JP5666319B2 - 温度センサ、温度センサの製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、温度センサ、温度センサの製造方法、半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の制御方法に関する。
温度を測定する装置としては、温度計等があるが、電子機器等の普及に伴い、現在は、測定された温度情報を電気信号として測定することのできるサーミスタ等が多く用いられている。
また、一般的に、半導体材料は温度に応じて特性が変化するため、半導体材料により形成される半導体装置においては、温度管理や温度制御が必要となる場合がある。
特許文献１から３には、半導体装置における温度測定を行なうため半導体装置の内部にサーミスタ等を組み込んだ構造の半導体装置が開示されている。
しかしながら、サーミスタ等の温度センサは、メモリや論理回路を構成する半導体装置とは、構成が大きく異なり、同一の基板上に配置するためには、半導体装置に用いられる材料とは別の材料を用いて、半導体装置を作製する際の工程とは別の工程により作製する必要がある。このようにして製造される半導体装置の価格は高価なものとなる。
本発明は、上記に鑑みたものであり、メモリや論理回路を構成する半導体装置と同様の構造を有し整合性の高い温度センサ及び温度センサの製造方法を提供することを目的とするものであり、更には、低コストで製造することのできる温度センサの組み込まれた半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の制御方法を提供することを目的とするものである。
本発明は、基板上に、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、電極を有するチャージトラップ型構造体が積層形成されており、前記酸化アルミニウム膜の表面は、酸素イオンの注入、または、酸素を含むガスによるＧＣＩＢ照射が行なわれているものであって、前記チャージトラップ型構造体のフラットバンド電圧を測定することにより、前記フラットバンド電圧に対応する温度を測定することができるものであることを特徴とする。
また、本発明は、前記チャージトラップ型構造体は、窒化シリコン膜をさらに有することを特徴とする。
また、本発明は、基板上に、酸化シリコン膜を形成する工程と、前記酸化シリコン膜上に、酸化アルミニウム膜を形成する工程と、前記酸化アルミニウム膜の表面に、酸素を注入する工程と、前記酸素を注入する工程照射を行なった後、前記酸化アルミニウム膜上に電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明は、前記酸素を注入する工程は、酸素を含むガスによるＧＣＩＢ照射を行なうものであることを特徴とする。
また、本発明は、前記酸化シリコン膜上に、窒化シリコン膜を形成する工程をさらに有することを特徴とする。
また、本発明は、基板上に、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、電極が積層形成されたものであって、情報の記憶及び読出しを行なうメモリまたは、電圧または電流により制御される半導体素子が形成された半導体素子領域と、温度の測定を行なう温度センサ領域と、を有し、前記温度センサ領域における前記酸化アルミニウム膜の表面には、酸素イオンの注入、または、酸素を含むガスによるＧＣＩＢ照射が行なわれており、前記半導体素子領域における前記酸化アルミニウム膜の表面には、酸素イオンの注入、または、酸素を含むガスによるＧＣＩＢ照射が行なわれてはいないものであることを特徴とする。
また、本発明は、前記半導体素子領域には、チャージトラップ型メモリが形成されているものであることを特徴とする。
また、本発明は、前記基板上に窒化シリコンがさらに形成されたことを特徴とする。
また、本発明は、情報の記憶及び読出しを行なうメモリまたは、電圧または電流により制御される半導体素子が形成された半導体素子領域と、温度の測定を行なう温度センサ領域を有する半導体装置の製造方法において、基板上に、酸化シリコン膜を形成する工程と、前記酸化シリコン膜上に、酸化アルミニウム膜を形成する工程と、前記半導体素子領域における前記酸化アルミニウム膜の表面には酸素を注入することなく、前記温度センサ領域における前記酸化アルミニウム膜の表面に酸素を注入する工程と、前記酸素を注入する工程を行なった後、前記酸化アルミニウム膜上に電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明は、前記酸素を注入する工程は、酸素を含むガスによるＧＣＩＢ照射を行なうものであることを特徴とする。
また、本発明は、前記半導体素子領域には、チャージトラップ型メモリが形成されているものであることを特徴とする。
また、本発明は、前記酸化シリコン膜上に、窒化シリコン膜を形成する工程をさらに有することを特徴とする。
また、本発明は、基板上に、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、電極が積層形成されており、情報の記憶及び読出しを行なうメモリまたは、電圧または電流により制御される半導体素子が形成された半導体素子領域と、温度の測定を行なう温度センサ領域とを有する半導体装置の制御方法において、前記温度センサ領域において温度を測定する工程と、前記測定された温度が所定の温度以上である場合には、前記半導体装置の冷却、または、前記半導体素子領域に記憶されている情報の退避を行なう工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明は、基板上に、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、電極が積層形成されており、情報の記憶及び読出しを行なうメモリまたは、電圧または電流により制御される半導体素子が形成された半導体素子領域と、温度の測定を行なう温度センサ領域とを有する半導体装置の制御方法において、前記温度センサ領域において温度を測定する工程と、前記測定された温度に基づき、前記半導体素子領域において情報を書き込む際の電圧またはパルス幅を設定する工程と、前記設定された電圧またはパルス幅により、前記半導体素子領域に情報を書き込む工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明は、前記半導体素子領域には、チャージトラップ型メモリが形成されているものであることを特徴とする。
また、本発明は、前記基板上に窒化シリコンがさらに形成されたことを特徴とする。
本発明によれば、メモリや論理回路を構成する半導体装置と同様の構造を有し整合性の高い温度センサ及び温度センサの製造方法を提供することができ、更には、低コストで製造することのできる温度センサの組み込まれた半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の制御方法を提供することができる。
発明を実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。
〔第１の実施の形態〕
（温度センサ）
第１の実施の形態における温度センサについて、図１に基づき説明する。
（温度センサ）
第１の実施の形態における温度センサについて、図１に基づき説明する。
本実施の形態における温度センサは、酸化シリコンによる素子分離領域１５が形成されたシリコン基板１０上に、順に、酸化シリコン膜１１、窒化シリコン膜１２、酸化アルミニウム膜１３、電極１４が積層形成されている。このように形成されてものをチャージトラップ型構造体と呼び、このチャージトラップ型構造体において、後述するように酸素のＧＣＩＢの照射等を行なうことにより、温度センサとなるものを形成することができ、また、酸素のＧＣＩＢの照射等を行なうことなくゲート電極等を形成することによりチャージアップ型メモリを作製することができる。尚、本実施の形態では、基板としてシリコン基板を用いたものについて説明するが、基板としては、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＧｅＳｉ、ポリアセチレン等からなる半導体の基板（半導体基板）であってもよく、また、フレキシブル基板等を用いたフレキシブル半導体、三次元半導体、球形半導体等であってもよい。
酸化シリコン膜１１は、シリコン基板１０の表面を熱酸化することにより形成したものであり、膜厚が約２ｎｍとなるように形成されている。
また、窒化シリコン膜１２は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により、膜厚が約７ｎｍとなるように形成されている。
酸化アルミニウム膜１３は、ＣＶＤにより、膜厚が１５ｎｍとなるように形成されている。尚、酸化アルミニウム膜１３が成膜された後、酸化アルミニウム膜１３の表面には、酸素が注入されており、具体的には、イオン注入装置を用いて酸素イオンを注入する方法、または、酸素のガスクラスターイオン(ＧＣＩＢ:Gas Cluster Ion Beam)の照射による方法により酸素が注入されている。
また、ゲート電極１４は、ポリシリコン膜、導電性を有する金属窒化物膜、金属膜により形成されている。導電性を有する金属窒化物膜としては、ＴｉＮ膜、ＴａＮ膜が挙げられ、金属膜としては、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料からなる膜が挙げられる。尚、本実施の形態では、ゲート電極はＴｉＮ膜により形成されている。
尚、窒化シリコン膜１２は、チャージトラップ型メモリにおける電荷のトラップ／デトラップを安定的に行うためには、チャージトラップ膜として形成したほうが好ましいが、本発明の温度センサにおいては形成しなくとも同様の効果を得ることができる。
図２は、本実施の形態における温度センサにおいて、温度Ｔとフラットバンド電圧Ｖｆｂとの関係を示すものである。フラットバンド電圧Ｖｆｂの測定は、シリコン基板１０の裏面と電極１４との間に電圧を印加し容量を測定することにより行なったものであり、このようにして、バンドがフラットとなるフラットバンド電圧Ｖｆｂを求めたものである。温度Ｔが２０℃よりも低い範囲においては、フラットバンド電圧Ｖｆｂの値は、約−７Ｖであり略一定であるのに対し、温度Ｔが２０℃から８０℃までの範囲においては、フラットバンド電圧Ｖｆｂの値が急激に約−７Ｖから約２Ｖまで変化し、更に、温度Ｔが８０℃以上の範囲においては、温度Ｔとフラットバンド電圧Ｖｆｂとは直線的な線形性を有する関係にあり、Ｔ＝α×Ｖｆｂ＋βに近似される関係を有している。尚、α、βは定数である。
尚、図２に示される温度Ｔとフラットバンド電圧Ｖｆｂとの関係は、再現性を有するものであり、温度Ｔの上昇と降下を繰り返し行なっても同様の測定結果を得ることができるものであり、温度センサとして用いることが可能である。また、図２は、−５０℃〜２５０℃の温度範囲について記載されているものであるが、５００℃までは同様の傾向にあり、この温度まで温度センサとして用いることができる。
このため、本実施の形態における温度センサは、フラットバンド電圧Ｖｆｂを測定することにより、対応する温度の値を測定することができるものであり、温度センサとしての機能を有するものである。即ち、シリコン基板１０の裏面と電極１４との間に電圧を印加し容量を測定することによりフラットバンド電圧Ｖｆｂを測定し、このフラットバンド電圧Ｖｆｂの値に基づき図２に示される相関関係より温度の測定を行なうものである。
尚、本実施の形態における温度センサは、フラットバンド電圧Ｖｆｂを測定することにより、対応する温度の値を測定することができるが、フラットバンド電圧Ｖｆｂの代わりに閾値電圧Ｖｔｈを測定しても同様に対応する温度の値を測定することができる。
（温度センサの製造方法）
次に、図３に基づき本実施の形態における温度センサの製造方法について説明する。
次に、図３に基づき本実施の形態における温度センサの製造方法について説明する。
最初に、ステップ１０２（Ｓ１０２）において、シリコン基板１０の表面を熱酸化することにより酸化シリコン膜１１を形成する。
次に、ステップ１０４（Ｓ１０４）において、酸化シリコン膜１１上に、ＣＶＤにより窒化シリコン膜１２を成膜する。
次に、ステップ１０６（Ｓ１０６）において、窒化シリコン膜１２上に、ＣＶＤにより酸化アルミニウム膜１３を成膜する。
次に、ステップ１０８（Ｓ１０８）において、酸化アルミニウム膜１３の表面に、酸素を注入する。具体的には、イオン注入装置により酸素イオンを注入することにより、または、酸素を含むガスのＧＣＩＢを照射することにより行なう。このＧＣＩＢは酸素を含むものであればよく、好ましくは、酸素ガスである。
次に、ステップ１１０（Ｓ１１０）において、酸化アルミニウム膜１３上に、電極１４を形成する。この電極１４は、ＴｉＮ膜とＷ膜が積層されたものである。
このようにして、本実施の形態における温度センサを作製することができるが、ステップ１０８におけるＧＣＩＢの照射等の工程の後は、５００℃以上の熱処理等を行なうことなく用いられる。５００℃以上の熱処理を行なってしまうと、図２に示されるような温度Ｔとフラットバンド電圧Ｖｆｂとの関係がなくなってしまい、温度センサとしての機能を有しなくなってしまうことが、発明者における検討の結果、知見として得られているからである。また、ステップ１０８において、照射されるＧＣＩＢは酸素を含むものであればよく、更には、希釈ガスを含まない酸素ガスが好ましい。この場合、酸素を含まないガス、例えば、ＡｒのＧＣＩＢを照射した場合には、図２に示すような温度Ｔとフラットバンド電圧Ｖｆｂとの関係を得ることができない。また、ＧＣＩＢ以外の処理、例えば、酸素のイオン打ち込み等を行なった場合においても、図２に示すような温度Ｔとフラットバンド電圧Ｖｆｂとの関係を得ることができない。これらのことは、発明者における検討の結果、知見として得られている。
尚、窒化シリコン膜１２を形成しない場合には、ステップ１０４（Ｓ１０４）における工程は省略することができる。
〔第２の実施の形態〕
（半導体装置）
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態における温度センサを有する半導体装置である。具体的には、チャージトラップ型メモリにおけるＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）キャパシタの構造は、図１に示す温度センサの構造に近い構造のものである。具体的には、図１に示す構造の温度センサにおいて、ＧＣＩＢによる処理を行なうことなく、ゲート電極を形成し、更に、ソース電極及びドレイン電極を形成することによりチャージトラップ型メモリとして用いられるトランジスタを形成することができる。
（半導体装置）
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態における温度センサを有する半導体装置である。具体的には、チャージトラップ型メモリにおけるＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）キャパシタの構造は、図１に示す温度センサの構造に近い構造のものである。具体的には、図１に示す構造の温度センサにおいて、ＧＣＩＢによる処理を行なうことなく、ゲート電極を形成し、更に、ソース電極及びドレイン電極を形成することによりチャージトラップ型メモリとして用いられるトランジスタを形成することができる。
即ち、第１の実施の形態における温度センサとチャージトラップ型メモリとは、ＧＣＩＢによる処理を行なうか否かが相違しているものであり、構造的には同じ構造のものである。従って、本実施の形態における半導体装置２０は、図４に示されるように、同一基板上に半導体素子領域となるチャージトラップ型メモリが複数形成されたメモリ領域２１と、温度測定を行なうための温度センサ領域２２とが形成されており、この温度センサ領域２２には、第１の実施の形態における温度センサが形成されている。
尚、図１に示す温度センサの構造では、第１の実施の形態と同様に窒化シリコン膜１２を省略することができる。温度センサとチャージトラップ型メモリは、構造的には同じ構造のものなので、同一基板上に形成する場合は、同じ工程を経て製造するのが好ましい。チャージトラップ型メモリにおいて窒化シリコン膜１２はチャージトラップ膜として機能するが、窒化シリコン膜１２を省略した場合は、酸化アルミニウム膜、または酸化シリコン膜と酸化アルミニウム膜との界面が窒化シリコン膜の代わりとして機能する。
（半導体装置の製造方法）
次に、図５に基づき本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。尚、便宜上、温度センサとチャージトラップ型メモリの構造は、ともに図１に示されるものである。
次に、図５に基づき本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。尚、便宜上、温度センサとチャージトラップ型メモリの構造は、ともに図１に示されるものである。
最初に、ステップ２０２（Ｓ２０２）において、シリコン基板１０の表面を熱酸化することにより酸化シリコン膜１１を形成する。尚、この酸化シリコン膜１１は、メモリ領域２１においては、チャージトラップ型メモリにおけるトンネル酸化膜となるものである。
次に、ステップ２０４（Ｓ２０４）において、酸化シリコン膜１１上に、ＣＶＤにより窒化シリコン膜１２を成膜する。尚、この窒化シリコン膜１２は、メモリ領域２１においては、チャージトラップ型メモリにおけるチャージトラップ膜となるものである。
次に、ステップ２０６（Ｓ２０６）において、窒化シリコン膜１２上に、ＣＶＤにより酸化アルミニウム膜１３を成膜する。尚、この酸化アルミニウム膜１３は、メモリ領域２１においては、チャージトラップ型メモリにおけるブロッキング絶縁膜となるものである。
次に、ステップ２０８（Ｓ２０８）において、レジストパターンを形成する。具体的には、酸化アルミニウム膜１３上に、フォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行なうことにより、メモリ領域２１となる領域の全体を覆い、温度センサ領域２２となる領域に開口部を有するレジストパターンを形成する。
次に、ステップ２１０（Ｓ２１０）において、酸素を含むガスのＧＣＩＢを照射する。この際、フォトレジストの開口部が形成されている酸化アルミニウム膜１３が露出している部分の表面に、酸素を注入する。具体的には、イオン注入装置により酸素イオンを注入することにより、または、酸素を含むガスのＧＣＩＢを照射することにより行なう。
次に、ステップ２１２（Ｓ２１２）において、酸化アルミニウム膜１３上に、電極１４を形成する。この電極１４は、ＴｉＮ膜とＷ膜が積層されたものである。尚、この電極１４は、メモリ領域２１においては、チャージトラップ型メモリにおけるゲート電極となるものである。尚、窒化シリコン膜１２を形成しない場合には、ステップ２０４（Ｓ２０４）における工程を省略することができる。
このようにして、本実施の形態における半導体装置を作製することができる。尚、本実施の形態における半導体装置では、ステップ２１０におけるＧＣＩＢの照射の工程の後は、温度センサ領域２２が５００℃以上となるような熱処理が行なわれることはない。即ち、メモリ領域２１におけるチャージトラップ型メモリにおいて、熱処理が行なわれる場合等においても、温度センサ領域２２は５００℃以上の温度にはならないような工程または設備等を用いて熱処理が行なわれる。例えば、５００℃未満の熱処理、局部的に放熱等をすることによる熱処理が行なわれる。
以上により、本実施の形態における半導体装置を製造することができる。本実施の形態における半導体装置では、温度センサが、チャージトラップ型メモリの構造と略同様の構造であるため、温度センサを形成するための特別の工程を必要とすることなく、また、温度センサを形成するための他の半導体材料等を用いる必要がなく、容易に温度センサとメモリとが混在した半導体装置を作製することができる。
尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。
〔第３の実施の形態〕
次に、第３の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第２の実施の形態における半導体装置を用いた温度制御方法である。
次に、第３の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第２の実施の形態における半導体装置を用いた温度制御方法である。
（半導体装置の温度制御１）
半導体装置は、温度に依存して特性が変化するため、半導体装置が高温になると、メモリ部２１に記憶されている情報が消えてしまう場合がある。このような場合には、半導体装置２０を冷却するか、メモリ部２１に記憶されている情報を他に移して、メモリ部２１に記憶されている情報が消去されてしまうことを防ぐ必要がある。このような制御を行なう場合について、図６に基づき説明する。
半導体装置は、温度に依存して特性が変化するため、半導体装置が高温になると、メモリ部２１に記憶されている情報が消えてしまう場合がある。このような場合には、半導体装置２０を冷却するか、メモリ部２１に記憶されている情報を他に移して、メモリ部２１に記憶されている情報が消去されてしまうことを防ぐ必要がある。このような制御を行なう場合について、図６に基づき説明する。
最初に、ステップ３０２（Ｓ３０２）において、半導体装置２０の温度センサ領域２２における温度センサにより温度を測定する。
次に、ステップ３０４（Ｓ３０４）において、ステップ３０２において温度センサ領域２２における温度センサにより測定された温度が、所定の温度以上であるか否かが判断される。温度センサにより測定された温度が所定の温度以上である場合には、ステップ３０６に移行し、温度センサにより測定された温度が所定の温度以上ではない場合には、ステップ３０２に移行し、再び温度センサによる温度測定が行なわれる。
一方、ステップ３０６（Ｓ３０６）において、温度上昇対応動作が行なわれる。具体的には、この場合、半導体装置２０の温度が所定の温度以上になっているため、温度上昇対応動作として、冷却ファン等により半導体装置２０を冷却する動作、または、半導体装置２０のメモリ領域２１に記憶されている情報を他の記憶装置に情報を転送する動作を行なう。
これにより、半導体装置２０のメモリ領域２１に記憶されていた情報が失われることを防ぐことができる。
（半導体装置の温度制御２）
また、チャージトラップ型メモリ等の半導体装置では、温度に依存して書込特性も変化する。このため、温度に対応した書込条件で情報を書き込むことができれば、より信頼性の高い情報の書き込みを行なうことができる。このような制御を行なう場合について、図７に基づき説明する。
また、チャージトラップ型メモリ等の半導体装置では、温度に依存して書込特性も変化する。このため、温度に対応した書込条件で情報を書き込むことができれば、より信頼性の高い情報の書き込みを行なうことができる。このような制御を行なう場合について、図７に基づき説明する。
最初に、ステップ４０２（Ｓ４０２）において、半導体装置２０の温度センサ領域２２における温度センサにより温度を測定する。
次に、ステップ４０４（Ｓ４０４）において、ステップ４０２において温度センサ領域２２における温度センサにより測定された温度に基づき、メモリ領域２１に形成されているチャージトラップ型メモリの書込条件を設定する。
次に、ステップ４０６（Ｓ４０６）において、ステップ４０４において設定された書込条件に基づき、メモリ領域２１に形成されているチャージトラップ型メモリに情報の書き込みを行なう。
これにより、メモリ領域２１に形成されているチャージトラップ型メモリにおいて、信頼性の高い情報の書き込みを行なうことができる。
以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。
１０ シリコン基板
１１ 酸化シリコン膜
１２ 窒化シリコン膜
１３ 酸化アルミニウム膜
１４ ゲート電極
１５ 素子分離領域
１１ 酸化シリコン膜
１２ 窒化シリコン膜
１３ 酸化アルミニウム膜
１４ ゲート電極
１５ 素子分離領域
Claims (11)
- 基板上に、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、電極を有するチャージトラップ型構造体が積層形成されており、
前記酸化アルミニウム膜の表面は、酸素イオンの注入、または、酸素を含むガスによるＧＣＩＢ照射が行なわれているものであって、
前記チャージトラップ型構造体のフラットバンド電圧を測定することにより、前記フラットバンド電圧に対応する温度を測定することができるものであることを特徴とする温度センサ。 - 前記チャージトラップ型構造体は、窒化シリコン膜をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の温度センサ。
- 基板上に、酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記酸化シリコン膜上に、酸化アルミニウム膜を形成する工程と、
前記酸化アルミニウム膜の表面に、酸素を注入する工程と、
前記酸素を注入する工程を行なった後、前記酸化アルミニウム膜上に電極を形成する工程と、
を有し、
前記酸素を注入する工程は、酸素を含むガスによるＧＣＩＢ照射を行なうものであることを特徴とする温度センサの製造方法。 - 前記酸化シリコン膜上に、窒化シリコン膜を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項３に記載の温度センサの製造方法。
- 基板上に、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、電極が積層形成されたものであって、
情報の記憶及び読出しを行なうメモリまたは、電圧または電流により制御される半導体素子が形成された半導体素子領域と、温度の測定を行なう温度センサ領域と、を有し、
前記温度センサ領域における前記酸化アルミニウム膜の表面には、酸素イオンの注入、または、酸素を含むガスによるＧＣＩＢ照射が行なわれており、前記半導体素子領域における前記酸化アルミニウム膜の表面には、酸素イオンの注入、または、酸素を含むガスによるＧＣＩＢ照射が行なわれてはいないものであることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体素子領域には、チャージトラップ型メモリが形成されているものであることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
- 前記基板上に、窒化シリコン膜がさらに形成されたことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の半導体装置。
- 情報の記憶及び読出しを行なうメモリまたは、電圧または電流により制御される半導体素子が形成された半導体素子領域と、温度の測定を行なう温度センサ領域を有する半導体装置の製造方法において、
基板上に、酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記酸化シリコン膜上に、酸化アルミニウム膜を形成する工程と、
前記半導体素子領域における前記酸化アルミニウム膜の表面には酸素を注入することなく、前記温度センサ領域における前記酸化アルミニウム膜の表面に酸素を注入する工程と、
前記酸素を注入する工程を行なった後、前記酸化アルミニウム膜上に電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記酸素を注入する工程は、酸素を含むガスによるＧＣＩＢ照射を行なうものであることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体素子領域には、チャージトラップ型メモリが形成されているものであることを特徴とする請求項８または９に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化シリコン膜上に、窒化シリコン膜を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項８乃至請求項１０のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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