JP2007534178A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 集積回路の配線構造を製作する方法であって、
   誘電材料層内に、各々が側壁と底部とを有する複数のフィーチャを形成するステップと、
   前記側壁にスペーサを形成するステップと、
   前記スペーサによって前記側壁から分離された導体を前記フィーチャ内に形成するステップと、
   前記スペーサを除去することによって、前記導体が空隙によって前記側壁から分離されるように前記側壁のところに前記空隙を形成するステップとを含む方法。
2. 前記スペーサを形成する前記ステップは、
   各フィーチャの側壁および底部上にスペーサ材料の層を付着させるステップと、
   方向性エッチング・プロセスを使用して前記底部から前記スペーサ材料を除去するステップとを含む請求項１に記載の方法。
3. 前記導体を形成する前記ステップは、前記各スペーサの上部表面部を露出させるステップをさらに含み、
   前記スペーサを除去する前記ステップは、前記上面部をエッチング剤に晒すステップを含む請求項１に記載の方法。
4. 前記フィーチャは、リソグラフィ寸法を特徴とするリソグラフィ・プロセスを用いて形成され、前記スペーサは前記リソグラフィ寸法未満の水平方向の寸法で形成される請求項１に記載の方法。
5. フィーチャの形成によって下層の誘電体層内の導電スタッドが露出され、前記フィーチャ内の導体の形成によって前記スタッドへの電気的接続が行われる請求項１に記載の方法。
6. 前記スペーサは、各導体がその上部が底部よりも広くなるように、前記フィーチャの底部近傍が前記フィーチャの上部近傍よりも大きい水平方向の寸法で形成される請求項１に記載の方法。
7. 前記誘電材料層と前記導体との上に被さる第２の誘電体層を形成するステップをさらに含み、前記第２の誘電体層は、前記誘電材料層の誘電率よりも低い誘電率を有する請求項１に記載の方法。
8. 集積回路の配線構造であって、
   第１の誘電体層と、
   前記第１の誘電体層上に配置され、第２の誘電体層の一部と空隙とによって互いに水平方向に分離された複数の導体であって、各導体が前記第２の誘電体層から前記導体を分離する前記導体に隣接した空隙を有する複数の導体と、
   前記導体の上に被さる第３の誘電体層とを含み、
   前記各導体は、底部において上部よりも広い断面を有する前記各空隙に従ってその上部が底部よりも広い断面を有する配線構造。
9. 前記第１の誘電体層および前記第３の誘電体層はそれぞれ前記第２の誘電体層の誘電率よりも低い誘電率を有する請求項８に記載の配線構造。
10. 前記第１の誘電体層内にあり、前記導体のうちの１つの導体と接触する導電スタッドをさらに含む請求項８に記載の配線構造。
11. 前記第２の誘電体層が二酸化シリコンである請求項９に記載の配線構造。
12. 前記各導体の断面が、前記第１の誘電体層と接触する底部と前記第３の誘電体層と接触する上部と、前記空隙のみと接触する側面とを有する請求項９に記載の配線構造。