配線上の前記第１の配線より幅が狭い部分を有する第２の配線とを形成し、
   前記第１の配線及び前記第２の配線を覆う絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜に少なくとも前記第１の配線上面及び前記第２の配線上面を露呈させる開口部を形成し、
   前記絶縁膜上に前記開口部を介して前記第１の配線及び前記第２の配線と電気的に接続する第３の配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項４または請求項５において、
   前記開口部は、第２の配線の端部と重なっていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記第１の配線の端部は、前記第２の配線の端部から突出し、前記第１の配線は前記第２の配線より長いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項４乃至請求項７のいずれか一項において、
   半導体層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を有する半導体素子と、前記第１の配線と、前記第２の配線と、を同一基板上に形成し、
   前記ゲート電極は、第１のゲート電極と、該第１のゲート電極と接する第２のゲート電極により形成され、
   前記第１のゲート電極は前記第１の配線と同一材料及び同一工程で形成され、
   前記第２のゲート電極は前記第２の配線と同一材料及び同一工程で形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項４乃至請求項８のいずれか一項において、
   前記第１の配線の側面及び前記第２の配線の側面を、テーパー形状とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項４乃至請求項９のいずれか一項において、
    前記レジストパターンは、垂直方向の断面に於いて内角が１８０°以上の部位を少なくとも１箇所設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。