KR100938874B1 - 유리기판 지지용 서셉터 및 그 제조 방법, 그리고 그유리기판 지지용 서셉터를 구비한 화학 기상 증착장치 - Google Patents

유리기판 지지용 서셉터 및 그 제조 방법, 그리고 그유리기판 지지용 서셉터를 구비한 화학 기상 증착장치 Download PDF

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Abstract

유리기판 지지용 서셉터 및 그 제조 방법, 그리고 그 유리기판 지지용 서셉터를 구비한 화학 기상 증착장치가 개시된다. 본 발명의 유리기판 지지용 서셉터는, 금속 재질의 서셉터본체; 서셉터본체의 표면에 가공 처리되어 제1 요철 패턴으로 형성되는 제1 요철표면; 및 제1 요철표면에 재차 가공 처리되어 제1 요철표면에 형성된 제1 요철 패턴보다 폭과 깊이가 상대적으로 작은 제2 요철 패턴으로 마련되며, 로딩(loading)되는 평면디스플레이용 유리기판이 실질적으로 접촉되는 제2 요철표면을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 증착 공정 시 유리기판에 효율적으로 열전달을 할 수 있고 유리기판의 배면 손상과 아크(Arc) 발생을 종래보다 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라 증착 공정 후 유리기판과 서셉터 간의 분리가 원활히 이루어짐으로써 유리기판이 파손되는 것을 저지할 수 있으며, 따라서 유리기판에 대한 신뢰성 있는 증착 공정을 수행할 수 있다.
화학 기상 증착장치, CVD, 평면디스플레이, 서셉터, LCD, 비드, 블라스팅

Description

유리기판 지지용 서셉터 및 그 제조 방법, 그리고 그 유리기판 지지용 서셉터를 구비한 화학 기상 증착장치{Susceptor for Supporting Flat Display and Method for Manufacturing Thereof, and Chemical Vapor Deposition Apparatus Having the Same}
본 발명은, 유리기판 지지용 서셉터 및 그 제조 방법, 그리고 그 유리기판 지지용 서셉터를 구비한 화학 기상 증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 증착 공정 시 유리기판에 효율적으로 열전달을 하면서도 증착공정 후 서셉터로부터 무리 없이 유리기판을 분리시킬 수 있는 유리기판 지지용 서셉터 및 그 제조 방법, 그리고 그 유리기판 지지용 서셉터를 구비한 화학 기상 증착장치에 관한 것이다.
평면디스플레이는 개인 휴대단말기를 비롯하여 TV나 컴퓨터의 모니터 등으로 널리 채용된다.
이러한 평면디스플레이는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등으로 그 종류가 다양하다.
이들 중에서, 특히 LCD(Liquid Crystal Display)는 2장의 얇은 상하 유리기판 사이에 고체와 액체의 중간물질인 액정을 주입하고, 상하 유리기판의 전극 전압 차로 액정분자의 배열을 변화시킴으로써 명암을 발생시켜 숫자나 영상을 표시하는 일종의 광스위치 현상을 이용한 소자이다.
LCD는 현재, 전자시계를 비롯하여, 전자계산기, TV, 노트북 PC 등 전자제품에서 자동차, 항공기의 속도표시판 및 운행시스템 등에 이르기까지 폭넓게 사용되고 있다.
종전만 하더라도 LCD TV는 20인치 내지 30인치 정도의 크기를 가지며, 모니터는 17인치 이하의 크기를 갖는 것이 대부분이었다. 하지만, 근래에 들어서는 40인치 이상의 대형 TV와 20인치 이상의 대형 모니터가 출시되어 판매되고 있으며 이에 대한 선호도가 나날이 높아지고 있는 실정이다.
따라서 LCD를 제조하는 제조사의 경우, 보다 넓은 유리기판을 제작하고자 연구 중에 있으며, 현재에는 가로/세로의 폭이 2미터 내외에 이르는 소위, 8세대라 불리는 유리기판의 양산을 목전에 두고 있다.
LCD는 증착(Deposition), 사진식각(Photo Lithography), 식각(Etching), 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 등의 공정이 반복적으로 수행되는 TFT 공정, 상하 유리기판을 합착하는 Cell 공정, 그리고 기구물을 완성하는 모듈(Module) 공정을 통해 제품으로 출시된다.
한편, 수많은 공정 중의 하나인 화학 기상 증착 공정(Chemical Vapor Deposition Process)은, 외부의 고주파 전원부에 의해 플라즈마(Plasma)화 되어 높은 에너지를 갖는 실리콘계 이온(ion)이 전극의 가스분배판으로부터 분출되어 유리기판 상에 증착되는 공정이다.
이러한 증착 공정은, 화학 기상 증착 공정을 수행하는 챔버 내에서 이루어진다. 그리고 챔버는 통상적으로 상부 챔버와 하부 챔버를 구비하며, 상부 챔버는 하부 챔버에 착탈 가능하게 결합되도록 마련된다. 따라서, 유지 보수 등의 작업을 하는 경우 상부 챔버는 하부 챔버로부터 분리되었다가 일반적으로 뒤집어진 상태에서 유지 보수 등의 작업이 마쳐진 후 다시 하부 챔버에 결합된다.
이 중 하부 챔버의 구성에 대해 개략적으로 설명하면, 하부 챔버는, 유리기판이 인입 및 인출되는 기판출입부와, 증착을 위한 스테이지 역할을 하는 부분으로서 유리기판이 로딩(loading)되는 서셉터(Susceptor)와, 서셉터의 두께 방향을 따라 관통 형성된 관통공에 결합되어 서셉터에 유리기판을 안정적으로 로딩하는 역할 및 서셉터로부터 유리기판을 분리하는 역할을 담당하는 복수의 리프트 핀들을 구비한다.
서셉터는, 유리기판이 직접 로딩되는 부분으로서, 그 상면은 편평한 정반으로 제작되는 것이 일반적이며, 증착 공정 시 유리기판에 열전달을 하여 증착 공정이 잘 이루어지도록 그 내부에는 히터가 마련되어 있다.
그런데, 이러한 구성을 갖는 기존의 화학 기상 증착장치에 있어서는, 증착 공정 후 유리기판과 서셉터의 상면이 정전기에 의해 강하게 밀착되어 있기 때문에 복수의 리프트 핀을 이용하여 서셉터로부터 유리기판을 분리하기가 쉽지 않으며, 무리하게 분리시키는 경우 유리기판이 파손되고 파손 시 발생되는 파티클(Particle) 등이 증착공간 내에 잔존하여 증착 공정의 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있다.
따라서 이러한 문제점을 개선하고자, 서셉터의 상면에 홈을 마련하여 기판과 서셉터 간의 접촉면적을 줄이고, 이러한 구조를 통해 유리기판과 서셉터 간의 정전기를 줄이고자 하는 방법이 고려될 수 있다.
그런데, 이러한 방법이 적용되는 화학 기상 증착장치에 있어서는, 정전기를 줄임으로써 증착 공정 후 서셉터로부터 유리기판을 무리 없이 분리할 수 있는 장점은 갖지만, 증착 공정 시 유리기판에 충분한 열을 전달하지 못하여 유리기판에 대한 증착 공정이 제대로 이루어지지 않을 우려가 있으며, 또한 서셉터에 형성된 홈 사이의 돌출부의 뾰족함으로 인해 유리기판의 배면에 흠집이 발생될 수 있을 뿐만 아니라 뾰족한 부위로 전하가 모여 서셉터의 표면에 아크(Arc)가 발생될 우려가 있다.
따라서, 일견 상호 모순적인 구도를 갖는 이러한 현상을 해결할 수 있는 서셉터의 개선된 구조가 필요한 실정이다.
본 발명의 목적은, 증착 공정 시 유리기판에 효율적으로 열전달을 할 수 있고 유리기판의 배면 손상과 아크(Arc) 발생을 종래보다 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라 증착 공정 후 유리기판과 서셉터 간의 분리가 원활히 이루어짐으로써 유리기판이 파손되는 것을 저지할 수 있으며, 따라서 유리기판에 대한 신뢰성 있는 증착 공정을 수행할 수 있는 유리기판 지지용 서셉터 및 그 제조 방법, 그리고 그 유리기판 지지용 서셉터를 구비한 화학 기상 증착장치를 제공하는 것이다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 금속 재질의 서셉터본체; 상기 서셉터본체의 표면에 가공 처리되어 제1 요철 패턴으로 형성되는 제1 요철표면; 및 상기 제1 요철표면에 재차 가공 처리되어 상기 제1 요철표면에 형성된 상기 제1 요철 패턴보다 폭과 깊이가 상대적으로 작은 제2 요철 패턴으로 마련되며, 로딩(loading)되는 평면디스플레이용 유리기판이 실질적으로 접촉되는 제2 요철표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 유리기판 지지용 서셉터에 의해서 달성된다.
여기서, 상기 제1 요철표면의 상기 제1 요철 패턴과 상기 제2 요철표면의 상기 제2 요철 패턴은 비드 블라스팅(bead blasting)에 의해 형성되는 것이 바람직하다.
상기 제1 요철표면의 상기 제1 요철 패턴을 형성하기 위한 비드 블라스팅에 사용되는 비드의 입자 크기는 2.54 마이크로미터(μm) 내지 12.7 마이크로미터(μm)이며, 상기 제2 요철표면의 상기 제2 요철 패턴을 형성하기 위한 비드 블라스팅에 사용되는 비드의 입자 크기는 0.0254 마이크로미터(μm) 내지 2.54 마이크로미터(μm)인 것이 바람직하다.
상기 서셉터본체는 알루미늄(Aluminium) 재질로서 상기 제1 요철 패턴 및 상기 제2 요철 패턴을 형성하기 위한 가공 처리 후 아노다이징(anodizing) 처리될 수 있다.
상기 제1 요철표면에 형성된 상기 제1 요철 패턴 및 상기 제2 요철표면에 형성된 상기 제2 요철 패턴은, 상기 서셉터본체의 표면 전 영역에 걸쳐 규칙적으로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 목적은, 본 발명에 따라, 금속 재질의 서셉터본체를 마련하는 단계; 상기 서셉터본체의 표면에 제1 요철 패턴으로 형성되는 제1 요철표면을 가공 처리하는 제1 가공 단계; 및 상기 제1 요처표면에 형성된 상기 제1 요철 패턴보다 폭과 깊이가 상대적으로 작은 제2 요철 패턴으로 형성되며, 로딩(loading)되는 평면디스플레이용 유리기판이 실질적으로 접촉되는 제2 요철표면을 상기 제1 요철표면에 재차 가공 처리하는 제2 가공 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리기판 지지용 서셉터의 제조 방법에 의해서도 달성된다.
여기서, 상기 제1 가공 단계 및 상기 제2 가공 단계는 비드 블라스팅(bead blasting)에 의해 수행되는 것이 바람직하다.
상기 제1 가공 단계의 상기 비드 블라스팅에 사용되는 비드의 입자 크기는 2.54 마이크로미터(μm) 내지 12.7 마이크로미터(μm)이며, 상기 제2 가공 단계의 상기 비드 블라스팅에 사용되는 비드의 입자 크기는 0.0254 마이크로미터(μm) 내지 2.54 마이크로미터(μm)인 것이 바람직하다.
상기 서셉터본체는 알루미늄(Aluminium) 재질로서 상기 제1 요철 패턴 및 상기 제2 요철 패턴을 형성하기 위한 가공 처리 후 상기 서셉터본체를 아노다이징(anodizing) 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 목적은, 본 발명에 따라, 평면디스플레이용 유리기판에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버; 및 증착 공정 시 상기 유리기판을 지지하는 유리기판 지지용 서셉터를 포함하며, 상기 유리기판 지지용 서셉터는, 금속 재질의 서셉터본체; 상기 서셉터본체의 표면에 가공 처리되어 제1 요철 패턴으로 형성되는 제1 요 철표면; 및 상기 제1 요철표면에 재차 가공 처리되어 상기 제1 요철표면에 형성된 상기 제1 요철 패턴보다 폭과 깊이가 상대적으로 작은 제2 요철 패턴으로 마련되며, 로딩(loading)되는 평면디스플레이용 유리기판이 실질적으로 접촉되는 제2 요철표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착장치에 의해서도 달성된다.
여기서, 상기 제1 요철표면의 상기 제1 요철 패턴과 상기 제2 요철표면의 상기 제2 요철 패턴은 비드 블라스팅(bead blasting)에 의해 형성되는 것이 바람직하다.
상기 제1 요철표면의 상기 제1 요철 패턴을 형성하기 위한 비드 블라스팅에 사용되는 비드의 입자 크기는 2.54 마이크로미터(μm) 내지 12.7 마이크로미터(μm)이며, 상기 제2 요철표면의 상기 제2 요철 패턴을 형성하기 위한 비드 블라스팅에 사용되는 비드의 입자 크기는 0.0254 마이크로미터(μm) 내지 2.54 마이크로미터(μm)인 것이 바람직하다.
상기 서셉터본체는 알루미늄(Aluminium) 재질로서 상기 제1 요철 패턴 및 상기 제2 요철 패턴을 형성하기 위한 가공 처리 후 아노다이징(anodizing) 처리될 수 있다.
상기 제1 요철표면에 형성된 상기 제1 요철 패턴 및 상기 제2 요철표면에 형성된 상기 제2 요철 패턴은, 상기 서셉터본체의 표면 전 영역에 걸쳐 규칙적으로 형성되며, 상기 유리기판은 엘씨디(LCD, Liquid Crystal Display)용 유리기판일 수 있다.
본 발명에 따르면, 증착 공정 시 유리기판에 효율적으로 열전달을 할 수 있고 유리기판의 배면 손상과 아크(Arc) 발생을 종래보다 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라 증착 공정 후 유리기판과 서셉터 간의 분리가 원활히 이루어짐으로써 유리기판이 파손되는 것을 저지할 수 있으며, 따라서 유리기판에 대한 신뢰성 있는 증착 공정을 수행할 수 있다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 화학 기상 증착장치의 구조도이고, 도 2는 도 1에 도시된 구조도를 상부 챔버와 하부 챔버로 분해한 분해 구조도이고, 도 3은 도 2의 유리기판 지지용 서셉터의 개략적인 사시도 및 1차 비드 블라스팅 처리된 서셉터의 상면 일부분을 확대한 수직 단면도이며, 도 4는 도 3과 같이 1차 비드 블라스팅 처리를 한 후 그 표면에 2차 비드 블라스팅 처리를 한 유리기판 지지용 서셉터의 개략적인 수직 단면도이다.
설명에 앞서, 평면디스플레이(Flat Display)란, 전술한 바와 같이 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 중 어떠한 것이 적용되어도 좋다.
다만, 본 실시 예에서는 LCD(Liquid Crystal Display)용 대형 유리기판을 평면디스플레이로 간주하여 설명하기로 한다. 여기서 대형이란, 앞서도 기술한 바와 같이, 8세대에 적용되는 수준의 크기를 가리킨다. 이하, 평면디스플레이를 유리기판(G)이라 명칭하여 설명하기로 한다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 화학 기상 증착장치(1)는, 상부 챔버(10) 및 하부 챔버(20)를 구비하며 유리기판(G)에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버(3)와, 상부 챔버(10) 내에 마련되어 증착 대상물인 유리기판(G)을 향해 소정의 실리콘계 화합물 이온인 증착 물질 즉 플라즈마(plasma)화된 공정 가스를 방출하는 전극(40)과, 상부 챔버(10)의 상판부(13)에 결합되어 전극(40)에 의해 형성되는 증착공간(S)으로 플라즈마화된 공정 가스를 제공하는 가스공급부(15) 및 고주파 전원부(12)와, 하부 챔버(20) 내에 마련되어 증착 대상물인 유리기판(G)이 로딩(loading)되는 유리기판 지지용 서셉터(30, 이하에서는 '서셉터'라 명침함)를 포함한다.
본 실시 예에 따른 서셉터(30)는, 유리기판(G)이 서셉터(30)로부터 잘 분리되면서도 열전달이 효율적으로 이루어지도록 그 표면에 제1 요철표면(35) 및 제2 요철표면(36)이 소정의 요철 패턴으로 형성되어 있는데, 이에 대해서는 자세히 후술하기로 한다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 증착 대상물인 유리기판(G)에 대해 증착 공정이 진행될 때 상부 챔버(10) 및 하부 챔버(20)는 상호 결합 상태를 유지하며, 경우에 따라서는, 가령 상부 챔버(10) 및 하부 챔버(20)를 유지 보수하는 등의 경우에는 하부 챔버(20)로부터 상부 챔버(10)를 분리할 수 있다. 즉, 증착 공정을 수행하기 위해 별도의 크레인(미도시)에 의해 상부 챔버(10)와 하부 챔버(20)가 상부에 결합되어 한 몸체를 이룰 수 있으며, 마찬가지로 유지 보수 등을 위해 별도의 크레인에 의해 하부 챔버(20)로부터 상부 챔버(10)를 분리할 수 있다.
이와 같이, 상부 챔버(10) 및 하부 챔버(20)가 한 몸체를 이루어 그 내부의 증착공간(S)에서 유리기판(G)에 대한 증착 공정이 진행될 때는 증착공간(S)이 진공 분위기로 유지되어야 하며, 이를 위해 증착공간(S)은 증착 공정 시 외부로부터 차폐되어야 한다.
먼저, 상부 챔버(10)에 대해 살펴보면, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상부 챔버(10)의 상단에는 상판부(13)가 구비되어 있다. 이러한 상판부(13)는, 상부 챔버(10)의 상부를 차단하는 역할을 하는 부분으로서, 그 상면에 가스공급부(15) 및 고주파 전원부(12) 등이 지지 결합되는 장소로 이용된다.
상부 챔버(10)의 내부에는, 가로 방향을 따라 전극(40)이 구비되어 있다. 전극(40)은, 하부 챔버(20)를 향한 전면에 배치되는 가스분배판(45)과, 버퍼공간(B)을 사이에 두고 가스분패판의 배후에 배치되는 후방 플레이트(41)를 구비한다.
가스분배판(45)은, 챔버(3) 내에 형성되는 증착공간(S)에 플라즈마화된 공정 가스를 고르게 분배(확산)하는 역할을 담당하는 부분이다. 이러한 가스분배판(45)에는 미세하게 가공된 다수의 오리피스(미도시)가 두께 방향으로 관통 형성되어 있다. 따라서 증착 공정 시 후술할 서셉터(30)가 상승하여 가스분배판(45)과 대략 수 십 밀리미터(mm) 정도로 근접 배치되면, 이어서 증착 물질인 플라즈마화된 공정 가스가 다수의 오리피스를 따라 방출되어 유리기판(G)의 상면에 증착된다.
후방 플레이트(41)는, 가스공급부(15)로부터 공정 가스가 공급될 수 있도록 그 중앙 영역이 관통 형성되어 있으며, 관통 형성된 부분으로 가스유입관(18)이 결합되어 있다. 후방 플레이트(41) 및 후방 플레이트(41)와 결합된 가스분배판(45)은 가스공급부(15)로부터 공급되는 공정 가스가 플라즈마화될 수 있도록 고주파 전원부(12)와 연결라인(11)에 의해 연결되어 있다.
이러한 가스분배판(45)과 후방 플레이트(41) 사이에는 현가지지부재(43)가 마련되어 있다. 현가지지부재(43)는 버퍼공간(B) 내의 플라즈마화된 공정 가스가 외부로 누출되지 않도록 할 뿐만 아니라 수백 킬로그램 정도의 무게를 갖는 가스분배판(45)을 후방 플레이트(41)에 현가지지하는 역할을 담당한다. 뿐만 아니라 현가지지부재(43)에는 증착 공정 시 수백도 가령 280℃ 정도로 가열되는 가스분배판(45)이 X축, Y축 및 Z축 중 적어도 어느 한 방향으로 열팽창하는 것을 보상하는 역할도 겸한다.
또한, 가스분배판(45) 및 후방 플레이트(41)로부터 상부 챔버(10)의 벽으로 전기가 통하는 것을 저지하기 위하여, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 후방 플레이트(41)와 상부 챔버(10)의 벽 사이, 그리고 가스분배판(45)과 상부 챔버(10)의 벽 사이에 테프론(Tefron) 재질의 인슐레이터(17, Insulator)가 마련된다.
이어서, 하부 챔버(20)에 대해서 살펴보면, 하부 챔버(20)는, 실질적으로 유리기판(G)에 대한 증착 공정이 진행되는 부분으로서, 전술한 증착공간(S)이 하부 챔버(20) 내에 형성된다. 이러한 하부 챔버(20)의 외벽에는 소정의 작업 로봇(미도시)에 의해 유리기판(G)이 증착공간(S) 내외로 출입할 수 있도록 기판출입부(21)가 형성되어 있다. 이러한 기판출입부(21)는 그 주변에 결합된 도어(24)에 의해 선택적으로 개폐된다. 또한 하부 챔버(20)의 외벽 일측에는 하부 챔버(20)의 측벽 두께와 상부 챔버(10)의 측벽 두께를 보강하는 보강벽부(26)가 더 마련되어 있다.
도시하지는 않았지만, 하부 챔버(20) 내의 바닥면 영역에는 증착공간(S)에 존재하는 공정 가스를 다시 증착공간(S)으로 확산시키는 가스확산판이 마련되어 있다.
서셉터(30, Susceptor)는 하부 챔버(20) 내의 증착공간(S)에서 횡 방향으로 배치되어 로딩(loading)되는 유리기판(G)을 지지하며, 증착 대상물인 유리기판(G)의 면적보다 큰 구조물로 형성된다. 이러한 서셉터(30)의 상면으로 유리기판(G)이 얹혀지면서 로딩되거나 취출되기 위해 서셉터(30)에는 로딩되거나 취출되는 유리기판(G)의 하면을 안정적으로 지지하는 복수의 리프트 핀(31)이 더 구비되어 있다. 리프트 핀(31)들은 서셉터(30)를 관통하도록 서셉터(30)에 설치되어 있다.
이러한 리프트 핀(31)들은 서셉터(30)가 하강할 때, 그 하단이 하부 챔버(20)의 바닥면에 가압되어 상단이 서셉터(30)의 상단으로 돌출된다. 리프트 핀(31)의 돌출된 상단은 유리기판(G)을 상부로 들어올리게 되고 따라서 유리기판(G)은 서셉터(30)로부터 이격되게 된다. 서셉터(30)가 부상하면, 리프트 핀(31)이 서셉터(30)의 상면에 대해 하방으로 이동하여 유리기판(G)이 서셉터(30)의 상면에 밀착된다. 즉, 리프트 핀(31)들은 로봇아암(미도시)이 서셉터(30)에 로딩된 유 리기판(G)을 파지할 수 있도록 유리기판(G)과 서셉터(30) 사이의 공간을 형성하는 역할도 겸한다.
이러한 서셉터(30)에는, 그 상단이 배면 중앙 영역에 고정되고 하단이 하부 챔버(20)를 통해 하방으로 노출되어 서셉터(30)를 승강 가능하게 지지하는 컬럼(32)이 더 결합되어 있다.
전술한 바와 같이, 8세대 하에서의 서셉터(30)는 무겁고 사이즈 또한 크기 때문에 처짐 등이 발생될 수 있는데, 이는 서셉터(30)의 상면에 로딩되는 유리기판(G)의 처짐 등으로 연계될 수 있다. 이에, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 컬럼(32)의 상부 영역에는 서셉터 지지부(33)가 마련되어 서셉터(30)를 안정적으로 떠받치고 있다.
서셉터(30)는 하부 챔버(20) 내의 증착공간(S)에서 상하로 승강한다. 즉, 유리기판(G)이 로딩될 때는 하부 챔버(20) 내의 바닥면 영역에 배치되어 있다가 유리기판(G)이 서셉터(30)의 상면에 밀착되고 증착 공정이 진행될 때에는 유리기판(G)이 후술할 가스분배판(45)에 인접할 수 있도록 부상한다. 이를 위해, 서셉터(30)에 결합된 컬럼(32)에는 서셉터(30)를 승강시키는 승강 모듈(50)이 더 마련되어 있다.
승강 모듈(50)에 의해 서셉터(30)가 승강하는 과정에서 컬럼(32)과 하부 챔버(20) 사이에 공간이 발생하면 안 된다. 따라서 컬럼(32)이 통과하는 하부 챔버(20)의 해당 영역에는 컬럼(32)의 외부를 감싸도록 벨로우즈관(51)이 마련되어 있다. 벨로우즈관(51)은 서셉터(30)가 하강할 때 팽창되고, 서셉터(30)가 부상할 때 압착된다.
한편, 서셉터(30)는, 전술한 바와 같이, 유리기판(G)이 안정적으로 증착 공정이 진행될 수 있도록 유리기판(G)을 지지하는 부분으로서, 일반적으로 알루미늄 재질로서 아노다이징(anodizing) 처리를 한다.
그런데, 전술한 바와 같이, 종래의 서셉터(미도시)는 그 상면이 정반(Surface Plate) 형상으로 제작됨으로써 유리기판(미도시)과 서셉터 간의 정전기력이 많이 발생되고, 따라서 증착 공정 후 리프트 핀(미도시)들을 이용하여 서셉터로부터 유리기판을 분리시키는 과정이 용이하게 이루어지지 않아, 결국 유리기판을 파손시킬 우려가 있다.
따라서, 이러한 문제점을 고려하여 유리기판과 서셉터 간에 발생되는 정전기력을 감소시키기 위해 비드 블라스팅(bead blasting)이라는 가공 처리에 의해 서셉터의 상면에 미세한 홈을 형성하는 것을 고려할 수 있다. 그런데 입자 크기가 큰 비드로 비드 블라스팅하는 경우 서셉터와 유리기판 간의 접촉 면적이 감소되어 서셉터로부터 유리기판이 잘 분리될 수는 있으나 유리기판에 열전달을 효율적으로 하지 못하게 되고 따라서 유리기판에 신뢰성 있는 증착 공정을 진행할 수 없으며, 또한 비드 블라스팅에 의해 형성되는 홈의 뾰족함으로 인해 유리기판의 배면에 손상을 입히거나 뾰족한 부분으로 전하가 집중되어 아크(Arc) 등이 발생되는 우려가 있게 된다. 한편, 입자 크기가 작은 비드로 비드 블라스팅하는 경우 서셉터와 유리기판 간의 접촉 면적이 넓어져 열전달은 효율적으로 이루어질 수 있으나 서셉터로부터 유리기판이 잘 분리되지 않는 문제점이 있게 된다.
따라서, 본 실시 예에서는 서셉터(30)로부터 유리기판(G)을 파손되는 일 없 이 분리할 수 있을 뿐만 아니라 유리기판(G)에 효율적으로 열전달을 함으로써 신뢰성 있는 증착 공정이 진행될 수 있고 또한 아크(Arc)가 발생되는 것을 방지할 수 있도록, 서셉터(30)의 상면에 입자 크기가 큰 비드로 1차 블라스팅 처리를 하고 다시 그 상면에 상대적으로 입자 크기가 작은 비드로 2차 블라스팅 처리를 하여 규칙적인 요철 패턴이 형성되도록 한다.
이에 대해서 보다 상세히 설명하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 화학 기상 증착장치(1)에 구비되는 서셉터(30)는, 도 3 및 도 4에 자세히 도시된 바와 같이, 알루미늄(Aluminium) 재질로 제작되고 서셉터(30)의 대부분의 두께를 형성하는 서셉터본체(34)와, 소정의 요철 패턴 즉 서셉터본체(34)의 표면에 가공 처리되어 제1 요철 패턴으로 형성되는 제1 요철표면(35)과, 제1 요철표면(35)에 가공 처리되되 제1 요철표면(35)의 요철 패턴과는 다른 요철 패턴 즉 제2 요철 패턴으로 형성되는 제2 요철표면(36)을 포함한다. 즉, 서셉터본체(34)의 표면에 제1 및 제2 요철 패턴으로 형성되되 서셉터본체(34)의 표면 전 영역에 걸쳐 규칙적으로 형성되는 제1 요철표면(35)과 제2 요철표면(36)이 마련된다.
이 중, 제1 요철표면(35)에 대해 먼저 설명하면, 제1 요철표면(35)은, 도 3에 개략적으로 도시한 바와 같이, 서셉터본체(34)의 표면에 가공 처리되어 형성되는 표면으로서, 1차 비드 블라스팅(bead blasting) 처리 공정에 의해 형성된다. 즉, 서셉터본체(34)의 표면에 비드(bead)를 블라스팅함으로써 서셉터본체(34)의 표면에 규칙적으로 함몰 형성된 제1 요철표면(35)을 형성하는 것이다. 단, 본 실시 예에서는, 제1 요철표면(35)이 비드 블라스팅 처리 공정에 의해 형성되지만, 다른 가공 처리 공정에 의해서 제1 요철표면(35)을 서셉터본체(34)의 표면에 규칙적으로 형성할 수 있다면 이러한 가공 처리 공정을 적용시켜도 무방하다 할 것이다.
이 때, 제1 요철표면(35)은 후술할 제2 요철표면(36)에 비해 폭 및 깊이의 수치가 상대적으로 크게 형성되는데, 이를 위해 제2 요철표면(36) 형성 시 사용되는 비드보다 입자 크기가 상대적으로 큰 비드가 사용된다. 즉, 제1 요철표면(35)은, 2.54 마이크로미터(μm) 내지 12.7 마이크로미터(μm)의 입자 크기를 갖는 비드가 서셉터본체(34)의 표면으로 블라스팅되어 형성된다. 블라스팅된 비드는 세정 작업에 의해 서셉터본체(34)로부터 분리되는데 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
이러한 가공 처리 공정, 즉 1차 비드 블라스팅 처리 공정에 의해 형성되는 제1 요철표면(35)에 의해, 종래에 비해 유리기판(G)과 서셉터(30) 간에 발생되는 정전기력을 현저히 줄일 수 있다. 즉, 제1 요철표면(35)이 서셉터본체(34)의 표면에 함몰 형성됨으로써 함몰 형성된 부분만큼 유리기판(G)과 서셉터(30) 간의 접촉 면적이 줄어들게 되고 이로 인해 유리기판(G)과 서셉터(30) 간의 접촉으로 인해 발생되는 정전기력이 감소되어 증착 공정 후 서셉터(30)로부터 유리기판(G)을 파손 없이 용이하게 분리할 수 있다.
그런데, 서셉터본체(34)의 표면에 전술한 제1 요철표면(35)이 마련됨으로써 유리기판(G)과 서셉터(30) 간에 발생되는 정전기력은 줄일 수 있으나 접촉 면적의 감소로 인해 유리기판(G)에 충분한 열전달을 하지 못할 뿐만 아니라 제1 요철표면(35)의 뾰족한 부위로 인해 유리기판(G)의 배면이 손상되고 아울러 뾰족한 부위로 전하가 집중되어 아크(Arc)가 발생될 수 있다. 따라서, 본 실시 예에서는, 1차 비드 블라스팅 처리 공정에 의해 제1 요철표면(35)을 서셉터본체(34)의 표면에 함몰 형성시킨 후, 제1 요철표면(35)의 표면에 2차 비드 블라스팅 처리 공정을 실시하여 제2 요철 패턴으로 형성되는 제2 요철표면(36)을 마련한다.
제2 요철표면(36)은, 도 4에 자세히 도시된 바와 같이, 유리기판(G)이 직접 접촉되는 부분으로서, 제1 요철표면(35)과 실질적으로 모양은 유사하되 그 폭 및 깊이가 다르게 형성된다. 이러한 제 2 표면처리층(36)을 형성하기 위해 제1 요철표면(35)의 표면으로 복수의 비드가 블라스팅되는데, 이때 사용되는 비드는 전술한 비드, 즉 제1 요철표면(35)을 형성하기 위해 사용되는 비드보다 입자 크기가 작다.
제2 요철표면(36)을 형성하기 위해 사용되는 비드의 입자 크기는 0.0254 마이크로미터(μm) 내지 2.54 마이크로미터(μm)를 가지며, 따라서 제2 요철표면(36)은 제1 요철표면(35)의 표면에 복수 개 함몰 형성될 수 있다. 설명의 편의를 위해 예를 들어 설명하면, 가령, 2.54 마이크로미터(μm)의 입자 크기를 갖는 복수의 비드가 서셉터본체(34)의 표면에 블라스팅되는 경우 그 입자 크기에 비례하는 제1 요철표면(35)이 서셉터본체(34)의 표면에 형성되고, 이어서 제1 요철표면(35)의 표면에 2.54 마이크로미터(μm)보다는 작은 크기 가령, 0.254 마이크로미터(μm)의 크기를 갖는 비드가 블라스팅되면, 도 4에 개략적으로 도시된 바와 같이 규칙적인 제2 요철표면(36)이 제1 요철표면(35)의 표면에 함몰 형성되게 된다.
이러한 제2 요철표면(36)이 제1 요철표면(35)의 표면에 규칙적으로 함몰 형성됨으로써, 제1 요철표면(35)만 서셉터본체(34)의 표면에 마련될 경우에 비해 유리기판(G)과 서셉터(30) 간의 접촉 면적은 커지게 되고, 따라서 서셉터(30)로부터 유리기판(G)으로 충분히 열전달을 할 수 있어 유리기판(G)에 신뢰성 있는 증착 공정을 수행할 수 있도록 할 뿐만 아니라 유리기판(G)의 배면이 손상되는 현상과 아크(Arc)가 발생되는 현상을 감소시킬 수 있게 된다.
그리고, 서셉터(30)의 상면에 제1 요철표면(35) 및 제2 요철표면(36)을 형성한 후, 그 상면에 아노다이징(anodizing) 처리 공정을 수행한다. 아노다이징이란, 금속의 표면에 얇은 산화막을 만들어서 그 금속의 내부를 보호하는 방법으로서, 알루미늄(Aluminium) 즉 금속 재질로 제작되는 서셉터(30)의 상면을 아노다이징 처리함으로써 서셉터(30)가 챔버(3) 내의 산소와 더 이상 산화가 진행이 되지 않도록 하며 따라서 서셉터(30)의 상면의 부식을 방지할 수 있고 나아가 부식으로 인한 파티클(Particle)이 챔버(3) 내에 발생되는 것을 저지할 수 있다.
이하에서는, 이러한 구성을 갖는 화학 기상 증착장치(1)의 작동 과정에 설명하고 이어서 서셉터(30)의 상면에 요철 패턴을 형성하는 방법에 대해서 설명하기로 한다.
우선, 승강 모듈(50)에 의해 서셉터(30)가 하부 챔버(20)의 하부 영역으로 하강된 상태에서 로봇아암(미도시)에 의해 이송된 유리기판(G)이 기판출입부(21)를 통해 유입된다. 유입된 유리기판(G)은 서셉터(30)의 상면에 로딩(loading)되기 전, 서셉터(30)의 두께 방향을 따라 결합된 복수의 리프트 핀(31)의 상단에 로딩된다.
이어서, 서셉터(30)가 승강 모듈에 의해 상부 영역 즉 가스분배판(45) 방향으로 상승하게 되고, 복수의 리프트 핀(31)은 서셉터(30)의 상대되는 방향으로 이동되어 리프트 핀(31)에 로딩되었던 유리기판(G)이 서셉터(30)의 상면에 안착되게 된다. 이후, 상부 챔버(10)의 상판부(13)에 지지 결합된 가스공급부(15) 및 고주파 전원부(12)에 의해 생성되는 플라즈마(plasma)화된 공정 가스가 가스분배판(45)의 가스통과홀(미도시)을 따라 서셉터(30)의 상면에 로딩된 유리기판(G)으로 고르게 증착된다.
이때, 유리기판(G)에 대한 증착 공정이 잘 이루어지기 위해서는 유리기판(G)이 소정의 열에 의해 가열된 상태를 유지해야 하며, 이를 위해 서셉터(30) 내에 마련된 히터(미도시)는 열을 발생시키고 발생된 열을 서셉터(30)의 상면을 통해 유리기판(G)으로 전달한다. 보다 상세히 설명하면, 서셉터(30)의 상면에 형성된 제2 요철표면(36)이 유리기판(G)을 직접 접촉한 상태로 로딩하는데, 접촉된 제2 요철표면(36)을 통해 열이 흘러 유리기판(G)을 소정의 온도로 가열하고 이로 인해 유리 기판(G)에 대한 증착 공정이 잘 이루어질 수 있다.
유리기판(G)에 대한 증착 공정이 완료되면, 서셉터(30)는 역방향으로 하강하게 되는데, 이때 리프트 핀(31)이 하부 챔버(20)의 하단벽에 지지되는 구조에 의해 서셉터(30)에 로딩된 유리기판(G)은 복수의 리프트 핀(31)에 상단부에 지지되게 된다. 즉, 유리기판(G)이 서셉터(30)의 상면으로부터 분리되어 리프트 핀(31)에 의해 지지되게 된다.
이러한 과정 즉 유리기판(G)과 서셉터(30)가 분리되는 과정에서, 유리기판(G)은 서셉터(30)의 상면에 형성된 제1 요철표면(35) 및 제2 요철표면(36)에 의해 분리가 용이하게 된다. 특히 폭과 깊이가 상대적으로 큰 제1 요철표면(35)이 서셉터(30)의 상면에 함몰 형성되어 유리기판(G)과 서셉터(30) 간의 접촉 면적이 줄 어들게 되고 따라서 유리기판(G)과 서셉터(30) 간에 발생되는 정전기력이 감소되어 유리기판(G)이 서셉터(30)로부터 용이하게 분리될 수 있다.
이어서, 서셉터(30)의 상면에 요철 패턴을 형성하는 방법에 대해서 도 5를 참조하여 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유리기판 지지용 서셉터(30)의 제조 방법의 순서도로서, 먼저, 금속 재질의 서셉터본체(34)를 마련한 후(S10), 서셉터본체(34)의 표면에 소정의 입자 크기를 가진 비드를 블라스팅하여 제1 요철 패턴으로 형성되는 제1 요철표면(35)을 가공 처리한다(S20). 이어서, 제1 요철표면(35)이 형성된 서셉터본체(34)에 다시 소정의 크기를 가진 비드이되 전술한 제1 요철 패턴 형성 시 사용되는 비드보다 입자 크기가 작은 비드를 제1 요철표면(35)에 블라스팅하여 제2 요철 패턴으로 형성되는 제2 요철표면(36)을 가공 처리한다(S30).
다음으로, 제1 요철표면(35) 및 제2 요철표면(36)이 형성된 서셉터(30)가 챔버(3) 내의 산소와 반응하는 것을 방지하기 위해 서셉터(30)를 아노다이징(anodizing) 처리한다(S40).
이와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 서셉터(30)의 상면에 복수의 제1 요철표면(35)을 함몰 형성하고, 제1 요철표면(35)의 표면에 제2 요철표면(36)을 함몰 형성함으로써, 증착 공정 시 유리기판(G)에 효율적으로 열전달을 할 수 있고 유리기판(G)의 배면 손상과 아크(Arc) 발생을 종래보다 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라 증착 공정 후 유리기판(G)과 서셉터(30) 간의 분리가 원활히 이루어짐으로써 유리기판(G)이 파손되는 것을 저지할 수 있으며, 따라서 유리기판(G)에 대한 신뢰 성 있는 증착 공정을 수행할 수 있는 장점이 있다.
한편, 이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 유리기판 지지용 서셉터를 설명하면 다음과 같다. 단, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유리기판 지지용 서셉터에서 설명한 바와 동일한 것에 대해서는 그 설명을 생략하기로 한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유리기판 지지용 서셉터의 일부분을 확대한 수직 단면도로서, 이에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 서셉터(30a)의 상면은 본 발명의 일 실시 예와 마찬가지로 서셉터본체(34a)의 표면에 제1 요철표면(35a)이 형성되고 제1 요철표면(35a)에 제2 요철표면(36a)이 형성되되, 제2 요철표면(36a)이 제1 요철표면(35a)의 전 영역에 걸쳐 형성되는 것이 아니라 제1 요철표면(35a)이 돌출된 부분에 한해서 형성되는 구조를 갖는다.
이러한 요철표면들(35a, 36a)은 비드를 블라스팅하는 장치(미도시)를 적절히 조절함으로써 형성되며, 경우에 따라서는 정밀한 텍스쳐링 장비(미도시) 등을 이용하여 형성될 수도 있을 것이다.
전술한 실시 예들에서는, 제1 및 제2 요철표면이 소정의 가공 처리 예를 들면 비드 가공 처리 공정에 의해 서셉터의 상면에 형성된다고 상술하였으나, 제작이 용이하다면 서셉터본체의 상면에 제1 및 제2 요철표면을 갖는 별도의 층을 결합함으로써 서셉터를 구성하여도 무방하다 할 것이다.
이와 같이 본 발명은 기재된 실시 예들에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야 에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정 예 또는 변형 예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 화학 기상 증착장치의 구조도이다.
도 2는 도 1에 도시된 구조도를 상부 챔버와 하부 챔버로 분해한 분해 구조도이다.
도 3은 도 2의 유리기판 지지용 서셉터의 개략적인 사시도 및 1차 비드 블라스팅 처리된 서셉터의 상면 일부분을 확대한 수직 단면도이다.
도 4는 도 3과 같이 1차 비드 블라스팅 처리를 한 후 그 표면에 2차 비드 블라스팅 처리를 한 유리기판 지지용 서셉터의 개략적인 수직 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유리기판 지지용 서셉터의 제조 방법의 순서도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유리기판 지지용 서셉터의 일부분을 확대한 수직 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 화학 기상 증착장치
3 : 챔버 10 : 상부 챔버
12 : 고주파 전원부 13 : 상판부
15 : 가스공급부 17 : 인슐레이터
18 : 가스유입관 19 : 차폐박스
20 : 하부 챔버 30 : 유리기판 지지용 서셉터
31 : 리프트 핀 32 : 컬럼
35 : 제1 요철표면 36 : 제2 요철표면
40 : 전극 41 : 후방 플레이트
45 : 가스분배판 50 : 승강 모듈
51 : 벨로우즈관

Claims (14)

  1. 금속 재질의 서셉터본체;
    상기 서셉터본체의 표면에 비드 블라스팅(bead blasting) 처리되어 제1 요철 패턴이 형성되는 제1 요철표면; 및
    상기 제1 요철표면에 상기 제1 요철 패턴을 형성하기 위한 비드의 입자 크기보다 작은 비드를 사용하는 비드 블라스팅 처리에 의해 상기 제1 요철 패턴보다 폭과 깊이가 상대적으로 작은 제2 요철 패턴이 형성되며, 로딩(loading)되는 평면디스플레이용 유리기판이 접촉되는 제2 요철표면을 포함하며,
    상기 서셉터본체는 알루미늄(Aluminium) 재질로서 상기 제1 요철 패턴 및 상기 제2 요철 패턴을 형성하기 위한 비드 블라스팅 처리 후 아노다이징(anodizing) 처리되며,
    상기 제1 요철표면에 형성된 상기 제1 요철 패턴 및 상기 제2 요철표면에 형성된 상기 제2 요철 패턴은, 상기 서셉터본체의 표면 전 영역에 걸쳐 규칙적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유리기판 지지용 서셉터.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 요철표면의 상기 제1 요철 패턴을 형성하기 위한 비드 블라스팅에 사용되는 비드의 입자 크기는 2.54 마이크로미터(μm) 이상 12.7 마이크로미터(μm) 이하이며,
    상기 제2 요철표면의 상기 제2 요철 패턴을 형성하기 위한 비드 블라스팅에 사용되는 비드의 입자 크기는 0.0254 마이크로미터(μm) 이상 2.54 마이크로미터(μm) 미만인 것을 특징으로 하는 유리기판 지지용 서셉터.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 금속 재질의 서셉터본체를 마련하는 단계;
    상기 서셉터본체의 표면의 전 영역에 제1 요철 패턴이 규칙적으로 형성되는 제1 요철표면을 비드 블라스팅(bead blasting)에 의해 가공 처리하는 제1 가공 단계;
    상기 제1 요철표면에 형성된 상기 제1 요철 패턴보다 폭과 깊이가 상대적으로 작은 제2 요철 패턴이 상기 서셉터본체의 표면의 전 영역에 규칙적으로 형성되도록, 상기 제1 요철표면에 상기 제1 요철 패턴을 형성하기 위한 비드의 입자 크기보다 작은 비드를 사용하는 비드 블라스팅(bead blasting)에 의해 평면디스플레이용 유리기판이 로딩(loading)되어 접촉되는 제2 요철표면을 가공 처리하는 제2 가공 단계; 및
    상기 서셉터본체는 알루미늄(Aluminium) 재질로서 상기 제1 요철 패턴 및 상기 제2 요철 패턴을 형성하기 위한 비드 블라스팅 처리 후 상기 서셉터본체를 아노다이징(anodizing) 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리기판 지지용 서셉터의 제조 방법.
  7. 삭제
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1 가공 단계의 상기 비드 블라스팅에 사용되는 비드의 입자 크기는 2.54 마이크로미터(μm) 이상 12.7 마이크로미터(μm) 이하이며,
    상기 제2 가공 단계의 상기 비드 블라스팅에 사용되는 비드의 입자 크기는 0.0254 마이크로미터(μm) 이상 2.54 마이크로미터(μm) 미만인 것을 특징으로 하는 유리기판 지지용 서셉터의 제조 방법.
  9. 삭제
  10. 평면디스플레이용 유리기판에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버; 및
    증착 공정 시 상기 유리기판을 지지하는 유리기판 지지용 서셉터를 포함하며,
    상기 유리기판 지지용 서셉터는,
    금속 재질의 서셉터본체;
    상기 서셉터본체의 표면에 비드 블라스팅(bead blasting) 처리되어 제1 요철 패턴이 형성되는 제1 요철표면; 및
    상기 제1 요철표면에 상기 제1 요철 패턴을 형성하기 위한 비드의 입자 크기보다 작은 비드를 사용하는 비드 블라스팅 처리에 의해 상기 제1 요철 패턴보다 폭과 깊이가 상대적으로 작은 제2 요철 패턴이 형성되며, 로딩(loading)되는 평면디스플레이용 유리기판이 접촉되는 제2 요철표면을 포함하며,
    상기 서셉터본체는 알루미늄(Aluminium) 재질로서 상기 제1 요철 패턴 및 상기 제2 요철 패턴을 형성하기 위한 비드 블라스팅 처리 후 아노다이징(anodizing) 처리되며,
    상기 제1 요철표면에 형성된 상기 제1 요철 패턴 및 상기 제2 요철표면에 형성된 상기 제2 요철 패턴은, 상기 서셉터본체의 표면 전 영역에 걸쳐 규칙적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착장치.
  11. 삭제
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제1 요철표면의 상기 제1 요철 패턴을 형성하기 위한 비드 블라스팅에 사용되는 비드의 입자 크기는 2.54 마이크로미터(μm) 이상 12.7 마이크로미터(μm) 이하이며,
    상기 제2 요철표면의 상기 제2 요철 패턴을 형성하기 위한 비드 블라스팅에 사용되는 비드의 입자 크기는 0.0254 마이크로미터(μm) 이상 2.54 마이크로미터(μm) 미만인 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착장치.
  13. 삭제
  14. 삭제
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