JP2008135731A5 - - Google Patents

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  1. 絶縁表面を有する基板上にゲート電極層を形成し、
    前記ゲート電極層および前記基板上を覆うように無機材料を含むゲート絶縁層を形成し、
    前記ゲート絶縁層上に前記有機重合層を選択的に形成し、
    前記有機重合層の形成領域以外の前記ゲート絶縁層上に加水分解基を有する有機シラン膜を形成し、
    前記有機重合層上に導電性材料を含む組成物を吐出し、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
    前記ゲート電極層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  2. 透光性を有する基板上にゲート電極層を形成し、
    前記ゲート電極層および前記基板上を覆うように無機材料を含む透光性を有するゲート絶縁層を形成し、
    前記ゲート絶縁層上に光重合性反応基を含む有機層を形成し、
    前記ゲート電極層をマスクとして、前記基板および前記ゲート絶縁層を通過した光を前記光重合性反応基を含む有機層に選択的に照射し、前記光重合性反応基を含む有機層を選択的に重合し、
    前記光重合性反応基を含む有機層の前記重合した領域以外を除去した有機重合層を形成し、
    前記有機重合層の形成領域以外の前記ゲート絶縁層上に加水分解基を有する有機シラン膜を形成し、
    前記有機重合層上に導電性材料を含む組成物を吐出し、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
    前記ゲート電極層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  3. 透光性を有する基板上にゲート電極層を形成し、
    前記ゲート電極層および前記基板上を覆うように無機材料を含む透光性を有するゲート絶縁層を形成し、
    前記ゲート絶縁層上に光重合性反応基を含む有機層を形成し、
    前記ゲート電極層をマスクとして、前記基板および前記ゲート絶縁層を通過した光を前記光重合性反応基を含む有機層に選択的に照射し、前記光重合性反応基を含む有機層を選択的に重合し、
    前記光重合性反応基を含む有機層の前記重合した領域以外を除去した有機重合層を形成し、
    前記有機重合層の形成領域以外の前記ゲート絶縁層上に第１の加水分解基を有する有機シラン膜を形成し、
    前記有機重合層上に導電性材料を含む組成物を吐出し、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
    前記第１の加水分解基を有する有機シラン膜を除去し、
    前記ゲート電極層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に第２の加水分解基を有する有機シラン膜を形成し、
    前記第２の加水分解基を有する有機シラン膜上に半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  4. 請求項３において、前記第２の加水分解基を有する有機シラン膜をオクタデシルトリメトキシシランを用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層と電気的に接続する表示素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、前記半導体層は有機半導体材料を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  7. 絶縁表面を有する基板上に形成されているゲート電極層と、
    前記ゲート電極層および前記基板上に形成されている無機材料を含むゲート絶縁層と、
    前記ゲート絶縁層上に選択的に形成されている有機重合層と、
    前記有機重合層上に形成されているソース電極層及びドレイン電極層と、
    前記ゲート絶縁層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に形成されている半導体層と、
    を有することを特徴とする半導体装置。
  8. 絶縁表面を有する基板上に形成されているゲート電極層と、
    前記ゲート電極層および前記基板上に形成されている無機材料を含むゲート絶縁層と、
    前記ゲート絶縁層上に選択的に形成されている有機重合層と、
    前記有機重合層上に形成されているソース電極層及びドレイン電極層と、
    前記ゲート絶縁層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に加水分解基を有する有機シラン膜を介して形成されている半導体層と、
    を有することを特徴とする半導体装置。
  9. 請求項８において、前記加水分解基を有する有機シラン膜は、オクタデシルトリメトキシシラン膜であることを特徴とする半導体装置。
  10. 請求項７乃至９のいずれか一項において、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層と電気的に接続する表示素子を有することを特徴とする半導体装置。
  11. 請求項７乃至１０のいずれか一項において、前記半導体層は、有機半導体層であることを特徴とする半導体装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7320103B2 (ja) 2009-08-07 2023-08-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009302441A (ja) * 2008-06-17 2009-12-24 Konica Minolta Holdings Inc 有機ｔｆｔ
JP2010016072A (ja) * 2008-07-02 2010-01-21 Canon Inc 薄膜トランジスタ
KR101880838B1 (ko) * 2008-08-04 2018-08-16 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 박막 트랜지스터용 하이브리드 유전 재료
TWI508282B (zh) * 2008-08-08 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
KR101507324B1 (ko) 2008-09-19 2015-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
EP2172804B1 (en) * 2008-10-03 2016-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Display device
JP5587591B2 (ja) * 2008-11-07 2014-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5587592B2 (ja) * 2008-11-07 2014-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5504633B2 (ja) * 2009-01-26 2014-05-28 株式会社リコー 多層配線構造体、その製造方法、および表示装置
TWI617029B (zh) * 2009-03-27 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8558295B2 (en) 2009-08-25 2013-10-15 Electronics And Telecommunications Research Institute Nonvolatile memory cell and method of manufacturing the same
WO2011027702A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
WO2011027701A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
WO2011052382A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5624628B2 (ja) * 2010-11-10 2014-11-12 株式会社日立製作所 半導体装置
CN103560211B (zh) * 2013-11-13 2017-04-05 深圳市华星光电技术有限公司 有机电致发光器件的制作方法及制作的有机电致发光器件
JP5997299B2 (ja) * 2015-01-05 2016-09-28 株式会社カネカ 薄膜トランジスタ

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003059940A (ja) * 2001-08-08 2003-02-28 Fuji Photo Film Co Ltd ミクロファブリケーション用基板、その製造方法および像状薄膜形成方法
US7102155B2 (en) * 2003-09-04 2006-09-05 Hitachi, Ltd. Electrode substrate, thin film transistor, display device and their production
JP4666999B2 (ja) * 2003-10-28 2011-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 配線及び薄膜トランジスタの作製方法
JP4884675B2 (ja) * 2004-01-26 2012-02-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5057652B2 (ja) * 2004-03-24 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
JP4482931B2 (ja) * 2005-03-01 2010-06-16 セイコーエプソン株式会社 半導体素子の製造方法
JP2007129007A (ja) * 2005-11-02 2007-05-24 Hitachi Ltd 有機半導体膜を有する半導体装置の製造方法
JP5036219B2 (ja) * 2006-05-30 2012-09-26 株式会社日立製作所 有機薄膜トランジスタを有する半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7320103B2 (ja) 2009-08-07 2023-08-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置

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