TWI539218B - 液晶顯示裝置 - Google Patents

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TWI539218B
TWI539218B TW103144838A TW103144838A TWI539218B TW I539218 B TWI539218 B TW I539218B TW 103144838 A TW103144838 A TW 103144838A TW 103144838 A TW103144838 A TW 103144838A TW I539218 B TWI539218 B TW I539218B
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Ｌｇ顯示器股份有限公司
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    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device

Description

液晶顯示裝置
本發明關於一種液晶顯示(LCD)裝置，並且尤其係關於一種具有一致的胞間隙(cell gap)的LCD裝置。
通常，LCD裝置包括第一基板、第二基板以及其間的一間隔物(spacer)，間隔物是用於保持第一基板和第二基板之間的間隙。該間隔物根據它們的形狀或成形過程分類成球狀間隔物和柱狀間隔物。
近來，由期望的形狀形成在期望的位置的柱狀間隔物被廣泛使用。通常，柱狀間隔物形成在第二基板上，第二基板由比第一基板數量少的光罩程序所製造。柱狀間隔物被分類到間隙柱狀間隔物，間隙柱狀間隔物接觸第一面板，第一面板包括薄膜電晶體和推柱狀間隔物(push column spacer)，該推柱狀間隔物藉由一預定距離與第一基板隔開。
第1圖是現有技術之LCD裝置的平面圖。
如第1圖所示，現有技術的LCD裝置包括一第一基板10、其包含薄膜電晶體(TFT)Tr、像素電極57以及共同電極(圖中未顯示)；一第二基板(圖中未顯示)，其包含間隙柱狀間隔物(圖中未顯示)；以及一液晶層，其在第一基板10與第二基板之間。
複數條閘極線17與複條數資料線18形成在第一基板10上。該等閘極線17與該等資料線18彼此交叉以定義複數個像素區域。
在每一個像素區域中，連接至閘極線17和資料線18的TFT Tr形成在閘極線17和資料線18的交叉部分。
覆蓋TFT Tr的一第一鈍化層(圖中未顯示)形成在第一基板10之上，並且一第二鈍化層(圖中未顯示)形成在第一鈍化層上。
對應於TFT Tr的該第二鈍化層的一部分被移除以形成暴露該第一鈍化層的一部分的孔「hl」。
共同電極形成在該第二鈍化層上且在第一基板10的整個表面之上。一第三鈍化層形成在該共同電極上。
由透明導電材料形成並且接觸TFT Tr的汲極電極36的像素電極57形成在該第三鈍化層上。像素電極57包括對應於該共同電極的至少一個開口。
在面向第一基板10的第二基板上，形成一黑色矩陣(圖中未顯示)和一彩色濾光片層(圖中未顯示)，黑色矩陣對應於TFT Tr和像素區域的邊界。該彩色濾光片層包括紅、綠以及藍彩色濾光片圖案。具有一平坦頂面的一保護層(圖中未顯示)形成在彩色濾光片層上，且具有柱形的間隙柱狀間隔物(圖中未顯示)形成在保護層上。
在此情況中，間隙柱狀間隔物安置在鄰近孔「hl」之間對應於第二鈍化層的第一部分11，使得間隙柱狀間隔物的整個底表面接觸第二鈍化層上的第三鈍化層。
間隙柱狀間隔物的數量和密度基於間隙柱狀間隔物到第一基板10的接觸密度來決定。
第2A圖至第2C圖是沿第1圖中之Ⅱ-Ⅱ線的剖面圖。第2A圖是顯示第一基板和第二基板之間所期望的對準狀態(align state)，以及第2B圖和第2C圖是顯示第一基板和第二基板之間的錯位狀態(mis-align state)。
如第2A圖至第2C圖所示，TFT Tr形成在第一基板10上。TFT Tr包括一半導體層13，其包括第一區域13a和在第一區域13a兩側的第二區域13b、一閘極絕緣層16、一閘極電極21、一中間層絕緣層23，其包括露出第二區域13b的半導體接觸孔、一源極電極33、以及一汲極電極36。源極電極33和汲極電極36通過半導體接觸孔接觸半導體層13的第二區域13b。
第一鈍化層41形成在TFT Tr上，該第一鈍化層41包括露出汲極電極36的汲極接觸孔「ch」。此外，第二鈍化層51形成在第一鈍化層41上，該第二鈍化層51包括對應於TFT Tr的孔「hl」。
該共同電極(圖中未顯示)形成在第二鈍化層51上，並且第三鈍化層55形成在該共同電極上，第三鈍化層55暴露汲極接觸孔「ch」。通過汲極接觸孔「ch」接觸汲極電極36的像素電極形成在第三鈍化層55上。
在第二基板20上，形成黑色矩陣61、彩色濾光片層63、保護層65、以及間隙柱狀間隔物75。
第一基板10和第二基板20貼附使得間隙柱狀間隔物75接觸第一基板10上的一元件，例如，第三鈍化層55。
參考第2A圖，間隙柱狀間隔物75的整個底表面接觸第二鈍化層51上的第三鈍化層55，使得液晶面板的胞間隙被保持一致。
另一方面，參考第2B圖，當第一基板10和第二基板20之間產生錯位時，間隙柱狀間隔物底表面的一部分接觸第三鈍化層55，並且間隙柱狀間隔物底表面的其他部分安置在孔「hl」處。亦即，減少了間隙柱狀間隔物和第三鈍化層55之間的接觸面積。
此外，參考第2C圖，當產生太多錯位時，間隙柱狀間隔物75的整個底表面接觸在孔「hl」中的第三鈍化層55，使得液晶面板的胞間隙減小。
因此，液晶面板的胞間隙不一致使得液晶層的所期望的量未被充滿。因此，影像質量退化。此外，當LCD裝置被觸摸或推擠時，其部分產生亮度不一致。
在高像素-每-英寸(pixel-per-inch)的LCD裝置中，減少了鄰近孔「hl」之間的第二鈍化層51的寬度。因此，具有小的外部衝擊或少的錯位的情況下，間隙柱狀間隔物75平移插入到孔「hl」中，則在胞間隙上有大問題。
因此，本發明指向一種LCD裝置，其實質上避免了由於現有技術的侷限和缺點的一個或多個問題。
本發明的目的是提供一種具有一致的胞間隙的LCD裝置。
本發明的其他特徵和優點將在下面的說明書中陳述，並且部分從說明書中顯而易見，或者可以從本發明的實踐中習得。本發明的目的和 其他優點將通過在書面說明和其申請專利範圍以及附圖中特別指出的結構而實現和獲得。
為了實現這些和其他優點並且根據本發明的目標，如在此具體並且廣泛的說明，一種液晶顯示裝置包括一第一基板，包含第一和第二像素區域；一第二基板，面對該第一基板；一薄膜電晶體，在該等第一和第二像素區域的每一個中；一像素電極，在該第一基板上並且在該等第一和第二像素區域的每一個中，該像素電極連接至該薄膜電晶體；一共同電極，在該第一基板或該第二基板上；第一和第二柱狀間隔物，在該第二基板上並且分別對應於該等第一和第二像素區域；以及一液晶層，在該等第一和第二基板之間，其中在該第一像素區域中的該第一柱狀間隔物的一第一相對位置不同於在該第二像素區域中的該第二柱狀間隔物的一第二相對位置。
在本發明的另一個方面中，一種液晶顯示裝置包括一第一基板，其包括第一至第四像素區域；第一至第四薄膜電晶體，分別在該等第一至第四像素區域中；一第一鈍化層，包含分別暴露該等第一至第四薄膜電晶體的第一至第四孔；一共同電極，在該第一鈍化層上；一第二鈍化層，在該共同電極上並且具有在該等第一至第四孔中的一汲極接觸孔，該等第一至第四薄膜電晶體中的每一個的一汲極電極通過該汲極接觸孔被暴露出；一像素電極，在該第二鈍化層上並且在該等第一至第四像素區域的每一個中，該像素電極分別電性連接至該等第一至第四薄膜電晶體；第一和第二柱狀間隔物，在一第二基板上並且對應於第一和第三像素區域；以及一液晶層，在該等第一和第二基板之間，其中在該第一柱狀間隔物與該第二鈍化層之間的一第一接觸面積大於該第二柱狀間隔物與該第二鈍化層之間的一第二接觸面積。
在本發明的另一方面中，一種液晶顯示裝置包括第一和第二基板，彼此相互面對；一閘極線，在該第一基板上；第一和第二資料線，在該第一基板上並且與該閘極線交叉以定義第一和第二像素區域；一薄膜電晶體，在該等第一和第二像素區域的每一個中並且連接至該閘極線以及該等第一和第二資料線中的其中之一；一像素電極，在該第一基板上並且連接至該薄膜電晶體；一共同電極，在該第一基板或該第二基板上；第一和 第二柱狀間隔物，在該第二基板上並且分別對應於該等第一和第二像素區域；以及一液晶層，在該等第一和第二基板之間，其中該第一柱狀間隔物的一端具有從該第一資料線的一第一距離，並且該第二柱狀間隔物的一端具有從該第二資料線的一第二距離，該第二距離不同於該第一距離。
在本發明的另一方面中，一種液晶顯示裝置包括一第一基板，其包括第一和第二像素區域；一第二基板，面對該第一基板；第一和第二薄膜電晶體，分別在該等第一和第二像素區域中；一鈍化層，在該等第一和第二薄膜電晶體上並且包括分別暴露該等第一和第二薄膜電晶體中的每一個的一汲極電極的第一和第二接觸孔；一像素電極，在該第一基板上並且在該等第一和第二像素區域的每一個中，該像素電極連接至該等第一和第二薄膜電晶體中的每一個；一共同電極，在該第一基板或該第二基板上；第一和第二柱狀間隔物，在該第二基板上並且分別對應於該等第一和第二像素區域；以及一液晶層，在該第一基板和該第二基板之間，其中該第一柱狀間隔物具有從該第一接觸孔的一第一距離，並且該第二柱狀間隔物具有從該第二接觸孔的一第二距離，該第二距離不同於該第一距離。
應理解的是前述概括說明和以下詳細說明都是示例性和解釋性的並且旨在提供對所主張的發明的進一步的解釋。
10‧‧‧第一基板
11‧‧‧第一部分
13‧‧‧半導體層
13a‧‧‧第一區域
13b‧‧‧第二區域
16‧‧‧閘極絕緣層
17‧‧‧閘極線
18‧‧‧資料線
20‧‧‧第二基板
21‧‧‧閘極電極
23‧‧‧中間層絕緣層
33‧‧‧源極電極
36‧‧‧汲極電極
41‧‧‧第一鈍化層
51‧‧‧第二鈍化層
55‧‧‧第三鈍化層
57‧‧‧像素電極
61‧‧‧黑色矩陣
63‧‧‧彩色濾光片層
65‧‧‧保護層
75‧‧‧間隙柱狀間隔物
110‧‧‧第一基板
111a‧‧‧第一部分
111b‧‧‧第二部分
111c‧‧‧第三部分
113‧‧‧半導體層
113a‧‧‧第一區域
113b‧‧‧第二區域
116‧‧‧閘極絕緣層
117‧‧‧閘極線
118‧‧‧資料線
120‧‧‧第二基板
121‧‧‧閘極電極
123‧‧‧中間層絕緣層
133‧‧‧源極電極
136‧‧‧汲極電極
141‧‧‧第一鈍化層
151‧‧‧第二鈍化層
155‧‧‧第三鈍化層
157‧‧‧像素電極
161‧‧‧黑色矩陣
163‧‧‧彩色濾光片層
165‧‧‧保護層
175a‧‧‧第一柱狀間隔物
175b‧‧‧第二柱狀間隔物
175c‧‧‧第三柱狀間隔物
ch‧‧‧汲極接觸孔
hl‧‧‧孔
hl1‧‧‧第一孔
hl2‧‧‧第二孔
hl3‧‧‧第三孔
hl4‧‧‧第四孔
hl5‧‧‧第五孔
hl6‧‧‧第六孔
Tr‧‧‧薄膜電晶體(TFT)
附圖，其被包含來提供對本發明的進一步理解並且被幷入並且構成說明書的一部分，說明本發明的實施例並且與說明書一起用來解釋本發明的原理。 第1圖是現有技術之LCD裝置的平面圖；第2A圖至第2C圖是沿第1圖中之Ⅱ-Ⅱ線的剖面圖；第3A圖至第3C圖是根據本發明LCD裝置的像素區域的平面圖；第4A圖至第4C圖是分別沿第3A圖中之的Ⅲ-Ⅲ線、第3B圖中之Ⅳ-Ⅳ線以及第3C圖中之V-V線的剖面圖；以及第5A圖至第5C圖是說明根據本發明在LCD裝置中錯位狀態的剖面圖。
詳細參考較佳的實施例，其例子在附圖中說明。
第3A圖至第3C圖是根據本發明的LCD裝置的像素區域的平面圖。
如第3A圖至第3C圖中所示，根據本發明的LCD裝置包括一第一基板110，其包括一薄膜電晶體(TFT)Tr、一像素電極157以及一共同電極(圖中未顯示)；一第二基板(圖中未顯示)，其包括一柱狀間隔物(圖中未顯示)；以及一在第一基板110和第二基板之間的液晶層。
在第一基板110上，形成複數條閘極線117和複數條資料線118。閘極線117和資料線118彼此交叉以定義複數個像素區域。亦即，閘極線117沿第一方面延伸，並且資料線118沿第二方向延伸。每條閘極線117和資料線118包括低電阻材料。例如，每條閘極線117和資料線118可以包括鋁(Al)、鋁合金(AlNd)、銅(Cu)、銅合金、鉬(Mo)以及鉬合金(MoTi)中的至少一種。
在每個像素區域中，連接至閘極線117和資料線118的TFT Tr形成在閘極線117和資料線118的相交部分中。TFT包括閘極電極121、閘極絕緣層(圖中未顯示)、半導體層(圖中未顯示)、源極電極133以及汲極電極136。
在第3A圖至第3C圖中，TFT Tr的通道對於閘極線117具有以大約45度旋轉的「U」形。然而，並不侷限於此。
覆蓋TFT Tr的一第一鈍化層(圖中未顯示)形成在第一基板110之上，並且一第二鈍化層(圖中未顯示)形成在該第一鈍化層上。例如，該第一鈍化層是由無機絕緣材料形成，並且該第二鈍化層是由有機絕緣材料形成。在此情況下，該第二鈍化層可以由具有相對低介電常數的光壓克力形成。
在該第一鈍化層中，形成汲極接觸孔「ch」以露出TFT Tr的汲極電極136。此外，在該第二鈍化層中，第一至第六孔「hl1」至「hl6」對應於每個像素區域中的TFT Tr而形成。第一至第六孔「hl1」至「hl6」中的每一個具有大於每個像素區域中的汲極接觸孔「ch」的尺寸並且露出TFT Tr上的第一鈍化層。
在包括第一至第六孔「hl1」至「hl6」的第二鈍化層上，形成覆蓋包括像素區域的顯示區域的整個表面的共同電極。該共同電極包括透明導電材料且在該顯示區域中具有一板形(plate shape)。
一第三鈍化層(圖中未顯示)形成在共同電極上且在該第二鈍化層之上。該第三鈍化層在第一至第六孔「hl1」至「hl6」處被部分移除以露出在該第一鈍化層中的汲極接觸孔「ch」。亦即，第一和第三鈍化層包括在每個第一至第六孔「hl1」至「hl6」中的汲極接觸孔「ch」以露出汲極電極136。
在第三鈍化層上，形成像素電極157，該像素電極157通過汲極接觸孔「ch」接觸TFT Tr的汲極電極136。該像素電極157包括一透明導電材料和在每個像素區域中的一板形。該像素電極157包括對應於共同電極的至少一個開口，使得在共同電極與像素電極157之間產生一邊緣場。
在面對第一基板110的第二基板上，形成對應於TFT Tr和像素區域的邊界的一黑色矩陣(圖中未顯示)以及一彩色濾光片層(圖中未顯示)。該彩色濾光片層包括紅、綠以及藍彩色濾光片圖案。具有一平坦頂面的一保護層(圖中未顯示)形成在該彩色濾光片層上，且具有柱形的柱狀間隔物(圖中未顯示)形成在該保護層上。該等柱狀間隔物用作一間隙柱狀間隔物。
參考第3A圖，一第一柱狀間隔物(圖中未顯示)安置在對應於第一與第二孔「hl1」與「hl2」之間的第二鈍化層的一部分的第一部分111a。因此，該第一柱狀間隔物的整個底表面接觸在第一與第二孔「hl」與「hl2」之間的第二鈍化層的一部分上的第三鈍化層。
參考第3B圖，一第二柱狀間隔物(圖中未顯示)安置在第二部分111b，使得該第二柱狀間隔物的底表面的一部分接觸第三鈍化層。亦即，該第二柱狀間隔物安置在第二鈍化層與第三孔「hl3」之間，該第二鈍化層安置在第三與第四孔「hl3」與「hl4」之間。
參考第3C圖，一第三柱狀間隔物(圖中未顯示)安置在第三部分111c，使得該第三柱狀間隔物的底表面的一部分接觸第三鈍化層。亦即，該第三柱狀間隔物安置在第二鈍化層與第六孔「hl6」之間，該第二鈍化層安置在第五與第六孔「hl5」與「hl6」之間。
換言之，該第二柱狀間隔物的位置相對於該第一柱狀間隔物沿著第一方向，例如，左方向，偏移，並且該第三柱狀間隔物的位置相對於該第一柱狀間隔物沿著第二方向，例如，右方向，偏移。
該等柱狀間隔物的數量和密度基於第一至第三柱狀間隔物與第一基板110的接觸密度來決定。
第4A圖至第4C圖分別是沿第3A圖中之Ⅲ-Ⅲ線、第3B圖中之Ⅳ-Ⅳ線、以及第3C圖中之V-V線的剖面圖。
如第4A圖至第4C圖所示，根據本發明的LCD裝置包括第一基板110；其包括TFT Tr、像素電極157以及共同電極(圖中未顯示)；第二基板120，其包括第一至第三柱狀間隔物175a、175b和175c；以及在第一基板110與第二基板120之間的一液晶層。
在包括玻璃或塑料以具有透明性質和絕緣性質的第一基板110上，形成包括第一區域113a和在第一區域113a的兩側的第二區域113b的半導體層113。閘極絕緣層116形成在包括半導體層113的第一基板110上。閘極絕緣層116包括一無機絕緣材料。例如，該閘極絕緣層可以由二氧化矽或氮化矽形成。
沿第一方向延伸的(第3A圖中的)閘極線117形成在閘極絕緣層116上。閘極線117包括低電阻金屬材料。例如，閘極線117可以由鋁(Al)、鋁合金(AlNd)、銅(Cu)、銅合金、鉬(Mo)以及鉬合金(MoTi)中的至少一種形成。此外，連接至閘極線的閘極電極121形成在閘極絕緣層116。閘極電極121與閘極線117一樣在相同層上由相同材料形成。
中間層絕緣層123形成在閘極電極121與閘極絕緣層116上，並且源極電極133和汲極電極136形成在中間層絕緣層123上。源極電極133和汲極電極136彼此隔開。
半導體層113、閘極絕緣層116、閘極電極121、中間層絕緣層123、源極電極133以及汲極電極136構成TFT Tr。
在中間層絕緣層123上，形成連接至源極電極133的(第3A圖中的)資料線118。資料線118交叉閘極線117以定義像素區域。
包括無機絕緣材料的第一鈍化層141形成在包括資料線118、源極電極133以及汲極電極136的第一基板110之上。例如，第一鈍化層141可以由二氧化矽或氮化矽形成。
在第一鈍化層141上形成包括具有相對低介電常數的一有機絕緣材料的第二鈍化層151。例如，第二鈍化層151可以由光壓克力形成。
當沒有第一鈍化層141，形成第二鈍化層151時，TFT Tr的通道可能被第二鈍化層151的材料污染。形成第一鈍化層141以預防以上問題。
第二鈍化層151包括第一至第六孔「hl1」至「hl6」。第一至第六孔「hl1」至「hl6」分別對應於每個像素中的TFT Tr，使得TFT Tr上的第一鈍化層141通過第一至第六孔「hl1」至「hl6」被暴露出。
共同電極(圖中未顯示)形成在包括第一至第六孔「hl1」至「hl6」的第二鈍化層151上，且在顯示區域的整個表面之上。該共同電極可由例如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)的一透明導電材料形成。該共同電極可以具有露出TFT Tr的TFT接觸孔以預防共同電極與TFT Tr的電極之間的寄生電容。
第三鈍化層155形成在第一鈍化層141、第二鈍化層151以及共同電極上。第三鈍化層155覆蓋第一基板110的整個表面除了汲極接觸孔「ch」之外。汲極電極136通過在第一和第三鈍化層141和155中的汲極接觸孔「ch」而露出。亦即，第三鈍化層155形成在第一至第六孔「hl1」至「hl6」中。第三鈍化層155由例如二氧化矽或氮化矽之一無機絕緣材料形成。
此外，像素電極157形成在第三鈍化層155上。像素電極157通過在第一至第六孔「hl1」至「hl6」中的汲極接觸孔「ch」接觸汲極電極136，且像素電極157由例如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)之一透明導電材料形成。像素電極157在每個像素區域中具有一板形且包括至少一開口。因此，像素電極157與該共同電極產生一邊緣場。
在面對第一基板110的第二基板120上，形成黑色矩陣161和彩色濾光片層163，該黑色矩陣161對應於TFT Tr和像素區域的邊界。彩色濾光片層163包括紅、綠以及藍彩色濾光片圖案。具有一平坦頂面的一 保護層165形成在該彩色濾光片層上，並且每個具有柱形的第一至第三柱狀間隔物175a、175b和175c形成在保護層165上。此外，具有比第一至第三柱狀間隔物175a、175b和175c更小的厚度或高度的一推柱狀間隔物(圖中未顯示)可以進一步形成在保護層165上。該推柱狀間隔物與第一基板110的最上層，例如第三鈍化層155或像素電極157隔開。
參考第4A圖，第一柱狀間隔物175a安置在對應於第一與第二孔「hl1」與「hl2」之間的第二鈍化層151的一部分的(第3A圖中的)第一部分111a。因此，第一柱狀間隔物的整個底表面接觸在第一與第二孔「hl1」與「hl2」之間的第二鈍化層151上的第三鈍化層155。
參考第4B圖，第二柱狀間隔物175b安置在(第3B圖中的)第二部分111b，使得第二柱狀間隔物175b的底表面的一部分接觸第三鈍化層155且第二柱狀間隔物175b的底表面的其他部分設置在第三孔「hl3」。 亦即，第二柱狀間隔物175b安置在第二鈍化層151與第三孔「hl3」之間，第二鈍化層151安置在第三與第四孔「hl3」與「hl4」之間。
參考第4C圖，第三柱狀間隔物175c安置在(第3C圖中的)第三部分111c，使得第三柱狀間隔物175c的底表面的一部分接觸第三鈍化層155且第三柱狀間隔物175c的底表面的其他部分設置在第六孔「hl6」。亦即，第三柱狀間隔物175c安置在第二鈍化層151與第六孔「hl6」之間，第二鈍化層151安置在第五與第六孔「hl5」與「hl6」之間。在第4C圖中，第三柱狀間隔物175c接觸像素電極157。然而，當像素電極157沒有在第二鈍化層151的上表面延伸時，第三柱狀間隔物175c沒有接觸像素電極157。
換言之，部分第二柱狀間隔物175b的位置相對於第一柱狀間隔物175a沿著第一方向，例如，左方向，偏移，並且部分第三柱狀間隔物175c的位置相對於第一柱狀間隔物175a沿著第二方向，例如，右方向，偏移。亦即，在每個像素區域中的第一至第三柱狀間隔物175a、175b以及175c的相對位置彼此不同。第一柱狀間隔物175a與第三鈍化層155之間的第一接觸區域面積不同於第二柱狀間隔物175b與第三鈍化層155之間的第二接觸區域面積和第三柱狀間隔物175c與第三鈍化層155之間的第三接觸區域面積。
第一至第三柱狀間隔物175a、175b以及175c的數量和密度基於第一至第三柱狀間隔物175a、175b以及175c到第一基板110的接觸密度來決定。
儘管圖中未顯示，第一和第二基板110和120貼附，其間具有一液晶層(圖中未顯示)。密封圖案形成在第一和第二基板110和120的邊緣以預防液晶層的洩漏。
參考第3A圖至第3C圖和第4A圖至第4C圖，第一至第三柱狀間隔物175a、175b以及175c的一側至資料線118的距離不同。如第3A圖所示，安置在第一部分111a的(第4A圖中的)第一柱狀間隔物175a具有從資料線118的第一距離。如第3B圖所示，安置在第二部分111b的(第4B圖中的)第二柱狀間隔物175b具有從資料線118的第二距離，第二距離小於第一距離。此外，如第3C圖所示，安置在第三部分111c的(第4C圖中的)第三柱狀間隔物175c具有從資料線118的第三距離，第三距離大於第一距離。
此外，第一至第三柱狀間隔物175a、175b以及175c至汲極接觸孔「ch」的距離不同。如第4A圖所示，第一柱狀間隔物175a具有從汲極接觸孔「ch」的第一距離。。如第4B圖所示，第二柱狀間隔物175b具有從汲極接觸孔「ch」的第二距離，第二距離小於第一距離。如第4C圖所示，第三柱狀間隔物175c具有從汲極接觸孔「ch」的第三距離，第二距離大於第一距離。
第5A圖至第5C圖是說明根據本發明在LCD裝置中錯位狀態的剖面圖。第5A圖至第5C圖顯示第二基板120沿左方向，即，箭頭方向的偏移。
參考第5A圖，第二基板120上的第一柱狀間隔物175a沿左方向偏移。因此，第一柱狀間隔物175a安置在第二鈍化層151與第一孔「hl1」之間，使得第一柱狀間隔物175a底表面的一部分接觸第一與第二孔「hl1」與「hl2」之間的第二鈍化層151上的第三鈍化層155。
參考第5C圖，當第二基板120與第一基板110錯位時，第三柱狀間隔物175c同樣偏移使得第三柱狀間隔物175c安置在第二鈍化層151 之上。因此，第三柱狀間隔物175c的整個底表面接觸第五與第六孔「hl5」與「hl6」之間的第二鈍化層151上的第三鈍化層155。
參考第5B圖，當第二基板120與第一基板110錯位時，第二柱狀間隔物175b同樣偏移，使得第二柱狀間隔物175b對應於第三孔「hl3」安置。然而，由於第一和第三柱狀間隔物175a和175c，第二柱狀間隔物175b沒有插入到第三孔「hl3」。換言之，第二柱狀間隔物175b在第三孔「hl3」處自第三鈍化層155隔開，使得液晶面板的胞間隙得以維持。
亦即，即使第二柱狀間隔物175b由於錯位沒有接觸第二鈍化層151上的第三鈍化層155，第一和第三柱狀間隔物175a和175c仍然接觸第二鈍化層151上的第三鈍化層155，使得第一和第二基板110和120之間的間隙維持一致。
另一方面，當第二基板120沿右方向偏移時，第三柱狀間隔物175c可以對應於第六孔「hl6」安置。在此情況中，第一和第二柱狀間隔物175a和175b仍然接觸第三鈍化層155，使得液晶面板的胞間隙同樣得以維持。
當如第4A圖至第4C圖所示沒有產生錯位時，胞間隙被第一柱狀間隔物175a牢固地保持。當產生沿左方向的錯位時，胞間隙被第三柱狀間隔物175c牢固地保持。當產生沿右方向的錯位時，胞間隙被第二柱狀間隔物175b牢固地保持。由於錯位少於對準，第一柱狀間隔物175a的數量大於每個第二和第三柱狀間隔物175b和175c的數量。(第一柱狀間隔物175a：第二柱狀間隔物175b：第三柱狀間隔物175c=2：1：1)。
為了補償在右方向和左方向兩者的錯位，第二和第三柱狀間隔物175b和175c相對對於第一柱狀間隔物175a相反地安置。亦即，第二柱狀間隔物175b安置在第一柱狀間隔物175a的第一側，並且第三柱狀間隔物175c安置在第一柱狀間隔物175a的第二側，即，與第一側相對。因此，第一柱狀間隔物175a安置在第二和第三柱狀間隔物175b和175c之間。
第3A圖至第3C圖、第4A圖至第4C圖以及第5A圖至第5C圖是顯示第一至第三柱狀間隔物。然而，該LCD裝置可以包括兩個柱狀間隔物。在此情況中，第一柱狀間隔物的相對位置自第二柱狀間隔物的相對位置偏移。錯位問題可以被兩個柱狀間隔物補償。
此外，解釋共同電極形成在第一基板上。然而，該共同電極可以形成在第二基板上以與像素電極產生一垂直電場。或者，每個具有條形的共同電極與像素電極可以彼此交替形成在第一基板上。
在本發明中，由於第二和第三柱狀間隔物相對對於第一柱狀間隔物相對地平移，即使當錯位產生時，液晶面板的胞間隙保持一致。因此，預防了現有技術LCD裝置中之例如影像品質退化、亮度不一致等問題。
在不脫離本發明的精神或範疇下，對本領域技術人員所作的各種修改和變化將會是顯而易見的。因此，本發明旨在涵蓋本發明之修改及變化，只要它們落在所附的申請專利範圍及其均等物的範圍內。
本發明主張2014年9月11日在韓國提交的韓國專利申請第10-2014-0119931號的利益，其通過引用併入在此。
110‧‧‧第一基板
113‧‧‧半導體層
113a‧‧‧第一區域
113b‧‧‧第二區域
116‧‧‧閘極絕緣層
120‧‧‧第二基板
121‧‧‧閘極電極
123‧‧‧中間層絕緣層
133‧‧‧源極電極
136‧‧‧汲極電極
141‧‧‧第一鈍化層
151‧‧‧第二鈍化層
155‧‧‧第三鈍化層
157‧‧‧像素電極
161‧‧‧黑色矩陣
163‧‧‧彩色濾光片層
165‧‧‧保護層
175b‧‧‧第二柱狀間隔物
ch‧‧‧汲極接觸孔
hl3‧‧‧第三孔
hl4‧‧‧第四孔
Tr‧‧‧薄膜電晶體(TFT)

Claims (9)

  1. 一種液晶顯示裝置，包括：一第一基板，包含第一像素區域、第二像素區域和第三像素區域；第二基板，面對該第一基板；複數條閘極線，該等複數條閘極線係位於該第一基板上；複數條資料線，該等複數條資料線與該等複數條閘極線交叉以定義該等像素區域；一薄膜電晶體，在該等第一像素區域、該等第二像素區域和該等第三像素區域的每一個中；一像素電極，在該第一基板上並且在該等第一像素區域、該等第二像素區域和該等第三像素區域的每一個中，該像素電極連接至該薄膜電晶體；一共同電極，在該第一基板或該第二基板上；第一柱狀間隔物、第二柱狀間隔物和第三柱狀間隔物，在該第二基板上並且分別對應於該等第一像素區域、該等第二像素區域和該等第三像素區域；以及一液晶層，在該第一基板和該第二基板之間，其中在該等第一像素區域中的該等第一柱狀間隔物的一第一相對位置、在該等第二像素區域中的該等第二柱狀間隔物的一第二相對位置、以及在該等第三像素區域中的該等第三柱狀間隔物的一第三相對位置，彼此之間是不同的，其中該等第一柱狀間隔物的數目大於該等第二柱狀間隔物的數目以及該等第三柱狀間隔物的數目，該等第一柱狀間隔物、該等第二柱狀間隔物、以及該等第三柱狀間隔物以2：1：1的關聯予以安置，以及其中，該等第二柱狀間隔物的該第二相對位置和該等第三柱狀間隔物的該第三相對位置從該等第一柱狀間隔物的該第一相對位置於平行於該等閘極線的相反方向予以偏移。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述的液晶顯示裝置，進一步包括在該第一基板之上的一鈍化層，其中該像素電極設置在該鈍化層上，並且該等第一 柱狀間隔物之用以維持介於該第一基板與該第二基板之一間隙的一支撐面積大於該等第二柱狀間隔物的一支撐面積。
  3. 依據申請專利範圍第2項所述的液晶顯示裝置，其中每一之該等第一柱狀間隔物的整個底表面於該鈍化層上支撐，並且每一之該等第二柱狀間隔物的部分底表面於該鈍化層上支撐。
  4. 依據申請專利範圍第3項所述的液晶顯示裝置，其中該鈍化層包括複數孔，該等孔對應於該等第二像素區域中的該等薄膜電晶體，並且每一之該等第二柱狀間隔物的其他部分底表面分別地安置於該等孔的一孔上。
  5. 依據申請專利範圍第1項所述的液晶顯示裝置，其中，於一側，該等第二柱狀間隔物相鄰於該等第一柱狀間隔物；而於另一側，該等第三柱狀間隔物相鄰於該等第一柱狀間隔物。
  6. 依據申請專利範圍第2項所述的液晶顯示裝置，其中每一之該等第一柱狀間隔物的該支撐面積大於每一之該等第三柱狀間隔物的一支撐面積。
  7. 依據申請專利範圍第1項所述的液晶顯示裝置，其中，該等第一柱狀間隔物具有從一資料線的一第一距離，對應於各別之該第一像素區域，該等第二柱狀間隔物具有從一資料線的一第二距離，對應於各別之該第二像素區域，該等第三柱狀間隔物具有從一資料線的一第三距離，對應於各別之該第三像素區域，該第一距離大於該第二距離、並小於該第三距離。
  8. 依據申請專利範圍第1項所述的液晶顯示裝置，進一步包括在該等薄膜電晶體之上的一鈍化層，該鈍化層包括汲極接觸孔以將於該等第一像素區域、該等第二像素區域、以及該等第三像素區域中的該等薄膜電晶體的汲極電極分別予以暴露，其中，於各別之該等第一像素區域中該等第一柱狀間隔物具有從該等汲極接觸孔的一第一距離，於各別之該等第二像素區域中該等第二柱狀間隔物具有從該等汲極接觸孔的一第二距離，於各別之該等第三像素區域中該等第三柱狀間隔物具有從該等汲極接觸孔的一第三距離，該第一距離大於該第二距離、並小於該第三距離。
  9. 依據申請專利範圍第1項所述的液晶顯示裝置，進一步包括：一第一鈍化層，包括複數孔分別暴露該等薄膜電晶體，該共同電極設置在該第一鈍化層上；以及 一第二鈍化層，在該共同電極上並且具有各別在該等孔中的一汲極接觸孔，該等薄膜電晶體中的每一個的一汲極電極通過該汲極接觸孔被暴露出，其中，於該第二鈍化層上的該等第一柱狀間隔物的一支撐面積大於在該第二鈍化層上的該等第二柱狀間隔物的一支撐面積、以及在該第二鈍化層上的該等第三柱狀間隔物的一支撐面積。S
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