JP2010171411A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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- ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ゲート絶縁層上、前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上に、半導体層を形成する半導体装置の作製方法であって、
酸化物半導体膜を成膜し、当該酸化物半導体膜を島状にすることなく、前記半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第１のゲート電極及び第２のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極上及び前記第２のゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上であって、前記第１のゲート電極上に第１のソース電極及び第１のドレイン電極を形成するとともに、前記ゲート絶縁層上であって、前記第２のゲート電極上に第２のソース電極及び第２のドレイン電極を形成し、
前記ゲート絶縁層上、前記第１のソース電極上、前記第１のドレイン電極上、前記第２のソース電極上及び前記第２のドレイン電極上に、１つの半導体層を形成する半導体装置の作製方法であって、
酸化物半導体膜を成膜し、当該酸化物半導体膜を島状にすることなく、前記１つの半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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