JP4795921B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
通常、このような表示装置の駆動方式をアクティブマトリクス駆動方式という。このようなアクティブマトリクス駆動方式においては、マトリクス状に配列されたそれぞれの画素に前記能動素子が配置されて該当画素を駆動する。
図4に示すように、N×M個の画素が縦横に配列される薄膜トランジスタ液晶表示素子の各画素は、外部の駆動回路から走査信号が印加されるゲートライン13と画像信号が印加されるデータライン19cとの交差領域に形成された薄膜トランジスタ(図示せず)を含む。
図5A〜図5Iは、従来の液晶表示素子の製造方法を示す、図4のIIA−IIA及びIIB−IIB線断面図である。
その後、第3感光膜パターン25aをマスクにして保護層23を選択的にエッチングすることにより、ドレイン電極19bを露出させるコンタクトホール27を形成する。
次に、前記透明電極物質上に第4感光膜(図示せず)を塗布した後、第4マスクを利用した露光及び現像工程を経て前記第4感光膜を選択的に除去することにより、第4感光膜パターン(図示せず)を形成する。
その後、前記第4感光膜パターンをマスクにして前記透明電極物質を選択的に除去して画素電極29を形成した後、前記第4感光膜パターンを除去する。
次に、第2基板41と第1基板11とを貼り合わせた後、これら第2基板41と第1基板11との間に液晶層51を形成して液晶表示素子の製造を完成する。
本発明及び参考発明の他の目的は、マスク工程数を減らすことのできる液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
また、本発明は、フィンガー(finger)の形成時にコンタクトホール埋め込み工程を適用する場合、マスクを1つ削減できるという効果がある。
図1に示すように、参考発明によるN×M個の画素が縦横に配列される薄膜トランジスタ液晶表示素子の各画素は、外部の駆動回路から走査信号が印加されるゲートライン103と画像信号が印加されるデータライン109cとの交差領域に形成された薄膜トランジスタ(図示せず)を含む。
図2A〜図2Kは参考発明の実施形態による液晶表示素子の製造方法を示す、図1のIVA−IVA及びIVB−IVB線断面図である。
次に、第2基板141と第1基板101とを貼り合わせた後、これら第2基板141と第1基板101との間に液晶層151を形成して液晶表示素子の製造を完成する。
その後、図示していないが、第2基板上にブラックマトリクスとカラーフィルタ層を順次蒸着した後、前記カラーフィルタ層上にオーバーコート層又は配向膜を形成する。
次に、前記第2基板と前記第1基板とを貼り合わせた後、これら第2基板と第1基板との間に液晶層を形成して液晶表示素子の製造を完成する。
Claims (2)
- 第1マスクを利用して、基板上にゲートライン、ゲート電極及び共通電極を形成する段階と、
アクティブ層及び導電層を形成する段階と、
第2マスクを利用して、アクティブパターン、ソース電極、ドレイン電極及びデータラインを形成する段階と、
第3マスクを利用して画素電極を形成する段階であって、
保護層を形成する段階と、
前記保護層上に第1感光膜を形成する段階と、
前記ドレイン電極、前記共通電極に隣接した画素領域、及び前記データラインと前記アクティブパターンの一部分を露出させる複数の開口部が形成されるように、前記保護層及び前記第1感光膜をパターニングする段階と、
前記第1感光膜を覆って前記複数の開口部を埋めるように導電膜を形成する段階と、
前記導電膜上に第2感光膜を形成する段階と、
前記導電膜の一部が露出するように、アッシングにより前記第2感光膜の一部を除去する段階と、
前記第1感光膜上部の前記導電膜を除去した後、前記第1感光膜及び第2感光膜を除去して、前記複数の開口部周辺で前記保護層の側壁に沿って前記導電膜を残して画素電極を形成する段階とを備える段階と、
を含むことを特徴とするIPS方式の液晶表示装置の製造方法。 - 前記ゲート電極と前記画素領域を覆うように、前記第1基板上にゲート絶縁膜を形成する段階をさらに含み、
前記共通電極に隣接した画素領域を露出する開口部が前記ゲート絶縁膜を露出させ、前記露出したゲート絶縁膜と接触するように、前記共通電極に隣接した画素領域を露出する開口部内に前記導電膜が埋められることを特徴とする請求項1に記載のIPS方式の液晶表示装置の製造方法。
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