JPH0745193A - プラズマディスプレイパネルの障壁形成方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの障壁形成方法Info
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- JPH0745193A JPH0745193A JP20696293A JP20696293A JPH0745193A JP H0745193 A JPH0745193 A JP H0745193A JP 20696293 A JP20696293 A JP 20696293A JP 20696293 A JP20696293 A JP 20696293A JP H0745193 A JPH0745193 A JP H0745193A
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Abstract
ティブ加工により所望のラインパターンの障壁を形成す
る。 【構成】 ライン状マスク4aにおけるライン端部の外
側に所定間隔dを置いて耐サブトラクティブ性を有する
保護用マスク4bを設けた状態でサブトラクティブ加工
を行い、ガラスペースト層3の不要部分を除去する。保
護用マスク4bがサブトラクティブ加工時における気流
の流れを堰き止めるので、ライン状マスク4aの端部下
側に流れる気流を減少させ、この部分にあるガラスペー
スト層3の過大な研削が防止される。ライン端部付近に
欠陥を生じることなく障壁を形成できる。
Description
パネル(以下、PDPと記す)の製造工程に係わるもの
であり、詳しくはPDPにおけるライン状障壁の形成方
法に関するものである。
しては、ガラス基板上にガラスペーストをスクリーン印
刷によりパターン状に重ねて印刷を行い、このガラスペ
ーストを乾燥、焼成して所望の障壁を形成する方法が一
般的であったが、この方法は工程が複雑であるとともに
良好な線幅精度が得られ難いことから、最近では、ガラ
ス基板上にガラスペーストを所定の厚さで塗布して乾燥
させることでガラスペースト層を形成し、その上に耐サ
ブトラクティブ性を有するマスクをパターン状に形成し
てから、このマスクを介してサンドブラストや液体ホー
ニングにより所望パターンの障壁を形成する所謂サブト
ラクティブ加工法による障壁の形成方法が提案されてい
る。
ィブ加工法によりライン状の障壁を形成する場合、通常
は図1(a)に示すように、ガラス基板11上に障壁用
のガラスペーストを塗布して乾燥させることでガラスペ
ースト層12を形成し、その上に耐サブトラクティブ性
を有するマスク13をライン状に形成している。しかし
ながら、このライン状マスク13を介して図の矢印方向
にスキャンしながらサブトラクティブ加工を行うと、ラ
イン状マスク13の端部付近を除く部分ではガラスペー
スト層12が両サイドからしか研削されないのに比べ、
ライン状マスク13の端部付近では端面側からも研削さ
れることから、(b)に示すように障壁12aの端部付
近が逆台形状に研削されることになり、ついには(c)
に示すようにマスク13の剥離を起こした状態で研削が
進み、この部分が欠陥になってしまうという問題点があ
った。
れたものであり、その目的とするところは、端部付近に
欠陥を生じることなくサブトラクティブ加工により所望
のラインパターンの障壁を形成することのできるPDP
の障壁形成方法を提供することにある。
に、本発明は、ガラス基板上に障壁用のガラスペースト
を所定の厚さで塗布して乾燥させることでガラスペース
ト層を形成し、その上に耐サブトラクティブ性を有する
ライン状マスクを所定ピッチで形成した後、該ライン状
マスクを介してのサブトラクティブ加工によりガラスペ
ースト層の不要部分を除去する工程を含むPDPの障壁
形成方法において、前記ライン状マスクにおけるライン
端部の外側に所定間隔を置いて耐サブトラクティブ性を
有する保護用マスクを設けた状態でサブトラクティブ加
工を行うことを特徴としており、この場合のサブトラク
ティブ加工はサンドブラストを用いるものであっても液
体ホーニングを用いるものであってもよい。
するマスクはフォトレジストを用いてフォトリソ法によ
り形成することができる。
マスクがサブトラクティブ加工時における気流の流れを
堰き止める役目を果たし、これによりライン状マスクの
端部付近に流れる気流を減少させ、ライン状マスクの端
部下側にあるガラスペースト層が過大に研削されるのを
防止する。
例を説明する。
形成したガラス基板2の上にブレードコーター或いはス
クリーン印刷により膜厚150μmで障壁用のガラスペ
ーストを塗布して乾燥させることでガラスペースト層3
を形成し、次いでその上にジアゾニウム塩添加PVAを
スピンナー、ローラーコーター、ブレードコーター等で
膜厚10μmに塗布し、室温で乾燥させてマスク層4を
形成する。そして、図3に示すマスクパターン5を介し
て図2(b)に示すように露光した後、水に1〜2分浸
漬してからスプレー現像を行った。露光条件は、365
nmで測定した時に強度700μW/cm2 、照射量4
00mJ/cm2 である。これにより、図2(c)及び
図4に示す如くガラスペースト層3上にライン状マスク
4aとそのライン端部の外側に所定間隔dを置いて幅W
の保護用マスク4bを形成した。本実施例では、ライン
状マスク4aを120μmピッチ(ライン幅50μm、
スペース幅70μm)で設けるとともに、ライン端部と
保護用マスク4bの間隔dを0.2mmとし、保護用マ
スク4bの幅Wを1mmとした。なお、図2(c)は図
4のA−A断面に対応している。
に示すように、サンドブラスト加工を図4の矢印方向に
スキャンしながら行うことによりガラスペースト層3の
不要部分を除去し、図5(b)に示す如くライン状マス
ク4aの下に障壁パターン3aを形成した。ここでは、
研磨材としてアルミナ♯1000を用い、噴射圧力3k
gf/cm2 、ノズルと基板1の距離185mm、スキ
ャン速度30mm/secの条件でサンドブラスト加工
を行った。このサンドブラスト加工により、ライン状マ
スク4aにおける端部付近の下にあるガラスペースト層
3が研削されすぎることなく良好なエッジ形状が得られ
た。続いてライン状マスク4a及び保護用マスク4bを
剥離材で除去し、焼成工程を経て図5(c)に示すよう
にガラス基板1に密着した障壁3aを形成した。ここ
で、保護用マスク4cの下にあるガラスペースト層3は
土手3bとして残ることになる。以上のようにして形成
した背面板とは別に、電極及び蛍光層を設けた前面板を
準備し、両者を合わせてPDPを作製して良好な結果を
得た。
有するライン状マスク及び保護用マスクを形成するフォ
トレジストとしては、上記実施例で挙げたものの他に、
OSBRと称されるネガ型の液体レジストをはじめとし
て以下に述べる種々の感光性樹脂を使用できる。
合性多官能モノマーを主成分として含有する感光性樹脂
を使用することができる。この水溶性樹脂マトリックス
としては、ポリビニールアルコール−ポリ酢酸ビニル−
クロトン酸共重合体の部分ケン化物、ポリビニールアル
コール−ポリ酢酸ビニル−メタクリル酸、アルコール可
溶性ナイロンを用いることができ、一方、光重合性多官
能モノマーとしては、ペンタエリスリトールトリアクリ
レート、テトラアクリレート、メタアクリレートを用い
ることができる。そして、この種の感光性樹脂を使用し
た場合には、サブトラクティブ加工後、過ヨウ素酸ナト
リウム水溶液でマスクを剥離するものである。
ビニルエマルジョン及びジアゾ樹脂を主成分として含有
する感光性樹脂、或いは、感光性ポリビニールアルコー
ル、ポリビニールアルコール及びポリ酢酸ビニルエマル
ジョンを主成分として含有する感光性樹脂を使用するこ
とができる。前者の場合、例えば、ポリビニールアルコ
ールを10重量部、ポリ酢酸ビニルエマルジョンを固形
分50%で20〜60重量部、ジアゾ樹脂を0.5〜
1.5重量部の割合で配合したものを用いるとよい。後
者の場合、感光性ポリビニールアルコールとしては、ポ
リアルコールの水酸基の一部にフォルミルスチリルピリ
ジニウム基(スチルバリゾリウム基)を有するものを用
いることができる。そして、これらの感光性樹脂を使用
した場合には、サブトラクティブ加工後、次亜塩素酸ソ
ーダ、過ハロゲン酸水溶液でマスクを剥離するものであ
る。
びレドックス光重合開始剤を主成分として含有する感光
性樹脂を使用することができる。このアクリルアミド重
合体としては、アクリルアミド又はN,N’−メチレン
ビスアクリルアミドを用いることができ、レドックス光
重合開始剤としては、クエン酸鉄(III) アンモニウム又
はしゅう酸鉄(III) アンモニウムを用いることができ
る。そして、この感光性樹脂を使用した場合には、サブ
トラクティブ加工後、蛋白質分解酵素でマスクを剥離す
るものである。
障壁形成方法は、ライン状マスクにおけるライン端部の
外側に所定間隔を置いて耐サブトラクティブ性を有する
保護用マスクを設けた状態でサブトラクティブ加工を行
うようにしたので、保護用マスクがサブトラクティブ加
工時における気流の流れを堰き止める役目を果たし、そ
の結果、ライン状マスクの端部下側に流れる気流を減少
させ、この部分にあるガラスペースト層の過大な研削を
防ぐことから、サブトラクティブ加工時にライン端部付
近に欠陥を生じることなく所望のラインパターンの障壁
を形成することができる。
法を示す工程図である。
図である。
用マスクを形成した状態を示す平面図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 ガラス基板上に障壁用のガラスペースト
を所定の厚さで塗布して乾燥させることでガラスペース
ト層を形成し、その上に耐サブトラクティブ性を有する
ライン状マスクを所定ピッチで形成した後、該ライン状
マスクを介してのサブトラクティブ加工によりガラスペ
ースト層の不要部分を除去する工程を含むプラズマディ
スプレイパネルの障壁形成方法において、前記ライン状
マスクにおけるライン端部の外側に所定間隔を置いて耐
サブトラクティブ性を有する保護用マスクを設けた状態
でサブトラクティブ加工を行うことを特徴とするプラズ
マディスプレイパネルの障壁形成方法。 - 【請求項2】 サブトラクティブ加工にサンドブラスト
を用いることを特徴とする請求項1記載のプラズマディ
スプレイパネルの障壁形成方法。 - 【請求項3】 サブトラクティブ加工に液体ホーニング
を用いることを特徴とする請求項1記載のプラズマディ
スプレイパネルの障壁形成方法。 - 【請求項4】 耐サブトラクティブ性を有するマスクを
形成する材料としてフォトレジストを用いることを特徴
とする請求項1,2又は3記載のプラズマディスプレイ
パネルの障壁形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20696293A JP3279753B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | プラズマディスプレイパネルの障壁形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20696293A JP3279753B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | プラズマディスプレイパネルの障壁形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0745193A true JPH0745193A (ja) | 1995-02-14 |
JP3279753B2 JP3279753B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=16531892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20696293A Expired - Lifetime JP3279753B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | プラズマディスプレイパネルの障壁形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3279753B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1993
- 1993-07-30 JP JP20696293A patent/JP3279753B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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---|---|
JP3279753B2 (ja) | 2002-04-30 |
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