JP2006133762A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 透光性を有する基板上に非透光性を有する第１の導電層を形成し、
   前記基板及び前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
   前記第１の導電層と重なる前記絶縁層上に、選択的にマスク層を形成し、
   前記絶縁層及び前記マスク層上に、光反応性物質を形成し、
   前記基板を通過させて前記光反応性物質に光を照射して、第１の領域及び第２の領域を形成し、
   前記マスク層及び前記マスク層上に形成された前記光反応性物質を除去して第３の領域を形成し、
   前記第２の領域及び前記第３の領域に導電性材料を含む組成物を用いて第２の導電層を形成し、
   前記第２の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高く、
   前記第３の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高いことを特徴とする表示装置の作製方法。
2. 透光性を有する基板上にゲート電極領域とゲート配線領域を含み非透光性を有する第１の導電層を形成し、
   前記基板及び前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
   前記ゲート電極領域と重なる前記絶縁層上に、半導体層を形成し、
   前記ゲート配線領域と重なる前記絶縁層上に、選択的にマスク層を形成し、
   前記半導体層及び前記マスク層上に、光反応性物質を形成し、
   前記基板を通過させて前記光反応性物質に光を照射して、第１の領域及び第２の領域を形成し、
   前記マスク層及び前記マスク層上に形成された前記光反応性物質を除去して第３の領域を形成し、
   前記第２の領域及び前記第３の領域に導電性材料を含む組成物を用いて第２の導電層を形成し、
   前記第２の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高く、
   前記第３の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高いことを特徴とする表示装置の作製方法。
3. 透光性を有する基板上にゲート電極領域を含み非透光性を有する第１の導電層を形成し、
   前記基板及び前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
   前記ゲート電極領域と重なる前記絶縁層上に、半導体層を形成し、
   前記半導体層上に、光反応性物質を形成し、
   前記基板を通過させて前記光反応性物質に光を照射して、第１の領域及び第２の領域を形成し、
   前記第２の領域に導電性材料を含む組成物を用いて第２の導電層を形成し、
   前記第２の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高いことを特徴とする表示装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、前記光反応性物質としてトリフェニルメタン誘導体を含む物質、アゾベンゼン誘導体を含む物質、又はスピロピラン誘導体を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
5. 透光性を有する基板上に非透光性を有する第１の導電層を形成し、
   前記基板及び前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
   前記絶縁層上に光触媒物質を形成し、
   前記第１の導電層と重なる前記絶縁層及び前記光触媒物質上に、選択的にマスク層を形成し、
   前記光触媒物質及び前記マスク層上にフッ化炭素鎖を含む物質を形成し、
   前記基板を通過させて前記光触媒物質に光を照射して、第１の領域及び第２の領域を形成し、
   前記マスク層及び前記マスク層上に形成された前記フッ化炭素鎖を含む物質を除去して第３の領域を形成し、
   前記第２の領域及び前記第３の領域に導電性材料を含む組成物を用いて第２の導電層を形成し、
   前記第２の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高く、
   前記第３の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高いことを特徴とする表示装置の作製方法。
6. 透光性を有する基板上にゲート電極領域とゲート配線領域を含み非透光性を有する第１の導電層を形成し、
   前記基板及び前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
   前記ゲート電極領域と重なる前記絶縁層上に、半導体層を形成し、
   前記絶縁層及び前記半導体層上に光触媒物質を形成し、
   前記ゲート配線領域と重なる前記光触媒物質上に、選択的にマスク層を形成し、
   前記光触媒物質及び前記マスク層上に、フッ化炭素鎖を含む物質を形成し、
   前記基板を通過させて前記光触媒物質に光を照射して、第１の領域及び第２の領域を形成し、
   前記マスク層及び前記マスク層上に形成された前記フッ化炭素鎖を含む物質を除去して第３の領域を形成し、
   前記第２の領域及び前記第３の領域に導電性材料を含む組成物を用いて第２の導電層を形成し、
   前記第２の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高く、
   前記第３の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高いことを特徴とする表示装置の作製方法。
7. 請求項５または請求項６において、前記光触媒物質として酸化チタン膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
8. 透光性を有する基板上に非透光性を有する第１の導電層を形成し、
   前記基板及び前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
   前記絶縁層上に光触媒物質を形成し、
   前記第１の導電層と重なる前記絶縁層及び前記光触媒物質上に、選択的にマスク層を形成し、
   前記光触媒物質及び前記マスク層上にシランカップリング剤を含む物質を形成し、
   前記基板を通過させて前記光触媒物質に光を照射して、第１の領域及び第２の領域を形成し、
   前記マスク層及び前記マスク層上に形成された前記シランカップリング剤を含む物質を除去して第３の領域を形成し、
   前記第２の領域及び前記第３の領域に導電性材料を含む組成物を用いて、第２の導電層を形成し、
   前記第２の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高く、
   前記第３の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高いことを特徴とする表示装置の作製方法。
9. 透光性を有する基板上にゲート電極領域とゲート配線領域を含み非透光性を有する第１の導電層を形成し、
   前記基板及び前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
   前記ゲート電極領域と重なる前記絶縁層上に、半導体層を形成し、
   前記絶縁層及び前記半導体層上に光触媒物質を形成し、
   前記ゲート配線領域と重なる前記光触媒物質上に、選択的にマスク層を形成し、
   前記光触媒物質及び前記マスク層上に、シランカップリング剤を含む物質を形成し、
   前記基板を通過させて前記光触媒物質に光を照射して、第１の領域及び第２の領域を形成し、
   前記マスク層及び前記マスク層上に形成された前記シランカップリング剤を含む物質を除去して第３の領域を形成し、
   前記第２の領域及び前記第３の領域に導電性材料を含む組成物を用いて第２の導電層を形成し、
   前記第２の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高く、
   前記第３の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高いことを特徴とする表示装置の作製方法。
10. 請求項８または請求項９において、前記シランカップリング剤はアルキル基を有することを特徴とする表示装置の作製方法。