TWI389179B - 用於平面顯示器之化學氣相沈積裝置 - Google Patents

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Description

用於平面顯示器之化學氣相沈積裝置
本發明係屬於一種用於平面顯示器之化學氣相沈積裝置，尤其是有關於一種用於平面顯示器之化學氣相沈積裝置，其中承載器(susceptor)會被強制冷卻使得其溫度可在一相當短的時間內降低至一適當程度。因此用來保養與維修化學氣相沈積裝置的時間就可以縮短，而化學氣相沈積裝置的運作效率及生產力也可以增加，製程損失的發生也可以減少，安裝與保養/維修工作能簡單化，能防止在反應室中產生粒子，也能減輕承載器因為突然的熱散失所造成的衝擊，且亦能防止承載器因為突然的溫度不平衡而產生裂縫。
平面顯示器係被廣泛地使用於個人攜帶式終端機、電視或電腦顯示器。平面顯示器包括很多種類例如液晶顯示器(LCDs)、電漿顯示面板(PDPs)，以及有機發光二極體(OLEDs)。在這些平面顯示器中，LCD是由在兩片薄上下玻璃基板之間注入作為中間物質之液晶(處於固態與液態之間)所形成，且LCD是一種使用光學切換現象之裝置，其中數字或影像係藉由使用上下玻璃基板間之電壓差來改變液晶分子配置以產生亮暗來顯示。
LCD係廣泛使用於電子裝置，例如電子鐘、電子計算 機、電視、桌上型電腦以及車輛與飛機上之轉速計。
一般來說，LCD電視的螢幕大小可達20-30吋而顯示器可達17吋或17吋以下。近年來，消費者對於超過40吋的大型電視與超過20吋的大型顯示器有著較大興趣。因此，LCD製造商需要製造出較大的玻璃基板。近年來，所謂第八代玻璃基板(約2x2米的大小)的量產係正在研發中。
通過一連串的製程，包括TFT製程：其中反覆地進行沈積、微影、蝕刻、化學氣相沈積、用於結合上下玻璃基板的液晶胞製程，以及完成產品之模組化製程，LCD係被製造出且最終進入市場。
在一連串製程中之化學氣相沈積製程中，藉由在以外部高頻電源製造之電漿獲得高能量之以矽為基底的複合離子係透過一電極從一氣體分配面板中發射出來且沈積在一玻璃基板上。該製程係在一進行化學氣相沈積之反應室中進行。
在稍後之詳細描述中，進行化學氣相沈積製程之反應室係包括一上反應室與一下反應室。電極係位於上反應室中，而具有一用於接受沈積之玻璃基板位於其上之承載器係位於下反應室。
當玻璃基板承載於該承載器之上表面上時，該承載器係被加熱至280-380度C之間。然後，該承載器係被抬起且被放置於靠近該具有一下電極之氣體分配面板。透過該 電極施加電壓，其中該電極係利用絕緣材料鐵氟龍與反應室絕緣。以矽為基底的複合離子係從具有多個孔之氣體分配面板中發射出來以實施玻璃基板之沈積製程。當沈積製程被反覆地實施於玻璃基板時，在反應室周圍的結構與反應室中的多種部件係需要保養及維護。保養及維護之工作必須等到被加熱至280-380度C之承載器的溫度降低至100度C以下且暴露於外界空氣中時才能進行。
然而，市售之用於平面顯示器的化學氣相沈積裝置一般需要24小時來使承載器之溫度從280-380度C降低至100度C以下來進行保養及維護，因此便有著需要花很多時間來使承載器之溫度下降以進行化學氣相沈積裝置保養及維護的問題。這是因為在真空狀態之反應室中，僅靠輻射作用進行熱傳導而已。
因此，在習知技術中，由於保養及維護工作需要等承載器之溫度從280-380度C降低至100度C以下而浪費約24小時不能做任何事，因此所出現的問題就是保養及維護工作的時間會拉長。據此，設備的運作效率便會低下且生產力便會惡化使得會產生一般製程損失。
為解決上述問題，本案申請人係申請了韓國專利申請第2006-0009617與2006-0011598號(兩案均尚未公開)以提供一種藉由在承載器中形成一冷卻孔並通過冷媒之直接冷卻承載器的技術且更於下反應室安裝一冷卻塊。
然而，對於平面顯示器用之化學氣相沈積裝置，係難 以使用該方法。例如，實際操作時係難以於承載器之上直接製作一冷卻孔來使其進行冷卻。且使用分離製作之冷卻塊來冷卻承載器亦非易事。然而，由於承載器是一種座落於下反應室中之巨大結構，係難以在不將承載器與下反應室分開之情形下將冷卻塊安裝於下反應室之底面上，且日後的保養與維護亦難以進行。另外，根據沈積製程之特性，不能有微小粒子存在於反應室中。當於反應室中安裝屬於分離結構之冷卻塊時，會從冷卻塊上產生粒子。
此外，前述方法係屬於直接冷卻承載器之所謂直接冷卻方法。因此，雖然承載器之冷卻時間能縮短，但因為承載器之快速冷卻使得突然之溫度不平衡會使承載器產生裂痕。實際上，由於承載器屬於非常貴重的產品，當裂痕產生時，承載器之更換會是財務上的負擔。
因此，係需要一種強制冷卻承載器之方法，使得承載器之溫度能在相當短的時間內降低至一適當值，以滿足縮短化學氣相沈積裝置保養與維護時間之需求，且化學氣相沈積裝置之生產力與運作效率亦能增加，製程損失之產生能減少，安裝與保養/維修工作能簡單化，能防止在反應室中產生粒子，也能減輕承載器因為突然的熱散失所造成的衝擊，且亦能防止承載器因為突然的溫度不平衡而產生裂縫。
為解決上述問題及/或其他問題，本發明係提供一種用於平面顯示器之化學氣相沈積裝置，其中承載器係被強制冷卻使得承載器之溫度能在相當短的時間內降低至一適當值。因此該化學氣相沈積裝置之保養與維護時間能縮短，且化學氣相沈積裝置之生產力與運作效率亦能增加，製程損失之產生能減少，安裝與保養/維修工作能簡單化，能防止在反應室中產生粒子，也能減輕承載器因為突然的熱散失所造成的衝擊，且亦能防止承載器因為突然的溫度不平衡而產生裂縫。
根據本發明之一態樣，用於平面顯示器之化學氣相沈積裝置包含對平面顯示器實施沈積製程之一反應室，一安裝於反應室中之承載器，其係可舉起且承載該平面顯示器於其上表面，以及一位於該反應室外壁上之強制冷卻部，以藉由冷卻反應室之外壁來降低反應室內部之溫度來強制冷卻在沈積製程中被加熱之承載器。
該反應室包含具有用來清除沈積製程中沈積物質之電極的上反應室，以及具有承載器及一上部的下反應室，其中該上部係用來耦接上反應室。
該強制冷卻部包含耦接至該下反應室後表面之可分離冷卻塊，以及位於該冷卻塊供冷媒循環之一冷卻線路。
在保養與維護該反應室時，冷媒係在冷卻線路中循環。
冷媒係為任一種水或氮氣。
該裝置更包含一圓柱，其上端固定於該承載器後表面之中央區域，其下端則通過該下反應室向下暴露，且承載該可升起之承載器，其中強制冷卻部係沿著該圓柱之外周圍方向配置。
冷卻塊包括多個部分分開之單元塊。
當承載器藉由強制冷卻部冷卻且該平面顯示器係為LCD用之大型玻璃基板時，該反應室係充填氫氣或氦氣中之任一種。
本發明所附圖式係用於解釋本發明之較佳實施例及其達成之目的以其優點能更易於被理解。在下文中，本發明將藉由參照附圖來詳細解釋其較佳實施例。在圖式中之參考數字係代表元件。
圖一係為根據本發明一實施例之用於平面顯示器之化學氣相沈積裝置之橫剖面圖。在說明之前，平面顯示器G可為任一種液晶顯示器(LCDs)、電漿顯示器(PDPs)，與有機發光二極體(OLEDs)。然而，在此實施例中用於LCD之大型玻璃基板係指該平面顯示器G。「大型」一詞係指根據第八代玻璃基板之體積而言。在下列敘述中，平面顯示器G係指玻璃基板G。
參照圖一，根據本發明用於平面顯示器之化學氣相沈積裝置係包括上下反應室10與20、位於上反應室10中之電 極30，該電極30係用於發射一沈積物質，該沈積物質係為向著接受沈積之玻璃基板之一預定以矽為基底之複合離子、一位於下反應室20中之承載器50，其上係用於承載玻璃基板G，以及一耦接至該下反應室20後表面以強制冷卻完成沈積製程之承載器50的強制冷卻部70。
如圖一所示，當進行沈積製程時，上下反應室10與20係彼此耦接。亦即，當該上反應室10藉由一獨立起重機耦接至該下反應室20之上半部時，該上下反應室10與20係合為一體。當該上下反應室10與20合為一體且該沈積製程在形成於上下反應室10與20之沈積空間S中進行時，該沈積空間S係為密封而與外界隔絕以維持真空狀態。
該電極30係位於上反應室10內側之水平方向。電極30包括面對下反應室20設置之一氣體分配板31以及設置於該氣體分配板31後方之一後板32，該氣體分配板31與後板32之間形成一緩衝空間B。
多個精細製造之孔洞(圖中未示出)係形成於該氣體分配板31中。因此，在沈積製程期間，當該承載器50上升且靠近於該氣體分配板31以數十公釐之距離配置時，該沈積物質係透過孔洞被注入以沈積於該玻璃基板G之上表面。
位於後板32與上反應室10間之絕緣件34係用於防止該後板32直接接觸該上反應室10之外壁而導電。該絕緣件34可以鐵氟龍製造。
懸置支撐件35係位於該氣體分配板31與後板32之間。該懸置支撐件32不僅可防止該緩衝空間B中之沈積物質洩漏到外面，亦可以相對於後板32來支撐該重達400公斤之氣體分配板31。此外，在沈積製程期間，該懸置支撐件35能在X軸、Y軸或Z軸中之至少一軸上補償被加熱至約200度C之氣體分配板31的熱延伸。
上板36係位於該上反應室10之上部。用於供應反應氣體、清潔氣體或其他氣體進入沈積空間S之氣體供應部37係位於該上板36之上。高頻電源部38係沿著該氣體供應部37安裝。該高頻電源供應部38係與該電極30之後板32藉由一連接線39電性連接。用於強化該下反應室20與上反應室10側壁間之厚度公差的強化壁部40係位於該上反應室10之側壁外表面上。
下反應室20主要為玻璃基板G實施沈積製程之部位。因此，沈積空間S主要形成於下反應室20中。基板進入部20a係形成於該下反應室20之外壁中，藉此玻璃基板G可由預定之工作機器人進出該沈積空間S。該基板進入部20a係可由耦接至基板進入部20a附近之閘門閥24來開關。雖然圖中未示出，用於擴散存在於沈積空間S之下方區域的氣體使其進入沈積空間S之氣體擴散板(未示出)係位於下反應室20之底面上。
該承載器50係水平設置於下反應室20之沈積空間S中且於其上承載玻璃基板G。承載器50之大小一般係大於接 受沈積之玻璃基板G。承載器50之上表面係被製作成近乎平板使得玻璃基板G可以精確地被水平承載。承載器50中係安裝一加熱器(未示出)以加熱該承載器50達280-380度C之預定沈積溫度。
用於穩定承載玻璃基板G(可被承載或退出)下表面之複數個舉針52係位於承載器50中使得位於該承載器50上表面上之玻璃基板G可以被承載或退出。舉針52係穿過承載器50
當承載器50被降下時，舉針52之下端係抵靠下反應室20之底面使得舉針52之上端能向上突出於承載器50之上表面。據此，玻璃基板G可與承載器50分開。相反地，當承載器50被升起時，舉針52係向下移動使得玻璃基板G能緊密接觸承載器50之上表面。舉針52在玻璃基板G與承載器50間形成一空間使得機器人手臂(未示出)可以抓取承載於承載器50上之玻璃基板G。
用於承載且抬升承載器50之圓柱54係耦接於承載器50。圓柱54之上端係固定於承載器50後表面之中央區域且圓柱54之下端係向下通過下反應室20而暴露出來。
如前所述，第八代技術之承載器50可能因為該承載器相當重且龐大而下陷。在這種狀況時，玻璃基板G也可能下陷。在圖式中，承載器支撐56係位於該圓柱54之上部且穩定地支撐承載器50。
承載器50在下反應室20之沈積空間S中上下移動。亦 即，當承載玻璃基板G時，承載器50係配置於下反應室20之底面。接著，當玻璃基板G被承載且沈積製程實施後，承載器50係升起使得玻璃基板G可以靠近該氣體分配板31。為此目的，用於抬升該承載器50之抬升模組60係位於該耦接於承載器50之圓柱54。
在抬升模組60抬升承載器50之過程中，在圓柱54與下反應室20間不能產生空隙。因此，用來包圍圓柱54外表面之風箱管58係位於下反應室20中之圓柱54通過的區域。當承載器50下降時風箱管58會擴張，當承載器50上升時風箱管58會緊密接觸承載器50。
圖二係為圖一之下反應室之底部側視圖。圖三係為圖二之強制冷卻部的透視圖。如前所述，當有關於玻璃基板G之沈積製程反覆實施時，係需要對上下反應室10與20(包括電極30或承載器50)進行保養與維護工作。在上反應室10脫離下反應室20後，係進行保養與維護工作。然而，在沈積製程期間，由於承載器50係處於被加熱至280-380度C之狀態，因此上反應室10無法於此狀態下分離。因此，上反應室10只能等承載器50溫度降低至100度C或以下時才能進行分離。
然而，由於需要約24小時使承載器50之溫度降低至100度C或以下使得保養與維護工作之等待時間會延長。因此，裝置之運作效率會低下且由於產生製程損失因此生產力會退化。
據此，為了快速實施保養與維護工作，需要藉由強制冷卻部70強制冷卻承載器50使得其溫度可以快速降低至一適當程度。當承載器50之溫度被強制冷卻部70強制降低時，不能於上下反應室10與20中產生粒子。又，不能使承載器50因為突然的熱消散及溫度不平衡所產生之衝擊而造成裂痕。為了滿足這些狀況，根據本發明實施例之具有改良結構的強制冷卻部70係位於化學氣相沈積裝置中。
在本實施例中，不同於習知技術，該強制冷卻部70並非位於該沈積空間S中。亦即，強制冷卻部70係位於上下反應室10與20之外壁上(非內壁)。強制冷卻部70係藉由間接方式，即冷卻上下反應室10與20之外壁以降低上下反應室10與20之溫度來強制冷卻在沈積製程中逐漸且自然地被加熱之承載器50。
因此，強制冷卻部70可以設置在上下反應室10與20之任何部位上。然而，由於沈積空間S實質上形成在下反應室20中，因此強制冷卻部70較佳係位於下反應室20之外壁上。然而，考量到當化學氣相沈積裝置在製造時，分離柵欄(未示出)會位在下反應室20之外壁，因此強制冷卻部70較佳係位於在下反應室20之後表面。由於下反應室20一般係藉由設置於一分離框架上(未示出)來安裝，操作員可輕易到達下反應室20後表面。因此，於此實施例中當強制冷卻部70位於下反應室20後表面時，另一個優點是該強制冷卻部70之保養與維護工作可輕易實行。
於本實施例中，強制冷卻部70包括可沿著該圓柱54周圍分離耦接至該下反應室70後表面之一冷卻塊71以及位於該冷卻塊71中供冷媒循環之一冷卻線路72。
在本實施例中，冷卻塊71是由四單元塊(未示出)組成，其係彼此分離且利用一耦接單元，例如分離螺栓或掛鉤固定於一固定位置。由於冷卻塊71會因為在冷卻線路72中循環之冷媒而將承載器50之溫度快速降低，冷卻塊71便不需像圖二般為四個單元塊。亦即，不論其數量與體積，冷卻塊71位於下反應室20後表面上之適當位置即足夠。
又，本實施例中之冷卻塊71係為一近似矩形盒之外型。然而，冷卻塊71之形狀並不受限於上述外型。由於當冷卻塊71有一表面與該下反應室20後表面之大型區域接觸時，冷卻效率很高，因此不論外型之表面是否較佳可與該下反應室20後表面接觸，冷卻塊71之上表面係平行於該下反應室20之後表面成形。
冷卻線路72可以多排方式來設置於冷卻塊71中，如圖三所示，使得冷卻線路72可以大面積接觸冷卻塊71。然而不同於圖三所示，冷卻線路72之單一管線可以穿過冷卻塊71之內部來成形。
冷卻線路72係形成管線狀以供冷媒從其中流過。冷媒可為水冷方式中之任一種液體或氣冷方式中之氮氣。由於氮氣在其他氣體中具有一相當高之熱轉移率，氮氣係主要被使用於氣冷方式中。然而，也可以用具有類似於氮氣熱 轉移率之氣體來替代。
為了在冷卻線路72中循環冷媒，冷卻線路72之兩端需要彼此分開。冷媒係藉由一冷媒供應源(未示出)與一幫浦(未示出)被供應至冷卻線路72之一端72a且於另一端72b被耗盡。在本實施例中，雖然該等習知結構係被省略，但假使有需要是可以將該等習知結構標示出來。
當用於冷卻承載器50之冷媒循環於冷卻線路72中時，承載器50與下反應室20之底面接觸且會突然發生熱散失。因此，突然之熱散失會對承載器50造成衝擊且因為突然之熱失衡承載器50可能會發生裂痕。
於本實施例中，當用於冷卻承載器50之冷媒循環於冷卻線路72中時，由於沈積空間S係藉由氣體供應部37被充滿氫氣或氦氣，承載器50係不會產生熱應力。
在操作上述用於平面顯示器之化學氣相沈積裝置時，當承載器係被抬升模組60降低至該下反應室20之下部時，機械手臂會經由在承載器上部之基板進入部20a將用於接受沈積之玻璃基板G轉移且投入。
由於舉針52之上端會從承載器50之上表面突出至一預定高度，機械手臂會放置玻璃基板於該舉針52上然後退出。當機械手臂退出時，基板進入部20a會關閉且該上下反應室10與20之內部會維持真空且同時以沈積時需要之製程氣體，例如矽甲烷(SiH4 )或氨氣(NH3 )充填之。
進行沈積製程時，抬升模組60係被做動以抬升承載器 50。接著，舉針52係被降低使得玻璃基板G緊密接觸承載器50之下表面且於其上被承載。當承載器50被抬升一預定距離時，抬升模組60之操作停止且玻璃基板G會被定位於氣體分配板31之下。於此時，承載器50已被加熱至約280-380度C。
接著，由絕緣件34絕緣之電極30會施加電力。作為沈積物質之以矽為基底的複合離子會由形成有多個孔洞之氣體分配板31注入，該沈積物質會到達玻璃基板G使得玻璃基板G上實施沈積。
在玻璃基板G之沈積製程完成後，承載器50係被降低以實施有關於上下反應室10與20之保養與維護工作。沈積空間S係被氫氣或氦氣充填且冷媒會在強制冷卻部70之冷卻線路72中循環。
由於冷媒之循環，接觸冷卻塊71之下反應室20下表面係會被降溫使得沈積空間S中之熱會散失。因此，配置於沈積空間S中之承載器50會在非常短之時間內(相較於習知技術)被降溫。當承載器50之溫度被降至約100度C時，上反應室10便從下反應室20分離且實施保養與維護工作。
根據本實施例，藉由於一相當短時間內強制冷卻承載器50至一適當溫度，用於裝置保養與維護之等待時間可以被縮短使得裝置之運作率與其生產力能增加且能預防製程損失之產生。
又，由於強制冷卻部70係耦接於下反應室20之後表 面，強制冷卻部70之安裝及保養與維護工作可易於執行。能預防在上下反應室10與20中產生之粒子。尤其藉由前述之強制冷卻部70可減輕因為突然熱散失而對承載器50造成之衝擊且可預防承載器50因為突然溫度失衡而產生裂痕。
圖四係為本發明另一實施例之用於平面顯示器之化學氣相沈積裝置的下反應室之底部側視圖。在前述實施例中，冷卻塊71係被分成四單元塊。然而在本實施例中，冷卻部170之冷卻塊171係具有實質覆蓋該下反應室20後表面之體積的單一單元塊。在此例中，冷卻線路172較佳係配置為數列。於本實施例中，冷卻塊171之配置係足以使承載器50之溫度快速降低。
如前所述，根據本發明，由於承載器係被強制冷卻使得其溫度可在相當短時間內被降低，該化學氣相沈積裝置之保養與維護工作的時間可縮短，該化學氣相沈積裝置之運作率與生產力可提升，製程損失之產生可減少，安裝與保養/維護工作可簡化，可預防在反應室中產生之粒子，可減輕因為突然熱散失而對承載器造成之衝擊且可預防承載器因為突然溫度失衡而產生裂痕。
唯以上所述者，僅為本發明之最佳實施態樣爾，當不能以之限定本發明所實施之範圍。即大凡依本發明申請專利範圍所作之均等變化與修飾，皆應仍屬於本發明專利涵蓋之範圍內，謹請　貴審查委員明鑑，並祈惠准，是所至 禱。
10‧‧‧上反應室
20‧‧‧上反應室
20a‧‧‧基板進入部
24‧‧‧閘門閥
30‧‧‧電極
31‧‧‧氣體分配板
32‧‧‧後板
34‧‧‧絕緣件
35‧‧‧懸置支撐件
36‧‧‧上板
37‧‧‧氣體供應部
38‧‧‧高頻電源部
39‧‧‧連接線
40‧‧‧強化壁部
50‧‧‧承載器
52‧‧‧舉針
54‧‧‧圓柱
56‧‧‧承載器支撐
58‧‧‧風箱管
60‧‧‧抬升模組
70‧‧‧強制冷卻部
71‧‧‧冷卻塊
72‧‧‧冷卻線路
72a‧‧‧端
72b‧‧‧端
170‧‧‧冷卻部
171‧‧‧冷卻塊
172‧‧‧冷卻線路
B‧‧‧緩衝空間
G‧‧‧玻璃基板
S‧‧‧沈積空間
本發明之特徵與其他優點將藉由詳細之較佳實施例與參照隨附之圖式而更為明瞭易懂，其中：圖一係為根據本發明一實施例之用於平面顯示器之化學氣相沈積裝置之橫剖面圖；圖二係為圖一之下反應室之底部側視圖；圖三係為圖二之強制冷卻部的透視圖；以及圖四係為本發明另一實施例之用於平面顯示器之化學氣相沈積裝置的下反應室之底部側視圖。
10‧‧‧上反應室
20‧‧‧上反應室
20a‧‧‧基板進入部
24‧‧‧閘門閥
30‧‧‧電極
31‧‧‧氣體分配板
32‧‧‧後板
34‧‧‧絕緣件
35‧‧‧懸置支撐件
36‧‧‧上板
37‧‧‧氣體供應部
38‧‧‧高頻電源部
39‧‧‧連接線
40‧‧‧強化壁部
50‧‧‧承載器
52‧‧‧舉針
54‧‧‧圓柱
56‧‧‧承載器支撐
58‧‧‧風箱管
60‧‧‧抬升模組
70‧‧‧強制冷卻部
B‧‧‧緩衝空間
G‧‧‧玻璃基板
S‧‧‧沈積空間

Claims (7)

  1. 一種用於平面顯示器之化學氣相沈積裝置，包含：一反應室，其中係對平面顯示器實施沈積製程，其中該反應室包含一上反應室以及一下反應室，該上反應室係具有用來清除沈積製程中沈積物質之電極，該下反應室，係具有承載器及一上部，其中該上部係用來耦接上反應室；一承載器，係安裝於反應室中，該承載器係可舉起且承載該平面顯示器於其上表面；以及一強制冷卻部，係耦接至該下反應室後表面，以在沈積製程完成後，藉由冷卻反應室之外壁來降低反應室內部之溫度來強制冷卻在沈積製程中被加熱之承載器。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之用於平面顯示器之化學氣相沈積裝置，其中該強制冷卻部包含：一冷卻塊，係可分離地耦接至下反應室之後方表面；以及一冷卻線路，係位於該冷卻塊中且其中有循環之冷媒。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之用於平面顯示器之化學氣相沈積裝置，其中在保養與維護該反應室時，冷媒係在冷卻線路中循環。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之用於平面顯示器之化學氣相沈積裝置，其中冷媒係為任一種水或氮氣。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之用於平面顯示器之化學 氣相沈積裝置，其更包含一圓柱，該圓柱之上端固定於承載器後表面之中央區域，該圓柱之下端則通過下反應室向下暴露且承載該可升起之承載器，其中強制冷卻部係沿著該圓柱之外周圍方向配置。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之用於平面顯示器之化學氣相沈積裝置，其中冷卻塊係包括多個部分分開之單元塊。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之用於平面顯示器之化學氣相沈積裝置，其中當承載器藉由強制冷卻部冷卻且該平面顯示器係為LCD用之大型玻璃基板時，該反應室係充填氫氣或氦氣中之任一種。
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