JP2007294913A5 - - Google Patents
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Claims (8)
- 基板と、
前記基板上に、チャネル形成領域、前記チャネル形成領域を挟んで形成された一対の接続領域、前記チャネル形成領域と前記接続領域との間に形成されたソース領域またはドレイン領域、前記接続領域の表面近傍に形成された第1のシリサイド領域、および前記ソース領域またはドレイン領域の表面近傍の一部に形成された第2のシリサイド領域を含む島状半導体膜と、
前記島状半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の側面に形成されたサイドウォールと、
前記島状半導体膜、前記ゲート電極、および前記サイドウォールを覆い、前記第1のシリサイド領域に達するコンタクトホールが形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記コンタクトホールを介して、前記第1のシリサイド領域に電気的に接続されるソース電極またはドレイン電極と、
を有し、
前記接続領域に含まれる一導電型を付与する元素の濃度は、前記ソース領域またはドレイン領域よりも低い
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記一導電型を付与する元素は、n型を付与する元素であることを特徴とする半導体装置。 - 基板と、
前記基板上に、第1のチャネル形成領域、前記第1のチャネル形成領域を挟んで形成された一対の接続領域、前記第1のチャネル形成領域と前記接続領域との間に形成されたn型を付与する元素を含む第1のソース領域またはドレイン領域、前記接続領域の表面近傍に形成された第1のシリサイド領域、および前記第1のソース領域またはドレイン領域の表面近傍の一部に形成された第2のシリサイド領域を含む第1の島状半導体膜と、
前記第1の島状半導体膜上に形成された第1のゲート絶縁膜と、
前記第1のゲート絶縁膜上に形成された第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極の側面に形成された第1のサイドウォールと、
前記第1の島状半導体膜、前記第1のゲート電極、および前記第1のサイドウォールを覆い、前記第1のシリサイド領域に達する第1のコンタクトホールが形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記第1のコンタクトホールを介して、前記第1のシリサイド領域に電気的に接続される第1のソース電極またはドレイン電極と、
前記基板上に、第2のチャネル形成領域、前記第2のチャネル形成領域を挟んで形成され、p型を付与する元素を含む第2のソース領域またはドレイン領域、前記第2のソース領域またはドレイン領域の表面近傍の一部に形成された第3のシリサイド領域を含む第2の島状半導体膜と、
前記第2の島状半導体膜上に形成された第2のゲート絶縁膜と、
前記第2のゲート絶縁膜上に形成された第2のゲート電極と、
前記第2のゲート電極の側面に形成された第2のサイドウォールと、
前記第2の島状半導体膜、前記第2のゲート電極、および前記第2のサイドウォールを覆い、前記第2のシリサイド領域に達する第2のコンタクトホールが形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記第2のコンタクトホールを介して、前記第3のシリサイド領域に電気的に接続される第2のソース電極またはドレイン電極と、
を有し、
前記接続領域に含まれるn型を付与する元素の濃度は、前記第1のソース領域またはドレイン領域よりも低いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか1項において、
前記シリサイド領域は、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、タングステン(W)、または白金(Pt)のシリサイドを含むことを特徴とする半導体装置。 - 基板上に、下地膜を形成し、
前記下地膜上に、島状半導体膜を形成し、
前記島状半導体膜上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、ゲート電極を形成し、
前記島状半導体膜の両端部の上に、一対のレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクおよび前記ゲート電極をマスクとして、前記島状半導体膜に一導電型を付与する元素を導入することにより、前記島状半導体膜中にチャネル形成領域、前記チャネル形成領域を挟み、前記レジストマスクの下方に位置する一対の接続領域、および前記チャネル形成領域と前記接続領域との間に位置するソース領域またはドレイン領域を形成し、
前記レジストマスクを除去し、
前記ゲート電極の側面にサイドウォールを形成し、
前記島状半導体膜および前記サイドウォールを覆って、金属膜を形成し、
前記島状半導体膜および前記金属膜を加熱することにより、前記接続領域の表面近傍に第1のシリサイド領域を形成するとともに前記ソース領域またはドレイン領域の表面近傍の一部に第2のシリサイド領域を形成し、
前記島状半導体膜、前記ゲート電極および前記サイドウォールを覆う層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜中に、前記第1のシリサイド領域に到達するコンタクトホールを形成し、
前記層間絶縁膜上に、前記コンタクトホールを介して、前記第1のシリサイド領域に電気的に接続するソース電極またはドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に、下地膜を形成し、
前記下地膜上に、第1の島状半導体膜および第2の島状半導体膜を形成し、
前記第1の島状半導体膜および前記第2の島状半導体膜の上に、それぞれ第1のゲート絶縁膜および第2のゲート絶縁膜を形成し、
前記第1のゲート絶縁膜および前記第2のゲート絶縁膜の上に、それぞれ第1のゲート電極および第2のゲート電極を形成し、
前記第1の島状半導体膜の両端部の上に一対の第1のレジストマスクを形成するとともに、前記第2の島状半導体膜および前記第2のゲート電極の上に第2のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスク、前記第1のゲート電極および前記第2のレジストマスクをマスクとして、前記第1の島状半導体膜にn型を付与する元素を導入することにより、前記第1の島状半導体膜中に第1のチャネル形成領域、前記第1のチャネル形成領域を挟み、前記第1のレジストマスクの下方に位置する一対の接続領域、および前記第1のチャネル形成領域と前記接続領域との間に位置する第1のソース領域またはドレイン領域を形成し、
前記第1のレジストマスクおよび前記第2のレジストマスクを除去し、
前記第1の島状半導体膜および前記第1のゲート電極の上に第3のレジストマスクを形成し、
前記第3のレジストマスクおよび前記第2のゲート電極をマスクとして、前記第2の島状半導体膜にp型を付与する元素を導入することにより、前記第2の島状半導体膜中に第2のチャネル形成領域、および前記第2のチャネル形成領域を挟む第2のソース領域またはドレイン領域を形成し、
前記第3のレジストマスクを除去し、
前記第1のゲート電極および第2のゲート電極の側面に、それぞれ第1のサイドウォールおよび第2のサイドウォールを形成し、
前記第1の島状半導体膜、前記第1のサイドウォール、前記第2の島状半導体膜、および前記第2のサイドウォールを覆って、金属膜を形成し、
前記第1の島状半導体膜、前記第2の島状半導体膜、および前記金属膜を加熱することにより、前記第1の島状半導体膜において前記接続領域の表面近傍に第1のシリサイド領域を形成するとともに前記第1のソース領域またはドレイン領域の表面近傍の一部に第2のシリサイド領域を形成し、前記第2の島状半導体膜において前記第2のソース領域またはドレイン領域の表面近傍の一部に第3のシリサイド領域を形成し、
前記第1の島状半導体膜、前記第1のゲート電極、前記第1のサイドウォール、前記第2の島状半導体膜、前記第2のゲート電極、および前記第2のサイドウォールを覆う層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜中に、前記第1のシリサイド領域および前記第3のシリサイド領域にそれぞれ達する第1のコンタクトホールおよび第2のコンタクトホールを形成し、
前記層間絶縁膜上に、前記第1のコンタクトホールを介して前記第1のシリサイド領域に電気的に接続する第1のソース電極またはドレイン電極と、前記第2のコンタクトホールを介して前記第3のシリサイド領域に電気的に接続する第2のソース電極またはドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項5または請求項6において、
前記一導電型を付与する元素は、n型を付与する元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項5乃至請求項7のいずれか1項において、
前記金属膜は、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、タングステン(W)、または白金(Pt)のいずれか1つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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