JPS6380546A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS6380546A JPS6380546A JP61224793A JP22479386A JPS6380546A JP S6380546 A JPS6380546 A JP S6380546A JP 61224793 A JP61224793 A JP 61224793A JP 22479386 A JP22479386 A JP 22479386A JP S6380546 A JPS6380546 A JP S6380546A
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- diode
- pad
- temperature
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- integrated circuit
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置に係り、特に動作中の温度
を測定するのに好適な半導体集積回路装置に関する。
を測定するのに好適な半導体集積回路装置に関する。
従来より、半導体集積回路チップの通電中の接合温度の
測定手段としては、温度測定用のダイオードまたはトラ
ンジスタを組み込み、その特性変化をａｎする方法が知
られている。例えば、管野卓雄編「集積回路応用ハンド
ブック」朝倉書店、（１９８１年）の第７２３頁には、
トランジスタのＩ ｃ８０を測定して温度を求める方法
が論じられている。
測定手段としては、温度測定用のダイオードまたはトラ
ンジスタを組み込み、その特性変化をａｎする方法が知
られている。例えば、管野卓雄編「集積回路応用ハンド
ブック」朝倉書店、（１９８１年）の第７２３頁には、
トランジスタのＩ ｃ８０を測定して温度を求める方法
が論じられている。
上記従来技術は、温度測定用素子を接続するために独立
したパッドを設ける必要があり、チップ面積が増大する
。また、このチップをパッケージ内に組立てる際に、ピ
ン数に余裕が無いため、上記素子のパッドを外部に引き
出せないことがある。
したパッドを設ける必要があり、チップ面積が増大する
。また、このチップをパッケージ内に組立てる際に、ピ
ン数に余裕が無いため、上記素子のパッドを外部に引き
出せないことがある。
この場合は、組立てたチップの動作時の接合温度測定が
不可能であるという問題があった。
不可能であるという問題があった。
本発明の目的は、独立したパッドを設けること無しに温
度測定用素子を接続可能とし、上記の問題を解決するこ
とにある。
度測定用素子を接続可能とし、上記の問題を解決するこ
とにある。
一
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、温度測定用素子を、チップ温度測定時以外
は非導通状態となる様に、チップの信号入力パッドと電
源パッドとの間に接続することにより達成される。
は非導通状態となる様に、チップの信号入力パッドと電
源パッドとの間に接続することにより達成される。
本発明では、温度測定用素子が上記手段の様に接続され
ているため、チップの通常の使用状態では回路動作に影
響を与えない。また、接合温度測定時には、素子の接続
された前記入力パッドの電位を変えて素子を導通状態と
することができる。
ているため、チップの通常の使用状態では回路動作に影
響を与えない。また、接合温度測定時には、素子の接続
された前記入力パッドの電位を変えて素子を導通状態と
することができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。本実
施例は、温度測定用素子としてダイオードを用い、メモ
リＬＳＩチップに本発明を適用している。１はメモリＬ
ＳＩチップ、２はダイオード、３はチップセレクト信号
（以下Ｃ３とする）入力パッド、４〜６は電源パッド、
７〜１０はアドレス信号入力パッド、１１はライトイネ
ーブル信号（以下ＷＥとする）入力パッド、１２はデー
タ入力パッド、１３はデータ出力パッド、１４〜２０は
入力バッファ回路、２１は出力バッファ回路、２２はワ
ード線選択回路、２３はメモリセルアレイ、２４はデー
タ入出力回路である。ダイオード２はＯ８入力パッド３
にカソード電極が接続され、電源パット４にアノード電
極が接続されている。また、このメモリＬＳＩＩの入出
力レベルは、高速論理回路として一般に使用されている
エミッタ結合形論理回路（以下ＥＣＬとする）と等しく
、閾値電圧は−１，３■であり、ハイレベルおよびロー
レベルはそれぞれ一〇、９Ｖと−１，７Ｖである。電源
パッド４に印加される電圧は一２■である。第２図は、
第１図に示したメモリＬＳＩの通常の使用状態を示した
ものであり、２５は電源パッド４に接続される電源、２
６はＣ８入力パッドに接続されるＥＣＬレベルの信号源
である。
施例は、温度測定用素子としてダイオードを用い、メモ
リＬＳＩチップに本発明を適用している。１はメモリＬ
ＳＩチップ、２はダイオード、３はチップセレクト信号
（以下Ｃ３とする）入力パッド、４〜６は電源パッド、
７〜１０はアドレス信号入力パッド、１１はライトイネ
ーブル信号（以下ＷＥとする）入力パッド、１２はデー
タ入力パッド、１３はデータ出力パッド、１４〜２０は
入力バッファ回路、２１は出力バッファ回路、２２はワ
ード線選択回路、２３はメモリセルアレイ、２４はデー
タ入出力回路である。ダイオード２はＯ８入力パッド３
にカソード電極が接続され、電源パット４にアノード電
極が接続されている。また、このメモリＬＳＩＩの入出
力レベルは、高速論理回路として一般に使用されている
エミッタ結合形論理回路（以下ＥＣＬとする）と等しく
、閾値電圧は−１，３■であり、ハイレベルおよびロー
レベルはそれぞれ一〇、９Ｖと−１，７Ｖである。電源
パッド４に印加される電圧は一２■である。第２図は、
第１図に示したメモリＬＳＩの通常の使用状態を示した
ものであり、２５は電源パッド４に接続される電源、２
６はＣ８入力パッドに接続されるＥＣＬレベルの信号源
である。
この図でダイオード２のアノード電極の電位は＝２■、
カソード電極の電位は−０，９〜−１，７■であり、ダ
イオード２は導通状態にならないため、無視できる。第
３図は、本発明により、動作時の接合温度を測定するた
めの接続方法を示したものであり、２７は電源、２８は
電流計、２９は電圧計である。電源２７によりカソード
電極の電位がアノード電極より低くなる様に電圧を印加
すると、ダイオード２がオンし、電流が流れる。ダイオ
ード２の両端の電圧および電流は、電圧計２９と電流計
２８により測定される。第４図はダイオードの電圧−電
流特性を模式的に示したものである。
カソード電極の電位は−０，９〜−１，７■であり、ダ
イオード２は導通状態にならないため、無視できる。第
３図は、本発明により、動作時の接合温度を測定するた
めの接続方法を示したものであり、２７は電源、２８は
電流計、２９は電圧計である。電源２７によりカソード
電極の電位がアノード電極より低くなる様に電圧を印加
すると、ダイオード２がオンし、電流が流れる。ダイオ
ード２の両端の電圧および電流は、電圧計２９と電流計
２８により測定される。第４図はダイオードの電圧−電
流特性を模式的に示したものである。
一定の電流工。を流す場合の電圧は、接合温度が上昇す
ると、■。−＋Ｖ１→■２と小さくなる。従って、あら
かじめメモリＬＳＩＩを通電せずに恒温漕に入れ、周囲
温度を変化させながら、ダイオード２の電圧−電流特性
を測定しておくことにより、メモリＬＳＩの動作時の接
合温度を測定することができる。また、この測定中Ｃ８
入カパツド３には、ローレベルが入力されることになる
が、Ｃ８入力が負論理であれば、メモリＬＳＩは選択状
態となり、書き込み、読み出し動作は正常に行なえる。
ると、■。−＋Ｖ１→■２と小さくなる。従って、あら
かじめメモリＬＳＩＩを通電せずに恒温漕に入れ、周囲
温度を変化させながら、ダイオード２の電圧−電流特性
を測定しておくことにより、メモリＬＳＩの動作時の接
合温度を測定することができる。また、この測定中Ｃ８
入カパツド３には、ローレベルが入力されることになる
が、Ｃ８入力が負論理であれば、メモリＬＳＩは選択状
態となり、書き込み、読み出し動作は正常に行なえる。
第５図は、本発明の他の実施例を示したものである。第
１図の実施例に加え、３０のダイオードが電源パッドと
アドレス入力パッド８の間に接続されている。この実施
例では、メモリＬＳＩチップ１内に２個のダイオード２
，３０が組み込まれているため、例えば、ＣＳ （２号
をハイレベルとした場合の動作時の接合温度をダイオー
ド３０を用いて測定できる。
１図の実施例に加え、３０のダイオードが電源パッドと
アドレス入力パッド８の間に接続されている。この実施
例では、メモリＬＳＩチップ１内に２個のダイオード２
，３０が組み込まれているため、例えば、ＣＳ （２号
をハイレベルとした場合の動作時の接合温度をダイオー
ド３０を用いて測定できる。
以上の実施例では、メモリＬＳＩに本発明を適用したが
、マイクロプロセッサ等の論理ＬＳＩにも適用できる。
、マイクロプロセッサ等の論理ＬＳＩにも適用できる。
また入出力レベルはＥＣＬレベルに限らず、ＴＴＬ等の
他の入出力レベルで設計されたＬＳＩにおいても、適用
可能である。さらに、信号が正論理の場合は上記実施例
とは逆にダイオードのアノード電極を信号入力パッドに
接続し、カソード電極を信号入力レベルより高電位の電
源パッドに接続することにより、同様の効果が得られる
。
他の入出力レベルで設計されたＬＳＩにおいても、適用
可能である。さらに、信号が正論理の場合は上記実施例
とは逆にダイオードのアノード電極を信号入力パッドに
接続し、カソード電極を信号入力レベルより高電位の電
源パッドに接続することにより、同様の効果が得られる
。
本発明によれば、独立したパッドを用いずに、温度測定
用素子を接続できるので、バットの占める面積を小さく
できる効果がある。また、パッケージに組み立てる場合
には、ピン数を少なくできる効果がある。
用素子を接続できるので、バットの占める面積を小さく
できる効果がある。また、パッケージに組み立てる場合
には、ピン数を少なくできる効果がある。
第１図は本発明の一実施例のメモリＬＳＩのブロン、り
図、第２図は第１図のメモリＬＳＩの通常動作時の接続
図、第３図は第１図のメモリＬＳＩの接合温度測定時の
接続図、第４図は温度測定用ダイオードの電圧−電流特
性の模式図、第５図は本発明の他の実施例のメモリＬＳ
Ｉのブロック図である。 １・・・メモリＬＳＩ、２・・・ダイオード、３・・・
Ｃ３信号入カパッド、４〜６・・・電源入力パッド、７
〜１１・・・信号入力パッド、１２・・・データ入力パ
ッド、１３・・・データ出力パッド、２５・・・電源、
２６・・・信号源、２７・・・電源、２８・・・電流計
、２９・・・電圧計、３０・・・ダイオード。
図、第２図は第１図のメモリＬＳＩの通常動作時の接続
図、第３図は第１図のメモリＬＳＩの接合温度測定時の
接続図、第４図は温度測定用ダイオードの電圧−電流特
性の模式図、第５図は本発明の他の実施例のメモリＬＳ
Ｉのブロック図である。 １・・・メモリＬＳＩ、２・・・ダイオード、３・・・
Ｃ３信号入カパッド、４〜６・・・電源入力パッド、７
〜１１・・・信号入力パッド、１２・・・データ入力パ
ッド、１３・・・データ出力パッド、２５・・・電源、
２６・・・信号源、２７・・・電源、２８・・・電流計
、２９・・・電圧計、３０・・・ダイオード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、温度により特性が変化する素子を同一チップ内に内
蔵した半導体集積回路であって、上記素子の端子の１個
が上記集積回路の電源接続用パッドに接続され、他の端
子が上記集積回路の信号入力用パッドに接続され、チッ
プ温度測定時以外は上記素子が非導通状態であることを
特徴とする半導体集積回路装置。 ２、上記温度により特性が変化する素子をダイオードに
より構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61224793A JPS6380546A (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61224793A JPS6380546A (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6380546A true JPS6380546A (ja) | 1988-04-11 |
Family
ID=16819287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61224793A Expired - Lifetime JPS6380546A (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6380546A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6467931A (en) * | 1987-09-08 | 1989-03-14 | Nec Corp | Integrated circuit |
| JP2008066338A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-21 | Denso Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JP2008084977A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Denso Corp | 不揮発性半導体記憶装置のデータ書き換え方法 |
| JP2010225601A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体記憶装置 |
| US8570825B2 (en) | 2011-01-12 | 2013-10-29 | Tokyo Electron Limited | Temperature sensor, method of manufacturing the temperature sensor, semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, and method of controlling the semiconductor device |
| CN111190452A (zh) * | 2020-01-06 | 2020-05-22 | 西安交通大学 | 一种基准电路芯片温度系数的测试方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5734458U (ja) * | 1980-08-08 | 1982-02-23 | ||
| JPS5932897A (ja) * | 1982-08-17 | 1984-02-22 | 株式会社中川製作所 | 放射性物質を含む廃液の処理装置 |
| JPS6085375A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-14 | Nec Corp | 集積回路温度特性測定方式 |
-
1986
- 1986-09-25 JP JP61224793A patent/JPS6380546A/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5734458U (ja) * | 1980-08-08 | 1982-02-23 | ||
| JPS5932897A (ja) * | 1982-08-17 | 1984-02-22 | 株式会社中川製作所 | 放射性物質を含む廃液の処理装置 |
| JPS6085375A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-14 | Nec Corp | 集積回路温度特性測定方式 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6467931A (en) * | 1987-09-08 | 1989-03-14 | Nec Corp | Integrated circuit |
| JP2008066338A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-21 | Denso Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JP2008084977A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Denso Corp | 不揮発性半導体記憶装置のデータ書き換え方法 |
| JP2010225601A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体記憶装置 |
| US8570825B2 (en) | 2011-01-12 | 2013-10-29 | Tokyo Electron Limited | Temperature sensor, method of manufacturing the temperature sensor, semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, and method of controlling the semiconductor device |
| CN111190452A (zh) * | 2020-01-06 | 2020-05-22 | 西安交通大学 | 一种基准电路芯片温度系数的测试方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |