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- 第1及び第2基板と、
前記第1基板上に、透明な第1導電層と不透明な第2導電層とを積層した二重構造のゲートラインと、
前記ゲートライン上に形成された第1絶縁膜と、
前記ゲートラインと交差して、透過領域と反射領域を持つ画素領域を定義するデータラインと、
前記ゲートライン及びデータラインと接続された薄膜トランジスタと、
前記画素領域に形成された前記第1導電層と、前記第1導電層の枠部に沿って積層された第2導電層とを持つ画素電極と、
前記ゲートラインと前記第1絶縁膜を挟んで重畳されてストレージキャパシタを形成するストレージ上部電極と、
前記薄膜トランジスタを覆う第2絶縁膜から前記画素電極の第2導電層まで貫通して、前記第1導電層を露出させる透過孔と、
前記反射領域に形成され、前記透過孔のエッジ部を介して露出された前記ドレーン電極及び前記ストレージ上部電極を前記画素電極の前記第1及び第2導電層と接続させる反射電極と、
前記ゲートラインから延長され、前記第2絶縁膜から前記第2導電層まで貫通する第1コンタクトホールを介して、前記第1導電層が露出されたゲートパッドと、
前記二重構造で形成され、データリンクを介して前記データラインと接続され、前記第2絶縁膜から前記第2導電層まで貫通する第2コンタクトホールを介して前記第1導電層が露出されるデータパッドと、
前記第1及び第2基板間の液晶層と、を備えることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第2絶縁膜は有機物質で形成されたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記薄膜トランジスタ及び第2絶縁膜間に第3絶縁膜をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記透過孔は前記第3絶縁膜を貫通することを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。
- 前記データリンクは、
前記二重構造で形成されて前記データラインの端部と重畳され、前記第2絶縁膜から前記データライン及び前記第1絶縁膜と前記データリンクの第2導電層を貫通して、前記データリンクの第1導電層を露出させる第1コンタクトホールと、
前記第1コンタクトホールを介して、前記データライン及び第2導電層とは側面接続され、前記データリンクの第1導電層とは面接続される第1コンタクト電極と、をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記第1コンタクト電極は、前記反射電極と同一の金属層で形成されたことを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記データライン及びゲートラインの何れか一つと接続された静電気防止素子をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記静電気防止素子は、
前記データライン及びゲートラインの何れか一つと接続された第2薄膜トランジスタと、
前記第2薄膜トランジスタのゲート電極及びソース電極間にダイオード型で接続された第3薄膜トランジスタと、
前記第2薄膜トランジスタのゲート電極及びドレーン電極間にダイオード型で接続された第4薄膜トランジスタと、
前記第3薄膜トランジスタのソース電極及びゲート電極を第2コンタクトホールを介して接続させる第2コンタクト電極と、
前記第3または第4薄膜トランジスタのドレーン電極及び前記第2薄膜トランジスタのゲート電極を第3コンタクトホールを介して接続させる第3コンタクト電極と、
前記第4薄膜トランジスタのソース電極及びゲート電極を第4コンタクトホールを介して接続させる第4コンタクト電極と、を備えることを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置。 - 前記第2乃至第4薄膜トランジスタのゲート電極は、前記二重構造で形成されたことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記第2乃至第4コンタクト電極は、前記反射電極と同一の金属層で形成されたことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記第2乃至第4コンタクトホールは、前記第2絶縁膜から前記ソースまたはドレーン電極、前記半導体パターン、前記第1絶縁膜、前記ゲート電極の第2導電層まで貫通して、前記ゲート電極の第1導電層を露出させることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記第1乃至第4コンタクト電極は、シール材により封止される領域に形成されたことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記第2絶縁膜はエンボス表面を持つことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記反射電極はエンボス表面を持つことを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置。
- 第1マスクを用いて、基板上に、透明な第1導電層と不透明な第2導電層との二重構造を持つゲートライン及びゲート電極、画素電極を形成する段階と、
第2マスクを用いて、第1絶縁膜と、半導体パターンと、データラインとソース電極及びドレーン電極とストレージ上部電極を含むソース/ドレーンパターンとを形成する段階と、
第3マスクを用いて、前記ソース/ドレーンパターンを覆う第2絶縁膜を形成し、前記ゲートライン及びデータラインにより定義される画素領域のうちの透過領域において、前記有機膜から前記画素電極の第2導電層まで貫通する透過孔を形成する段階と、
第4マスクを用いて、前記透過孔を介して露出された前記ドレーン電極及びストレージ電極と前記画素電極の前記第1及び第2導電層とを接続させる反射電極を、前記画素領域のうちの反射領域に形成する段階と、を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記データラインは前記半導体パターンと重畳されたことを特徴とする請求項15に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2絶縁膜は有機物質で形成されたことを特徴とする請求項15に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記透過孔を形成する段階は、前記ソース/ドレーンパターンを覆う第3絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項15に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記透過孔は、前記第3絶縁膜を貫通するように形成されたことを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1マスクを用いて、前記ゲートラインから延長されたゲートパッドと、前記データラインと接続されるデータパッドとを形成する段階と、
前記第3マスクを用いて、前記ゲートパッド及びデータパッドが形成されるパッド領域の前記第2絶縁膜から前記ゲートパッド及びデータパッドのそれぞれの第2導電層まで貫通する第1及び第2コンタクトホールを形成する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項15に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記ゲート及びデータパッドは、前記二重構造で形成されたことを特徴とする請求項20に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記透過孔と第1及び第2コンタクトホールを形成する段階は、
前記第2絶縁膜を形成して前記第3マスクを用いてパターニングし、前記第2絶縁膜に前記透過孔と第1及び第2コンタクトホールを形成し、パターニングされた前記第2絶縁膜を焼成して前記反射領域で前記第2絶縁膜がエンボスの表面を持つようにする段階と、
前記焼成した有機膜をマスクとして用いて、前記透過孔と第1及び第2コンタクトホールのそれぞれが前記画素電極とゲートパッド及びデータパッドのそれぞれの第2導電層まで貫通するようにする段階と、を含むことを特徴とする請求項20に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第3マスクは、ハーフトーンマスク及び回折露光マスクの何れか一つを含むことを特徴とする請求項22に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1マスクを用いて、前記データパッドから延長され、前記データラインの端部と重畳されるデータリンクを形成する段階と、
前記第3マスクを用いて、前記第2絶縁膜から前記データラインを経由して前記データリンクの第2導電層まで貫通して、前記データリンクの第1導電層を露出させる第1コンタクトホールを形成する段階と、
前記第4マスクを用いて、前記第1コンタクトホールを介して露出された前記データライン及びデータリンクを接続させる第1コンタクト電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項15に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1コンタクト電極は、シール材により封止される領域に形成されたことを特徴とする請求項24に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記データライン及びゲートラインの何れか一つと接続された第2薄膜トランジスタと、前記第2薄膜トランジスタのゲート電極及びソース電極間にダイオード型で接続された第3薄膜トランジスタと、前記第2薄膜トランジスタのゲート電極及びドレーン電極間にダイオード型で接続された第4薄膜トランジスタとを備える静電気防止素子を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項15に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記静電気防止素子を形成する段階は、
前記第1マスクを用いて、前記二重構造を持つ前記第2乃至第4薄膜トランジスタのそれぞれのゲート電極を形成する段階と、
前記第2マスクを用いて、前記第1絶縁膜上に前記第2乃至第4薄膜トランジスタのそれぞれの半導体パターン、ソース電極、ドレーン電極を形成する段階と、
前記第3マスクを用いて、第2乃至第4コンタクトホールを形成する段階と、
前記第4マスクを用いて、第2乃至第4コンタクト電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項26に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第2コンタクトホールは前記第3薄膜トランジスタのソース電極及びゲート電極の重畳部に、前記第3コンタクトホールは前記第3または第4薄膜トランジスタのドレーン電極及び前記第2薄膜トランジスタのゲート電極の重畳部に、前記第4コンタクトホールは前記第4薄膜トランジスタのソース電極及びゲート電極の重畳部に形成されたことを特徴をする請求項27に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2コンタクト電極は、前記第2コンタクトホールを介して露出された前記第3薄膜トランジスタのソース電極及びゲート電極を接続させ、前記第3コンタクト電極は、前記第3コンタクトホールを介して露出された前記第3または第4薄膜トランジスタのドレーン電極及び前記第2薄膜トランジスタのゲート電極を接続させ、前記第4コンタクト電極は、前記第4コンタクトホールを介して露出された前記第4薄膜トランジスタのソース電極及びゲート電極を接続させることを特徴とする請求項27に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2乃至第4コンタクト電極は、シール材により封止される領域に形成されたことを特徴とする請求項27に記載の液晶表示装置の製造方法。
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