JP2006237498A - サセプタ - Google Patents
サセプタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006237498A JP2006237498A JP2005053480A JP2005053480A JP2006237498A JP 2006237498 A JP2006237498 A JP 2006237498A JP 2005053480 A JP2005053480 A JP 2005053480A JP 2005053480 A JP2005053480 A JP 2005053480A JP 2006237498 A JP2006237498 A JP 2006237498A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- deposited
- film
- counterbore
- sic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】少なくとも1つのザグリを有するCVD−SiC被覆黒鉛基材からなるSiのエピタキシャル成長用のサセプタであって、ザグリ面以外の表面の算術平均粗さRaが0.1〜1μmのものである。
【選択図】なし
Description
また、算術平均粗さRaとは、粗さ曲線から、その平均線の方向に標準長さ?だけ抜き取り、この抜き取り部分の平均線から測定曲線までの偏差の絶対値を合計し、平均した値のことである。一つの傷が測定値に及ぼす影響が非常に小さくなり、安定した結果が得られる特徴がある。
また、本願は、ウエハ収容凹部以外の全表面にわたって平均的に滑らかで、堆積膜の付着量を少なくするサセプタを提供することが最大の目的であり、表面の一部に大きな傷があったとしても、堆積膜の付着量に大きな影響を与えることがないサセプタを提供することをも目的としている。
以上の理由により本願の目的とするサセプタの評価には、算術平均粗さRaでなければならないと判断する。
算術平均粗さRa0.1μm以下のSiC膜の表面でも本発明と同様な効果が得られるが、研磨コストが高くさらに生産性も低いので、ザグリ面以外の表面の算術平均粗さRaは0.1〜1μmとすることが好ましく、0.1〜0.5μmとすることがさらに好ましい。
CVD装置内において、1250℃、SiCl4/C3H8/H2ガスを用い、黒鉛基材に100μmのSiC被覆を行った。サセプタの算術平均粗さRaは0.8μm(Ry6μm)であった。このサセプタを用いてSiをエピタキシャル成長させたところ、堆積Si膜の厚さが150μmになったところでパーティクルが発生した。図6に示すように、堆積Si膜の厚さが50μmの時の走査型電子顕微鏡(SEM)による表面および断面観察からは、堆積Siの表面に凹凸が多少観察されるようになる。また、図7に示すように、堆積Si膜の厚さが50μmの時のサセプタ表面のX線回折図形(XRD)から、Si(111)/Si(220)の相対強度は0.04であった。
CVD装置内において、1400℃、SiCl4/C3H8/H2ガスを用い、黒鉛基材に100μmのSiC被覆を行った。SiC製砥石と純水とを用いて、ザグリ以外の面を約10μm湿式研磨し、サセプタの算術平均粗さRaを0.3μm(Ry2.5μm)に調整した。このサセプタを用いてSiをエピタキシャル成長させたところ、堆積Si膜の厚さが160μmになったところでパーティクルが発生した。図8に示すように、堆積Si膜の厚さが50μmの時のSEMによる表面および断面観察からは、堆積Siの表面が滑らかであることが観察される。図9に示すように、堆積Si膜の厚さが50μmの時のサセプタ表面のXRDからは、Si(111)/Si(220)の相対強度は、0であった。
CVD装置内において、1400℃、SiCl4/C3H8/H2ガスを用い、黒鉛基材に100μmのSiC被覆を行った。サセプタの算術平均粗さRaは5μm(Ry27μm)であった。このサセプタを用いてSiをエピタキシャル成長させたところ、堆積Si膜の厚さが40μmになったところでパーティクルが発生した。図10に示すように、堆積Si膜の厚さが50μmの時のSEMによる表面および断面観察からは、堆積Siの表面が大きな凹凸であることが観察される。大きな凹凸が観察されると,パーティクル発生の原因となる。図11に示すように、堆積Si膜の厚さが50μmの時のサセプタ表面のXRDからは、Si(111)/Si(220)の相対強度は、0.47であった。相対強度が0.2以上となると,抵抗の不良および結晶欠陥が発生する原因となる。
CVD装置内において、1400℃、SiCl4/C3H8/H2ガスを用い、黒鉛基材に100μmのSiC被覆を行った。ザグリ以外の面を約3μm乾式研磨し、サセプタの算術平均粗さRaを2μm(Ry11μm)に調整した。このサセプタを用いてSiをエピタキシャル成長させたところ、堆積Si膜の厚さが60μmになったところでパーティクルが発生した。図12に示すように、堆積Si膜の厚さが50μmの時のSEMによる表面および断面観察からは、堆積Siの表面が大きな凹凸であることが観察される。大きな凹凸が観察されると,パーティクル発生の原因となる。図13に示すように、堆積Si膜の厚さが50μmの時のサセプタ表面のXRDからは、Si(111)/Si(220)の相対強度は、0.24であった。相対強度が0.2以上となると,抵抗の不良および結晶欠陥が発生する原因となる。
CVD装置内において、1400℃、SiCl4/C3H8/H2ガスを用い、黒鉛基材に100μmのSiC被覆を行った。回転式研磨装置を用いて、ダイヤモンド砥粒と純水を用いてザグリ以外の面を約20μm湿式研磨し、サセプタの算術平均粗さRaを0.05μm(Ry0.4μm)に調整した。このサセプタを用いてSiをエピタキシャル成長させたところ、堆積Si膜の厚さが165μmになったところでパーティクルが発生した。図14に示すように、堆積Si膜の厚さが50μmの時のSEMによる表面および断面観察からは、堆積Siの表面が滑らかであることが観察される。図15に示すように、堆積Si膜の厚さが50μmの時のサセプタ表面のXRDからは、Si(111)/Si(220)の相対強度は、0であった。
Claims (2)
- 少なくとも1つのザグリを有するCVD−SiC被覆黒鉛基材からなるSiのエピタキシャル成長用のサセプタであって、ザグリ面以外の表面におけるJIS B 0601に基づく算術平均粗さRa(JIS B 0601 1994)が0.1〜1μmのサセプタ。
- ザグリ面以外の表面における算術平均粗さRaが0.1〜0.5μmである請求項1記載のサセプタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005053480A JP4739776B2 (ja) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005053480A JP4739776B2 (ja) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | サセプタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006237498A true JP2006237498A (ja) | 2006-09-07 |
JP4739776B2 JP4739776B2 (ja) | 2011-08-03 |
Family
ID=37044778
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005053480A Expired - Fee Related JP4739776B2 (ja) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | サセプタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4739776B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010125918A1 (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-04 | 旭硝子株式会社 | SiC被膜を有する半導体熱処理部材 |
JP5024382B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2012-09-12 | 信越半導体株式会社 | サセプタ及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2012222287A (ja) * | 2011-04-13 | 2012-11-12 | Shimadzu Corp | プラズマcvd成膜装置および基板搭載装置 |
JP2015053393A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | 大陽日酸株式会社 | サセプタのクリーニング方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10195660A (ja) * | 1997-01-06 | 1998-07-28 | Tokuyama Toshiba Ceramics Kk | 気相成長用縦型サセプター |
JP2002043397A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-08 | Hitachi Chem Co Ltd | サセプター |
JP2002047570A (ja) * | 2000-05-22 | 2002-02-15 | Toyo Tanso Kk | 耐NH3に優れるCVD−SiC、耐NH3に優れるCVD−SiC被覆材及びCVDまたはMBE装置用治具 |
JP2005311290A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-11-04 | Toshiba Ceramics Co Ltd | サセプタ |
-
2005
- 2005-02-28 JP JP2005053480A patent/JP4739776B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10195660A (ja) * | 1997-01-06 | 1998-07-28 | Tokuyama Toshiba Ceramics Kk | 気相成長用縦型サセプター |
JP2002047570A (ja) * | 2000-05-22 | 2002-02-15 | Toyo Tanso Kk | 耐NH3に優れるCVD−SiC、耐NH3に優れるCVD−SiC被覆材及びCVDまたはMBE装置用治具 |
JP2002043397A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-08 | Hitachi Chem Co Ltd | サセプター |
JP2005311290A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-11-04 | Toshiba Ceramics Co Ltd | サセプタ |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5024382B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2012-09-12 | 信越半導体株式会社 | サセプタ及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
WO2010125918A1 (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-04 | 旭硝子株式会社 | SiC被膜を有する半導体熱処理部材 |
JPWO2010125918A1 (ja) * | 2009-04-27 | 2012-10-25 | 旭硝子株式会社 | SiC被膜を有する半導体熱処理部材 |
JP5585577B2 (ja) * | 2009-04-27 | 2014-09-10 | 旭硝子株式会社 | 半導体熱処理部材用SiC被膜の評価方法 |
JP2012222287A (ja) * | 2011-04-13 | 2012-11-12 | Shimadzu Corp | プラズマcvd成膜装置および基板搭載装置 |
JP2015053393A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | 大陽日酸株式会社 | サセプタのクリーニング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4739776B2 (ja) | 2011-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2514857B1 (en) | SiC EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME | |
US8823015B2 (en) | Silicon carbide epitaxial wafer and manufacturing method therefor | |
JP5076020B2 (ja) | SiCエピタキシャルウェハ | |
TWI388686B (zh) | Acceptor | |
JP4322846B2 (ja) | サセプタ | |
JP4581081B2 (ja) | エピタキシャルウエハ作製時に用いる炭化珪素平滑化基板の作製方法、炭化珪素基板表面の平滑化及びSiCエピタキシャル成長に用いる装置 | |
JP5839069B2 (ja) | 炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャル基板およびこれらの製造方法 | |
KR20140024473A (ko) | SiC 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조 방법, 및 SiC 에피택셜 웨이퍼의 제조 장치 | |
TWI725910B (zh) | 晶圓、磊晶晶圓以及其製造方法 | |
JP3931578B2 (ja) | 気相成長装置 | |
JP4739776B2 (ja) | サセプタ | |
WO2015030167A1 (ja) | サセプタ | |
JPH10167886A (ja) | 気相成長用サセプター | |
JP5786759B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法 | |
CN206052204U (zh) | 具有碳化硅涂层的硅片外延基座 | |
JP4739777B2 (ja) | サセプタ | |
US10654150B2 (en) | Grinding disk and method of manufacturing the same | |
WO2018207942A1 (ja) | サセプタ、エピタキシャル基板の製造方法、及びエピタキシャル基板 | |
JP2009239103A (ja) | 平坦化処理方法 | |
JP5652402B2 (ja) | 半導体製造用治具及びその製造方法 | |
JP6711744B2 (ja) | サセプタ及びサセプタの製造方法 | |
JP2019526525A (ja) | SiC素材及びSiC複合素材 | |
TWI776220B (zh) | 磊晶晶圓、晶圓及其製造方法 | |
JP6733802B1 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法及びサセプタ | |
TWI811880B (zh) | 耐火碳化物層 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071112 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100216 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100511 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100709 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110426 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110428 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |