KR101226159B1 - 비통전 아노다이징 서셉터 표면 처리방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 서셉터 표면처리 방법에 관한 것으로, 그 방법은 가공 대상물인 서셉터 표면에 구(球, sphere) 형태의 입자를 고압 분사시켜 표면 형상이 매끄러운 곡선 형태를 갖게 한다.

Description

비통전 아노다이징 서셉터 표면 처리방법{susceptor surface processing method}

본 발명은 비통전 아노다이징 서셉터 표면 처리방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 서셉터 가공면에 요철 형성시 표면이 매끄럽고 부드러운 곡면 형상을 갖게 함으로써 서셉터와 기판의 밀착시 서셉터 표면에 의해 기판을 손상시키는 것을 방지하고 아노다이징 처리 후의 표면 균일도를 향상시켜 기판과 서셉터가 통전되는 것을 방지하게 하는 비통전 아노다이징 서셉터 표면 처리방법에 관한 것이다.

일반적으로 서셉터는 처리 대상물인 글라스 기판을 안착시키기 위한 것으로 정전 방식과 무정전 방식 모두에 이용된다.

이러한 정전 방식에서는 서셉터에 기판을 척킹할 수 있는 정전척이나 또는 진공 흡착 방식 등을 이용해 기판이 고정되게 하는 방식이다.

그리고 무정전 방식은 기판이 서셉터 표면을 거칠게 형성시켜 표면 마찰력을 이용해 기판이 안착 상태를 유지토록 하는 방식이다.

이렇게 정전 방식과 무정전 방식은 기판을 서셉터에 안착시키는 방식이 차이가 있으며, 이 중 무정전 방식은 표면 거칠기 정도에 따라 기판의 안정적인 안착이 가능하기 때문에 표면 거칠기를 정밀 가능하게 된다.

이러한 무정전 방식 서셉터는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 처리 대상인 서셉터(1)를 수직한 상태로 설치 후 가공면 표면과 수직한 상태로 노즐(2)을 배치하여 노즐을 통해 AlO₂로 이루어진 입자(3)를 고압 분사시키면 서셉터 표면은 분사되는 입자(3)에 의해 표면에 요철(4)이 형성되게 된다. 그리고 요철이 형성된 가공면에 아노다이징(Anodizing) 처리하여 코팅하면 서셉터 표면 가공면과 기판(S) 간에 통전되는 방지하도록 하는 구조를 하게 된다.

그러나 종래의 일반적인 무정전 방식의 경우 분사되는 입자(3)의 크기나 형상이 불규칙적이어서 표면의 요철이 불규칙하게 형성되며, 표면이 부드럽지 않고 거친 단면을 형성하게 된다. 거친 가공면은 아노다이징 처리시 코팅면이 불규칙하게 되어 막 두께의 불규칙성에 의해 기판과 서셉터 간의 간격이 얇아져 통전되는 문제점이 발생하였다.

또한 거친 가공면에 의해 요철 단부가 뽀족하게 형성되어 이로 인해 기판 표면을 손상시키는 문제점이 발생하였다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 서셉터 가공면에 요철 형성시 표면이 매끄럽고 부드러운 곡면 형상을 갖게 함으로써 서셉터와 기판의 밀착시 서셉터 표면에 의해 기판을 손상시키는 것을 방지하고 아노다이징 처리 후의 표면 균일도를 향상시켜 기판과 서셉터가 통전되는 것을 방지하게 하는 비통전 아노다이징 서셉터 표면 처리방법을 제공한다.

본 발명은 앞서 본 목적을 달성하기 위하여 다음과 같은 구성을 가진다.

본 발명의 서셉터 표면처리 방법에 있어서, 가공 대상물인 서셉터 표면에 구(球, sphere) 형태의 입자를 고압 분사시켜 표면 형상이 매끄러운 곡선 형태를 갖게 한다.

또한 상기 입자는 SiO₂인 것이 바람직하다.

그리고 상기 입자는 0.1mm ~ 1mm의 크기를 갖는 것이 바람직하다.

또한 상기 입자는 노즐을 통해 4㎞/㎠로 분사되게 하는 것이 바람직하다.

본 발명에 따르면, 서셉터 가공면에 요철 형성시 표면이 매끄럽고 부드러운 곡면 형상을 갖게 함으로써 서셉터와 기판의 밀착시 서셉터 표면에 의해 기판을 손상시키는 것을 방지하고 아노다이징 처리 후의 표면 균일도를 향상시켜 기판과 서셉터가 통전되는 것을 방지하게 하는 효과가 있다.

도 1은 종래의 서셉터 표면처리 방법을 나타내는 개략도.
도 2는 도 1에 종래의 서셉터 표면처리 방법에 의해 처리된 상태를 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명의 서셉터 표면처리 방법을 나타내는 개략도.
도 4는 본 발명에 의해 처리된 서셉터를 나타내는 단면도.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 첨부된 도면을 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예들은 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.

본 발명의 서셉터 표면처리 방법은 도 3에 도시된 바와 같이 서셉터(10) 표면에 노즐(20)을 이용해 고압으로 입자(30)를 분사하여 분사된 입자(30)를 통해 서셉터 표면에 요철(40)을 형성하는 것으로 입자에 의해 형성된 표면은 매끄러운 곡선 형태로 균일하게 형성된다.

이를 위해 상기 입자(30)는 구(球, sphere) 형상을 갖는 SiO₂로 이루어지는 것이 바람직하며, 상기 구는 0.1mm ~ 1mm 크기를 갖는 것이 바람직하다.

또한 상기 입자는 노즐을 통해 4㎞/㎠의 압력으로 분사되는 것이 바람직하다. 이는 분사 압력이 낮을 경우 서셉터 표면에 요철 형성이 이루어지지 않게 되고 너무 강할 경우 요철 형성이 깊게 되어 표면 균일성이 떨어지는 문제점이 있기 때문에 분사 압력을 4㎞/㎠으로 분사함으로써 요철이 균일하게 형성될 수 있다.

그리고, 도 4에 도시된 바와 같이 구 형태의 입자에 의해 표면이 매끄러운 곡선 형태로 형성된 서셉터 표면에 아노다이징을 이용해 코팅막을 형성시킴으로써 코팅막 또한 균일하게 형성됨으로 서셉터에 안착되는 기판(S)과 서셉터 간에 통전되는 것을 방지할 수 있고 요철에 의해 기판이 손상되는 것을 방지할 수 있게 된다.

본 발명은 상기에 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.

10 : 서셉터 20 : 노즐
30 : 입자 40 : 요철
50 : 코팅막

Claims (4)

1. 서셉터 표면처리 방법에 있어서,
   가공 대상물인 서셉터 표면에 구(球, sphere) 형태의 입자를 고압 분사시켜 표면 형상이 매끄러운 곡선 형태의 요철을 갖게 하고,
   상기 입자는 0.2mm ~ 0.3mm의 크기를 가지고,
   상기 서셉터 표면에는 상기 요철과 동일한 형태를 가지고, 두께가 균일하며, 아노다이징을 이용한 코팅막이 형성되는 것을 특징으로 하는 비통전 아노다이징 서셉터 표면 처리방법.
   
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 입자는 SiO₂인 것을 특징으로 하는 비통전 아노다이징 서셉터 표면 처리방법.
   
3. 삭제
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 입자는 노즐을 통해 4kgf/㎠로 분사되게 하는 것을 특징으로 하는 비통전 아노다이징 서셉터 표면 처리방법.

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