CN101261952B - 基板载置台以及基板处理装置 - Google Patents

基板载置台以及基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101261952B
CN101261952B CN2008100805503A CN200810080550A CN101261952B CN 101261952 B CN101261952 B CN 101261952B CN 2008100805503 A CN2008100805503 A CN 2008100805503A CN 200810080550 A CN200810080550 A CN 200810080550A CN 101261952 B CN101261952 B CN 101261952B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
material layer
dielectric material
protuberance
hardness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2008100805503A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101261952A (zh
Inventor
南雅人
佐佐木芳彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN101261952A publication Critical patent/CN101261952A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101261952B publication Critical patent/CN101261952B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明提供一种基板载置台以及基板处理装置，其能够在载置基板时防止划伤基板的背面，该基板载置台包括：基材(110)；形成在所述基材上的、用于载置基板(G)的介电性材料层(120)；以及在介电性材料层上形成的多个凸部(142)，其中，作为所述各凸部(142)与基板(G)的接触部分的上部(144)由硬度比基板(G)的硬度低的材料构成。

Description

基板载置台以及基板处理装置
技术领域
本发明涉及用于载置平板面板显示器(FPD)制造用的玻璃基板等基板的基板载置台以及使用该基板载置台并对基板进行干式蚀刻等处理的基板处理装置。
背景技术
例如，在FPD的制造工艺中，一般对作为被处理基板的玻璃基板实施干式蚀刻、喷镀、CVD(化学气相沉积)等的等离子体处理。在该等离子体处理中，例如通过在处理室(腔室)内具有一对平行平板电极(上部电极以及下部电极)的基板处理装置来进行。
具体而言，在处理室内，例如将被处理基板载置在兼做基板载置台并作为下部电极工作的基座上，向处理室内导入处理气体并且对上述电极中的至少一方施加高频电力，从而在电极间形成高频电场，利用该高频电场形成处理气体的等离子体，由此对上述被处理基板进行等离子体处理。
这种载置台包括：例如由铝构成的基材、以及形成在该基材上的作为介电性材料层的例如由Al2O3喷镀膜构成的绝缘层。在该绝缘层中内置有电极板，构成为能够通过对该电极板施加高电压而在载置台上产生的库伦力，来对被处理基板进行吸附保持。此外，为了提高这种绝缘层的耐腐蚀性，利用树脂覆盖上述绝缘层的整个表面(例如参照专利文献1、2)。
然而，因为实际上在载置台的表面上具有缓曲面，所以，如果以面接触方式将被处理基板载置于载置台上，则会产生间隙，因等离子体处理而很容易堆积附着物。因此，具有因附着物与被处理基板接触产生蚀刻偏差，以及因附着物导致被处理基板粘附在载置台上的不良情况。为了防止发生这种不良情况，在现有技术中，公知有在载置台的表面形成有多个凸部，并能够以点接触方式载置被处理基板的技术(例如参照专利文献3)。
专利文献1：日本特开平9-298190号公报
专利文献2：日本特开2003-7812号公报
专利文献3：日本特开2002-313898号公报
然而，若在载置台的表面形成有多个凸部，则当在载置台的表面吸附保持有被处理基板时，有时被处理基板的背面因与凸部接触而被划伤。例如，当通过Al2O3喷镀膜形成载置台的表面的凸部，并在这样的载置台上载置FPD用玻璃基板时，构成凸部的Al2O3的硬度(维氏硬度(vickers hardness))为Hv1000左右，非常硬，比普通玻璃基板的硬度(Hv600左右)高。若这样将玻璃基板静电吸附在载置台上，则玻璃基板的背面与载置台的凸部接触而被划伤的可能性高。
此外，载置台表面的凸部有时由陶瓷构成(例如专利文献3)，因为该陶瓷一般具有上述Al2O3以上的硬度，因此，对于由陶瓷构成的凸部而言，划伤玻璃基板背面的可能性高。
发明内容
因此，本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种当载置有基板时，能够防止基板背面被划伤的基板载置台以及基板处理装置。
为了解决上述问题，根据本发明的一个方面提供一种基板载置台，其用于载置由基板处理装置进行处理的基板，该基板载置台的特征在于，包括：基材；在上述基材上形成的、用于载置上述基板的介电性材料层；以及在上述介电性材料层上形成的多个凸部，其中，上述各凸部至少与上述基板接触的接触部分由硬度比上述基板的硬度低的材料构成。
为了解决上述问题，根据本发明的另一方面提供一种具有对基板实施规定处理的处理室的基板处理装置，其特征在于，包括：设置在上述处理室内，用于载置上述基板的基板载置台；向上述处理室供给处理气体的气体供给单元；以及用于对上述处理室内进行排气的排气单元，其中，上述基板载置台包括：基材；在上述基材上形成的、用于载置上述基板的介电性材料层；以及在上述介电性材料层上形成的多个凸部，上述各凸部至少与上述基板接触的接触部分由硬度比上述基板的硬度低的材料构成。
根据本发明，因为上述各凸部至少与上述基板接触的接触部分由硬度比上述基板的硬度低的材料构成，所以，能够在介电性材料层上载置基板时防止基板的背面被刮伤。
此外，上述各凸部的上部可以由硬度比上述基板的硬度低的材料构成，也可以是上述各凸部的全部由硬度比上述基板的硬度低的材料构成。无论何种情况，与基板接触的接触部分能够由硬度比基板的硬度低的材料构成。
此外，上述介电性材料层也可以在下部介电性材料层和上部介电性材料层之间形成有用于将上述基板静电吸附在上述介电性材料层上的导电层。由此，介电性材料层能够在其上面静电吸附基板，此时，即便基板的背面与凸部接触，因为其接触部分由硬度比基板的硬度低的材料构成，所以能够防止基板的背面被刮伤。
为了解决上述问题，根据本发明的另一方面提供一种基板载置台，其用于载置由基板处理装置进行处理的基板，该基板载置台的特征在于，包括：基材；介电性材料层，其形成在上述基材上，并且在下部介电性材料层和上部介电性材料层之间具有用于将上述基板静电吸附在上述上部介电性材料层上的导电层；在上述上部介电性材料层上形成的多个凸部；以及在上述上部介电性材料层的周边以包围由上述凸部所形成的区域周围的方式形成的台部，其中，上述各凸部和上述台部至少与上述基板接触的接触部分由硬度比上述基板的硬度低的材料构成。
为了解决上述问题，根据本发明的另一方面提供一种基板载置台，其用于载置由基板处理装置进行处理的基板，该基板载置台的特征在于，包括：基材；介电性材料层，其形成在上述基材上，并且在下部介电性材料层和上部介电性材料层之间具有用于将上述基板静电吸附在上述上部介电性材料层上的导电层；在上述上部介电性材料层上形成的多个凸部；在上述上部介电性材料层的周边以包围由上述凸部所形成的区域周围的方式形成的台部；用于向上述下部介电性材料层与被静电吸附在上述上部介电性材料层上的上述基板背面之间供给气体的气体流路；以及形成在上述介电性材料层上，用于将来自上述气体流路的气体向上述基板的背面引导的多个气体孔，其中，上述各凸部至少与上述基板接触的接触部分由硬度比上述基板的硬度低的材料构成。
根据本发明，不仅是上述凸部，即便是上述台部的与基板接触的接触部分也由硬度比上述基板的硬度低的材料构成，所以，能够在介电性材料层上载置基板时防止基板的背面被刮伤。
此外，构成上述台部的基板接触部分的材料与构成上述各凸部的基板接触部分的材料可以由相同的材料构成，此外也可以由不同的材料构成。若这些基板接触部由硬度比基板的硬度低的材料构成，则能够防止基板的背面被划伤。此时，作为构成上述台部的基板接触部的材料，也可以使用硬度比构成上述各凸部的基板接触部分的硬度高的材料。由此，当在上述介电性材料层伤静电吸附有基板时，能够进一步提高基板与台部的密接性。因此，例如能够提高供给到基板背面的气体的压力，能够防止气体从基板与台部之间的泄漏。
此外，上述各凸部被配置成格子状，上述气体孔也可以被配置成在上述各凸部的周围分别配置有上述多个气体孔。由此，能够抑制基板的背面与各凸部的基板接触部分接触时的接触压力的偏差。由此，能够更可靠地在基板背面全体的范围内防止其划伤。
其中，上述基板例如为平板显示器制造用的玻璃基板，硬度比上述基板的硬度低的材料例如为铝或者树脂。因为铝或者树脂的硬度一般比玻璃基板的硬度低，因此即便与玻璃基板的背面接触也难以对其造成划伤。
根据本发明，能够提供一种当载置有基板时能够防止划伤基板背面的基板载置台以及基板处理装置。
附图说明
图1是作为本发明第一实施方式所涉及的基板载置台的基座结构的截面图。
图2是相同实施方式所涉及的基座的俯视图。
图3A是用于说明在基座的介电性材料层上形成凸部的方法的说明图，表示的是形成有凸部的下部的状态。
图3B是用于说明在基座的介电性材料层上形成凸部的方法的说明图，表示的是形成有凸部的上部的状态。
图4A是用于说明在基座的介电性材料层上形成凸部的方法的说明图，表示的是形成凸部前的状态。
图4B是用于说明在基座的介电性材料层上形成凸部的方法的说明图，表示的是正在形成凸部的状态。
图5是表示本发明第二实施方式所涉及的等离子体处理装置的简要构成的截面图。
图6A是适用于相同实施方式所涉及的等离子体处理装置的基座的部分的俯视图。
图6B是相同实施方式所涉及的基座上的介电性材料层的截面图。
标号说明
100：基座；104：基体部件；106：外框部；110：基材；112：绝缘部件；120：介电性材料层；122：台部；130：导电层；132：DC电源；134：开关；140：凸部形成区域；142：凸部；143：凸部的下部；144：凸部的上部；146：低硬度材料层；150：掩模(mask)部件；152：喷镀枪；154：切削单元；162：匹配器；164：高频电源；170：制冷剂流路；180：气体流路；182：气体孔；200：等离子体处理装置；202：处理室；204：基板搬入搬出口；206：门阀；208：排气管；209：排气装置；210：喷淋头；222：缓冲室；224：喷出口；226：气体导入口；228：气体导入管；230：开闭阀；232：质量流量控制器；234：处理气体供给源；G：基板
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的优选实施方式进行说明。其中，在本说明书以及附图中，对实质上具有相同功能构成的构成要素标注同一符号并省略重复的说明。
(基板载置台)
首先，参照附图对本发明第一实施方式的基板载置台进行说明。图1是表示作为本实施方式的基板载置台的基座的截面图，图2是该基座的俯视图。图1相当于图2所示的P1-P1’线的截面图。
如图1所示，作为本实施方式的基板载置台的基座100，其具有基材110以及作为绝缘层设置在基材110上的介电性材料层120。其中，基材110的侧面其整个周围都被绝缘部件112所覆盖。基材110用于支撑介电性材料层120，例如其由铝等金属或者碳等导电体构成。
此外，对于介电性材料层120而言，只要是介电性材料则可以是任意种类的材料，此外，其并不局限于高绝缘性材料，还包括具有允许电荷移动程度的导电性的材料。作为这种介电性材料层120可以列举出Al2O3、Zr2O3、Si3N4等绝缘材料。介电性材料层120也可以由具有类似于SiC程度导电性的材料构成，此外，从耐久性以及耐腐蚀性的观点出发，也可以由陶瓷构成。这种介电性材料层120可以通过喷镀形成，还可以进一步在该喷镀后通过研磨使其表面平滑化。
其中，以缓解由于基材110和介电性材料层120的热膨胀率差所引起的热应力为目的，也可以在基材110和介电性材料层120之间设置有由具有它们中间的热膨胀率的材质构成的1层以上的中间层。
介电性材料层120内置有作为静电电极层工作的导电层130。通过对该导电层130施加高电压，使得介电性材料层120能够起到利用在其表面产生的库伦力吸附保持基板G的静电卡盘的作用。这种介电性材料层120，例如通过在基座100的基材110上，按照下部介电性材料、静电电极层、上部介电性材料的顺序对它们进行层叠而构成。
在介电性材料层120的导电层130上，通过开关134电气连接有直流(DC)电源132。开关134例如相对于导电层130进行DC电源132和接地电位的切换。
若开关134切换到DC电源132侧，则对导电层130施加来自于DC电源132的DC电压。当该DC电压为正极电压时，在基板G的上面，负电荷(电子、负离子)被吸引而蓄积在其上。由此，在基板G上面的负的面电荷和导电层130之间产生夹持基板G以及上部介电性材料层并使其互相牵拉的静电吸附力即库伦力，通过该静电吸附力使基板G吸附保持在基座100上。若开关134切换至接地侧，则导电层130被除电，与此同时基板G也被除电，从而消除上述库伦力，即静电吸附力。
在介电性材料层120的上面，即相当于保持基板G一侧的表面的基板保持面上，排列形成有向其上方突起的多个凸部142。在这些凸部142所形成的区域(凸部形成区域)140的周围，以包围凸部形成区域140的方式沿着介电性材料层120的上面周缘形成有台部(堤坝部、堤防部)122。台部122形成为其高度与凸部142的高度大致相同或者比凸部142的高度稍高。
介电性材料层120的凸部142如图2所示，一样地分布形成在介电性材料层120上的凸部形成区域。基板G例如如图1所示，被载置在台部122和凸部142上。由此，凸部142起到隔离基座100和基板G之间的隔板的作用，从而能够防止附着于基座100上的附着物对基板G产生恶劣影响。
其中，凸部142的高度优选为50～100μm。若考虑到附着在基座100上的附着物量，通过使凸部142的高度为50μm以上而能够充分防止附着物对基板G产生的恶劣影响。另一方面，若高度超过100μm，则会产生凸部142的强度降低，基板G的蚀刻速率降低等问题，以及如后所述的当通过喷镀形成凸部142时使喷镀时间变长的问题。此外，凸部142的直径优选为0.5～1mm。各凸部142的间隔优选为0.5～30mm，更优选为5～10mm。作为凸部142的配列图案，可以如图2所示那样配置成格子状，但是并不局限于此。
这种凸部142与介电性材料层120相同，由Al2O3、Zr2O3、Si3N4等绝缘材料构成。此外，也可以由陶瓷构成。这种凸部142也可以通过喷镀形成。其中，为了提高凸部142与介电性材料层120的密接性，优选采用与介电性材料层120相同的材料构成凸部142。
若在这种介电性材料层120上形成凸部142，则当基板G被吸附保持在介电性材料层120上时，有时因基板G的背面与凸部142接触而有可能被划伤。例如，当通过Al2O3喷镀膜形成凸部142并且基板G为玻璃基板时，构成凸部142的Al2O3的硬度(维氏硬度)为Hv1000左右，非常硬，其比普通玻璃基板的硬度(Hv600左右)高。若这种玻璃基板被静电吸附在介电性材料层120上，则玻璃基板的背面因与凸部142接触而被划伤的可能性高。
此外，虽然凸部142可以由陶瓷构成，但是因为该陶瓷一般具有上述Al2O3以上的硬度，所以对于由陶瓷构成的凸部142而言，其划伤玻璃基板背面的可能性高。
因此，在本发明中，介电性材料层上的凸部的至少与基板G接触部分由硬度比基板G的硬度低的材料构成。由此，能够防止在载置基板时划伤基板的背面。具体而言，例如，如图1所示，作为与基板G接触部分的凸部142的上部144由硬度比基板G的硬度低的材料构成。其中，凸部142全体也可以由硬度比基板G的硬度低的材料构成。
例如，当基板G为玻璃基板时，作为构成凸部142的上部144或者凸部142全体的低硬度材料优选使用树脂或者铝。具体而言，例如当凸部142由Al2O3构成时，其上部144由树脂或者铝构成。对于铝或者树脂而言，因为其硬度一般比玻璃基板的硬度低，因此即便与玻璃基板的背面接触也难以将其划伤。作为这种树脂，例如有TEFLON(注册商标)等。其中，作为低硬度材料并不限定于上述材料。作为其他的低硬度材料，例如有硅(silicon)树脂、环氧树脂、聚酰亚胺(polyimide)树脂等。
此外，凸部142的上部144的形状也可以为圆柱或者角柱，此外，也可以为曲面形状或者半球形。通过使凸部142的上部144的形状形成为曲面形状或者半球形状，因为能够与基板G点接触，所以能够使附着物难以轻易地附着在凸部142和基板G的接触部分上。
(介电性材料层上的凸部的形成方法)
接着，参照附图对在基座100的介电性材料层120上形成上述凸部142的方法进行说明。图3A、图3B是在基座的介电性材料层上形成凸部的方法的说明图。图3A是形成有凸部142的下部143的状态图，图3B是在凸部142的下部143上形成上部144的低硬度材料层的状态图。此处，列举例如在通过Al2O3喷镀膜形成的介电性材料层120上形成凸部142的下部(凸部主体)143以及上部(凸部上侧表面)144的情况。
首先，如图3A所示，通过Al2O3喷镀在层叠形成的介电性材料层120上形成凸部142的下部143。具体而言，例如准备在基材110的上面层叠形成有介电性材料层120的部分。对于该介电性材料层120而言，通过喷镀Al2O3，并且对喷镀后的表面例如使用门型研磨机等研磨装置进行机械研磨而均匀地使其平滑化。接着，残留下被平滑化的介电性材料层120的周缘部，例如使用门型切削机等切削装置对内侧进行切削加工。通过该切削加工，切削介电性材料层120的中央部，形成构成上述凸部形成区域140的凹部，并使基准面在凹部的底部露出，同时，在介电性材料层120的周缘形成台部122。
接着，在介电性材料层120上例如设置掩模部件(开口板)，其中，该掩模部件形成有与多个凸部142的尺寸对应配置的多个贯通孔(开口图案)，通过使用例如喷镀枪等向掩模部件上喷镀Al2O3，在掩模部件的贯通孔内形成凸部142的下部143。
其中，也可以先利用喷镀枪喷镀Al2O3，在设置有掩模部件的状态下进行等离子体处理，使掩模部件的贯通孔内露出的介电性材料层120的平滑表面粗糙化。由此，在进行Al2O3的喷镀时，因为能够具有固着效果(糙面效应：anchor effect)，所以能够使喷镀形成的凸部142的下部143牢固地结合在介电性材料层120上。
接着，通过卸下该掩模部件，形成为图3A所示的状态。其中，在喷镀Al2O3形成凸部142的下部143时，使凸部142的下部143的高度形成为比台部122的上面低。这是为了在后述的工序中在凸部142的下部143上形成上部144的低硬度材料层。
接着，如图3B所示，在凸部142的下部143上形成上部144的低硬度材料层。在介电性材料层120上，例如与形成凸部142的下部143时相同，设置形成有开口图案的掩模部件(开口板)150，使得各凸部142的下部143和掩模150的贯通孔分别相对。
然后，通过从掩模部件150上利用喷镀枪152喷镀例如硬度比基板G的硬度低的低硬度材料(例如树脂、铝)，在掩模部件150的贯通孔内的凸部142的下部143上形成上部144的低硬度材料层。其中，凸部142的下部143的顶面因为作为喷镀Al2O3的放射表面而被粗糙化，所以通过在其上喷镀低硬度材料，使凸部142的下部143的顶面与在其上喷镀形成的上部144的低硬度材料层牢固地结合在一起。
其中，对于在介电性材料层120上形成凸部142的方法并不局限于上述方法。例如，也可以是下述方法：即，首先如图4A所示，在介电性材料层120的凸部形成区域140喷镀低硬度材料，预先形成低硬度材料层146，接着如图4B所示，例如使用门型切削机等切削装置154切削凸部142和台部122以外的部分，由此形成凸部142和台部122。因此，也可以一起形成凸部142的下部143和上部144的低硬度材料层。此外，也可以通过烧制来形成凸部142的上部144的低硬度材料层。
(基板处理装置)
接着，对适用于本发明的基板载置台的第二实施方式所涉及的基板处理装置进行。此处，对作为上述基板载置台的基座100具体地适用于作为基板处理装置的一个例子的等离子体处理装置的情况进行说明。图5是表示本实施方式所涉及的等离子体处理装置的截面图。图6A是适用于本实施方式所涉及的等离子体处理装置的基座的俯视图，图6B是基座上的介电性材料层的截面图。图6B相当于图6A所示的P2-P2’线的截面图。
如图5所示的等离子体处理装置200，其是用于对FPD用玻璃基板G实施蚀刻、成层(叠层)等规定的等离子体处理的基板处理装置，作为容量结合型平行平板等离子体蚀刻处理装置而构成。此处，作为FPD，例如列举有液晶显示器(LCD)、有机场致发光显示器(ElectroLuminescence：EL)、等离子体显示面板(PDP)等。
如图5所示，等离子体处理装置200具有处理室202，该处理室202例如由表面经过阳极氧化处理(氧化铝膜处理(alumite process))的铝所构成的大致呈角筒形状的处理容器而构成。处理室202接地。在处理室202内的底部，通过由绝缘部件构成的基体部件104配设有作为载置玻璃基板G的基板载置台的上述基座100。此外，以包围基座100周围的方式配设有例如由陶瓷、石英的绝缘部件构成的矩形框状的外框部106。基座100起到静电保持矩形的玻璃基板G的基板保持机构的作用，形成为与矩形玻璃基板G对应的矩形形状。
此外，本实施方式所涉及的基座100，通过对其基材110供给高频电力而起到下部电极的作用。在基座100的上方，以与基座100平行相对的方式而相对配置有起到上部电极作用的喷淋头210。喷淋头210被支撑在处理室202的上部，其内部具有缓冲室222，并且在与基座100相对的下面形成有用于喷出处理气体的多个喷出孔224。该喷淋头210接地，并与基座100一起构成一对平行平板电极。
在喷淋头210的上面设置有气体导入口226，气体导入口226与气体导入管228连接。气体导入管228经由开闭阀门230、质量流量控制器(MFC)232与处理气体供给源234连接。
来自于处理气体供给源234的处理气体，通过质量流量控制器(MFC)232而被控制在规定的流量，通过气体导入口226而被导入到喷淋头210的缓冲室222。作为处理气体(蚀刻气体)，例如可以使用卤素(halogen)气体、O2气体、Ar气体等在本领域中通常所使用的气体。
在处理室202的侧壁上设置有用于开闭基板搬入搬出口204的门阀206。此外，在处理室202的侧壁的下方设置有排气口，排气口通过排气管208与含有真空泵(图未示出)的排气装置209连接。通过利用该排气装置209对处理室202的室内进行排气，而能够在等离子体处理中将处理室202内维持在规定的真空氛围(例如10mTorr＝大约1.33pa)。
图5所示的基座100通过匹配器162与高频电源164的输出端子电气连接。高频电源164的输出频率例如选择为13.56MHz。通过将来自高频电源164的高频电力施加在基座100上，而能够在载置于基座100上的玻璃基板G上生成处理气体的等离子体，由此，对玻璃基板G实施规定的等离子体蚀刻处理。
在图5所示的基座100的内部设置有冷却介质流路170，使通过制冷装置(图未示出)而被调整为规定温度的冷却介质在冷却介质流路170中流动。通过该冷却介质能够将基座100调整至规定的温度。
而且，在该基座100上设置有用于以规定的压力向介电性材料层120的基板保持面和玻璃基板G的背面之间供给传热气体(例如He气体)的传热气体供给机构。传热气体供给机构以规定的压力通过基座100内部的气体流路180将传热气体供给至玻璃基板G的背面。例如，如图6A、6B所示，在基座100的介电性材料层120上配列设置有多个气体孔182，这些气体孔182与上述气体流路180连通。其中，气体孔182的配列图案并不局限于图6A所示的图案。例如，也可以以包围图2所示配列的凸部142的外周的方式配列。
图6B所示的基座100，在由Al2O3喷镀膜构成的介电性材料层120上，通过不同于其的材质例如陶瓷构成凸部142的下部143。凸部142的上部144由具有比玻璃基板G的硬度低的硬度材料例如铝构成。由此，介电性材料层120、凸部142的下部143、凸部142的上部144可以由各自不同的材料构成。此外，如图6B所示，凸部142的上部144也可以构成为曲面。
在这样构成的等离子体处理装置200中，玻璃基板G通过图未示出的搬送臂等从闸阀206被搬入，并被载置在基座100上。然后，向导电层130施加高电压，与此同时，通过气体孔182向玻璃基板G的背面供给传热气体。由此，玻璃基板G以规定的吸附力被保持在基座100上，在该状态下对玻璃基板G实施等离子体处理。此时，虽然介电性材料层120上的凸部142的上部144与玻璃基板G的背面接触，但因为上部144由硬度比玻璃基板G的硬度低的铝构成，所以能够防止其划伤玻璃基板G的背面。
此外，通过反复对玻璃基板G实施等离子体处理，而在介电性材料层120的表面蓄积有附着物，但是，因为凸部142起到隔板的作用，因此附着物难以与玻璃基板G接触。因此，能够防止因产生玻璃基板G与基座100接触的部分和与附着物接触的部分而导致蚀刻偏差，以及当解除静电吸附后玻璃基板G还固定在基座100上的不良情况。
此外，如图6A所示，以格子状排列配置各凸部142，对于传热气体的气体孔182而言，以在上述各凸部142的周围配置各上述多个气体孔182的方式配置，所以，能够抑制基板G的背面与各凸部142的上部144接触时的接触压力的偏差。因此，能够在基板G的整个背面的范围内可靠地防止其划伤。
其中，在上述第一、第二实施方式中，对作为与基板G接触的部分的凸部142的上部144由硬度比基板G的硬度低的材料构成的情况进行了说明，但是因为介电性材料层120上的台部122的上部也与基板G接触，所以不仅仅是凸部142，对于台部122的上部而言，也可以由硬度比基板G的硬度低材料构成。由此，当在介电性材料层120上的凸部142和台部122上载置基板G时，能够防止划伤基板G的背面的周缘部。
此外，构成台部122的上部的材料可以与构成各凸部142的上部144的材料相同，此外，也可以由不同的材料构成。若这些基板接触部由硬度比基板G的硬度低的材料构成，则能够防止划伤基板G的背面。此时，作为构成上述台部122的上部的材料，也可以使用硬度比构成各凸部142的上部144的材料的硬度高的材料。由此，当基板G被静电吸附在介电性材料层120上时，能够使基板G和台部122的密接性更高。由此，例如能够提高供给至基板G的背面的传热气体的压力，这样，能够防止传热气体从基板G和台部122之间泄漏。
以上，参照附图对本发明的优选实施方式进行了说明，但是本发明当然并不局限于上述例子。应该认为，本领域技术人员在权利要求记载的范围内，能够得到各种变形例或者修正例，应该了解这些当然均属于本发明的技术范围之内。
例如，在上述实施方式中，作为能够适用于本发明的基板处理装置，举例说明容量结合型等离子体(CCP)处理装置，但是并不必须局限于该处理装置，能够在低压环境下生成高密度等离子体的诱导结合等离子体(ICP)处理装置也适用于本发明。此外，其他的，本发明也适用于使用螺旋波(helicon)等离子体生成、ECR(Electron CyclotronResonance(电子回旋共振))等离子体生成作为等离子体生成的等离子体处理装置。
产业利用性
本发明能够适用于载置FPD基板等的基板载置台以及基板处理装置。

Claims (10)

1.一种基板载置台，用于载置由基板处理装置进行处理的基板，该基板载置台的特征在于，包括：
基材；
在所述基材上形成的、用于载置所述基板的介电性材料层；以及
在所述介电性材料层上形成且由与所述介电性材料层相同的材料构成的多个凸部，其中，
在所述各凸部的上部具有低硬度材料层，该低硬度材料层是由硬度比所述基板的硬度低的材料构成至少与所述基板接触的接触部分而成。
2.如权利要求1所述的基板载置台，其特征在于：
所述介电性材料层在下部介电性材料层和上部介电性材料层之间形成有用于将所述基板静电吸附在所述介电性材料层上的导电层。
3.一种基板载置台，其用于载置由基板处理装置进行处理的基板，该基板载置台的特征在于，包括：
基材；
介电性材料层，其形成在所述基材上，并且在下部介电性材料层和上部介电性材料层之间具有用于将所述基板静电吸附在所述上部介电性材料层上的导电层；
在所述上部介电性材料层上形成的多个凸部；以及
在所述上部介电性材料层的周边以包围由所述凸部所形成的区域周围的方式形成的台部，其中，
所述各凸部和所述台部的至少与所述基板接触的接触部分由硬度比所述基板的硬度低的材料构成。
4.一种基板载置台，其用于载置由基板处理装置进行处理的基板，该基板载置台的特征在于，包括：
基材；
介电性材料层，其形成在所述基材上，并且在下部介电性材料层和上部介电性材料层之间具有用于将所述基板静电吸附在所述上部介电性材料层上的导电层；
在所述上部介电性材料层上形成的多个凸部；
在所述上部介电性材料层的周边以包围由所述凸部所形成的区域周围的方式形成的台部；
用于向所述下部介电性材料层与被静电吸附在所述上部介电性材料层上的所述基板背面之间供给气体的气体流路；以及
形成在所述介电性材料层上，用于将来自所述气体流路的气体向所述基板的背面引导的多个气体孔，其中，
所述各凸部的至少与所述基板接触的接触部分由硬度比所述基板的硬度低的材料构成。
5.如权利要求4所述的基板载置台，其特征在于：
构成所述台部的基板接触部分的材料与构成所述各凸部的基板接触部分的材料不同。
6.如权利要求5所述的基板载置台，其特征在于：
构成所述台部的基板接触部分的材料的硬度比构成所述各凸部的材料的硬度高。
7.如权利要求6所述的基板载置台，其特征在于：
所述各凸部被配置成格子状，
所述气体孔被配置成在所述各凸部的周围分别配置有所述多个气体孔。
8.如权利要求1～7中任一项所述的基板载置台，其特征在于：
所述基板为平板显示器制造用的玻璃基板，
硬度比所述基板的硬度低的材料为铝或者树脂。
9.一种基板处理装置，具有对基板实施规定处理的处理室，其特征在于，包括：
设置在所述处理室内，用于载置所述基板的基板载置台；
向所述处理室内供给处理气体的气体供给单元；以及
用于对所述处理室内进行排气的排气单元，其中，
所述基板载置台包括：基材；在所述基材上形成的、用于载置所述基板的介电性材料层；以及在所述介电性材料层上形成且由与所述介电性材料层相同的材料构成的多个凸部，在所述各凸部的上部具有低硬度材料层，该低硬度材料层是由硬度比所述基板的硬度低的材料构成至少与所述基板接触的接触部分而成。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于：
所述基板为平板显示器制造用的玻璃基板，
硬度比所述基板的硬度低的材料为铝或者树脂。
CN2008100805503A 2007-03-06 2008-02-22 基板载置台以及基板处理装置 Active CN101261952B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007055688 2007-03-06
JP2007055688A JP5059450B2 (ja) 2007-03-06 2007-03-06 基板載置台及び基板処理装置
JP2007-055688 2007-03-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101261952A CN101261952A (zh) 2008-09-10
CN101261952B true CN101261952B (zh) 2011-08-31

Family

ID=39838471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008100805503A Active CN101261952B (zh) 2007-03-06 2008-02-22 基板载置台以及基板处理装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5059450B2 (zh)
KR (1) KR100978957B1 (zh)
CN (1) CN101261952B (zh)
TW (1) TWI434369B (zh)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI467691B (zh) 2008-10-15 2015-01-01 Creative Tech Corp Electrostatic chuck and its manufacturing method
DE102009018434B4 (de) 2009-04-22 2023-11-30 Ev Group Gmbh Aufnahmeeinrichtung zur Aufnahme von Halbleitersubstraten
JP5612300B2 (ja) * 2009-12-01 2014-10-22 東京エレクトロン株式会社 基板載置台、その製造方法及び基板処理装置
CN101805929B (zh) * 2010-04-02 2012-12-19 日强光伏科技有限公司 一种多晶硅表面制绒方法
JP5570900B2 (ja) * 2010-07-26 2014-08-13 東京エレクトロン株式会社 基板載置面に樹脂突起物層を形成する方法及び樹脂突起物層転写部材
KR101353157B1 (ko) * 2010-12-28 2014-01-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 정전 척
JP6010296B2 (ja) * 2010-12-28 2016-10-19 東京エレクトロン株式会社 静電チャック
US9329497B2 (en) 2011-02-01 2016-05-03 Asml Netherlands B.V. Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5724657B2 (ja) * 2011-06-14 2015-05-27 旭硝子株式会社 ガラス基板保持手段、およびそれを用いたｅｕｖマスクブランクスの製造方法
KR102032744B1 (ko) * 2012-09-05 2019-11-11 삼성디스플레이 주식회사 기판 고정장치 및 이의 제조방법
TWI514463B (zh) * 2012-11-30 2015-12-21 Global Material Science Co Ltd 乾蝕刻設備中的靜電吸附板表面凸點的製造方法
CN103913876B (zh) * 2014-03-17 2017-07-04 京东方科技集团股份有限公司 一种用于干法刻蚀的承载装置及干法刻蚀装置
JP2017515301A (ja) * 2014-05-09 2017-06-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 保護カバーを有する基板キャリアシステム
JP6867149B2 (ja) * 2015-12-25 2021-04-28 日本特殊陶業株式会社 基板保持部材
WO2017110660A1 (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 日本特殊陶業株式会社 基板保持部材
KR102206687B1 (ko) * 2017-06-26 2021-01-22 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 기판 유지 부재
CN107675144A (zh) * 2017-09-15 2018-02-09 武汉华星光电技术有限公司 等离子体增强化学气相沉积装置
JP7014590B2 (ja) * 2017-12-21 2022-02-01 日本特殊陶業株式会社 真空吸着部材
JP7241519B2 (ja) * 2018-12-04 2023-03-17 東京エレクトロン株式会社 基板載置台、基板処理装置及び基板載置台の製造方法
CN113228495A (zh) * 2018-12-27 2021-08-06 株式会社巴川制纸所 静电卡盘装置
JP7355512B2 (ja) * 2019-03-28 2023-10-03 株式会社巴川製紙所 溶射用マスキング材、静電チャック装置の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001060618A (ja) * 1999-08-20 2001-03-06 Canon Inc 基板吸着保持方法、基板吸着保持装置および該基板吸着保持装置を用いた露光装置ならびにデバイスの製造方法
CN1881555A (zh) * 2005-06-17 2006-12-20 东京毅力科创株式会社 基板载置台、基板处理装置和基板载置台的制造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5903428A (en) * 1997-09-25 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Hybrid Johnsen-Rahbek electrostatic chuck having highly resistive mesas separating the chuck from a wafer supported thereupon and method of fabricating same
JPH11214494A (ja) * 1998-01-26 1999-08-06 Taiheiyo Cement Corp 静電チャック
JP3626933B2 (ja) * 2001-02-08 2005-03-09 東京エレクトロン株式会社 基板載置台の製造方法
JP4674792B2 (ja) * 2003-12-05 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 静電チャック
JP2006287210A (ja) * 2005-03-07 2006-10-19 Ngk Insulators Ltd 静電チャック及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001060618A (ja) * 1999-08-20 2001-03-06 Canon Inc 基板吸着保持方法、基板吸着保持装置および該基板吸着保持装置を用いた露光装置ならびにデバイスの製造方法
CN1881555A (zh) * 2005-06-17 2006-12-20 东京毅力科创株式会社 基板载置台、基板处理装置和基板载置台的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101261952A (zh) 2008-09-10
TWI434369B (zh) 2014-04-11
TW200901363A (en) 2009-01-01
JP5059450B2 (ja) 2012-10-24
KR20080081850A (ko) 2008-09-10
KR100978957B1 (ko) 2010-08-30
JP2008218802A (ja) 2008-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101261952B (zh) 基板载置台以及基板处理装置
US10804072B2 (en) Plasma processing apparatus
KR101001454B1 (ko) 정전척 및 이를 구비한 유기전계발광 소자의 제조장치
JP6564946B2 (ja) プラズマ処理装置
TWI523098B (zh) Etching method, etching apparatus and ring assembly
TW564495B (en) Plasma treatment apparatus
KR20190005750A (ko) 플라즈마 처리 장치
KR100929448B1 (ko) 기판 유지 기구 및 플라즈마 처리 장치
KR20060050341A (ko) 기판 디처킹 방법 및 장치
KR20120137986A (ko) 정전척
JP2002151581A (ja) 基板のデチャック方法及び装置
CN101420816A (zh) 容性耦合等离子体反应器
CN103915310B (zh) 等离子体处理容器和等离子体处理装置
JP2018142589A (ja) 基板固定具及び基板固定装置
US9011634B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
TW202121567A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JPH07335732A (ja) 静電チャック、これを用いたプラズマ処理装置及びこの製造方法
KR20180053143A (ko) 기판 지지 장치 및 기판 처리 장치
TWI455192B (zh) 避免在ｐｅｃｖｄ製程腔壁上沉積薄膜的設備及方法
KR101118997B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 방법
US7406925B2 (en) Plasma processing method and apparatus
JP4972327B2 (ja) プラズマ処理装置
CN113764308A (zh) 用于处理基板的设备和方法
KR20070001722A (ko) 플라즈마 에칭 처리 장치
KR20160006073A (ko) 마스크 세정 장치 및 마스크 세정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant