JP2006186112A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 露光処理が施される被処理基板と前記露光処理を行う露光装置の投影光学系との間の少なくとも一部を液体で満たしつつ前記露光処理を行う液浸露光方法において、
   前記露光処理を行うのに先立って、前記露光装置が備える前記被処理基板を支持する基板支持体の前記被処理基板を支持する側の表面のうち前記被処理基板の外縁部に隣接する領域と前記液体との接触角に比べて、前記被処理基板の前記露光処理が施される側の主面のうち少なくとも外縁部と前記液体との接触角を大きくする処理を施すことを特徴とする液浸露光方法。
2. 前記接触角を大きくする処理として、前記被処理基板の前記主面上にレジスト膜を設けた後、前記基板支持体の前記領域と前記液体との接触角よりも大きい角度で前記液体と接触する膜を、前記レジスト膜を覆って前記主面上に設けることを特徴とする請求項１に記載の液浸露光方法。
3. 前記接触角を大きくする処理として、前記被処理基板の前記主面側に撥水化処理を施すことを特徴とする請求項１に記載の液浸露光方法。
4. 前記液体は、純水、イオン水、有機物を含んだ液体、およびシリコン化合物を含んだ液体のうちのいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の液浸露光方法。
5. 前記被処理基板の前記主面側にオゾンを吹き付けて親水化処理を施すことを特徴とする請求項１に記載の液浸露光方法。
6. 前記露光処理を行うのに先立って、前記基板支持体の前記領域と前記液体との接触角よりも大きい角度で前記液体と接触する前記膜に対してＯ ₂ プラズマ処理を施すことを特徴とする請求項２に記載の液浸露光方法。
7. 前記撥水化処理として、前記被処理基板の前記主面側にフッ素ガスを吹き付けることを特徴とする請求項３に記載の液浸露光方法。
8. 露光処理が施される被処理基板と前記露光処理を行う露光装置の投影光学系との間の少なくとも一部を液体で満たしつつ前記露光処理を行う液浸露光方法において、
   前記被処理基板の前記露光処理が施される側の主面上に前記液体と第１の角度で接触する吸収膜を設ける工程と、
   この吸収膜上の前記投影光学系と対向する側の面内にレジスト膜を設ける工程と、
   前記吸収膜上の前記投影光学系と対向する側の面内に前記レジスト膜を覆って前記液体と第２の角度で接触する保護膜を設ける工程と、
   前記吸収膜、前記レジスト膜、および前記保護膜が設けられた前記被処理基板を前記露光装置が備える前記被処理基板を支持する基板支持体に支持させるとともに、この基板支持体の前記被処理基板を支持する側の表層部のうち前記被処理基板の外縁部に隣接する領域に前記第１の角度よりも小さい角度で前記液体と接触する補助部材を設けた後、前記被処理基板に対して前記露光処理を施す工程と、
   前記露光処理により前記レジスト膜に露光されたパターンを現像する工程と、
   を含むことを特徴とする液浸露光方法。
9. 前記吸収膜と前記レジスト膜との間に、前記露光処理で用いる露光光の多重反射の位相を調整する膜をさらに設けることを特徴とする請求項８に記載の液浸露光方法。
10. 前記液体は、純水、イオン水、有機物を含んだ液体、およびシリコン化合物を含んだ液体のうちのいずれかであることを特徴とする請求項８に記載の液浸露光方法。
11. 露光処理が施されてパターンが露光される被処理基板を支持する基板支持体を備えるとともに、投影光学系と前記被処理基板との間の少なくとも一部を液体で満たしつつ前記露光処理を行う液浸型露光装置であって、
    前記基板支持体の前記被処理基板を支持する側の表面のうち前記基板支持体に支持された前記被処理基板の外縁部に隣接する領域と前記液体との接触角に比べて、前記被処理基板の前記露光処理が施される側の主面のうち少なくとも外縁部と前記液体との接触角が大きくなるように構成され、
    前記基板支持体の前記被処理基板を支持する側の表面のうち前記基板支持体に支持された前記被処理基板の外縁部よりも外側の表面は、前記被処理基板の外縁部側からその外側に向かうに連れて前記液体との接触角が連続的または断続的に小さくなる表面状態に設定されていることを特徴とする液浸型露光装置。
12. 前記基板支持体の前記被処理基板を支持する側の表層部のうち前記基板支持体に支持された前記被処理基板の外縁部に隣接する領域には、前記被処理基板の外縁部側からその外側に向かうに連れて前記液体との接触角が連続的または断続的に小さくなる表面状態に設定されている補助部材が設けられているとともに、前記基板支持体の前記被処理基板を支持する側の表層部のうち前記補助部材が設けられている領域の外側には、前記液体を回収する液体回収機構が設けられていることを特徴とする請求項１１に記載の液浸型露光装置。
13. 前記投影光学系と前記被処理基板との間に前記液体を供給するとともに、不要となった前記液体を前記投影光学系と前記被処理基板との間から除去する、液体給排装置が設けられていることを特徴とする請求項１１に記載の液浸型露光装置。
14. 前記液体は、純水、イオン水、有機物を含んだ液体、およびシリコン化合物を含んだ液体のうちのいずれかであることを特徴とする請求項１１に記載の液浸型露光装置。
15. 請求項１〜１０のうちのいずれかに記載の液浸露光方法により半導体基板上にパターンを形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。