JP2008047893A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 基板と、
   前記基板上に形成されるデータ線と、
   前記データ線と交差し、ゲート電極を有するゲート線と、
   前記データ線に接続されるソース電極と、
   前記ソース電極と対向するドレイン電極と、
   開口部を有し、フッ素含有化合物を含むアクリル系感光性樹脂を使用して形成される絶縁膜と、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接触する有機半導体とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
2. 前記感光性樹脂は、熱架橋性を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
3. 前記フッ素含有化合物は、フッ素系界面活性剤、フッ素系ナノパーティクル、フッ素系高分子ナノビーズの中から選択された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
4. 前記フッ素含有化合物は、前記絶縁膜に対して１〜４０重量％含有することを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
5. 前記絶縁膜は、厚さが１０〜７０００Åであることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
6. 前記絶縁膜の上部面は、前記有機半導体の下部面と接触する部分より強い疏水性を有することを特徴とする請求項５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
7. 前記有機半導体と前記ゲート電極の間に位置するゲート絶縁体をさらに有し、
   前記有機半導体と前記ゲート絶縁体のうちの少なくとも一つは、溶解性物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
8. 前記データ線と前記ソース電極は異なる物質を含み、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、ＩＴＯ又はＩＺＯを含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
9. 前記有機半導体下部に位置する光遮断膜をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。