JPH05226482A - Ｓｏｇ塗布装置 - Google Patents
Ｓｏｇ塗布装置Info
- Publication number
- JPH05226482A JPH05226482A JP2346092A JP2346092A JPH05226482A JP H05226482 A JPH05226482 A JP H05226482A JP 2346092 A JP2346092 A JP 2346092A JP 2346092 A JP2346092 A JP 2346092A JP H05226482 A JPH05226482 A JP H05226482A
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- JP
- Japan
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- sog
- wafer
- coating apparatus
- sog coating
- ozone
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＳＯＧ塗布前処理としてウェハ表面の有機系
の汚染を除去し、ＳＯＧとウェハ表面の密着性を促進さ
せ、ＳＯＧ塗布プロセスにおけるＳＯＧ膜の剥がれ防止
が可能とされるＳＯＧ塗布装置を提供する。 【構成】 層間絶縁膜を積層構造として平坦化するＳＯ
Ｇ塗布装置であって、ＳＯＧ塗布装置１に、ＳＯＧ塗布
前のウェハ表面の有機物汚染を除去する前処理装置２と
して、ウェハステージ３に載置されたウェハを３００℃
程度に加熱するウェハ加熱部４、ウェハをオゾン雰囲気
にさらすオゾン発生部５、ウェハの表面にＵＶ照射する
ＵＶ照射部６が一体的に連結されている。そして、前処
理装置２内で、ウェハ加熱部４によってウェハ７が加熱
され、同時にオゾン発生部５によるオゾンガス雰囲気の
中でＵＶ照射部６からＵＶ光がウェハ７に照射される。
の汚染を除去し、ＳＯＧとウェハ表面の密着性を促進さ
せ、ＳＯＧ塗布プロセスにおけるＳＯＧ膜の剥がれ防止
が可能とされるＳＯＧ塗布装置を提供する。 【構成】 層間絶縁膜を積層構造として平坦化するＳＯ
Ｇ塗布装置であって、ＳＯＧ塗布装置１に、ＳＯＧ塗布
前のウェハ表面の有機物汚染を除去する前処理装置２と
して、ウェハステージ３に載置されたウェハを３００℃
程度に加熱するウェハ加熱部４、ウェハをオゾン雰囲気
にさらすオゾン発生部５、ウェハの表面にＵＶ照射する
ＵＶ照射部６が一体的に連結されている。そして、前処
理装置２内で、ウェハ加熱部４によってウェハ７が加熱
され、同時にオゾン発生部５によるオゾンガス雰囲気の
中でＵＶ照射部６からＵＶ光がウェハ７に照射される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェハ表面を平坦化す
る半導体ウェハ製造プロセスに関し、特に層間絶縁膜を
積層構造として平坦化するＳＯＧ（Spin on glass ）塗
布プロセスにおいて、ＳＯＧ膜の密着性の向上が可能と
されるＳＯＧ塗布装置に適用して有効な技術に関する。
る半導体ウェハ製造プロセスに関し、特に層間絶縁膜を
積層構造として平坦化するＳＯＧ（Spin on glass ）塗
布プロセスにおいて、ＳＯＧ膜の密着性の向上が可能と
されるＳＯＧ塗布装置に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体ウェハ製造プロセスにおけ
る集積回路パターンの微細化に伴い、段差部の数が増え
るだけでなく、必要とされる加工寸法が段差部の高さと
同程度またはそれ以上になっている。そればかりでな
く、加工精度を上げるために異方性エッチング技術など
を使う結果、これら段差の側面は垂直に切り立った形状
をもっている。
る集積回路パターンの微細化に伴い、段差部の数が増え
るだけでなく、必要とされる加工寸法が段差部の高さと
同程度またはそれ以上になっている。そればかりでな
く、加工精度を上げるために異方性エッチング技術など
を使う結果、これら段差の側面は垂直に切り立った形状
をもっている。
【０００３】特に、ＶＬＳＩおよびＵＬＳＩになると、
Ｓｉウェハの上には配線が多層に形成され、またウェハ
の中にも溝を掘って素子間を絶縁分離したり、大きな容
量のコンデンサを作ったりしており、加工方法は平面的
であるにもかかわらず、内部構造は極めて立体的になっ
てきている。
Ｓｉウェハの上には配線が多層に形成され、またウェハ
の中にも溝を掘って素子間を絶縁分離したり、大きな容
量のコンデンサを作ったりしており、加工方法は平面的
であるにもかかわらず、内部構造は極めて立体的になっ
てきている。
【０００４】このような、急峻で複雑な形状を持つ段差
をそのまま残しておくと、フォトリソグラフィ工程での
パターン精度の劣化、エッチング残りなどによる段差側
壁への不良発生、段差部での被覆率の低下および膜質の
悪化による信頼性の低下、さらには段差部の配線長の延
長化による抵抗や寄生容量の増加に伴う回路動作の遅延
など、さまざまな問題を引き起こす要因となる。
をそのまま残しておくと、フォトリソグラフィ工程での
パターン精度の劣化、エッチング残りなどによる段差側
壁への不良発生、段差部での被覆率の低下および膜質の
悪化による信頼性の低下、さらには段差部の配線長の延
長化による抵抗や寄生容量の増加に伴う回路動作の遅延
など、さまざまな問題を引き起こす要因となる。
【０００５】そこで、これらの問題を解決するために、
たとえば株式会社オーム社、１９８９年６月２０日発
行、「超微細加工入門」Ｐ１４４〜Ｐ１５０などの文献
に記載されるように、段差をなくして表面を平坦にしな
がら加工を進める技術が各工程に応じて種々開発されて
いる。
たとえば株式会社オーム社、１９８９年６月２０日発
行、「超微細加工入門」Ｐ１４４〜Ｐ１５０などの文献
に記載されるように、段差をなくして表面を平坦にしな
がら加工を進める技術が各工程に応じて種々開発されて
いる。
【０００６】たとえば、ＳＯＧ法による塗布装置の場合
は、ウェハをスピナで回転させてシラノールやポリアル
キル・シロキサンなどの液体ガラスを塗布し、このＳＯ
Ｇ膜を多層配線の層間絶縁膜として用いることにより、
ウェハ表面の平坦化が可能となっている。
は、ウェハをスピナで回転させてシラノールやポリアル
キル・シロキサンなどの液体ガラスを塗布し、このＳＯ
Ｇ膜を多層配線の層間絶縁膜として用いることにより、
ウェハ表面の平坦化が可能となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な従来技術においては、ＳＯＧ塗布前のウェハ表面に有
機物系の汚染が存在すると、塗布したＳＯＧ膜が下地の
パターン段差に沿って剥がれる現象が発生するという問
題がある。たとえば、このＳＯＧ膜の剥がれ現象は、Ｓ
ＯＧ塗布までのウェハ放置時間に依存しており、放置時
間がおよそ７２時間以上になると急激にＳＯＧ膜の剥が
れが発生する。
な従来技術においては、ＳＯＧ塗布前のウェハ表面に有
機物系の汚染が存在すると、塗布したＳＯＧ膜が下地の
パターン段差に沿って剥がれる現象が発生するという問
題がある。たとえば、このＳＯＧ膜の剥がれ現象は、Ｓ
ＯＧ塗布までのウェハ放置時間に依存しており、放置時
間がおよそ７２時間以上になると急激にＳＯＧ膜の剥が
れが発生する。
【０００８】従って、下地段差を有するウェハ表面の平
坦化として用いるＳＯＧ塗布プロセスにおいては、ウェ
ハ表面の汚染により発生するＳＯＧ膜の剥がれによって
引き起こされる上層配線パターンのショート、断線によ
るプローブ歩留まりの低下が問題となっている。
坦化として用いるＳＯＧ塗布プロセスにおいては、ウェ
ハ表面の汚染により発生するＳＯＧ膜の剥がれによって
引き起こされる上層配線パターンのショート、断線によ
るプローブ歩留まりの低下が問題となっている。
【０００９】そこで、本発明の目的は、ＳＯＧ塗布前処
理としてウェハ表面の有機系の汚染を除去し、ＳＯＧと
ウェハ表面の密着性を促進させ、ＳＯＧ塗布プロセスに
おけるＳＯＧ膜の剥がれを防止することができるＳＯＧ
塗布装置を提供することにある。
理としてウェハ表面の有機系の汚染を除去し、ＳＯＧと
ウェハ表面の密着性を促進させ、ＳＯＧ塗布プロセスに
おけるＳＯＧ膜の剥がれを防止することができるＳＯＧ
塗布装置を提供することにある。
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００１２】すなわち、本発明の第１のＳＯＧ塗布装置
は、層間絶縁膜を積層構造として平坦化するＳＯＧ塗布
装置であって、ＳＯＧ塗布装置に、ＳＯＧ塗布前のウェ
ハ表面の汚染となる有機物を除去する前処理機構とし
て、ウェハを３００℃程度に加熱するウェハ加熱機構を
一体的に連結するものである。
は、層間絶縁膜を積層構造として平坦化するＳＯＧ塗布
装置であって、ＳＯＧ塗布装置に、ＳＯＧ塗布前のウェ
ハ表面の汚染となる有機物を除去する前処理機構とし
て、ウェハを３００℃程度に加熱するウェハ加熱機構を
一体的に連結するものである。
【００１３】また、本発明の第２のＳＯＧ塗布装置は、
ＳＯＧ塗布装置に、ＳＯＧ塗布前のウェハ表面の汚染と
なる有機物を除去する前処理機構として、ウェハをオゾ
ン雰囲気にさらすオゾン発生機構を一体的に連結するも
のである。
ＳＯＧ塗布装置に、ＳＯＧ塗布前のウェハ表面の汚染と
なる有機物を除去する前処理機構として、ウェハをオゾ
ン雰囲気にさらすオゾン発生機構を一体的に連結するも
のである。
【００１４】この場合に、前記オゾン発生機構に代え
て、酸素プラズマを発生させる酸素プラズマ発生機構を
一体的に連結するようにしたものである。
て、酸素プラズマを発生させる酸素プラズマ発生機構を
一体的に連結するようにしたものである。
【００１５】さらに、本発明の第３のＳＯＧ塗布装置
は、ＳＯＧ塗布装置に、ＳＯＧ塗布前のウェハ表面の汚
染となる有機物を除去する前処理機構として、ウェハの
表面にＵＶ照射するＵＶ照射機構を一体的に連結するも
のである。
は、ＳＯＧ塗布装置に、ＳＯＧ塗布前のウェハ表面の汚
染となる有機物を除去する前処理機構として、ウェハの
表面にＵＶ照射するＵＶ照射機構を一体的に連結するも
のである。
【００１６】また、本発明の第４のＳＯＧ塗布装置は、
前記ウェハ加熱機構、オゾン発生機構または酸素プラズ
マ発生機構、およびＵＶ（Ultra Violet）照射機構を所
望に応じて組み合わせるようにしたものである。
前記ウェハ加熱機構、オゾン発生機構または酸素プラズ
マ発生機構、およびＵＶ（Ultra Violet）照射機構を所
望に応じて組み合わせるようにしたものである。
【００１７】
【作用】前記した第１、第２、第３または第４のＳＯＧ
塗布装置によれば、ウェハ加熱機構、オゾン発生機構ま
たは酸素プラズマ発生機構、およびＵＶ照射機構がそれ
ぞれ単独または組み合わされてＳＯＧ塗布装置に一体化
されることにより、３００℃程度の高温、オゾン雰囲気
または酸素プラズマ、ＵＶ照射をＳＯＧ塗布前に行うこ
とによってウェハ表面に付着している有機系の汚染を除
去することができる。これにより、ＳＯＧ塗布における
ＳＯＧ膜とウェハ表面との密着性が向上し、ＳＯＧ膜の
剥がれを防止することができる。
塗布装置によれば、ウェハ加熱機構、オゾン発生機構ま
たは酸素プラズマ発生機構、およびＵＶ照射機構がそれ
ぞれ単独または組み合わされてＳＯＧ塗布装置に一体化
されることにより、３００℃程度の高温、オゾン雰囲気
または酸素プラズマ、ＵＶ照射をＳＯＧ塗布前に行うこ
とによってウェハ表面に付着している有機系の汚染を除
去することができる。これにより、ＳＯＧ塗布における
ＳＯＧ膜とウェハ表面との密着性が向上し、ＳＯＧ膜の
剥がれを防止することができる。
【００１８】
【実施例】図１は本発明の一実施例であるＳＯＧ塗布装
置を示す概略断面図、図２は本実施例において、ＳＯＧ
塗布工程の処理を示すプロセスフロー図、図３は本実施
例において、製造プロセスにおけるＬＳＩを示す断面図
である。
置を示す概略断面図、図２は本実施例において、ＳＯＧ
塗布工程の処理を示すプロセスフロー図、図３は本実施
例において、製造プロセスにおけるＬＳＩを示す断面図
である。
【００１９】まず、図１により本実施例のＳＯＧ塗布装
置の構成を説明する。
置の構成を説明する。
【００２０】本実施例のＳＯＧ塗布装置は、たとえば層
間絶縁膜を積層構造として平坦化するＳＯＧ塗布装置と
され、ＳＯＧ塗布装置１に、ＳＯＧ塗布前のウェハ表面
の汚染となる有機物を除去する前処理装置（前処理機
構）２として、ウェハステージ３に載置されたウェハを
３００℃程度に加熱するウェハ加熱部（ウェハ加熱機
構）４、ウェハをオゾン雰囲気にさらすオゾン発生部
（オゾン発生機構）５、およびウェハの表面にＵＶ照射
するＵＶ照射部（ＵＶ照射機構）６が一体的に連結され
ている。
間絶縁膜を積層構造として平坦化するＳＯＧ塗布装置と
され、ＳＯＧ塗布装置１に、ＳＯＧ塗布前のウェハ表面
の汚染となる有機物を除去する前処理装置（前処理機
構）２として、ウェハステージ３に載置されたウェハを
３００℃程度に加熱するウェハ加熱部（ウェハ加熱機
構）４、ウェハをオゾン雰囲気にさらすオゾン発生部
（オゾン発生機構）５、およびウェハの表面にＵＶ照射
するＵＶ照射部（ＵＶ照射機構）６が一体的に連結され
ている。
【００２１】そして、処理のためのウェハ７が前処理装
置２の供給口から１枚づつ供給され、前処理装置２の内
部で、ウェハ加熱部４によってウェハ７が加熱され、同
時にオゾン発生部５によるオゾンガス雰囲気の中でＵＶ
照射部６からＵＶ光がウェハ７に照射され、さらにＳＯ
Ｇ塗布装置１の内部でウェハ７の前処理後のＳＯＧ塗布
およびベーク処理が行われる。
置２の供給口から１枚づつ供給され、前処理装置２の内
部で、ウェハ加熱部４によってウェハ７が加熱され、同
時にオゾン発生部５によるオゾンガス雰囲気の中でＵＶ
照射部６からＵＶ光がウェハ７に照射され、さらにＳＯ
Ｇ塗布装置１の内部でウェハ７の前処理後のＳＯＧ塗布
およびベーク処理が行われる。
【００２２】次に、本実施例の作用について、図２のプ
ロセスフローにより説明する。
ロセスフローにより説明する。
【００２３】たとえば、図３に示すように第１層のＡＬ
配線パターン８を形成した後に、層間絶縁膜をデポジシ
ョンし（ステップ２０１）、Ｐ−ＳｉＯ2 による層間絶
縁膜９を形成する。そして、本発明の特徴であるＳＯＧ
塗布前処理を前処理装置２内で行い（ステップ２０
２）、表面の有機系の汚染を除去する。
配線パターン８を形成した後に、層間絶縁膜をデポジシ
ョンし（ステップ２０１）、Ｐ−ＳｉＯ2 による層間絶
縁膜９を形成する。そして、本発明の特徴であるＳＯＧ
塗布前処理を前処理装置２内で行い（ステップ２０
２）、表面の有機系の汚染を除去する。
【００２４】さらに、表面汚染の除去によってウェハ表
面へのＳＯＧの密着性が促進された状態において、ＳＯ
Ｇ塗布装置１内においてＳＯＧ塗布およびベーク処理を
実行し（ステップ２０３）、平坦化のためのＳＯＧ膜１
０を形成する。そして、再び、Ｐ−ＳｉＯ2 による層間
絶縁膜１１を形成した後に、第２層のＡＬ配線パターン
１２を形成する。
面へのＳＯＧの密着性が促進された状態において、ＳＯ
Ｇ塗布装置１内においてＳＯＧ塗布およびベーク処理を
実行し（ステップ２０３）、平坦化のためのＳＯＧ膜１
０を形成する。そして、再び、Ｐ−ＳｉＯ2 による層間
絶縁膜１１を形成した後に、第２層のＡＬ配線パターン
１２を形成する。
【００２５】以上のように、ＳＯＧ塗布プロセスにおい
ては、前処理から実際のＳＯＧ塗布が実行され、これに
よって層間絶縁膜９とＳＯＧ膜１０との密着性が促進さ
れ、図３に点線で示すような層間絶縁膜９の側壁からの
ＳＯＧ膜１０の剥がれを防止することができる。
ては、前処理から実際のＳＯＧ塗布が実行され、これに
よって層間絶縁膜９とＳＯＧ膜１０との密着性が促進さ
れ、図３に点線で示すような層間絶縁膜９の側壁からの
ＳＯＧ膜１０の剥がれを防止することができる。
【００２６】従って、本実施例のＳＯＧ塗布装置１によ
れば、ウェハ加熱部４、オゾン発生部５およびＵＶ照射
部６が、従来のＳＯＧ塗布装置１に一体化されることに
より、ＳＯＧ塗布前に３００℃程度の高温およびオゾン
雰囲気においてＵＶ照射を行うことによってウェハ７の
表面に付着している有機系汚染を除去し、従来のような
ＳＯＧ塗布におけるＳＯＧ膜１０の剥がれ現象が発生す
ることなく、ＳＯＧ膜１０の密着性を向上させることが
できる。
れば、ウェハ加熱部４、オゾン発生部５およびＵＶ照射
部６が、従来のＳＯＧ塗布装置１に一体化されることに
より、ＳＯＧ塗布前に３００℃程度の高温およびオゾン
雰囲気においてＵＶ照射を行うことによってウェハ７の
表面に付着している有機系汚染を除去し、従来のような
ＳＯＧ塗布におけるＳＯＧ膜１０の剥がれ現象が発生す
ることなく、ＳＯＧ膜１０の密着性を向上させることが
できる。
【００２７】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００２８】たとえば、本実施例のＳＯＧ塗布装置１に
ついては、ウェハ加熱部４、オゾン発生部５およびＵＶ
照射部６を組み合わせて前処理装置２とした場合につい
て説明したが、本発明は前記実施例に限定されるもので
はなく、それぞれを単独に一体化することによっても同
様の効果を得ることができる。
ついては、ウェハ加熱部４、オゾン発生部５およびＵＶ
照射部６を組み合わせて前処理装置２とした場合につい
て説明したが、本発明は前記実施例に限定されるもので
はなく、それぞれを単独に一体化することによっても同
様の効果を得ることができる。
【００２９】また、オゾン発生部５に代えて、酸素プラ
ズマを発生させる酸素プラズマ発生機構などを一体的に
連結する場合などについても適用可能である。
ズマを発生させる酸素プラズマ発生機構などを一体的に
連結する場合などについても適用可能である。
【００３０】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその利用分野であるＳＯＧ塗布プロセ
スに用いられるＳＯＧ塗布装置１に適用した場合につい
て説明したが、これに限定されるものではなく、たとえ
ばレジスト塗布装置などの他の塗布装置についても広く
適用可能である。
てなされた発明をその利用分野であるＳＯＧ塗布プロセ
スに用いられるＳＯＧ塗布装置１に適用した場合につい
て説明したが、これに限定されるものではなく、たとえ
ばレジスト塗布装置などの他の塗布装置についても広く
適用可能である。
【００３１】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００３２】すなわち、ＳＯＧ塗布装置に、ＳＯＧ塗布
前のウェハ表面の汚染となる有機物を除去する前処理機
構として、ウェハを３００℃程度に加熱するウェハ加熱
機構、ウェハをオゾン雰囲気にさらすオゾン発生機構、
酸素プラズマを発生させる酸素プラズマ発生機構、また
はウェハの表面にＵＶ照射するＵＶ照射機構を一体的に
連結、または所望に応じて組み合わせることにより、３
００℃程度の高温、オゾン雰囲気または酸素プラズマ、
ＵＶ照射をＳＯＧ塗布前に行うことによってウェハ表面
に付着している有機系の汚染を除去することができる。
前のウェハ表面の汚染となる有機物を除去する前処理機
構として、ウェハを３００℃程度に加熱するウェハ加熱
機構、ウェハをオゾン雰囲気にさらすオゾン発生機構、
酸素プラズマを発生させる酸素プラズマ発生機構、また
はウェハの表面にＵＶ照射するＵＶ照射機構を一体的に
連結、または所望に応じて組み合わせることにより、３
００℃程度の高温、オゾン雰囲気または酸素プラズマ、
ＵＶ照射をＳＯＧ塗布前に行うことによってウェハ表面
に付着している有機系の汚染を除去することができる。
【００３３】これにより、ＳＯＧ塗布におけるＳＯＧ膜
とウェハ表面との密着性を向上させ、ＳＯＧ膜の剥がれ
を防止することができる。
とウェハ表面との密着性を向上させ、ＳＯＧ膜の剥がれ
を防止することができる。
【００３４】この結果、ＳＯＧ膜剥がれによる上層配線
パターンの加工形状異常がなくなり、プローブ歩留まり
の向上が可能とされるＳＯＧ塗布装置を得ることができ
る。
パターンの加工形状異常がなくなり、プローブ歩留まり
の向上が可能とされるＳＯＧ塗布装置を得ることができ
る。
【００３５】
【図１】本発明の一実施例であるＳＯＧ塗布装置を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２】本実施例において、ＳＯＧ塗布工程の処理を示
すプロセスフロー図である。
すプロセスフロー図である。
【図３】本実施例において、製造プロセスにおけるＬＳ
Ｉを示す断面図である。
Ｉを示す断面図である。
１ ＳＯＧ塗布装置 ２ 前処理装置（前処理機構） ３ ウェハステージ ４ ウェハ加熱部（ウェハ加熱機構） ５ オゾン発生部（オゾン発生機構） ６ ＵＶ照射部（ＵＶ照射機構） ７ ウェハ ８ ＡＬ配線パターン ９ 層間絶縁膜 １０ ＳＯＧ膜 １１ 層間絶縁膜 １２ ＡＬ配線パターン
Claims (5)
- 【請求項１】 層間絶縁膜を積層構造として平坦化する
ＳＯＧ塗布装置であって、前記ＳＯＧ塗布装置に、ＳＯ
Ｇ塗布前のウェハ表面の汚染となる有機物を除去する前
処理機構として、ウェハを３００℃程度に加熱するウェ
ハ加熱機構を一体的に連結することを特徴とするＳＯＧ
塗布装置。 - 【請求項２】 層間絶縁膜を積層構造として平坦化する
ＳＯＧ塗布装置であって、前記ＳＯＧ塗布装置に、ＳＯ
Ｇ塗布前のウェハ表面の汚染となる有機物を除去する前
処理機構として、ウェハをオゾン雰囲気にさらすオゾン
発生機構を一体的に連結することを特徴とするＳＯＧ塗
布装置。 - 【請求項３】 前記請求項２記載のオゾン発生機構に代
えて、酸素プラズマを発生させる酸素プラズマ発生機構
を一体的に連結することを特徴とするＳＯＧ塗布装置。 - 【請求項４】 層間絶縁膜を積層構造として平坦化する
ＳＯＧ塗布装置であって、前記ＳＯＧ塗布装置に、ＳＯ
Ｇ塗布前のウェハ表面の汚染となる有機物を除去する前
処理機構として、ウェハの表面にＵＶ照射するＵＶ照射
機構を一体的に連結することを特徴とするＳＯＧ塗布装
置。 - 【請求項５】 前記請求項１、２、３および４記載のウ
ェハ加熱機構、オゾン発生機構または酸素プラズマ発生
機構、およびＵＶ照射機構を所望に応じて組み合わせる
ことを特徴とするＳＯＧ塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2346092A JPH05226482A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | Ｓｏｇ塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2346092A JPH05226482A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | Ｓｏｇ塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226482A true JPH05226482A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12111128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2346092A Pending JPH05226482A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | Ｓｏｇ塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226482A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6551442B2 (en) | 2000-07-24 | 2003-04-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing semiconductor device and system for producing the same |
| US6559066B2 (en) | 1996-08-02 | 2003-05-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for use in display element, method of manufacturing the same, and apparatus for manufacturing the same |
| US7294155B2 (en) | 2003-05-01 | 2007-11-13 | Seiko Epson Corporation | Coating apparatus, thin film forming method, thin film forming apparatus, and semiconductor device manufacturing method, electro-optic device and electronic instrument |
-
1992
- 1992-02-10 JP JP2346092A patent/JPH05226482A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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