JP2006245557A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 絶縁表面を有する基板上に形成されたゲート電極と、
   前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して形成された、チャネルを含む第１の島状半導体層と、
   前記第１の島状半導体層上に形成された、ｎ型またはｐ型の導電型を付与する不純物元素を含む第２の島状半導体層と、
   前記第２の島状半導体層上に形成された、ドレイン配線およびソース配線と、を有し、
   前記ドレイン配線および前記ソース配線は、前記第１の島状半導体層をキャリアの移動方向と垂直に横断しており、
   前記第２の島状半導体層と重ならない領域の、前記第１の島状半導体層は露呈しており、
   前記チャネルの長さは、前記ドレイン配線および前記ソース配線の間隔に等しいことを特徴とする半導体装置。
2. 絶縁表面を有する基板上に形成された第１および第２のゲート電極と、
   前記第１および第２のゲート電極上にゲート絶縁膜を介して形成された、第１および第２のチャネルを含む第１の島状半導体層と、
   前記第１の島状半導体層上に形成された、ｎ型またはｐ型の導電型を付与する不純物元素を含む第２の島状半導体層と、
   前記第２の島状半導体層上に形成された、ドレイン配線、ソース配線および配線と、を有し、
   前記第２の島状半導体層は、前記第１のゲート電極とのみ重なる第１の領域と、前記第２のゲート電極とのみ重なる第２の領域と、前記第１および第２のゲート電極の両方と重なる第３の領域と、からなり、
   前記ドレイン配線は、前記第１の領域上に形成され、
   前記ソース配線は、前記第２の領域上に形成され、
   前記配線は、前記第３の領域上に形成され、
   前記ドレイン配線、前記ソース配線および前記配線は、前記第１の島状半導体層をキャリアの移動方向と垂直に横断しており、
   前記ドレイン配線および前記配線は、蛇行部分を有しており、
   前記第２の島状半導体層と重ならない領域の、前記第１の島状半導体層は露呈しており、
   前記第１のチャネルの長さは、前記ドレイン配線および前記配線の間隔に等しく、
   前記第２のチャネルの長さは、前記配線および前記ソース配線の間隔に等しいことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１において、
   前記ドレイン配線および前記ソース配線は、感光性樹脂を含むことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項２において、
   前記ドレイン配線、前記ソース配線および前記配線は、感光性樹脂を含むことを特徴とする半導体装置。
5. 絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜上に第１の島状半導体層を形成し、
   前記第１の島状半導体層上にｎ型またはｐ型の導電型を付与する不純物元素を含む第２の島状半導体層を形成し、
   感光性材料を含む導電性材料を液滴吐出法で吐出して、前記第２の島状半導体層上に接する導電膜パターンを形成し、
   前記第１の島状半導体層を横断するようにレーザ光を選択的に照射して、前記導電膜パターンを選択的に露光し、
   露光された前記導電膜パターンを現像して、ドレイン配線およびソース配線を形成し、
   前記ドレイン配線および前記ソース配線をマスクとして前記第１および第２の島状半導体層をエッチングして、前記ドレイン配線および前記ソース配線に挟まれた領域の前記第１の島状半導体層を露呈することを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 絶縁表面を有する基板上に第１および第２のゲート電極を形成し、
   前記第１および第２のゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜上に第１の島状半導体層を形成し、
   前記第１の島状半導体層上にｎ型またはｐ型の導電型を付与する不純物元素を含む第２の島状半導体層を形成し、
   感光性材料を含む導電性材料を液滴吐出法で吐出して、前記第２の島状半導体層上に接する導電膜パターンを形成し、
   前記第１の島状半導体層を横断するようにレーザ光を選択的に照射して、前記導電膜パターンを選択的に露光し、
   露光された前記導電膜パターンを現像して、ドレイン配線、ソース配線および配線を形成し、
   前記ドレイン配線、前記ソース配線および前記配線をマスクとして前記第１および第２の島状半導体層をエッチングして、前記ドレイン配線および前記配線に挟まれた領域ならびに前記配線および前記ソース配線に挟まれた領域の前記第１の島状半導体層を露呈し、
   前記ドレイン配線および前記配線は、蛇行部分を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。