JPH0322064U - - Google Patents

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JPH0322064U
JPH0322064U JP8076089U JP8076089U JPH0322064U JP H0322064 U JPH0322064 U JP H0322064U JP 8076089 U JP8076089 U JP 8076089U JP 8076089 U JP8076089 U JP 8076089U JP H0322064 U JPH0322064 U JP H0322064U
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substrate
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thin film
holder
plasma
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JP8076089U
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【図面の簡単な説明】
第１図、第２図、及び第３図はいずれも本考案
にかかる基板ホルダーの構造を示す断面図、第４
図は従来の基板ホルダーの構造を示す断面図、第
５図は従来の基板ホルダーを用いてアルミニウム
薄膜の堆積を行なつた場合の基板と基板ホルダー
との接触部分の様子を示す断面図である。 １……基板ホルダー、３……基板、５……ひさ
し、７……スペーサ、９……金属ピン、１１……
接触領域。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) プラズマを用いて薄膜を堆積するための装
    置内に設置され、導電性薄膜を形成するための基
    板を保持し、薄膜の堆積、加熱、移動等の処理を
    同時に行なうことを可能とするための基板ホルダ
    ーにおいて、前記基板ホルダーは、前記プラズマ
    の構成粒子が飛来する側に前記基板との間に隙間
    を持つひさしと該ひさしより前記基板の外側に前
    記基板ホルダーと基板とが接する接触領域とを備
    えることを特徴とする導電性薄膜形成のための基
    板ホルダー。 (2) 請求項１記載の基板ホルダーにおいて、前
    記基板ホルダーは、前記プラズマの構成粒子が飛
    来する側の前記基板と前記基板ホルダーの間に絶
    縁性のスペーサを備えることを特徴とする導電性
    薄膜形成のための基板ホルダー。 (3) 請求項１記載の基板ホルダーにおいて、前
    記基板ホルダーは、前記プラズマの構成粒子が飛
    来する側の前記基板と前前基板ホルダーとの間に
    導電性の金属ピンを備えることを特徴とする導電
    性薄膜形成のための基板ホルダー。
JP8076089U 1989-07-11 1989-07-11 Pending JPH0322064U (ja)

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JPH0322064U true JPH0322064U (ja) 1991-03-06

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001338878A (ja) * 2000-03-21 2001-12-07 Sharp Corp サセプタおよび表面処理方法
JP2012140681A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Sharp Corp ヤトイ治具

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6320461A (ja) * 1986-07-14 1988-01-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜形成装置
JPS63219568A (ja) * 1987-03-10 1988-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 透明導電膜の形成方法

Patent Citations (2)

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