JP2007134684A5 - - Google Patents
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- 同一基板上に形成された、第1の領域および前記第1の領域と接した第2の領域を有する第1の半導体膜と、チャネル領域とソース領域またはドレイン領域として機能する第3の領域とを有する第2の半導体膜と、
前記第1の半導体膜および前記第2の半導体膜を覆って設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、且つ前記第1の領域と電気的に接続する第1の導電膜と、前記第2の領域と電気的に接続する第2の導電膜と、
前記第1の半導体膜と前記第1の導電膜および第2の導電膜との接続する部分の前記第1の半導体膜の表面に形成されたシリサイドとを有し、
前記第1の領域、第2の領域および第3の領域に不純物元素が導入されており、
前記第1の領域と前記第2の領域に含まれる不純物元素の濃度が異なることを特徴とする半導体装置。 - 同一基板上に形成された、第1の領域および前記第1の領域と接した第2の領域を有する第1の半導体膜と、チャネル領域とソース領域またはドレイン領域として機能する第3の領域とを有する第2の半導体膜と、
前記第1の半導体膜および前記第2の半導体膜を覆って設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、且つ前記第1の領域と電気的に接続する第1の導電膜と、前記第2の領域と電気的に接続する第2の導電膜と、
前記第1の半導体膜と前記第1の導電膜および第2の導電膜との接続する部分の前記第1の半導体膜の表面に形成されたシリサイドとを有し、
前記第1の領域と前記第2の領域の一方は真性半導体を含んでおり、前記第1の領域と第2の領域の他方および前記第3の領域は不純物元素が導入された不純物半導体を含んでいることを特徴とする半導体装置。 - 同一基板上に形成された、第1の領域を有する第1の半導体膜と、チャネル領域とソース領域またはドレイン領域として機能する第2の領域とを有する第2の半導体膜と、
前記第1の半導体膜および前記第2の半導体膜を覆って設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、且つ前記第1の領域と電気的に接続する第1の導電膜および第2の導電膜と、
前記第1の半導体膜と前記第1の導電膜および第2の導電膜との接続する部分の前記第1の半導体膜の表面に形成されたシリサイドとを有し、
前記第1の領域と第2の領域に不純物元素が導入されており、
前記第1の領域と前記第2の領域に含まれる不純物元素の濃度が異なることを特徴とする半導体装置。 - 同一基板上に形成された、第1の領域を有する第1の半導体膜と、チャネル領域とソース領域またはドレイン領域として機能する第2の領域とを有する第2の半導体膜と、
前記第1の半導体膜および前記第2の半導体膜を覆って設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、且つ前記第1の領域と電気的に接続する第1の導電膜および第2の導電膜と、
前記第1の半導体膜と前記第1の導電膜および第2の導電膜との接続する部分の前記第1の半導体膜の表面に形成されたシリサイドとを有し、
前記第1の領域は真性半導体を含んでおり、前記第2の領域は不純物元素が導入された不純物半導体を含んでいることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2において、
前記第1の領域または前記第2の領域に含まれる不純物元素の濃度のうちいずれか一方は、前記第3の領域に含まれる不純物元素の濃度と同じであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1、2、または5のいずれか一項において、
前記第1の半導体膜と前記第1の導電膜および前記第2の導電膜との接続する部分の一方にショットキーバリアダイオードが形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項3または4において、
前記第1の半導体膜と前記第1の導電膜および前記第2の導電膜との接続する部分にショットキーバリアダイオードが形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、
前記シリサイドは、ニッケルシリサイド、コバルトシリサイドまたは白金シリサイドのいずれかであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項8に記載した半導体装置のいずれか一を用いた温度センサー。
- 基板上に第1の半導体膜と第2の半導体膜を形成し、
前記第1の半導体膜と前記第2の半導体膜を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記第2の半導体膜の上方に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記第1の半導体膜に第1の不純物元素を導入することにより、前記第1の半導体膜に第1の不純物領域を形成し、
前記第1の半導体膜全体をレジストで覆い、前記レジストと前記ゲート電極をマスクとして前記第2の半導体膜に第2の不純物元素を導入することにより、前記第2の半導体膜に第2の不純物領域を形成し、
前記第1の半導体膜、前記第2の半導体膜、および前記ゲート電極を覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に選択的に開口部を形成することにより、前記第1の半導体膜の前記第1の不純物領域および前記第2の半導体膜の前記第2の不純物領域を露出させ、
前記開口部に選択的に導電膜を形成し、
前記第1の不純物元素の濃度を前記第2の不純物元素の濃度より小さくすることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に第1の半導体膜と第2の半導体膜を形成し、
前記第1の半導体膜と前記第2の半導体膜を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記第2の半導体膜上に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記第1の半導体膜に第1の不純物元素を導入することにより、前記第1の半導体膜に第1の不純物領域を形成し、
前記第1の半導体膜の一部をレジストで覆い、前記レジストと前記ゲート電極をマスクとして第2の不純物元素を導入することにより、前記第1の半導体膜と前記第2の半導体膜に選択的に第2の不純物領域を形成し、
前記第1の半導体膜、前記第2の半導体膜、および前記ゲート電極を覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に選択的に開口部を形成して前記第1の半導体膜の前記第1の不純物領域および前記第2の不純物領域と、前記第2の半導体膜の前記第2の不純物領域とを露出させ、
前記開口部に選択的に導電膜を形成し、
前記第1の不純物元素の濃度を前記第2の不純物元素の濃度より小さくすることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に第1の半導体膜と第2の半導体膜を形成し、
前記第1の半導体膜と前記第2の半導体膜を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記第2の半導体膜上に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記第1の半導体膜の一部をレジストで覆い、前記レジストおよび前記ゲート電極をマスクとして不純物元素を導入することにより、前記第1の半導体膜および前記第2の半導体膜に選択的に不純物領域を形成し、
前記第1の半導体膜、前記第2の半導体膜、および前記ゲート電極を覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に選択的に開口部を形成することにより、前記第1の半導体膜および前記第2の半導体膜の前記不純物領域を露出させ、
前記開口部に選択的に導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に第1の半導体膜と第2の半導体膜を形成し、
前記第1の半導体膜と前記第2の半導体膜を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記第2の半導体膜上に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記第1の半導体膜全体をレジストで覆い、前記レジストおよび前記ゲート電極をマスクとして不純物元素を導入することにより、前記第2の半導体膜に不純物領域を形成し、
前記第1の半導体膜、前記第2の半導体膜、および前記ゲート電極を覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に選択的に開口部を形成することにより、前記第1の半導体膜の一部および前記第2の半導体膜の前記不純物領域を露出させ、
前記開口部に選択的に導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項10または11において、
前記第1の半導体膜の前記第1の不純物領域と前記導電膜との接続する部分にショットキーバリアダイオードを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項12において、
前記第1の半導体膜の前記不純物元素が導入されていない領域と前記導電膜との接続する部分にショットキーバリアダイオードを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項13において、
前記第1の半導体膜と前記導電膜との接続する部分にショットキーバリアダイオードを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項10乃至請求項16のいずれか一項において、
前記第1の半導体膜および前記第2の半導体膜として、シリコンを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項10乃至請求項17のいずれか一項において、
前記導電膜として、ニッケル、コバルトまたは白金のいずれかを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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