JPS6058266A - 塗布装置 - Google Patents
塗布装置Info
- Publication number
- JPS6058266A JPS6058266A JP16497383A JP16497383A JPS6058266A JP S6058266 A JPS6058266 A JP S6058266A JP 16497383 A JP16497383 A JP 16497383A JP 16497383 A JP16497383 A JP 16497383A JP S6058266 A JPS6058266 A JP S6058266A
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- Japan
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- pipe
- coating
- nozzle
- liquid
- valve
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
木ａＩ１１′１け５Ｏｆｌ （スピンオングラス）やホ
１−レジスト等の液状物質を塗布するための装置に関す
るものである。
１−レジスト等の液状物質を塗布するための装置に関す
るものである。
例えば半導体製造技術においては、半導体基板上の多層
配線形成での平坦化技術にＳＯＧを利用し、或いはホト
リソグラフィ技術にホトレジストを利用しており、これ
らのＳＯＧやホトレジスト等の液状物質を半導体基板上
に塗布することが行なわｉしる。（例えば特開昭５４−
６１４７６号公報参照）この液状物質の塗布には、液状
物質を入れたタンク、タンクに連通ずる配管、配管の先
端に設けたノズル等を有する塗布装置が使用され。
配線形成での平坦化技術にＳＯＧを利用し、或いはホト
リソグラフィ技術にホトレジストを利用しており、これ
らのＳＯＧやホトレジスト等の液状物質を半導体基板上
に塗布することが行なわｉしる。（例えば特開昭５４−
６１４７６号公報参照）この液状物質の塗布には、液状
物質を入れたタンク、タンクに連通ずる配管、配管の先
端に設けたノズル等を有する塗布装置が使用され。
タンク内の液状物質を配管を通してノズルにまで圧送し
、ノズルから半導体基板等の破塗布物上に供給するよう
にしている。
、ノズルから半導体基板等の破塗布物上に供給するよう
にしている。
ところが、この種の装置では配管中、特にノズルとサッ
クバックとの間に液状物質が残存されて所要時間を経る
と、これが乾燥され、異物となって配管中に残留される
ことになる。このため９次に液状物質を給供するときに
は、この残留異物がはがれ新規の液状物質に混ってノズ
ルから供給されることになり、塗布膜内に異物が存在す
る等良好な塗布ができなくなる。特にＳＯＧはガラス粒
とアルコール等の溶剤の混合液であることから通常のホ
トレジストに較べて液そのものの粒径が大きく、シたが
って配管内が乾燥状態になるとガラス状物質が配管内に
残存されることになる。
クバックとの間に液状物質が残存されて所要時間を経る
と、これが乾燥され、異物となって配管中に残留される
ことになる。このため９次に液状物質を給供するときに
は、この残留異物がはがれ新規の液状物質に混ってノズ
ルから供給されることになり、塗布膜内に異物が存在す
る等良好な塗布ができなくなる。特にＳＯＧはガラス粒
とアルコール等の溶剤の混合液であることから通常のホ
トレジストに較べて液そのものの粒径が大きく、シたが
って配管内が乾燥状態になるとガラス状物質が配管内に
残存されることになる。
このため従来の装置に、第１図のように、ノズルヘッド
ｌに設けたノズル２に近接して溶剤ノズル３を付設して
おき、塗布の直前に溶剤ノズル３から溶剤を噴出してノ
ズル２の先端を洗浄することが考えられる。４は溶剤回
収器である。しかしながら、この方式ではノズル２の先
端を洗浄できるだけであり、ノズルよりも上流側の配管
内（特にサックバックまでの間）を洗浄することはでき
ない。したがって、この装置では塗布初期における異物
の混入を確実に防止することは難かしく、異物がなくな
るまでの間のダミー塗布を必ず先行して行なわねばなら
ないため１作業が面倒になると共にトータルの塗布時間
が極めて長くなるという問題が生じている。
ｌに設けたノズル２に近接して溶剤ノズル３を付設して
おき、塗布の直前に溶剤ノズル３から溶剤を噴出してノ
ズル２の先端を洗浄することが考えられる。４は溶剤回
収器である。しかしながら、この方式ではノズル２の先
端を洗浄できるだけであり、ノズルよりも上流側の配管
内（特にサックバックまでの間）を洗浄することはでき
ない。したがって、この装置では塗布初期における異物
の混入を確実に防止することは難かしく、異物がなくな
るまでの間のダミー塗布を必ず先行して行なわねばなら
ないため１作業が面倒になると共にトータルの塗布時間
が極めて長くなるという問題が生じている。
本発明の目的は配管内の残留異物を確実にしかも容易に
洗浄除去することができ、これにより塗布液中への異物
の混入を防止して良好な塗布を可能にし、かつダミー塗
布を不要にしてトータル塗布時間の短縮を達成できる塗
布装置を提供することにある。
洗浄除去することができ、これにより塗布液中への異物
の混入を防止して良好な塗布を可能にし、かつダミー塗
布を不要にしてトータル塗布時間の短縮を達成できる塗
布装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、配管の上流位置に洗浄液を供給し得る洗浄液
管を開通、閉塞可能に連設し、かつ開通時にはノズルに
向けて洗浄液を通流する構成とすることにより、ノズル
およびその」二流にわたっての配管内に残留する異物を
効果的に洗浄除去することができ、これにより良好な塗
布を可能にする一方でトータル塗布時間の短縮を達成す
るものである。
管を開通、閉塞可能に連設し、かつ開通時にはノズルに
向けて洗浄液を通流する構成とすることにより、ノズル
およびその」二流にわたっての配管内に残留する異物を
効果的に洗浄除去することができ、これにより良好な塗
布を可能にする一方でトータル塗布時間の短縮を達成す
るものである。
第２図は本発明をＳＯＧの塗布装置に適用した実施例で
あり、塗布部工０と塗布液供給部１１とから構成される
。塗布部１０は円筒形のカップ１２の中心位置にスピン
回転されるウェーハチャック１３を備えており、被塗布
物としてのウェーハ１４をその上面に保持してこれを一
体に回転させ、ウェーハ１４上に滴下されたＳＯＧ液を
遠心力によってウェーハ全面に塗布することができる。
あり、塗布部工０と塗布液供給部１１とから構成される
。塗布部１０は円筒形のカップ１２の中心位置にスピン
回転されるウェーハチャック１３を備えており、被塗布
物としてのウェーハ１４をその上面に保持してこれを一
体に回転させ、ウェーハ１４上に滴下されたＳＯＧ液を
遠心力によってウェーハ全面に塗布することができる。
塗布液供給部１１は塗布液としてのＳＯＧ液Ｉ５を貯入
している密封タンク１６を有し、この密封タンク１６に
は加圧Ｎ２管１７を上部に開設してタンク内ガス圧力を
増大できるようにしている。またこのタンク１６には後
述するノズル２３に迄延設した塗布液配管１８の一端を
下部位置に・′開口連設している。この塗布液配管１８
は主バルブ１９、ろ過フィルタ２０．サックバック２１
を順序的に介装配設しており、可撓管２２を介してノズ
ル２３に連通している。このノズル２３は図外の回転ア
ーム先端に固着されたノズルヘッド２４に開設さｊＬ１
回転アームノ回動に伴って前記塗布部１０と洗浄液回収
器２５とに移動される。
している密封タンク１６を有し、この密封タンク１６に
は加圧Ｎ２管１７を上部に開設してタンク内ガス圧力を
増大できるようにしている。またこのタンク１６には後
述するノズル２３に迄延設した塗布液配管１８の一端を
下部位置に・′開口連設している。この塗布液配管１８
は主バルブ１９、ろ過フィルタ２０．サックバック２１
を順序的に介装配設しており、可撓管２２を介してノズ
ル２３に連通している。このノズル２３は図外の回転ア
ーム先端に固着されたノズルヘッド２４に開設さｊＬ１
回転アームノ回動に伴って前記塗布部１０と洗浄液回収
器２５とに移動される。
更に前記塗布液配管１８のサックバック２１の直下流位
置には洗浄部２６が付設され、洗浄配管２７が連設され
る。この洗浄配管２７は上流位置において液管２８とガ
ス管２９とに分岐され、油管２８には液バルブ３０と、
フィルタ３１と、ＳＯＧ溶剤（アルコール等）源３２を
接続し、ガス管２９にはガスバルブ３３と、ガスライン
フィルタ３４と、Ｎｔガス源３５を接続している。前記
ＳＯＧ溶剤を洗浄液として用いることは言うまでもない
。
置には洗浄部２６が付設され、洗浄配管２７が連設され
る。この洗浄配管２７は上流位置において液管２８とガ
ス管２９とに分岐され、油管２８には液バルブ３０と、
フィルタ３１と、ＳＯＧ溶剤（アルコール等）源３２を
接続し、ガス管２９にはガスバルブ３３と、ガスライン
フィルタ３４と、Ｎｔガス源３５を接続している。前記
ＳＯＧ溶剤を洗浄液として用いることは言うまでもない
。
以上の構成によれば、先ずウェーハ１４上にＳＯＧを塗
布する直前にノズル部ヘッド２４を図示実線位置、つま
り洗浄液回収器２５上に位置させる。そして、主バルブ
１９を閉じたままで液バルブ３０を開放する。これによ
り、洗浄液としてのＳＯＧ溶剤が液管２８を通して塗布
液配管１８内にａ（給されザックバック２１からノズル
２３に至る間に充満通流される。したがって塗布液供給
管Ｉ８内に前回の塗布後に残留されたＳＯＧ異物が存在
しでいても、これは直ちにｉｎ解される。そしてこのｍ
Δりはノズル２３を通して回収冊２５内に回収さＪＬる
が、このときノズル２３内の！Ａ物をも同時に溶屏し、
結果としてザックバルブ２１とノズル２３間の異物を除
去する。
布する直前にノズル部ヘッド２４を図示実線位置、つま
り洗浄液回収器２５上に位置させる。そして、主バルブ
１９を閉じたままで液バルブ３０を開放する。これによ
り、洗浄液としてのＳＯＧ溶剤が液管２８を通して塗布
液配管１８内にａ（給されザックバック２１からノズル
２３に至る間に充満通流される。したがって塗布液供給
管Ｉ８内に前回の塗布後に残留されたＳＯＧ異物が存在
しでいても、これは直ちにｉｎ解される。そしてこのｍ
Δりはノズル２３を通して回収冊２５内に回収さＪＬる
が、このときノズル２３内の！Ａ物をも同時に溶屏し、
結果としてザックバルブ２１とノズル２３間の異物を除
去する。
異物が除去された後は液バルブ３０を開成し、今後はガ
スバルブ３３を開放する。これによりＮ２ガスがガス管
２９を通して塗布液供給管１８内に０（給され、数秒間
の通流により供給管１８Ｊ３よびノズル２３を乾頬する
。ガスバルブ３３を開成し、この結果、塗布液供給管１
８とノズル２３の洗浄が完成される。
スバルブ３３を開放する。これによりＮ２ガスがガス管
２９を通して塗布液供給管１８内に０（給され、数秒間
の通流により供給管１８Ｊ３よびノズル２３を乾頬する
。ガスバルブ３３を開成し、この結果、塗布液供給管１
８とノズル２３の洗浄が完成される。
洗浄の完了後、ノズル部ヘッド２４は図示鎖線の塗布部
工０上に移動され、主バルブ１９を開放すると′Ｊｌｉ
に密封タンク１Ｇ内のＮｔガス圧を高めれば、タンク１
Ｇ内の塗布液（６°ＯＧ液）１５は塗布Ｕ（粕管工８内
に圧送される。そして、ザックバック２工をオン作動ず
れば、定尺の塗布液がノズル２３からウェーハ１４Ｊ：
に滴下される。主バルブ１９は閉成される。
工０上に移動され、主バルブ１９を開放すると′Ｊｌｉ
に密封タンク１Ｇ内のＮｔガス圧を高めれば、タンク１
Ｇ内の塗布液（６°ＯＧ液）１５は塗布Ｕ（粕管工８内
に圧送される。そして、ザックバック２工をオン作動ず
れば、定尺の塗布液がノズル２３からウェーハ１４Ｊ：
に滴下される。主バルブ１９は閉成される。
ウェーハ１４上に塗布液が滴下されれば直ちにウェーハ
チャックエ３は回転を開始し、ウェーハ１４を一体に回
転させることにより塗布液をウェーハ表面に均一に塗布
することになる。この塗布の間、ノズル部ヘッド２４は
溶剤回収１ｎｉ ２５ＪＺに復動され、必要に応じて前
述の洗浄を再Ｊｌｌ：行なう。
チャックエ３は回転を開始し、ウェーハ１４を一体に回
転させることにより塗布液をウェーハ表面に均一に塗布
することになる。この塗布の間、ノズル部ヘッド２４は
溶剤回収１ｎｉ ２５ＪＺに復動され、必要に応じて前
述の洗浄を再Ｊｌｌ：行なう。
したがって、以上の塗布］二程によれば、塗布液供給’
！？］、８のザックバック２１からノズル２３の間の異
物を確実に除去できるので、先行するダミー塗布を必要
とせず塗布作業の簡易化を図りか）１・−タル塗布時間
の短縮を図る一方で、異物の混入しない良好な塗布が可
能どなり製品の歩留りが向」二できる。
！？］、８のザックバック２１からノズル２３の間の異
物を確実に除去できるので、先行するダミー塗布を必要
とせず塗布作業の簡易化を図りか）１・−タル塗布時間
の短縮を図る一方で、異物の混入しない良好な塗布が可
能どなり製品の歩留りが向」二できる。
（！！ＩＪ果）
（１）塗布液供給管に洗浄部をイｖ［ｒｔ ｔ、 、供
給管内にＳｏＧ溶剤等の洗浄液をａｉｉ給通流してイ１
（蛤管内の異物を洗浄できるようにしているので、塗布
液供給管ないしノズルを通して供給される塗布液中に異
物が混入されることはなく、異物のない良好な塗布を可
能にする。
給管内にＳｏＧ溶剤等の洗浄液をａｉｉ給通流してイ１
（蛤管内の異物を洗浄できるようにしているので、塗布
液供給管ないしノズルを通して供給される塗布液中に異
物が混入されることはなく、異物のない良好な塗布を可
能にする。
（２）洗浄部をＳＯＧ溶剤等の洗浄液と、乾燥用のＮ２
ガスを供給し得る構成とし、洗浄液で異物を溶解除去す
ると共にＮ２ガスでその乾燥を行なうので、洗浄効果を
極めて高いものにできる。
ガスを供給し得る構成とし、洗浄液で異物を溶解除去す
ると共にＮ２ガスでその乾燥を行なうので、洗浄効果を
極めて高いものにできる。
（３）塗布液中への異物の混入を確実に防止できるので
、ダミー塗布を先行して行なう必要はなく、作業の簡易
化を図ると共ニー′トータルの塗布時間の短縮を図り得
る。
、ダミー塗布を先行して行なう必要はなく、作業の簡易
化を図ると共ニー′トータルの塗布時間の短縮を図り得
る。
以上本発明者によってなさ九た発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定さオＬ
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。たとえば、塗布部は
他の方式の構成であってもよく、また塗布液としての液
状物質はＳＯＧ以外にホトレジス１へや拡散剤等であっ
てもよい。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定さオＬ
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。たとえば、塗布部は
他の方式の構成であってもよく、また塗布液としての液
状物質はＳＯＧ以外にホトレジス１へや拡散剤等であっ
てもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなさｈた発明
をその背景となった利用分野である半導体ウェーハ上へ
のＳＯＧ液の塗布技術について説明したが、そ九に限定
されるものではなく、半導体技術以外の分野における液
状物質の塗布にも同様に適用できる。
をその背景となった利用分野である半導体ウェーハ上へ
のＳＯＧ液の塗布技術について説明したが、そ九に限定
されるものではなく、半導体技術以外の分野における液
状物質の塗布にも同様に適用できる。
第１図は考えられる塗布装置の不具合を説明するための
一部の断面図、 第２図は本発明Ｖｉｒｖ１の全体構成図である。 １０・・・塗布部、１１・・・塗布液供給６１１１４・
・・ウェーハ、１５・・・塗布液、１６・・・タンク、
１８・・・塗布液供給管、１９・・・主バルブ、２１・
・・サックバック、２３・・・ノズル、２４・・・ノズ
ル部ヘッド、２５・・・溶剤回収器、２Ｇ・・・洗浄部
、３０・・・液バルブ、３２・・・洗浄液源、３３・・
・ガスバルブ、３５・・・Ｎ２ガス源。
一部の断面図、 第２図は本発明Ｖｉｒｖ１の全体構成図である。 １０・・・塗布部、１１・・・塗布液供給６１１１４・
・・ウェーハ、１５・・・塗布液、１６・・・タンク、
１８・・・塗布液供給管、１９・・・主バルブ、２１・
・・サックバック、２３・・・ノズル、２４・・・ノズ
ル部ヘッド、２５・・・溶剤回収器、２Ｇ・・・洗浄部
、３０・・・液バルブ、３２・・・洗浄液源、３３・・
・ガスバルブ、３５・・・Ｎ２ガス源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ！、塗布液としての液状物質を塗布液供給管およびノズ
ルを通して塗布部に迄供給する塗布装置であって、前記
塗布液供給管に洗浄部を付設し、塗布液供給管ないしノ
ズルにわたって洗浄液を通流し得るように楕成したこと
を特徴とする塗布装置６２、洗浄部は液状物質の溶剤源
に接続した液管と、洗浄液を乾燥するガス源に接続した
ガス管とを備え、これら管を選択的に開、開通すること
により前記塗布液供給管内に洗浄液、ガスを順序的に通
流する特許請求の範囲第１項記載の塗布装置。 ３、塗布液供給管はサックバックを有し、このサックバ
ックの直下流位置に前記洗浄部を接続してなる特許請求
の範囲第１項又は第２項記載の塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16497383A JPS6058266A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16497383A JPS6058266A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6058266A true JPS6058266A (ja) | 1985-04-04 |
Family
ID=15803399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16497383A Pending JPS6058266A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6058266A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0217271U (ja) * | 1988-03-14 | 1990-02-05 | ||
| JPH0294517A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Tokyo Electron Ltd | レジスト処理装置 |
| JPH02198667A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-07 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄機構付き塗布装置 |
| JPH02218467A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-31 | Tokyo Electron Ltd | レジスト処理装置及びレジスト処理方法 |
| KR100351988B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2002-09-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 제조용 코팅액의 디스펜스 장치 |
| US7294155B2 (en) | 2003-05-01 | 2007-11-13 | Seiko Epson Corporation | Coating apparatus, thin film forming method, thin film forming apparatus, and semiconductor device manufacturing method, electro-optic device and electronic instrument |
| CN103111400A (zh) * | 2013-02-27 | 2013-05-22 | 上海华力微电子有限公司 | 光刻化学品循环系统及其方法 |
| JP2016092368A (ja) * | 2014-11-11 | 2016-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置の洗浄方法、記憶媒体及び基板液処理装置 |
-
1983
- 1983-09-09 JP JP16497383A patent/JPS6058266A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0217271U (ja) * | 1988-03-14 | 1990-02-05 | ||
| JPH0543904Y2 (ja) * | 1988-03-14 | 1993-11-05 | ||
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| JPH02218467A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-31 | Tokyo Electron Ltd | レジスト処理装置及びレジスト処理方法 |
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| CN103111400A (zh) * | 2013-02-27 | 2013-05-22 | 上海华力微电子有限公司 | 光刻化学品循环系统及其方法 |
| CN103111400B (zh) * | 2013-02-27 | 2015-09-02 | 上海华力微电子有限公司 | 光刻化学品循环系统及其方法 |
| JP2016092368A (ja) * | 2014-11-11 | 2016-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置の洗浄方法、記憶媒体及び基板液処理装置 |
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