JP5607349B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置の一例について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態1及び実施の形態2に示す半導体装置と異なる構成の半導体装置について説明する。
本発明の一態様である半導体装置は、例えば表示装置の画素に適用することができる。本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置を適用した画素を備えた表示装置について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置を適用した画素を備えた表示装置の他の例として液晶素子を有する画素を備えた表示装置について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態3または実施の形態4に示す構成の画素の適用が可能な表示装置について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置の一例として電子ペーパについて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置を表示部に備えた電子機器について説明する。
101 電極
102 絶縁層
103a 電極
103b 電極
104 半導体層
105a バッファ層
105b バッファ層
200 基板
201 トランジスタ
202 トランジスタ
204 半導体層
400 基板
402 絶縁層
404 半導体層
405 層間膜
408 隔壁層
409 電界発光層
410 導電層
411 導電層
412 遮蔽膜
421 トランジスタ
422 容量素子
423 トランジスタ
424 発光素子
451 トランジスタ
452 容量素子
453 トランジスタ
454 発光素子
461 走査線
462 信号線
500 基板
502 絶縁層
504 半導体層
505 層間膜
506 導電層
507 開口部
508 液晶層
509 導電層
510 基板
511 トランジスタ
512 液晶素子
513 容量素子
521 走査線
522 信号線
580 基板
581 TFT
582 半導体層
583 絶縁層
584 絶縁層
585 絶縁層
586 電極
587 電極
588 電極
589 球形粒子
594 キャビティ
595 充填剤
596 基板
601 画素部
602 走査線駆動回路
603 信号線駆動回路
604 画素
610 シフトレジスタ
611 レベルシフタ
612 バッファ回路
621 シフトレジスタ
622 ラッチ回路
623 ラッチ回路
624 レベルシフタ
625 バッファ回路
2012 絶縁層
2111 電極
2112 電極
2131a 電極
2131b 電極
2132a 電極
2132b 電極
2600 TFT基板
2601 対向基板
2602 シール材
2603 画素部
2604 表示素子
2605 着色層
2606 偏光板
2607 偏光板
2608 配線回路部
2609 フレキシブル配線基板
2610 冷陰極管
2611 反射板
2612 回路基板
2613 拡散板
2700 電子書籍
2701 筐体
2703 筐体
2705 表示部
2707 表示部
2711 軸部
2721 電源
2723 操作キー
2725 スピーカ
4001 下地膜
4011 導電層
4012 導電層
4021 開口部
4031 導電層
4032 導電層
4033 導電層
4034 導電層
4061 開口部
4062 開口部
4063 開口部
4071 導電層
4072 導電層
4081 開口部
5001 下地膜
5011 導電層
5012 導電層
5013 導電層
5014 導電層
5031 導電層
5032 導電層
5033 導電層
5062 導電層
5063 導電層
590a 黒色領域
590b 白色領域
6000 シール材
6001 基板
6002 画素部
6003 信号線駆動回路
6004 走査線駆動回路
6005 シール材
6006 基板
6008 液晶層
6010 TFT
6011 TFT
6013 液晶素子
6015 接続端子電極
6016 端子電極
6018 FPC
6019 異方性導電膜
6020 絶縁層
6021 絶縁層
6030 画素電極
6031 対向電極
6032 絶縁層
6035 スペーサ
6050 半導体層
6501 基板
6502 画素部
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6518a FPC
6505 シール材
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6509 TFT
6510 TFT
6511 発光素子
6512 電界発光層
6513 電極
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6516 接続端子電極
6517 電極
6519 異方性導電膜
6520 隔壁
6550 半導体層
6551 絶縁層
6552 絶縁層
9000 携帯電話機
9001 筐体
9002 表示部
9003 操作ボタン
9004 外部接続ポート
9005 スピーカ
9006 マイク
9400 通信装置
9401 筐体
9402 操作ボタン
9403 外部入力端子
9404 マイク
9405 スピーカ
9406 発光部
9410 表示装置
9411 筐体
9412 表示部
9413 操作ボタン
9600 テレビジョン装置
9601 筐体
9603 表示部
9605 スタンド
9607 表示部
9609 操作キー
9610 リモコン操作機
9700 デジタルフォトフレーム
9701 筐体
9703 表示部
9881 筐体
9882 表示部
9883 表示部
9884 スピーカ部
9885 操作キー
9886 記録媒体挿入部
9887 接続端子
9888 センサ
9889 マイクロフォン
9890 LEDランプ
9891 筐体
9893 連結部
9900 スロットマシン
9901 筐体
9903 表示部
Claims (2)
- 第1のトランジスタの第1のゲート電極と、第2のトランジスタの第2のゲート電極と、を形成し、
前記第1のゲート電極上及び前記第2のゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上であって、前記第1のゲート電極上に第1のソース電極及び第1のドレイン電極を形成するとともに、前記ゲート絶縁層上であって、前記第2のゲート電極上に第2のソース電極及び第2のドレイン電極を形成し、
前記ゲート絶縁層上、前記第1のソース電極上、前記第1のドレイン電極上、前記第2のソース電極上及び前記第2のドレイン電極上に、一続きの酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層全体の抵抗値は、透光性を有する前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとが導通しない値であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1のトランジスタの第1のゲート電極と、第2のトランジスタの第2のゲート電極と、を形成し、
前記第1のゲート電極上及び前記第2のゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上であって、前記第1のゲート電極上に第1のソース電極及び第1のドレイン電極を形成するとともに、前記ゲート絶縁層上であって、前記第2のゲート電極上に第2のソース電極及び第2のドレイン電極を形成し、
前記第1のソース電極上に第1のバッファ層を形成し、
前記第1のドレイン電極上に第2のバッファ層を形成し、
前記第2のソース電極上に第3のバッファ層を形成し、
前記第2のドレイン電極上に第4のバッファ層を形成し、
前記ゲート絶縁層上、前記第1のソース電極上、前記第1のドレイン電極上、前記第2のソース電極上及び前記第2のドレイン電極上に、一続きの酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層全体の抵抗値は、透光性を有する前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとが導通しない値であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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