JP2006245557A - 半導体装置、電子機器および半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。TFTのソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としている。
【選択図】図1
Description
絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に第1の半導体層と、該第1の半導体層上にn型またはp型の導電型を付与する不純物元素を含む第2の半導体層を形成し、液滴吐出法または印刷法で前記第2の島状の半導体層上に接する第1パターンを形成し、レーザ光で第1パターンより幅の小さい領域を照射し、第1パターンのうち、照射領域以外の部分を除去してドレイン配線およびソース配線を形成し、前記ドレイン配線およびソース配線をマスクとしてエッチングして第1の半導体層からなるチャネルを形成し、該チャネルを挟むように第2の半導体層を2つに離間することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
ここではチャネルエッチ型のTFTをスイッチング素子とするアクティブマトリクス型表示装置の作製例を図1、図2に示す。
ここではチャネルストップ型のTFTをスイッチング素子とするアクティブマトリクス型表示装置の作製例を図4、図5に示す。
101:ゲート電極
102:半導体膜のパターン形状の輪郭
103:導電膜パターン
104:ソース配線
105:ドレイン配線
106:n型の半導体膜
107:チャネル形成領域
108:ソース領域
109:ドレイン領域
110:下地絶縁膜
111:ゲート絶縁膜
112:電極
Claims (12)
- 絶縁表面を有する基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたチャネルを含む第1の島状の半導体層と、
前記第1の島状の半導体層上にn型またはp型の導電型を付与する不純物元素を含む第2の島状の半導体層と、
前記第2の島状の半導体層上に接するドレイン配線およびソース配線と、を有し、
前記ソース配線は、第1の島状の半導体層を横断して重なっており、
前記ソース配線と前記ドレイン配線との間の領域と重なる部分に、前記第1の島状の半導体層は前記チャネルを有することを特徴とする半導体装置。 - 絶縁表面を有する基板上形成されたにゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたチャネルを含む第1の島状の半導体層と、
前記第1の島状の半導体層上にn型またはp型の導電型を付与する不純物元素を含む第2の島状の半導体層と、
前記第2の島状の半導体層上に接するドレイン配線およびソース配線と、を有し、
前記第1の島状の半導体層の一端からもう一端までの長さは、チャネル長と、前記ドレイン配線と重なる領域の長さと、該領域から前記第1の半導体層の一端までの長さと、前記ソース配線と重なる領域の長さと、該領域から前記第1の半導体層のもう一端までの長さとの合計であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、前記第2の半導体層を介して前記ソース配線と前記第1の半導体層との重なる領域の長さは、前記ソース配線の線幅と同じであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至3のいずれか一において、前記ドレイン配線と前記第1の半導体層との重なる領域の長さは、前記ドレイン配線の線幅と同じであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至4のいずれか一において、前記ソース配線または前記ドレイン配線は、感光性樹脂を含むことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至5のいずれか一において、前記第1の半導体層及び前記ドレイン配線及び前記ソース配線を覆う絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至6のいずれか一において、前記ドレイン配線は、蛇行している部分を有し、該部分で上方の電極との接続が行われることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至7のいずれか一において、前記ソース配線の線幅は、0.5μm以上10μm以下であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至8のいずれか一に記載の半導体装置を有することを特徴とする電子機器。
- 請求項9に記載の電子機器は、表示装置、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、または携帯情報端末である。
- 絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第1の半導体層と、該第1の半導体層上にn型またはp型の導電型を付与する不純物元素を含む第2の半導体層を形成し、
液滴吐出法または印刷法で前記第2の島状の半導体層上に接する第1パターンを形成し、
レーザ光で第1パターンより幅の小さい領域を照射し、第1パターンのうち、照射領域以外の部分を除去してドレイン配線およびソース配線を形成し、
前記ドレイン配線およびソース配線をマスクとしてエッチングすることにより、前記第1の半導体層の一部を薄くして前記第1の半導体層からなるチャネルを形成し、かつ、該チャネルを挟むように前記第2の半導体層を2つに離間することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項11において、前記レーザ光は、前記第1の半導体層を横断して照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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