JP2000258921A - パターン形成方法およびその形成パターン - Google Patents
パターン形成方法およびその形成パターンInfo
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Printing Methods (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高精細高精度でしかも安価に実施し得るパタ
ーン形成方法およびその形成パターンを提供する。 【解決手段】 フォトペーストを印刷によりパターニン
グした後、露光および現像を行い、乾燥焼成により任意
のパターンを形成する。パターン１０７側面は、その基
板１０１に対して傾斜面を有し、基板１０１に垂直方向
の光１０５を照射して露光し現像を行うことにより、パ
ターン１０７側面を基板１０１に垂直方向に成形する。
導電等の機能材料に感光性の機能を付加したフォトペー
ストをオフセットやスクリーン等の印刷によりパターニ
ングした後、露光、現像を行い、形状の補正やショート
欠陥等の余分な部分を除去し、乾燥焼成により任意のパ
ターンを高精度高精細に形成することができる。
ーン形成方法およびその形成パターンを提供する。 【解決手段】 フォトペーストを印刷によりパターニン
グした後、露光および現像を行い、乾燥焼成により任意
のパターンを形成する。パターン１０７側面は、その基
板１０１に対して傾斜面を有し、基板１０１に垂直方向
の光１０５を照射して露光し現像を行うことにより、パ
ターン１０７側面を基板１０１に垂直方向に成形する。
導電等の機能材料に感光性の機能を付加したフォトペー
ストをオフセットやスクリーン等の印刷によりパターニ
ングした後、露光、現像を行い、形状の補正やショート
欠陥等の余分な部分を除去し、乾燥焼成により任意のパ
ターンを高精度高精細に形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高精度なパターン
形成法および形成パターンに関するものであり、特にフ
ラットディスプレイ装置等の電子表示機器における配線
および電極等の導電性のパターンの形成方法および形成
パターンに関する。
形成法および形成パターンに関するものであり、特にフ
ラットディスプレイ装置等の電子表示機器における配線
および電極等の導電性のパターンの形成方法および形成
パターンに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に配線等のパターニングには、スク
リーン印刷方法やオフセット印刷方法をはじめとする印
刷パターンニング技術と、フォトリソグラフィーを用い
たフォトパターニング技術がある。
リーン印刷方法やオフセット印刷方法をはじめとする印
刷パターンニング技術と、フォトリソグラフィーを用い
たフォトパターニング技術がある。
【０００３】印刷によるパターニングは、工程の簡略に
よるコストダウンの効果はあるが、高精度高精細という
点ではフォトプロセスに劣る。スクリーン印刷は「紗」
と呼ばれる一定の開口を持った織物（エッチング等によ
ってメッシュを形成したものもある）に乳剤を含浸さ
せ、パターン部分を除去して形成したスクリーン版を用
いる。このため版厚さと開口率の関係からＬ／Ｓで５０
ミクロンが限度である。オフセット印刷、特に凹版オフ
セット印刷は、ガラスまたは金属の基板にフォトプロセ
スによりパターニングした後、基板をエッチングして凹
部を形成した版を用いるため、サイドエッチング量と深
さの関係からＬ／Ｓで１０ミクロンが限度である。
よるコストダウンの効果はあるが、高精度高精細という
点ではフォトプロセスに劣る。スクリーン印刷は「紗」
と呼ばれる一定の開口を持った織物（エッチング等によ
ってメッシュを形成したものもある）に乳剤を含浸さ
せ、パターン部分を除去して形成したスクリーン版を用
いる。このため版厚さと開口率の関係からＬ／Ｓで５０
ミクロンが限度である。オフセット印刷、特に凹版オフ
セット印刷は、ガラスまたは金属の基板にフォトプロセ
スによりパターニングした後、基板をエッチングして凹
部を形成した版を用いるため、サイドエッチング量と深
さの関係からＬ／Ｓで１０ミクロンが限度である。
【０００４】また、印刷プロセス上もスクリーン印刷の
スキージ圧やオフセット印刷の押し付け圧によるつぶ
れ、にじみ、だれ等の形状不良やショート欠陥、転写不
良による抜け欠陥の発生もある。このように形状再現性
もフォトプロセスに劣る。
スキージ圧やオフセット印刷の押し付け圧によるつぶ
れ、にじみ、だれ等の形状不良やショート欠陥、転写不
良による抜け欠陥の発生もある。このように形状再現性
もフォトプロセスに劣る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】フォトリソによるパタ
ーニングは印刷よりも、半導体配線に用いられるように
高精細高精度かつ形状再現性に優れている。しかし工程
が複雑で、配線材料やフォトレジストさらにはエッチン
グ材料および洗浄材料等のランニングコストがかかる点
で印刷プロセスに劣る。
ーニングは印刷よりも、半導体配線に用いられるように
高精細高精度かつ形状再現性に優れている。しかし工程
が複雑で、配線材料やフォトレジストさらにはエッチン
グ材料および洗浄材料等のランニングコストがかかる点
で印刷プロセスに劣る。
【０００６】そこで、機能材料たとえば導電ぺ一スト等
の配線材料に感光性の機能を付加することにより、工程
の簡略化を行っている。すなわち成膜後にフォトレジス
トを塗布し、フォトレジストを露光・現像・エッチング
した後に、導電膜をさらにエッチングし、最後にマスク
として残ったフォトレジストを剥離・洗浄するフォトプ
ロセスの一般的な工程を、感光性の機能材料を塗布し、
露光・現像・焼成するという工程に簡略化している。し
かしながら、材料に機能を付加することにより材料自体
のコストが上がってしまう。
の配線材料に感光性の機能を付加することにより、工程
の簡略化を行っている。すなわち成膜後にフォトレジス
トを塗布し、フォトレジストを露光・現像・エッチング
した後に、導電膜をさらにエッチングし、最後にマスク
として残ったフォトレジストを剥離・洗浄するフォトプ
ロセスの一般的な工程を、感光性の機能材料を塗布し、
露光・現像・焼成するという工程に簡略化している。し
かしながら、材料に機能を付加することにより材料自体
のコストが上がってしまう。
【０００７】さらに、材料使用量を削減するために、ロ
ールコーターやスピンコーター等の改良、たとえばスピ
ンコーターの薬液吐出ノズルをスリット状にし、ある程
度均一な膜を形成した後スピンにより膜厚精度を得る方
法（東京応化のスリットアンドスピン）が考案されてい
る。また、スリット状のノズルから薬液を吐出する精度
を向上させ、スピンを用いないで膜厚精度を得る方法
（ＦＡＳテクノロジーのイクストリュージョンコータ
ー）が考案されている。
ールコーターやスピンコーター等の改良、たとえばスピ
ンコーターの薬液吐出ノズルをスリット状にし、ある程
度均一な膜を形成した後スピンにより膜厚精度を得る方
法（東京応化のスリットアンドスピン）が考案されてい
る。また、スリット状のノズルから薬液を吐出する精度
を向上させ、スピンを用いないで膜厚精度を得る方法
（ＦＡＳテクノロジーのイクストリュージョンコータ
ー）が考案されている。
【０００８】しかしながら、塗布された材料は現像およ
びエッチングにより除去され、塗布時の材料使用効率が
１００％だとしても、製品機能としては塗布部分の数％
しか必要なく、材料使用効率は低い。
びエッチングにより除去され、塗布時の材料使用効率が
１００％だとしても、製品機能としては塗布部分の数％
しか必要なく、材料使用効率は低い。
【０００９】本発明はかかる実情に鑑み、高精細高精度
でしかも安価に実施し得るパターン形成方法およびその
形成パターンを提供することを目的とする。
でしかも安価に実施し得るパターン形成方法およびその
形成パターンを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のパターン形成方
法は、フォトペーストを印刷によりパターニングした
後、露光および現像を行い、乾燥焼成により任意のパタ
ーンを形成することを特徴とする。
法は、フォトペーストを印刷によりパターニングした
後、露光および現像を行い、乾燥焼成により任意のパタ
ーンを形成することを特徴とする。
【００１１】また、本発明のパターン形成方法におい
て、フォトペーストをオフセット印刷によりパターニン
グした後、マスク露光および現像を行い、乾燥焼成によ
り任意のパターンを形成することを特徴とする。
て、フォトペーストをオフセット印刷によりパターニン
グした後、マスク露光および現像を行い、乾燥焼成によ
り任意のパターンを形成することを特徴とする。
【００１２】また、本発明のパターン形成方法におい
て、ネガ型フォトペーストを印刷によりパターニングし
た後、ビーム露光および現像により除去し、乾燥焼成に
より任意のパターンを形成する。
て、ネガ型フォトペーストを印刷によりパターニングし
た後、ビーム露光および現像により除去し、乾燥焼成に
より任意のパターンを形成する。
【００１３】また、本発明の印刷により形成されたパタ
ーン側面は、その基板に対して傾斜面を有し、該基板に
垂直方向の光を照射して露光し現像を行うことにより、
パターン側面を基板に垂直方向に成形することを特徴と
する。
ーン側面は、その基板に対して傾斜面を有し、該基板に
垂直方向の光を照射して露光し現像を行うことにより、
パターン側面を基板に垂直方向に成形することを特徴と
する。
【００１４】また、本発明の形成パターンは、上記いず
れかのパターン形成方法により形成されたことを特徴と
する。
れかのパターン形成方法により形成されたことを特徴と
する。
【００１５】本発明によれば、導電等の機能材料に感光
性の機能を付加したフォトペーストをオフセットやスク
リーン等の印刷によりパターニングした後、露光および
現像を行う。形状の補正やショート欠陥等の余分な部分
を除去し、乾燥焼成により任意のパターンを高精度高精
細に形成することができる。
性の機能を付加したフォトペーストをオフセットやスク
リーン等の印刷によりパターニングした後、露光および
現像を行う。形状の補正やショート欠陥等の余分な部分
を除去し、乾燥焼成により任意のパターンを高精度高精
細に形成することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき、本発明の実
施形態について説明する。図１は、本発明の特徴を最も
良く表わすパターン形成方法の主要工程を示す概略図で
ある。図１において、１０１は被印刷体である基板、１
０２は印刷パターンであり、通常図のような台形型に印
刷される。１０３はスクリーン、１０４はスキージ、１
０５は露光用の平行光、１０６はマスク、１０７は現像
パターン、１０８は焼成パターンである。
施形態について説明する。図１は、本発明の特徴を最も
良く表わすパターン形成方法の主要工程を示す概略図で
ある。図１において、１０１は被印刷体である基板、１
０２は印刷パターンであり、通常図のような台形型に印
刷される。１０３はスクリーン、１０４はスキージ、１
０５は露光用の平行光、１０６はマスク、１０７は現像
パターン、１０８は焼成パターンである。
【００１７】図１（ａ）において、印刷により基板１０
１にフォトペーストの印刷パターン１０２を形成する。
この例ではスクリーン印刷を用いているが、これに限定
されるものではない。図１（ｂ）において、マスク１０
６を介して平行光を当てて露光する。この例では全面一
括露光を用いているがこれに限定されるものではない。
図１（ｃ）において、剥離液を用いて露光部分を除去
し、現像パターン１０７を形成する。平行光で露光する
ことで、印刷で形成された印刷パターン１０２の台形形
状が矩形になる。図１（ｄ）において、乾燥および焼成
を行い、焼成パターンを形成する。インキはフォトペー
ストと呼ばれる機能性インキを用いる。たとえばデュポ
ン社製の「フォーゲル」や、ノリタケ社製の「レジネー
トインキ」に感光性のレジストを添加したもの等を使用
することができる。ただし、これらの材料に限定される
ものではない。
１にフォトペーストの印刷パターン１０２を形成する。
この例ではスクリーン印刷を用いているが、これに限定
されるものではない。図１（ｂ）において、マスク１０
６を介して平行光を当てて露光する。この例では全面一
括露光を用いているがこれに限定されるものではない。
図１（ｃ）において、剥離液を用いて露光部分を除去
し、現像パターン１０７を形成する。平行光で露光する
ことで、印刷で形成された印刷パターン１０２の台形形
状が矩形になる。図１（ｄ）において、乾燥および焼成
を行い、焼成パターンを形成する。インキはフォトペー
ストと呼ばれる機能性インキを用いる。たとえばデュポ
ン社製の「フォーゲル」や、ノリタケ社製の「レジネー
トインキ」に感光性のレジストを添加したもの等を使用
することができる。ただし、これらの材料に限定される
ものではない。
【００１８】図２は、本発明におけるオフセット印刷を
説明した概略図である。図２において、２０１はブラン
胴、２０２はブランケット、２０３は所定パターンを有
する凹版、２０４は受理パターン、２０５は凹版２０３
に充填されたインキ、２０６は転移（印刷）パターン、
２０７は被印刷体である基板である。
説明した概略図である。図２において、２０１はブラン
胴、２０２はブランケット、２０３は所定パターンを有
する凹版、２０４は受理パターン、２０５は凹版２０３
に充填されたインキ、２０６は転移（印刷）パターン、
２０７は被印刷体である基板である。
【００１９】図２（ａ）において、凹版２０３に充填さ
れたインキ２０５は、ブランケット２０２を巻き付けた
ブラン胴２０１を矢印の方向に押し付けながら転がすこ
とにより、ブランケット２０２の表面に受理され、パタ
ーンを形成する。この場合、凹版２０３受理し易いよう
に側面にはテーパがついている。図２（ｂ）において、
ブランケット２０２の表面に受理パターン２０４が形成
されたブランケット２０２を巻き付けたブラン胴２０１
を基板２０７に押し付けながら、矢印の方向に転がす。
これによりブランケット２０２から基板２０７にパター
ン２０６が転移し、印刷パターンが形成される。
れたインキ２０５は、ブランケット２０２を巻き付けた
ブラン胴２０１を矢印の方向に押し付けながら転がすこ
とにより、ブランケット２０２の表面に受理され、パタ
ーンを形成する。この場合、凹版２０３受理し易いよう
に側面にはテーパがついている。図２（ｂ）において、
ブランケット２０２の表面に受理パターン２０４が形成
されたブランケット２０２を巻き付けたブラン胴２０１
を基板２０７に押し付けながら、矢印の方向に転がす。
これによりブランケット２０２から基板２０７にパター
ン２０６が転移し、印刷パターンが形成される。
【００２０】凹版２０３は銅や真鍮の金属板をエッチン
グした後、クロムニッケルめっき等の表面硬化処理をし
たものや、ＳＵＳあるいはガラス等の硬質板をエッチン
グしたものを用いる。ブランケット２０２はニトリルゴ
ム、シリコンゴム、フッ素ゴム、またはニトリルゴムの
表面にシリコン、トリフロロエチレン、ポリフッ化ビニ
リデンプロピレン等を塗布したものを、基布やフィルム
に張り合わせたものである。ブラン胴２０１はブランケ
ット２０２を固定するための円筒であり、剛性および真
円度が必要である。ただし、軽量化のために中空の場合
もある。
グした後、クロムニッケルめっき等の表面硬化処理をし
たものや、ＳＵＳあるいはガラス等の硬質板をエッチン
グしたものを用いる。ブランケット２０２はニトリルゴ
ム、シリコンゴム、フッ素ゴム、またはニトリルゴムの
表面にシリコン、トリフロロエチレン、ポリフッ化ビニ
リデンプロピレン等を塗布したものを、基布やフィルム
に張り合わせたものである。ブラン胴２０１はブランケ
ット２０２を固定するための円筒であり、剛性および真
円度が必要である。ただし、軽量化のために中空の場合
もある。
【００２１】図３は、本発明におけるビーム露光を説明
した概略図である。図３において、３０１は被印刷体で
ある基板、３０２は印刷パターン、３０３はスクリー
ン、３０４はスキージ、３０５はビーム光ヘッド、３０
６はビーム光、３０７は現像パターン、３０８は焼成パ
ターンである。
した概略図である。図３において、３０１は被印刷体で
ある基板、３０２は印刷パターン、３０３はスクリー
ン、３０４はスキージ、３０５はビーム光ヘッド、３０
６はビーム光、３０７は現像パターン、３０８は焼成パ
ターンである。
【００２２】図３（ａ）において、印刷により基板３０
１にフォトペーストの印刷パターン３０２を形成する。
この例ではスクリーンスクリーン印刷を用いているが、
これに限定されるものではない。図３（ｂ）において、
ビーム露光用のビーム光ヘッド３０５をショート欠陥や
形状不良およびインキ汚れ等の位置に移動し、ビーム光
３０６を部分的に照射し必要部分のみを露光する。図３
（ｃ）において、剥離液を用いて露光部分を除去し、現
像パターン３０７を形成する。図３（ｄ）において、乾
燥および焼成を行い、焼成パターン３０８を形成する。
１にフォトペーストの印刷パターン３０２を形成する。
この例ではスクリーンスクリーン印刷を用いているが、
これに限定されるものではない。図３（ｂ）において、
ビーム露光用のビーム光ヘッド３０５をショート欠陥や
形状不良およびインキ汚れ等の位置に移動し、ビーム光
３０６を部分的に照射し必要部分のみを露光する。図３
（ｃ）において、剥離液を用いて露光部分を除去し、現
像パターン３０７を形成する。図３（ｄ）において、乾
燥および焼成を行い、焼成パターン３０８を形成する。
【００２３】上記の場合、印刷により形成されたパター
ン１０２等の側面は、基板１０１等に対して図１のよう
に傾斜面を有する。上述のように基板１０１に垂直方向
の光を照射して露光し現像を行うことにより、パターン
側面は基板１０１に垂直方向に成形される。
ン１０２等の側面は、基板１０１等に対して図１のよう
に傾斜面を有する。上述のように基板１０１に垂直方向
の光を照射して露光し現像を行うことにより、パターン
側面は基板１０１に垂直方向に成形される。
【００２４】
【実施例】つぎに、本発明の具体的な実施例について説
明する。 ［実施例１］図１に示した概略図においてスクリーン印
刷機により、フォトペースト（商品名「フォーゲル」デ
ュポン社製）をＬ／Ｓ＝１００μｍ／４００μｍのスク
リーン版を用いて、厚さ３０μｍのストライプを印刷パ
ターン形成した。印刷形成したパターンは多少のにじみ
が発生した。つぎにＬ／Ｓ＝１００μｍ／４００μｍの
フォトマスクを用いて、全面露光を行い、印刷によるに
じみの部分を現像し、現像パターンを形成した。つぎに
乾燥および焼成を行い、膜厚２０μｍの焼成パターンを
形成した。
明する。 ［実施例１］図１に示した概略図においてスクリーン印
刷機により、フォトペースト（商品名「フォーゲル」デ
ュポン社製）をＬ／Ｓ＝１００μｍ／４００μｍのスク
リーン版を用いて、厚さ３０μｍのストライプを印刷パ
ターン形成した。印刷形成したパターンは多少のにじみ
が発生した。つぎにＬ／Ｓ＝１００μｍ／４００μｍの
フォトマスクを用いて、全面露光を行い、印刷によるに
じみの部分を現像し、現像パターンを形成した。つぎに
乾燥および焼成を行い、膜厚２０μｍの焼成パターンを
形成した。
【００２５】結果は、Ｌ／Ｓ＝１００μｍ／４００μ
ｍ、膜厚２０μｍの焼成パターンが得られた。インキの
使用効率は印刷時におけるインキロス程度であり、約７
０％であった。ショート欠陥はなく、位置精度および形
状精度はフォトリソパターンと同等であった。
ｍ、膜厚２０μｍの焼成パターンが得られた。インキの
使用効率は印刷時におけるインキロス程度であり、約７
０％であった。ショート欠陥はなく、位置精度および形
状精度はフォトリソパターンと同等であった。
【００２６】［実施例２］実施例１と同様にパターン形
成を行った。ただし、印刷パターンの形成方法について
は、図２に示したオフセット印刷の概略図において、枚
葉式オフセット印刷機により、Ｌ／Ｓ＝１５μｍ／１０
０μｍ、深さ５μｍのストライプパターンを形成した平
板状凹版を用いて、印刷パターンを形成した。印刷形成
したパターンはコーナー部が多少Ｒ形状になっていた。
インキは、ＭＯインキ（「Ｐｔレジネートインキ」ＮＥ
ケムキャット社製）に感光性樹脂（「ＭＢＲ Ｃ１００
０」東京応化社製）を添加したもので、Ｐｔ含有率が３
％である。
成を行った。ただし、印刷パターンの形成方法について
は、図２に示したオフセット印刷の概略図において、枚
葉式オフセット印刷機により、Ｌ／Ｓ＝１５μｍ／１０
０μｍ、深さ５μｍのストライプパターンを形成した平
板状凹版を用いて、印刷パターンを形成した。印刷形成
したパターンはコーナー部が多少Ｒ形状になっていた。
インキは、ＭＯインキ（「Ｐｔレジネートインキ」ＮＥ
ケムキャット社製）に感光性樹脂（「ＭＢＲ Ｃ１００
０」東京応化社製）を添加したもので、Ｐｔ含有率が３
％である。
【００２７】つぎにＬ／Ｓ＝１５μｍ／１００μｍのフ
ォトマスクを用いて、全面露光を行い、印刷によるコー
ナー部のＲ形状部分を現像し、現像パターンを形成し
た。つぎに乾燥および焼成を行い、膜厚０．１μｍの焼
成パターンを形成した。
ォトマスクを用いて、全面露光を行い、印刷によるコー
ナー部のＲ形状部分を現像し、現像パターンを形成し
た。つぎに乾燥および焼成を行い、膜厚０．１μｍの焼
成パターンを形成した。
【００２８】結果は、Ｌ／Ｓ＝１５μｍ／１００μｍ、
膜厚０．１μｍの焼成パターンが得られた。インキの使
用効率は印刷時におけるインキロス程度であり、約７０
％であった。ショート欠陥はなく、位置精度および形状
精度はフォトリソパターンと同等であった。
膜厚０．１μｍの焼成パターンが得られた。インキの使
用効率は印刷時におけるインキロス程度であり、約７０
％であった。ショート欠陥はなく、位置精度および形状
精度はフォトリソパターンと同等であった。
【００２９】［実施例３］実施例１と同様にパターン形
成を行った。ただし、露光方法については、図３に示し
たビーム露光を行った。ビーム露光部分はストライプパ
ターンが隣のストライプと接続している、所謂ショート
欠陥部分およびスペース部分のインキ汚れ部分である。
成を行った。ただし、露光方法については、図３に示し
たビーム露光を行った。ビーム露光部分はストライプパ
ターンが隣のストライプと接続している、所謂ショート
欠陥部分およびスペース部分のインキ汚れ部分である。
【００３０】結果は、Ｌ／Ｓ＝１０５μｍ／３９５μ
ｍ、膜厚２０μｍの焼成パターンが得られた。インキの
使用効率は印刷時におけるインキロス程度であり、約７
０％であった。ショート欠陥はなく、位置精度および形
状精度はスクリーン印刷パターンと同等であった。
ｍ、膜厚２０μｍの焼成パターンが得られた。インキの
使用効率は印刷時におけるインキロス程度であり、約７
０％であった。ショート欠陥はなく、位置精度および形
状精度はスクリーン印刷パターンと同等であった。
【００３１】［比較例１］ここで、実施例１と同様のフ
ォーゲルインキを基板全面にイクストリュージョンコー
ト法にて塗布した後、Ｌ／Ｓ＝１００μｍ／４００μｍ
のフォトマスクを用いて全面露光を行い、現像パターン
を形成した。つぎに乾燥および焼成を行い膜厚２０μｍ
の焼成パターンを形成した。
ォーゲルインキを基板全面にイクストリュージョンコー
ト法にて塗布した後、Ｌ／Ｓ＝１００μｍ／４００μｍ
のフォトマスクを用いて全面露光を行い、現像パターン
を形成した。つぎに乾燥および焼成を行い膜厚２０μｍ
の焼成パターンを形成した。
【００３２】この比較例の結果は、Ｌ／Ｓ＝１００μｍ
／４００μｍ膜厚２０μｍの焼成パターンが得られた。
塗布時のインキロスが約１０％程度であり、現像による
ロスが約７５％であり、インキの使用効率は約２２．５
％であった。ショート欠陥はなく、位置精度および形状
精度は良好であったが、現像剥離欠陥として多少の欠陥
がスペース部分に発生していた。
／４００μｍ膜厚２０μｍの焼成パターンが得られた。
塗布時のインキロスが約１０％程度であり、現像による
ロスが約７５％であり、インキの使用効率は約２２．５
％であった。ショート欠陥はなく、位置精度および形状
精度は良好であったが、現像剥離欠陥として多少の欠陥
がスペース部分に発生していた。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、通
常フォトペーストのパターニングに比較して、インキ使
用効率が向上し、欠陥発生率も減少することができる。
また、オフセット印刷により、無欠陥高精細パターニン
グが可能になる。さらに、通常の印刷パターンのリペア
における装置は大型のＹＡＧレーザ等であるが、これら
の大型リペア装置が不要になり、リペア工程を大幅に簡
略化できる等の利点を有している。
常フォトペーストのパターニングに比較して、インキ使
用効率が向上し、欠陥発生率も減少することができる。
また、オフセット印刷により、無欠陥高精細パターニン
グが可能になる。さらに、通常の印刷パターンのリペア
における装置は大型のＹＡＧレーザ等であるが、これら
の大型リペア装置が不要になり、リペア工程を大幅に簡
略化できる等の利点を有している。
【図１】本発明の特徴を最も良く表わす製法の概略図で
ある。
ある。
【図２】本発明におけるオフセット印刷を説明した概略
図である。
図である。
【図３】本発明におけるビーム露光を説明した概略図で
ある。
ある。
１０１ 基板 １０２ 印刷パターン １０３ スクリーン １０４ スキージ １０５ 露光用平行光 １０６ マスク １０７ 現像パターン １０８ 焼成パターン ２０１ ブラン胴 ２０２ ブランケット ２０３ 凹版 ２０４ 受理パターン ２０５ 充填インキ ２０６ 転移（印刷）パターン ２０７ 基板 ３０１ 基板 ３０２ 印刷パターン ３０３ スクリーン ３０４ スキージ ３０５ ビーム光ヘッド ３０６ ビーム光 ３０７ 現像パターン ３０８ 焼成パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/20 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/20 ５０１ ５Ｆ０３３ Ｈ０１Ｌ 21/283 Ｈ０１Ｌ 21/283 Ａ ５Ｆ０４６ 21/027 21/30 ５０２Ｒ 21/3205 ５６４Ｚ ５６６ 21/88 Ｂ (72)発明者 緑川 理子 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AB15 AB17 EA04 FA10 FA15 FA29 2H096 AA00 AA27 CA12 EA00 GA02 HA01 JA04 2H097 BA06 FA03 GA45 JA03 JA04 LA09 2H113 AA01 AA03 AA04 BA05 BA10 BA47 BB09 BB22 BC00 BC12 CA17 FA35 FA36 FA40 FA48 4M104 AA09 BB36 DD51 DD64 DD78 DD99 HH20 5F033 GG04 PP26 QQ00 QQ01 QQ19 QQ73 QQ84 RR27 VV15 XX33 XX34 5F046 BA07 BA10 JA19 JA21 JA22 JA27 KA10
Claims (5)
- 【請求項１】 フォトペーストを印刷によりパターニン
グした後、露光および現像を行い、乾燥焼成により任意
のパターンを形成することを特徴とするパターン形成方
法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のパターン形成方法にお
いて、 フォトペーストをオフセット印刷によりパターニングし
た後、マスク露光および現像を行い、乾燥焼成により任
意のパターンを形成することを特徴とするパターン形成
方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載のパターン形成方法にお
いて、 ネガ型フォトペーストを印刷によりパターニングした
後、ビーム露光および現像により除去し、乾燥焼成によ
り任意のパターンを形成することを特徴とするパターン
形成方法。 - 【請求項４】 印刷により形成されたパターン側面は、
その基板に対して傾斜面を有し、該基板に垂直方向の光
を照射して露光し現像を行うことにより、パターン側面
を基板に垂直方向に成形することを特徴とする請求項１
に記載のパターン形成方法。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載のパ
ターン形成方法により形成されたことを特徴とする形成
パターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6385699A JP2000258921A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | パターン形成方法およびその形成パターン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6385699A JP2000258921A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | パターン形成方法およびその形成パターン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000258921A true JP2000258921A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13241412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6385699A Pending JP2000258921A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | パターン形成方法およびその形成パターン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000258921A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005071478A1 (en) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electric appliance, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| JP2005244204A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-09-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子機器、半導体装置およびその作製方法 |
| JP2005286317A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-10-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及びその作製方法、液晶テレビジョン、並びにｅｌテレビジョン |
| JP2006245557A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-09-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、電子機器および半導体装置の作製方法 |
| US7691685B2 (en) | 2004-01-26 | 2010-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2011054994A (ja) * | 2003-01-17 | 2011-03-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US7955907B2 (en) | 2004-01-26 | 2011-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, television set, and method for manufacturing the same |
| JP4748990B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2011-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の製造方法 |
| US8053174B2 (en) | 2003-02-05 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for wiring |
| JP2012209560A (ja) * | 2005-02-03 | 2012-10-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
-
1999
- 1999-03-10 JP JP6385699A patent/JP2000258921A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011054994A (ja) * | 2003-01-17 | 2011-03-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US8053174B2 (en) | 2003-02-05 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for wiring |
| US8460857B2 (en) | 2003-02-05 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for wiring |
| JP4748990B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2011-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の製造方法 |
| US8569119B2 (en) | 2003-02-06 | 2013-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device and display device |
| WO2005071478A1 (en) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electric appliance, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| JP2005244204A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-09-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子機器、半導体装置およびその作製方法 |
| US7691685B2 (en) | 2004-01-26 | 2010-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US7955907B2 (en) | 2004-01-26 | 2011-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, television set, and method for manufacturing the same |
| JP2005286317A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-10-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及びその作製方法、液晶テレビジョン、並びにｅｌテレビジョン |
| JP2006245557A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-09-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、電子機器および半導体装置の作製方法 |
| JP2012209560A (ja) * | 2005-02-03 | 2012-10-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
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