JP4126286B2 - 処理装置 - Google Patents
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Description
この際、図8に示すように、付着物47は被処理基板Gとサセプタ50との隙間を埋めるように蓄積する。このため、被処理基板G裏面にサセプタ50が接触する部分と付着物47が接触する部分とができて、これらの部分間で熱伝導性や導電性が異なってしまい、被処理基板Gにエッチングむら(被処理基板Gにおいてエッチングレートの高い部分と低い部分とが混在することをいう)が生じることがある。また、このような付着物47の存在によりサセプタ50に載置された被処理基板Gがサセプタ50に吸着されてしまうこともある。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板載置台としてのサセプタが設けられた処理装置の一例であるプラズマエッチング装置を示す断面図である。図1に示すように、本発明の一実施形態の基板載置台であるサセプタ4は、基材4aと、基材4aの上に設けられた誘電性材料膜6と、誘電性材料膜6の上に設けられた凸部7とを有する。
凸部7は機械加工やエッチング等の他の方法でも形成することも考えられるが、この場合には技術的、コスト的に問題がある。そこで、本実施形態では以下のような方法を採用する。
まず、被処理体である基板Gは、ゲートバルブ22が開放された後、図示しないロードロック室から基板搬入出口21を介してチャンバー2内へと搬入され、サセプタ4上に形成された誘電性材料膜6の凸部7上に載置される。この場合に、基板Gの受け渡しはサセプタ4の内部を挿通しサセプタ4から突出可能に設けられたリフターピン(図示せず)を介して行われる。その後、ゲートバルブ22が閉じられ、排気装置20によって、チャンバー2内が所定の真空度まで真空引きされる。
図5の(a)、(b)に示すサセプタ100は、 基材4aと、前記基材4a上に形成した層5と、前記層5上に形成した誘電性材料膜6と、誘電性材料膜6上の凸部7とを備えており、基材4aを貫通して、基材4aの表面の周縁部に吹出口を有する複数の伝熱媒体流路99が形成されている。これによって、凸部間の空間に熱伝導媒体たとえばヘリウムガスを充満させて基板を一様に冷却することができ、基板の温度を一様にすることができるので、エッチング等のプラズマ処理も基板前面にわたって一様となる。また、エッジ付近に台部101が設けられており、この台部101によって、熱伝導媒体がサセプタ以外の領域に拡散することを抑制することができる。この台部101の表面の高さは、前記凸部7の高さ以上である。
2 チャンバー(処理室)
3 絶縁板
4,100,100′,100″ サセプタ
5 層
6 誘電性材料膜
6′ 第2の誘電性材料膜
7,7′ 凸部
11 シャワーヘッド(ガス供給手段)
20 排気装置
31 第1の誘電性材料膜
32 導電層
25 高周波電源(プラズマ生成手段)
65 中間部材
66 開口板
99 伝熱媒体流路
101 台部
102 溝部
Claims (7)
- 基板を収容する処理室と、
前記処理室内に設けられ、前記基板が載置される基板載置台と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室内を排気する排気手段と、
前記処理室内で処理ガスのプラズマを生成する手段と
を具備し、
前記処理室内で基板に対してプラズマエッチング処理を施すプラズマエッチング装置であって、
前記基板載置台は、基材と、前記基材上に形成された複数の凸部とを備え、基板載置台は矩形であり、前記複数の凸部は直交格子をなすように配列され、前記直交格子の一つの軸が前記矩形の一つの辺となす角度が0°を超え45°以下であることを特徴とする処理装置。 - 前記複数の凸部において前記基板が点接触することを特徴とする請求項1に記載の処理装置。
- 前記複数の凸部は、その上部が曲面のみからなることを特徴とする請求項1に記載の処理装置。
- 表面に、外縁に沿って、前記凸部の高さ以上の高さを有する台部が設けられていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の処理装置。
- 前記基板載置台は、前記基材を貫通して設けられ、前記基材の表面の周縁部に吹出口を有する複数の伝熱媒体流路を有することを特徴とする請求項4に記載の処理装置。
- 前記伝熱媒体流路は、前記台部の内側に設けられていることを特徴とする請求項5に記載の処理装置。
- 前記台部は、その上面に溝部を有し、前記溝部に前記伝熱媒体流路の吹出口が設けられていることを特徴とする請求項5に記載の処理装置。
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