JP2013122580A5 - 表示装置の作製方法 - Google Patents

Claims (3)

1. 第１のフォトリソグラフィ工程により、一部がゲート電極として機能するゲート配線を形成し、
   前記ゲート配線上にゲート絶縁層を形成し、
   前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
   第２のフォトリソグラフィ工程により、前記半導体層上に開口部を有する第１の絶縁層を形成し、
   第３のフォトリソグラフィ工程により、前記第１の絶縁層上に、前記半導体層と接する第１の電極を形成し、
   前記第１の電極上に第２の絶縁層を形成し、
   第４のフォトリソグラフィ工程により、前記第１の電極と重なる前記第２の絶縁層の一部を選択的に除去して行う開口部の形成と、前記第２の絶縁層、前記第１の絶縁層、前記半導体層、及び前記ゲート絶縁層の一部を除去して行う溝部の形成と、を行い、
   第５のフォトリソグラフィ工程により、前記第２の絶縁層上に前記第１の電極と接し、画素電極として機能する第２の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記溝部は、前記ゲート配線上において、前記ゲート配線を横切るように設けられ、
   前記溝部によって、隣接する画素のトランジスタの半導体層が分離されることを特徴とする表示装置の作製方法。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記半導体層は、酸化物半導体を含むことを特徴とする表示装置の作製方法。