KR20190114373A - 유리 기판 지지용 서셉터 - Google Patents

유리 기판 지지용 서셉터 Download PDF

Info

Publication number
KR20190114373A
KR20190114373A KR1020180036965A KR20180036965A KR20190114373A KR 20190114373 A KR20190114373 A KR 20190114373A KR 1020180036965 A KR1020180036965 A KR 1020180036965A KR 20180036965 A KR20180036965 A KR 20180036965A KR 20190114373 A KR20190114373 A KR 20190114373A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
glass substrate
contact portion
susceptor
size
peak
Prior art date
Application number
KR1020180036965A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102080231B1 (ko
Inventor
고성근
이보금
서판길
Original Assignee
(주)티티에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)티티에스 filed Critical (주)티티에스
Priority to KR1020180036965A priority Critical patent/KR102080231B1/ko
Publication of KR20190114373A publication Critical patent/KR20190114373A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102080231B1 publication Critical patent/KR102080231B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B35/00—Transporting of glass products during their manufacture, e.g. hot glass lenses, prisms
    • C03B35/14—Transporting hot glass sheets or ribbons, e.g. by heat-resistant conveyor belts or bands
    • C03B35/20—Transporting hot glass sheets or ribbons, e.g. by heat-resistant conveyor belts or bands by gripping tongs or supporting frames
    • C03B35/202—Transporting hot glass sheets or ribbons, e.g. by heat-resistant conveyor belts or bands by gripping tongs or supporting frames by supporting frames
    • C03B35/207—Construction or design of supporting frames
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 유리 기판 지지용 서셉터에 관한 것으로서, 서셉터에 축열영역이 형성되어 유리 기판의 온도 균일도를 향상시키면서도 아킹 발생이나 공정 파티클이 발생되지 않도록 한 유리 기판 지지용 서셉터에 관한 것이다. 이를 위해 지지부, 지지부의 상부면에 형성되며, 유리 기판이 놓이는 유리 기판 접촉부와 유리 기판이 놓이지 않는 유리 기판 비접촉부를 구비하는 탑부를 포함하며, 유리 기판을 기준으로 상대적으로 탑부의 크기를 기 설정된 범위까지 증가시켜 탑부에 축열영역이 형성되도록 함으로써 유리 기판 비접촉부의 면적이 상대적으로 증가되어 유리 기판의 외곽부의 열 손실이 최소화되는 것을 특징으로 하는 유리 기판 지지용 서셉터가 개시된다.

Description

유리 기판 지지용 서셉터{Susceptor}
본 발명은 유리 기판 지지용 서셉터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 서셉터에 축열영역이 형성되어 유리 기판의 온도 균일도를 향상시키면서도 아킹 발생이나 공정 파티클이 발생되지 않도록 한 유리 기판 지지용 서셉터에 관한 것이다.
도 1에 도시된 바와 같이 유리 기판(10)을 재취하는 종래의 서셉터(30)는 서셉터(30)의 외곽부로 갈수록 온도가 낮아지는 경향을 보인다. 외곽부는 상대적으로 온도가 낮은 챔버 외벽과의 거리가 가깝고, 가스의 유동 등에 의한 열손실 또한 발생하기 때문이다. 이러한 열 손실을 최소화 하기 위해 서셉터(30)의 크기 또는 면적을 증가시키면 유리 기판의 온도에 영향을 미치는 열 손실을 최소화 할 수 있으나, 이에 따라 유리 기판 비접촉부(32b)의 면적이 상대적으로 커지게 되는데, 공정 중 유리 기판에 의해 가려지지 않고 공정환경에 노출되는 비접촉부가 증가하면 비접촉부에 형성된 아노다이징 산화 피막의 크랙에 의한 공정 파티클이 증가하게 되거나 아킹이 상대적으로 많이 발생되는 문제가 있다.
한편, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 종래의 서셉터(30)는 유리 기판(10)이 놓이는(접촉하는) 유리 기판 접촉부(32a)와 유리 기판이 접촉하지 않는 유리 기판 비접촉부(32b)를 구비한다. 이때, 유리 기판은 점차 대면적화 되고 있으며, 대면적으로 갈수록 성막 균일도를 확보하기 위해 표면 거칠기를 높게 형성할 필요가 있다. 표면 거칠기의 증가는 곧 아노다이징 피막의 결함 증가로 인식되어 유리 기판 접촉부(32a)와 유리 기판 비접촉부(32b)의 표면 거칠기를 서로 다르게 형성한다. 일예로서, 유리 기판 접촉부(32a)의 표면 거칠기는 Ra 20으로 하고, 유리 기판 비접촉부(32b)의 표면 거칠기는 Ra 1.6으로 한다. 이렇게 유리 기판 비접촉부(32b)의 표면 거칠기를 유리 기판 접촉부(32a)의 표면 걸치기 보다 낮게 형성하여 아노다이징 피막의 두께를 일정하게 확보함으로써 아킹 발생을 예방할 수 있다. 그러나 아킹 발생을 예방할 수는 있지만 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기 차이로 인한 단차가(32c)가 필연적으로 발생할 수 밖에 없으며, 이때 단차(또는 유리 기판 비접촉부)에 형성된 아노다이징 산화 피막의 경우 상대적으로 불안정하게 성장하게 된다. 이에 따라 공정 중에 서셉터가 가열되면 열팽창으로 인해 정상 피막보다 쉽게 크랙(깨짐)이 발생되고, 크랙된 산화 피막은 공정 파티클로 되어 공정 오염을 일으키는 문제가 있다. 한편, 지지부(31)의 일영역에는 새도우 프레임(20)이 지지되며, 유리 기판 비접촉부(32b)의 일영역에는 새도우 프레임(20)이 접촉 거치될 수 있다.
이때, 상기 제시된 온도 균일도 향상을 위해 서셉터의 탑부의 면적을 증가시킴과 동시에 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기를 동일하게 할 경우 방전 현상 발생율을 높이는 문제점이 있으며, 이를 개선하기 위해 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기를 달리하여 이중 거칠기를 적용하는 경우 이중 거칠기에 의해 형성되는 단차부에 성장한 피막의 열 안정성이 떨어져 공정 파티클이 발생되는 문제가 있다.
대한민국 공개특허공보 KR 10-2013-0058312(발명의 명칭 : 서셉터와 섀도우 프레임 간의 아크 발생 방지 장치) 대한민국 등록특허공보 KR 10-0938874(공개번호 KR 10-2009-0010625)(발명의 명칭 : 유리기판 지지용 서셉터 및 그 제조방법, 그리고 그 유리기판 지지용 서셉터를 구비한 화학 기상 증착장치) 대한민국 등록특허공보 KR 10-1441858(공개번호 KR 10-2007-0009450) (발명의 명칭 : 서셉터를 러프닝함으로써 정전하를 감소시키는 장치) 대한민국 공개특허공보 KR 10-2014-0020429(발명의 명칭 : 기판 셔틀 장치, 이를 포함하는 기상 증착 장치 및 기판 셔틀 장치의 제조방법) 대한민국 등록특허공보 KR 10-1513584(공개번호 KR 10-2015-0015347) (발명의 명칭 : 기판 처리 장치)
따라서, 본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 열 손실을 최소화 하기 위해 서셉터의 탑부의 면적을 증가시키면서도 유리 기판 비접촉부에서 발생되는 공정 파티클이 증가하지 않도록 하고 동시에 유리 기판 비접촉부에서 발생되는 아킹을 최소화 하는 발명을 제공하는데 그 목적이 있다.
그러나, 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 목적은, 지지부, 지지부의 상부면에 형성되며, 유리 기판이 놓이는 유리 기판 접촉부와 유리 기판이 놓이지 않는 유리 기판 비접촉부를 구비하는 탑부를 포함하며, 유리 기판을 기준으로 상대적으로 탑부의 크기를 기 설정된 범위까지 증가시켜 탑부에 축열영역이 형성되도록 함으로써 유리 기판 비접촉부의 면적이 상대적으로 증가되어 유리 기판의 외곽부의 열 손실이 최소화되는 것을 특징으로 하는 유리 기판 지지용 서셉터를 제공함으로써 달성될 수 있다.
또한, 축열영역이 형성되도록 유리 기판의 일측 단부를 기준으로 지지부 크기까지의 범위내에서 탑부의 크기를 증가시킨다.
또한, 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기를 동일하게 함으로써 단차가 형성되지 않아 서셉터의 가열에 따른 열팽창으로 인한 아노다이징된 탑부의 산화 피막을 보호한다.
또한, 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기는 Ra 13 내지 Ra 20이다. 이때, 표면 거칠기가 Ra 12 이하로 되면 성막 균일도를 개선하기 어려운 문제점이 있고, Ra 20이 초과되면 아노다이징 피막의 결함에 의한 아킹을 예방하기 힘든 문제점이 있다.
또한, 유리 기판 비접촉부에 형성되는 좁은 내각을 이루는 피크를 연마함으로써 피크 연마 전에 비해 상대적으로 표면 거칠기 값이 감소하거나 동일할 수 있고, 또한 피크 밀도가 줄도록 한다.
또한, 기 설정된 범위의 피크 값을 초과하는 피크가 제거되도록 연마한다.
한편, 본 발명의 목적은 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기가 서로 다른 거칠기일 때의 유리 기판 비접촉부의 일측 단부를 기준으로 상대적으로 서셉터의 탑부의 크기를 기 설정된 범위까지 증가시켜 준비하는 단계, 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기를 Ra 13 내지 Ra 20의 범위내에서 동일하게 형성하는 단계, 및 유리 기판 비접촉부에 형성되는 좁은 내각을 이루는 피크를 연마함으로써 형태 안정성이 떨어지는 피크를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 기판 지지용 서셉터 제조 방법을 제공함으로써 달성될 수 있다.
전술한 바와 같은 본 발명에 의하면 유리 기판의 외곽부의 열 손실을 최소화하면서도 유리 기판 비접촉 영역에 공정 파티클이 발생하거나 또는 아킹이 발생하는 현상을 최소화시킬 수 있는 효과가 있다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석 되어서는 아니 된다.
도 1은 유리 기판의 외곽부에 열 손실이 발생하여 온도 균일도가 좋지 못한 종래의 서셉터를 나타낸 도면이고,
도 2는 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기가 서로 달라 단차가 형성되는 것을 도시한 종래의 서셉터이고,
도 3은 본 발명의 일실시예로서 온도 균일도가 향상된 것을 도시한 도면이고,
도 4는 본 발명의 일실시예로서 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기가 동일하여 단차가 발생하지 않음을 나타낸 도면이고,
도 5는 유리 기판 비접촉부에 피크 연마 공정을 수행하지 않은 도면이고,
도 6은 유리 기판 비접촉부에 피크 연마 공정을 수행한 도면이고,
도 7은 6세대 유리 기판을 기준으로 탑부(120)의 크기를 키울 수 있는 범위를 일예로서 나타낸 도면이고,
도 8은 유리 기판의 외곽부와 중심부의 온도 편차를 탑부의 상대적인 크기를 기준으로 나타낸 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예에 대해서 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 일실시예는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 내용을 부당하게 한정하지 않으며, 본 실시 형태에서 설명되는 구성 전체가 본 발명의 해결 수단으로서 필수적이라고는 할 수 없다. 또한, 종래 기술 및 당업자에게 자명한 사항은 설명을 생략할 수도 있으며, 이러한 생략된 구성요소(방법) 및 기능의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위내에서 충분히 참조될 수 있을 것이다.
본 발명의 일실시예에 따른 유리 기판 지지용 서셉터(100)는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 지지부(110)와 탑부(120)를 포함한다. 지지부(110)는 새도우 프레임이 지지될 수 있다. 지지부(110)의 상부면에는 탑부(120)가 형성된다. 도 1 및 도 3을 참고하면, 도 1의 종래의 서셉터(30)의 탑부(32)의 크기는 a1 x b1이다. 탑부(32)에 놓여지는 유리 기판(10)의 외곽부에 열 손실이 발생함을 알 수 있다. 이때, 탑부(32)는 도 2와 같이 유리 기판 접촉부(32a)와 유리 기판 비접촉부(32b)의 표면 거칠기가 서로 다르다.
한편, 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 서셉터(100)의 탑부(120)의 크기는 a2 x b2이다. 이에 따라 종래의 서셉터의 탑부(32)의 크기보다 더 크게 함으로써 탑부에 축열영역이 형성되어 유리 기판의 열 손실을 최소화할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이 a 지점에서 b 지점의 탑부의 크기는 유리 기판(10)을 기준으로 축열구간이 형성되면서도 지지부(110)의 크기까지의 범위 내에서 탑부(120)의 크기를 크게 한다. 탑부(120)의 크기가 종래에 비해 커지게 됨에 따라 유리 기판 접촉부(121)의 면적은 종래에 비해 동일하나 유리 기판 비접촉부(122a,122b)의 면적은 커지게 된다.
탑부(120)의 크기가 종래의 서셉터에 비해 커져 축열영역이 형성됨으로써 유리 기판(10)의 외곽부의 열 손실이 최소화(이에 따라 온도 균일도 향상)된다. 다만, 유리 기판 비접촉부(122a, 122b)의 표면 거칠기가 종래 서셉터(30)와 같이 Ra 1.6으로 이루어지는 경우 유리 기판 비접촉부(122a,122b)의 면적이 커짐에 따라 아노다이징에 의한 산화 피막의 크랙에 따라 공정 파티클이 더 많이 발생하게 된다. 따라서 공정 파티클의 발생을 최소화하기 위해 유리 기판 접촉부(121)와 유리 기판 비접촉부(122a,122b)의 표면 거칠기를 Ra 13 ~ Ra 20의 범위 내에서 동일하게 한다. 유리 기판 접촉부(121)와 유리 기판 비접촉부(122a,122b)의 표면 거칠기가 동일하므로 이중 표면 거칠기를 가지는 종래의 서셉터에 나타나는 단차가 제거되고, 단차가 형성되지 않아 더 나아가 공정 파티클이 발생되지 않는 장점이 있다.
다만, 표면 거칠기가 종래에 비해 상대적으로 높아짐으로써(즉, 종래의 유리 기판 비접촉부(32b)의 표면 거칠기에 비해) 도 5에 도시된 바와 같이 좁은 내각을 이루는 피크가 생성되게 된다. 이때, 공정 중에 플라즈마 전하가 좁은 내각을 이루는 피크에 집중되어(즉, 피크에 플라즈마 전하의 밀도가 증가하여) 아킹 현상을 초래한다. 더 나아가 본 발명에서는 유리 기판 비접촉부(122a,122b)의 면적이 종래에 비해 더 커지게 되어 아킹 발생이 더욱 증가할 우려가 있다.
이에 따라, 본 발명에서는 유리 기판 비접촉부에 형성되는 좁은 내각을 이루는 피크를 연마하여 피크 연마 전에 비해 상대적으로 피크 밀도가 줄도록 함으로써 아킹 현상을 예방하도록 한다. 따라서 유리 기판 접촉부(121)와 유리 기판 비접촉부(122a,122b)의 표면 거칠기를 동일하게 하도록 함과 동시에 유리 기판 비접촉부(122a,122b)에 형성되는 좁은 내각을 이루는 피크를 도 6과 같이 연마하도록 함으로써 아킹을 줄일 수 있다. 본 발명의 유리 기판 비접촉부(122a,122b)는 유리 기판 접촉부(121)와 대비하여 피크 연마를 필수적으로 수행하며, 유리 기판 접촉부(121)는 필요에 따라 피크 연마를 수행하지 않을 수 있다. 따라서 유리 기판 비접촉부(122a,122b)는 피크 연마된 영역이고, 유리 기판 접촉부(121)는 피크 연마가 안 된 영역이다. 피크 연마는 피크의 날카로움을 감소시키도록 연마하며, 기 설정된 값을 기준으로 초과되는 피크를 연마하도록 한다. 다만, 필요에 따라 유리 기판 접촉부(121)도 피크 연마를 수행할 수 있다.
한편, 아래 표 1과 같이 피크 연마 전에 비해 피크 연마 후의 피크 밀도(Pc)가 21에서 15로 줄어들었음을 알 수 있다. 다만, 표 1에서의 표시된 Ra 값은 약간의 측정오차가 발생할 수 있다.
Ra Pc(Peak Count)
피크 연마 전 19.74 21
피크 연마 후 19.75 15
이때, 피크 밀도(Pc)는 단위 길이 당 피크의 수를 나타낸다.
한편, 본 발명의 유리 기판 지지용 서셉터의 제조 방법은 다음과 같다. 먼저, 서셉터(100)의 탑부(120)의 크기를 종래의 서셉터(30)의 탑부(32)의 크기에 비해 유리 기판을 기준으로 상대적으로 크게 제작한다. 이때, 유리 기판을 기준으로 상대적으로 11mm 이상 ~ 지지부(110) 사이즈까지 크기를 크게 할 수 있다. 이때 10mm는 종래의 서셉터의 탑부(32)의 크기이고, 양쪽 사이즈가 아닌 한쪽 사이즈를 가정한 것이다.
도 7에 도시된 바와 같이 일예로서 6세대 유리 기판(10)의 크기가 1500mm x 1850mm이라 하면 종래의 서셉터의 탑부(32)의 크기는 1520mm x 1870mm로서 한쪽 사이즈가 유리 기판(10)에 비해 10mm씩 크다. 이때, 종래의 서셉터의 탑부(32)의 한정된 크기로 인해 유리 기판(10)의 외곽부의 열 손실이 발생하여 온도 균일도가 좋지 않게 된다. 따라서 본 발명의 서셉터의 탑부(120)는 유리 기판(10)을 기준으로 상대적으로 11mm 이상 ~ 지지부(110) 사이즈까지의 범위 내에서 크기를 키움으로써 축열구간의 형성이 가능하여 유리 기판의 외곽부의 열 손실을 최소화하고 온도 균일도를 높일 수 있다. 이때, 지지부(110) 사이즈까지의 범위는 도 8에 도시된 바와 같이 120mm까지 상대적인 크기를 가질 수 있다.
또한, 도 8에 도시된 바와 같이 유리 기판(10)을 기준으로 탑부(120)의 상대적인 크기가 11mm를 넘어설수록 유리 기판의 외곽부와 중심부의 온도 편차가 점점 줄어들게 되며, 상대적인 크기가 대략 40mm를 넘어서면 온도 편차가 2~3도씨 내로 일정하게 된다. 따라서 상대적인 크기가 11mm를 넘어서는 경우에 공정상에서 서셉터의 온도 불균일로 인한 공정불량이 발생하지 않는 온도편차 값을 가진다.
다음으로, 제작된 서셉터(100)를 세정한 후에 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기를 Ra 13 내지 Ra 20의 범위내에서 동일하게 블라스팅 공정을 통해 형성한다. 한편, 유리 기판 비접촉부에는 피크 연마 공정을 더 수행함으로써 피크의 날카로움을 감소시켜 아킹 발생을 최소화하도록 한다.
피크 연마 이후에 아노다이징 처리 공정을 통해 서셉터의 표면에 산화 피막을 만들어 서셉터를 부식으로부터 보호하도록 한다. 아노다이징 처리 공정 후에는 린스 및 건조 과정을 거쳐 제조 공정을 마무리 하게 된다.
본 발명을 설명함에 있어 종래 기술 및 당업자에게 자명한 사항은 설명을 생략할 수도 있으며, 이러한 생략된 구성요소(방법) 및 기능의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위내에서 충분히 참조될 수 있을 것이다.
상술한 각부의 구성 및 기능에 대한 설명은 설명의 편의를 위하여 서로 분리하여 설명하였을 뿐 필요에 따라 어느 한 구성 및 기능이 다른 구성요소로 통합되어 구현되거나, 또는 더 세분화되어 구현될 수도 있다.
이상, 본 발명의 일실시예를 참조하여 설명했지만, 본 발명이 이것에 한정되지는 않으며, 다양한 변형 및 응용이 가능하다. 즉, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 많은 변형이 가능한 것을 당업자는 용이하게 이해할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명과 관련된 공지 기능 및 그 구성 또는 본 발명의 각 구성에 대한 결합관계에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 구체적인 설명을 생략하였음에 유의해야 할 것이다.
10 : 유리 기판
20 : 새도우 프레임
30 : 서셉터
31 : 지지부(새도우 프레임 지지됨)
32 : 탑부
32a : 유리 기판 접촉부
32b : 유리 기판 비접촉부(일부 영역 새도우 프레임 거치됨)
32c : 단차부(Ra 값에 따른)
100 : 서셉터
110 : 지지부
120 : 탑부
121 : 유리 기판 접촉부
122a : 제1 유리 기판 비접촉부
122b : 제2 유리 기판 비접촉부

Claims (8)

  1. 지지부,
    상기 지지부의 상부면에 형성되며, 유리 기판이 놓이는 유리 기판 접촉부와 상기 유리 기판이 놓이지 않는 유리 기판 비접촉부를 구비하는 탑부를 포함하며,
    상기 유리 기판을 기준으로 상대적으로 상기 탑부의 크기를 기 설정된 범위까지 증가시켜 상기 탑부에 축열영역이 형성되도록 함으로써 상기 유리 기판 비접촉부의 면적이 상대적으로 증가되어 상기 유리 기판의 외곽부의 열 손실이 최소화되는 것을 특징으로 하는 유리 기판 지지용 서셉터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 축열영역이 형성되도록 상기 유리 기판의 일측 단부를 기준으로 지지부 크기까지의 범위내에서 상기 탑부의 크기를 증가시키는 것을 특징으로 하는 유리 기판 지지용 서셉터.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 유리 기판 접촉부와 상기 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기를 동일하게 함으로써 단차가 형성되지 않아 서셉터의 가열에 따른 열팽창으로 인한 상기 아노다이징된 탑부의 산화 피막을 보호하는 것을 특징으로 하는 유리 기판 지지용 서셉터.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 유리 기판 접촉부와 상기 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기는 Ra 13 내지 Ra 20인 것을 특징으로 하는 유리 기판 지지용 서셉터.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 유리 기판 비접촉부에 형성되는 좁은 내각을 이루는 피크를 연마함으로써 피크 연마 전에 비해 피크 밀도가 줄도록 하는 것을 특징으로 하는 유리 기판 지지용 서셉터.
  6. 제 5 항에 있어서,
    기 설정된 범위의 피크 값을 초과하는 피크에 대해 날카로움이 감소되도록 연마 하는 것을 특징으로 하는 유리 기판 지지용 서셉터.
  7. 제 2 항에 있어서,
    유리 기판을 기준으로 상대적으로 11mm ~ 120mm 까지의 범위 내에서 상기 탑부의 크기를 키움으로써 상기 탑부에 축열구간이 형성되어 상기 탑부의 온도 균일도가 향상되고,
    상기 탑부의 크기가 커짐에 따라 유리 기판 비접촉부의 면적이 유리 기판 접촉부의 면적에 비해 증가됨으로써 상기 유리 기판 접촉부와 상기 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기를 동일하게 하여 아노다이징된 탑부의 산화 피막을 보호하는 것을 특징으로 하는 유리 기판 지지용 서셉터.
  8. 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기가 서로 다른 거칠기일 때의 상기 유리 기판 비접촉부의 일측 단부를 기준으로 상대적으로 서셉터의 탑부의 크기를 기 설정된 범위까지 증가시켜 준비하는 단계,
    상기 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기를 Ra 13 내지 Ra 20의 범위내에서 동일하게 형성하는 단계, 및
    상기 유리 기판 비접촉부에 형성되는 좁은 내각을 이루는 피크를 연마함으로써 피크의 날카로움이 감소되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 기판 지지용 서셉터 제조 방법.
KR1020180036965A 2018-03-30 2018-03-30 유리 기판 지지용 서셉터 KR102080231B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180036965A KR102080231B1 (ko) 2018-03-30 2018-03-30 유리 기판 지지용 서셉터

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180036965A KR102080231B1 (ko) 2018-03-30 2018-03-30 유리 기판 지지용 서셉터

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190114373A true KR20190114373A (ko) 2019-10-10
KR102080231B1 KR102080231B1 (ko) 2020-02-21

Family

ID=68206391

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180036965A KR102080231B1 (ko) 2018-03-30 2018-03-30 유리 기판 지지용 서셉터

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102080231B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220035300A (ko) * 2020-09-13 2022-03-22 (주)티티에스 가이드 프레임이 일체화된 서셉터

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004052098A (ja) * 2002-05-31 2004-02-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置およびそれに用いるサセプタ
JP3584864B2 (ja) * 2000-08-25 2004-11-04 三菱住友シリコン株式会社 ウェーハ用サセプタ及びこれを備えたウェーハ熱処理装置
KR20090010625A (ko) * 2007-07-24 2009-01-30 주식회사 에스에프에이 유리기판 지지용 서셉터 및 그 제조 방법, 그리고 그유리기판 지지용 서셉터를 구비한 화학 기상 증착장치
WO2012056914A1 (ja) * 2010-10-25 2012-05-03 日本碍子株式会社 加熱装置
KR20130058312A (ko) 2011-11-25 2013-06-04 (주)위지트 서셉터와 섀도우 프레임 간의 아크 발생 방지 장치
KR20140020429A (ko) 2012-08-08 2014-02-19 김원구 기판 셔틀 장치, 이를 포함하는 기상 증착 장치 및 기판 셔틀 장치의 제조방법
KR101441858B1 (ko) 2005-07-15 2014-09-19 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 서셉터를 러프닝함으로써 정전하를 감소시키는 장치
KR101513584B1 (ko) 2013-07-31 2015-04-21 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20170129501A (ko) * 2016-05-17 2017-11-27 (주)티티에스 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3584864B2 (ja) * 2000-08-25 2004-11-04 三菱住友シリコン株式会社 ウェーハ用サセプタ及びこれを備えたウェーハ熱処理装置
JP2004052098A (ja) * 2002-05-31 2004-02-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置およびそれに用いるサセプタ
KR101441858B1 (ko) 2005-07-15 2014-09-19 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 서셉터를 러프닝함으로써 정전하를 감소시키는 장치
KR20090010625A (ko) * 2007-07-24 2009-01-30 주식회사 에스에프에이 유리기판 지지용 서셉터 및 그 제조 방법, 그리고 그유리기판 지지용 서셉터를 구비한 화학 기상 증착장치
KR100938874B1 (ko) 2007-07-24 2010-01-27 주식회사 에스에프에이 유리기판 지지용 서셉터 및 그 제조 방법, 그리고 그유리기판 지지용 서셉터를 구비한 화학 기상 증착장치
WO2012056914A1 (ja) * 2010-10-25 2012-05-03 日本碍子株式会社 加熱装置
KR20130058312A (ko) 2011-11-25 2013-06-04 (주)위지트 서셉터와 섀도우 프레임 간의 아크 발생 방지 장치
KR20140020429A (ko) 2012-08-08 2014-02-19 김원구 기판 셔틀 장치, 이를 포함하는 기상 증착 장치 및 기판 셔틀 장치의 제조방법
KR101513584B1 (ko) 2013-07-31 2015-04-21 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20170129501A (ko) * 2016-05-17 2017-11-27 (주)티티에스 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220035300A (ko) * 2020-09-13 2022-03-22 (주)티티에스 가이드 프레임이 일체화된 서셉터

Also Published As

Publication number Publication date
KR102080231B1 (ko) 2020-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6723437B2 (en) Semiconductor processing component having low surface contaminant concentration
US7402258B2 (en) Methods of removing metal contaminants from a component for a plasma processing apparatus
JPH1064888A (ja) 改良型ガス散布板を用いるエッチング
US20020162630A1 (en) Semiconductor substrate-supporting apparatus
TW200525635A (en) Temperature controlled hot edge ring assembly for reducing plasma reactor etch rate drift
JP6552346B2 (ja) 基板処理装置
EP1314188B1 (en) Process for cleaning semiconductor processing components
JP2012204644A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
EP3670450A1 (en) Tantalum carbide coating material
US20070228524A1 (en) Method of manufacturing epitaxial silicon wafer
KR20140108141A (ko) 탑재대 및 플라즈마 처리 장치
TW201734656A (zh) 基板保持構件
KR102080231B1 (ko) 유리 기판 지지용 서셉터
US20060035445A1 (en) Method of reducing the surface roughness of a semiconductor wafer
JP2004296553A (ja) 半導体製造装置用部材
CN109576647A (zh) 一种超薄滤光片薄膜制备方法
JP2020009839A (ja) プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
US11361959B2 (en) Method for manufacturing wafer
US20020006724A1 (en) Processing method for object to be processed
TWI836428B (zh) 用於減少背側顆粒之腔室製程
US20180040457A1 (en) Surface treatment for improvement of particle performance
US20170204505A1 (en) Method of performing a surface treatment on a mounting table, the mounting table and a plasma processing apparatus
KR20210020355A (ko) 웨이퍼용 서셉터의 제작 방법
JP2021090025A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP6924593B2 (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant